用于制造顯示面板的方法
【技術領域】
[0001] 所描述的技術大體上涉及用于制造顯示面板的方法。
【背景技術】
[0002] 近來，由于可容易將平板顯示器（FPD)實現為大、薄且重量輕的，因此顯示設備市 場已迅速轉向FH)市場。在各種類型的平板顯示器中，有機發光二極管（0LED)顯示器是不 需要單獨光源的自發射型，因此在縮小厚度和減輕重量方面具有更多優勢。
[0003] 由于一般的平板顯示器使用玻璃基板，因此該平板顯示器具有降低的靈活性、厚 的厚度以及大的重量，因此在應用方面受到限制。近來，為了減小顯示設備的厚度，顯示單 元被形成在超薄玻璃基板上。
[0004] 超薄玻璃基板具有薄的厚度和大的面積，因此不易操縱。因此，支撐基板被附接在 該超薄玻璃基板的下方，以便在該超薄玻璃基板上形成像素。
[0005] 然而，在完成像素形成過程之后，超薄玻璃基板需要與支撐基板分離。為了這樣 做，超薄玻璃基板被暴露至高溫工藝等，因此其不能容易地與支撐基板分離并且可被部分 損壞。

【發明內容】

[0006] 因此，本發明旨在提供一種用于制造顯示面板的方法，該方法能夠容易地從支撐 基板分離超薄玻璃基板。
[0007] 根據本發明的一個方面，提供一種用于制造顯示面板的方法，包括：通過在支撐基 板的脫附區中形成釋放層和凹陷部中的一個，在所述支撐基板中限定所述脫附區；清洗所 述支撐基板的表面；在所述支撐基板上布置薄膜基板；將所述薄膜基板結合至所述支撐基 板；在所述薄膜基板上形成像素和密封構件；在對應于所述脫附區的位置處切割所述密封 構件和所述薄膜基板；以及從所述薄膜基板分離所述支撐基板。所述清洗可以通過UV清 洗、超聲波清洗、水射流清洗、氫水清洗和臭氧（〇3)清洗中的一種來實現。所述像素可以包 括有機發光元件。
[0008] 所述脫附區可以由所述凹陷部限定，所述凹陷部通過等離子體蝕刻或噴砂來產 生。所述凹陷部的深度可以為2nm至200i!m。所述脫附區可以由所述釋放層限定，形成釋 放層可以包括：在所述支撐基板上形成銦錫氧化物（IT0)層和銦鋅氧化物（IZ0)層中的一 個；通過圖案化所述IT0層和所述IZ0層中的所述一個形成保留的釋放層；以及使所保留 的釋放層結晶。所述釋放層可以被形成為具有100A至1000A的厚度。
[0009] 所述薄膜基板可以包括具有〇? 01mm至0? 1mm厚度的超薄玻璃。在與所述脫附區 外部的吸附區相對應的位置處所述支撐基板的表面粗糙度可以等于或小于〇. 2nm。在結合 期間，所述薄膜基板可以在所述吸附區中在不需要中間粘結層的情況下直接并以共價鍵結 合至所述支撐基板。
[0010] 根據本發明的另一方面，提供一種用于制造顯示面板的另一方法，包括：清洗支撐 基板的表面；通過在所述支撐基板的脫附區中形成釋放層和凹陷部中的一個，限定所述支 撐基板的所述脫附區；在所述支撐基板上布置薄膜基板；將所述薄膜基板結合至所述支撐 基板；在所述薄膜基板上形成像素和密封構件；在對應于所述脫附區的位置處切割所述密 封構件和所述薄膜基板；以及從所述薄膜基板分離所述支撐基板。所述清洗可以包括選自 UV清洗、超聲波清洗、水射流清洗、氫水清洗和臭氧（03)清洗的工藝，并且所述薄膜基板可 以在所述脫附區外部的吸附區中并且在不需要中間粘結層的情況下直接并以共價鍵結合 至所述支撐基板。所述支撐基板還可以包括包圍所述脫附區的吸附區。
[0011] 所述脫附區可以由所述凹陷部限定，所述凹陷部可以通過借助于從由等離子體蝕 刻和噴砂組成的組中選擇的工藝對支撐基板進行蝕刻來產生。所述凹陷部的深度可以為 2nm至 200um。
[0012] 所述脫附區可以由所述釋放層限定，形成釋放層可以包括：在所述支撐基板上形 成銦錫氧化物（IT0)層和銦鋅氧化物（IZ0)層中的一個；通過圖案化所述IT0層和所述IZ0 層中的所述一個形成保留的釋放層；以及使所保留的釋放層結晶。所述釋放層可以被形成 為具有100A至1000A的厚度。
[0013] 所述薄膜基板可以是具有0. 〇1_至0. 1_厚度的超薄玻璃。在與所述脫附區外 部的吸附區相對應的位置處所述支撐基板的表面粗糙度可以等于或小于0. 2nm。所述像素 可以包括有機發光元件。
【附圖說明】
[0014] 通過參照下面結合附圖所考慮的詳細說明，本發明變得更好理解，因此本發明的 更完整理解以及本發明帶來的許多優點將容易明白，在附圖中相同的附圖標記表示相同或 相似的組件，其中：
[0015] 圖1是示出根據本發明第一示例性實施例的用于制造顯示面板的方法的流程圖；
[0016] 圖2示出根據第一示例性實施例的方法、其中將釋放層增加至支撐基板的脫附區 SA的處理步驟；
[0017] 圖3示出根據第一示例性實施例的方法、其中將薄膜基板附接至支撐基板/釋放 層組合的處理；
[0018] 圖4示出根據第一示例性實施例的方法、其中在附接至支撐基板的薄膜基板上形 成像素的處理步驟；
[0019] 圖5示出根據第一示例性實施例的方法、其中將包括像素的顯示面板和一部分薄 膜基板與支撐基板分離的處理步驟；
[0020] 圖6是根據本發明示例性實施例的、位于母基板中的顯示面板的示意性布局圖；
[0021] 圖7是根據本發明示例性實施例的有機發光顯示面板的示意性布局圖；
[0022] 圖8是示出根據本發明示例性實施例的有機發光顯示面板的一個像素的等效電 路圖；
[0023] 圖9是圖8的有機發光二極管（0LED)顯示器的一個像素的剖視圖；
[0024] 圖10是示出根據本發明第二示例性實施例的制造顯示面板的順序的流程圖；
[0025] 圖11是在依賴于圖10的根據第二示例性實施例的方法的順序的中間步驟中支撐 基板的剖視圖；
[0026] 圖12是示出根據本發明第三示例性實施例的制造顯示面板的順序的流程圖；以 及
[0027] 圖13是在根據第三示例性實施例的方法的中間步驟中支撐基板的剖視圖。
【具體實施方式】
[0028] 在下文中，將參照其中示出示例性實施例的附圖更充分地描述示例性實施例。如 本領域技術人員所認識到的，在不脫離本發明的精神或范圍的所有情況下，可以以各種不 同的形式修改所描述的實施例。
[0029] 在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。應理解，當諸如層、 膜、區域或基板之類的元件被稱為位于另一元件"上"時，其可以直接位于另一元件上，或者 也可以存在中間元件。相反，當一個元件被稱為"直接"位于另一個元件"上"時，則不存在 中間元件。
[0030] 現在轉向圖1，圖1是示出根據示例性實施例的用于制造顯示面板的方法的流程 圖。如圖1所示，根據示例性實施例的用于制造顯示面板的方法包括在支撐基板上形成脫 附區和吸附區（S100)，清洗支撐基板（S102)，將薄膜基板結合至支撐基板上（S104)，在薄 膜基板上形成像素（S106)，將薄膜基板切割為單個顯示面板（S108)，以及從支撐基板分離 顯示面板（S110)。
[0031] 在下文中，將參照圖2至圖5詳細地描述根據圖1的流程圖的用于制造顯示面板 的方法。
[0032] 圖2至圖5是示意性描述根據第一示例性實施例的用于制造顯示面板的方法的剖 視圖，圖6是根據第一示例性實施例的位于母基板中的顯示面板的示意性布局圖。
[0033] 如圖1和圖2所示，制備支撐基板500,并且在支撐基板500上形成釋放層 10 (S100)，以將脫附區SA與吸附區SB區別開。
[0034] 支撐基板500支撐薄膜基板100,并且防止薄膜基板彎曲，其中薄膜基板彎曲是由 于通常由玻璃基板制成的薄膜基板非常薄而發生的。支撐基板500可以具有0. 3mm至1_ 的厚度，并且可優選具有〇. 5mm的厚度。
[0035] 脫附區SA是其中形成釋放層10的區域，吸附區SB是其中未形成釋放層10的區 域。如圖6所示，釋放層可以被形成為多個并且被布置為矩陣形式。
[0036] 關于釋放層，首先，在200°C或更低的溫度下形成厚度為100A至j〇〇〇A的銦錫氧 化物（IT0)膜或銦鋅氧化物（IZ0)膜。接下來，通過利用光刻工藝圖案化IT