中文字幕无码日韩视频无码三区

充電線圈模組及其相關產品、充電線圈模組的制備方法與流程

文檔序號:39426815發布日期:2024-09-20 22:24閱讀:來源:國知局

技術特征:

1.一種充電(dian)(dian)線(xian)圈(quan)模組(1),其特征(zheng)在于,包括(kuo)充電(dian)(dian)線(xian)圈(quan)(10)以及電(dian)(dian)路板(20);

2.根據權利要(yao)求1所(suo)述(shu)的充電線(xian)圈(quan)模組(1),其特(te)征在于,所(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)走(zou)線(xian)層(22)包括(kuo)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)走(zou)線(xian)(221),所(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)走(zou)線(xian)(221)與所(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)線(xian)圈(quan)(12)為一(yi)(yi)(yi)體成型結構;

3.根據權(quan)利要求1或2所(suo)述(shu)的充電線(xian)(xian)圈(quan)模組(zu)(1),其(qi)特征在于,所(suo)述(shu)充電線(xian)(xian)圈(quan)(10)包括(kuo)第(di)(di)一(yi)絕緣層(ceng)(14),所(suo)述(shu)充電線(xian)(xian)圈(quan)(10)的第(di)(di)一(yi)絕緣層(ceng)(14)設置在所(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)圈(quan)(12)上,且覆蓋所(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)圈(quan)(12);

4.根據權利要(yao)求1或2所(suo)述(shu)的(de)(de)充電(dian)線圈模組(1),其特征在于,在所(suo)述(shu)電(dian)路板(20)的(de)(de)長度(du)方(fang)向上,所(suo)述(shu)電(dian)路板(20)包括(kuo)依次連接(jie)的(de)(de)第(di)一部(bu)分(201)、第(di)二部(bu)分(202)以及第(di)三(san)部(bu)分(203);所(suo)述(shu)第(di)一部(bu)分(201)與所(suo)述(shu)第(di)三(san)部(bu)分(203)相(xiang)對折疊或者展(zhan)開時,所(suo)述(shu)第(di)二部(bu)分(202)發(fa)生(sheng)彎折;

5.根據(ju)權利要求(qiu)4所(suo)述的充(chong)電線(xian)圈模組(1),其特征在(zai)于(yu),所(suo)述充(chong)電線(xian)圈(10)包括(kuo)第一(yi)絕緣(yuan)層(14),所(suo)述充(chong)電線(xian)圈(10)的第一(yi)絕緣(yuan)層(14)設置在(zai)所(suo)述第一(yi)線(xian)圈(12)上,且(qie)覆蓋所(suo)述第一(yi)線(xian)圈(12);

6.根據權利(li)要(yao)求4或5所述(shu)的(de)(de)充電線(xian)圈模組(1),其特(te)征在于(yu),所述(shu)第一子(zi)絕緣層(ceng)(241)的(de)(de)玻璃(li)化(hua)轉變(bian)溫(wen)度大于(yu)或等于(yu)90℃,所述(shu)第二子(zi)絕緣層(ceng)(242)和所述(shu)第三子(zi)絕緣層(ceng)(243)的(de)(de)玻璃(li)化(hua)轉變(bian)溫(wen)度均(jun)小于(yu)90℃。

7.根據權(quan)利要求4至(zhi)6中的(de)任一項所述的(de)充(chong)電線圈模組(1),其特征(zheng)在于,所述第(di)一子(zi)絕緣層(241)的(de)第(di)一粘接(jie)膠(jiao)層(241b)的(de)厚度(du)小于所述第(di)二子(zi)絕緣層(242)的(de)第(di)二粘接(jie)膠(jiao)層(242b)、所述第(di)三子(zi)絕緣層(243)的(de)第(di)三粘接(jie)膠(jiao)層(243b)的(de)厚度(du)。

8.根據權(quan)利要求(qiu)7所(suo)述(shu)的充電線圈模組(zu)(1),其特征在(zai)于,所(suo)述(shu)第(di)一子(zi)絕緣層(ceng)(ceng)(ceng)(241)的第(di)一粘(zhan)接膠層(ceng)(ceng)(ceng)(241b)的厚度小于25微(wei)米,所(suo)述(shu)第(di)二(er)子(zi)絕緣層(ceng)(ceng)(ceng)(242)的第(di)二(er)粘(zhan)接膠層(ceng)(ceng)(ceng)(242b)、所(suo)述(shu)第(di)三子(zi)絕緣層(ceng)(ceng)(ceng)(243)的第(di)三粘(zhan)接膠層(ceng)(ceng)(ceng)(243b)的厚度大于25微(wei)米。

9.根據(ju)權利要求(qiu)5至8中(zhong)的(de)(de)(de)(de)任一(yi)項所述的(de)(de)(de)(de)充電線(xian)圈模組(1),其特征在于(yu),所述第(di)二部(bu)分(202)的(de)(de)(de)(de)第(di)一(yi)走(zou)(zou)線(xian)層(ceng)(ceng)(224)的(de)(de)(de)(de)厚度小于(yu)所述第(di)一(yi)部(bu)分(201)的(de)(de)(de)(de)第(di)一(yi)走(zou)(zou)線(xian)層(ceng)(ceng)(223)的(de)(de)(de)(de)厚度、所述第(di)三部(bu)分(203)的(de)(de)(de)(de)第(di)一(yi)走(zou)(zou)線(xian)層(ceng)(ceng)(225)的(de)(de)(de)(de)厚度。

10.根據權(quan)利要求9所述的(de)充電線(xian)圈(quan)模組(1),其特征(zheng)在于,所述第(di)一部(bu)(bu)分(fen)(201)的(de)第(di)一走(zou)線(xian)層(ceng)(223)由三層(ceng)金屬層(ceng)構成,所述第(di)二部(bu)(bu)分(fen)(202)的(de)第(di)二走(zou)線(xian)由兩層(ceng)金屬層(ceng)構成;

11.根據權利要求(qiu)9所述的(de)充(chong)電線圈模組(1),其特征在于,所述第(di)一(yi)子絕(jue)緣層(241)與所述第(di)一(yi)部(bu)分(201)的(de)第(di)一(yi)走線層(223)的(de)第(di)三(san)層金屬(223c)之(zhi)間的(de)距離d1滿足:0.2毫米≤d1≤0.5毫米。

12.根據權利要求9至11中任一(yi)項所(suo)述的充電線圈模組(zu)(1),其(qi)特征在(zai)于(yu),所(suo)述第(di)二子絕(jue)緣層(ceng)(242)的一(yi)部分搭接在(zai)所(suo)述第(di)一(yi)子絕(jue)緣層(ceng)(241)上;

13.根據權(quan)利(li)要求(qiu)4至12中的任一(yi)(yi)項所述的充電線(xian)圈(quan)(quan)模組(1),其特征在于(yu),所述充電線(xian)圈(quan)(quan)(10)包括第(di)(di)一(yi)(yi)納米晶層(ceng)(16)以及第(di)(di)一(yi)(yi)石墨層(ceng)(17),所述第(di)(di)一(yi)(yi)納米晶層(ceng)(16)與所述第(di)(di)一(yi)(yi)石墨層(ceng)(17)依次堆疊于(yu)所述充電線(xian)圈(quan)(quan)(10)的第(di)(di)一(yi)(yi)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(14)。

14.根據權利要(yao)求1至13中任一(yi)(yi)項所(suo)述(shu)的(de)(de)(de)充電線圈(quan)模組(1),其特征在于,所(suo)述(shu)第一(yi)(yi)線圈(quan)(12)的(de)(de)(de)匝(za)數大(da)于或者等于2,所(suo)述(shu)第一(yi)(yi)線圈(quan)(12)中的(de)(de)(de)相鄰兩匝(za)之間的(de)(de)(de)距離(li)在40微米至100微米的(de)(de)(de)范(fan)圍(wei)內。

15.根據(ju)權利要求1至14中(zhong)任一(yi)項所(suo)述(shu)的(de)充(chong)電(dian)線(xian)(xian)圈模(mo)組(1),其特征在(zai)(zai)于,所(suo)述(shu)第(di)一(yi)線(xian)(xian)圈(12)中(zhong)的(de)每一(yi)匝(za)包(bao)括第(di)一(yi)導(dao)(dao)電(dian)部(bu)(bu)(1222)以及第(di)二(er)導(dao)(dao)電(dian)部(bu)(bu)(1223),所(suo)述(shu)第(di)一(yi)導(dao)(dao)電(dian)部(bu)(bu)(1222)設置在(zai)(zai)所(suo)述(shu)充(chong)電(dian)線(xian)(xian)圈(10)的(de)基板(11)上(shang),所(suo)述(shu)第(di)二(er)導(dao)(dao)電(dian)部(bu)(bu)(1223)通過電(dian)鍍形(xing)成在(zai)(zai)所(suo)述(shu)第(di)一(yi)導(dao)(dao)電(dian)部(bu)(bu)(1222)上(shang)。

16.一(yi)種電(dian)子設備(100),其特征在于,包括負(fu)載(4)以及如權利要求1至15中任一(yi)項(xiang)所(suo)(suo)述(shu)的充電(dian)線(xian)圈(quan)模組(1),所(suo)(suo)述(shu)充電(dian)線(xian)圈(quan)模組(1)電(dian)連接(jie)所(suo)(suo)述(shu)負(fu)載(4)。

17.一種充(chong)電器(qi)(200),其特(te)征在于,包括如(ru)權(quan)利要求1至(zhi)15中任一項所述(shu)的充(chong)電線圈(quan)模(mo)組(1)。

18.一(yi)種充(chong)(chong)電(dian)(dian)系統(1000),其特征在于,包括(kuo)(kuo)電(dian)(dian)子設備(bei)(100)以及充(chong)(chong)電(dian)(dian)器(200),所述(shu)電(dian)(dian)子設備(bei)(100)與所述(shu)充(chong)(chong)電(dian)(dian)器(200)中的至少(shao)一(yi)者包括(kuo)(kuo)如權利要(yao)求1至15中任一(yi)項所述(shu)的充(chong)(chong)電(dian)(dian)線(xian)圈模組(1),所述(shu)充(chong)(chong)電(dian)(dian)器(200)用于對所述(shu)電(dian)(dian)子設備(bei)(100)充(chong)(chong)電(dian)(dian)。

19.一種充電線圈模組(1)的制備方(fang)法,其(qi)特征在于(yu),包括(kuo):

20.根據權利(li)要求19所(suo)述(shu)(shu)的充電線(xian)圈模組(1)的制備方法,其特征在(zai)于,所(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)走線(xian)層(22)包(bao)括(kuo)第(di)一(yi)(yi)走線(xian)(221),所(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)走線(xian)(221)與所(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)線(xian)圈(12)為一(yi)(yi)體成型結構;

21.根據(ju)權利要求19或(huo)20所述(shu)的(de)充電線(xian)圈模組(1)的(de)制(zhi)備方法,其特征在于,所述(shu)方法還包括:

22.根(gen)據權利要求19或20所述(shu)(shu)(shu)(shu)的(de)充電線圈模組(zu)(1)的(de)制備方法,其特征(zheng)在于,在所述(shu)(shu)(shu)(shu)電路板(20)的(de)長度方向上,所述(shu)(shu)(shu)(shu)電路板(20)包括依次連接(jie)的(de)第(di)一部(bu)(bu)分(fen)(fen)(201)、第(di)二部(bu)(bu)分(fen)(fen)(202)以及第(di)三(san)(san)部(bu)(bu)分(fen)(fen)(203);所述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一部(bu)(bu)分(fen)(fen)(201)與所述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)三(san)(san)部(bu)(bu)分(fen)(fen)(203)相對折(zhe)疊或者展開時,所述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二部(bu)(bu)分(fen)(fen)(202)發生彎折(zhe);

23.根據權利要求22所(suo)(suo)述(shu)(shu)的(de)(de)充(chong)電線圈模組(1)的(de)(de)制備方法,其特征在于(yu),所(suo)(suo)述(shu)(shu)壓(ya)合為熱(re)壓(ya)工(gong)藝,所(suo)(suo)述(shu)(shu)熱(re)壓(ya)工(gong)藝的(de)(de)熱(re)壓(ya)溫度在150℃至200℃的(de)(de)范(fan)圍內,所(suo)(suo)述(shu)(shu)熱(re)壓(ya)工(gong)藝的(de)(de)熱(re)壓(ya)時間在0.5小時至3小時的(de)(de)范(fan)圍內;


技術總結
本申請提供一種充電線圈模組及其相關產品、充電線圈模組的制備方法。本申請通過將電路板的基板與充電線圈的基板同層設置,第一走線層與第一線圈同層設置,第二走線層與第二線圈同層設置,從而使得充電線圈以及電路板形成一個整體性較強的結構。第一線圈與第二線圈可以直接電連接至電路板上走線,例如電路板的第一走線層的走線或者第二走線層的走線,從而一方面可以縮短充電線圈與負載之間的充電路徑,進而減少鏈路損耗,另一方面,可以節省BTB連接器,簡化充電線圈模組的結構,減少充電線圈模組的成本投入。

技術研發人員:郭璇,王家寶,左偉,包彬,許其林,張雨堯
受保護的技術使用者:華為技術有限公司
技術研發日:
技術公布日:2024/9/19
當前第2頁1 2 
網友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1