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超薄封裝元件的制作工藝的制作方法

文檔序號:11100828閱讀:711來源:國知局
超薄封裝元件的制作工藝的制造方法與工藝

本發(fa)明屬于封裝(zhuang)技術領域,具體涉及(ji)一(yi)種超薄封裝(zhuang)元件(jian)的制作工藝。



背景技術:

目前(qian)在無引腳封裝(zhuang)產(chan)(chan)品方面種(zhong)類較(jiao)少,產(chan)(chan)品結構及封裝(zhuang)工藝比較(jiao)普通,產(chan)(chan)品在市場的(de)(de)沒(mei)有太多的(de)(de)競爭力。針對結構復雜的(de)(de)工藝要求(qiu)難(nan)以實現。傳統產(chan)(chan)品厚(hou)度(du)仍然(ran)比較(jiao)大,無法滿足當(dang)前(qian)的(de)(de)便(bian)攜式設(she)備對小體積(ji)、高密度(du)封裝(zhuang)的(de)(de)需求(qiu)。



技術實現要素:

本發明所要解決(jue)的技術(shu)問(wen)題是克服(fu)現有技術(shu)的缺陷(xian),提供一種超薄封裝元件的制作(zuo)工藝(yi)。

本發(fa)明解決現有技術(shu)問題(ti)所采用的(de)技術(shu)方案:一種超薄封裝元件(jian)的(de)制作工藝,包括如下(xia)步驟:

a、框架設計制造

采用金(jin)屬作為(wei)底板,在(zai)底板上通(tong)過干膜光刻掩膜,按順(shun)序分別電鍍厚(hou)(hou)度(du)控制(zhi)在(zai)0.03~0.05um的Au層(ceng)、厚(hou)(hou)度(du)60~80um的Ni層(ceng)和厚(hou)(hou)度(du)1.5~3umAg層(ceng),形成組裝(zhuang)功能區,用于芯片的安裝(zhuang)和焊線的焊點(dian);

b、裝片

采用共晶或銀膠或絕緣膠中(zhong)的(de)任一(yi)種(zhong)裝(zhuang)片(pian)(pian)工(gong)藝,完成芯片(pian)(pian)安(an)裝(zhuang);

c、焊線

采用球焊工藝進行焊接;

d、等離子清洗

進行等離子清(qing)洗(xi),保證產品在塑封前的表面清(qing)潔(jie),提高器件的可靠性和(he)濕(shi)度敏(min)感性;

e、塑封固化

產品裝(zhuang)入塑封模(mo)具,加入環(huan)氧(yang)樹脂包(bao)裹成型,使產品內部的(de)芯片和焊線能夠(gou)安全(quan)地保護,塑封后(hou)的(de)產品經(jing)過高溫150~175℃烘烤4~8小時,使環(huan)氧(yang)樹脂內部結構能夠(gou)充分反應(ying);

f、化學去框架底板

產(chan)品(pin)放進腐(fu)蝕液(ye)中(zhong)進行腐(fu)蝕,框(kuang)(kuang)架底(di)(di)板材料(liao)在腐(fu)蝕液(ye)中(zhong)被腐(fu)蝕掉,而與底(di)(di)板接觸的(de)(de)鍍金(jin)(jin)層(ceng)由于耐腐(fu)蝕性未(wei)被腐(fu)蝕,去除框(kuang)(kuang)架底(di)(di)板后(hou)產(chan)品(pin)的(de)(de)底(di)(di)部全部露(lu)出鍍金(jin)(jin)層(ceng)凸點,用于產(chan)品(pin)后(hou)續與PCB板之(zhi)間的(de)(de)焊接;

g、切割分離

將(jiang)去除底板后(hou)的產(chan)品粘貼在UV上,按照產(chan)品設計的尺寸大小及(ji)外露的鍍金凸點之間(jian)的間(jian)距采用(yong)切割(ge)設備進行切割(ge)分(fen)離,切割(ge)后(hou)進行UV照射并(bing)使產(chan)品從UV上分(fen)離開,通過清洗(xi)并(bing)干燥烘(hong)干;

h、測試、包裝

根(gen)據產(chan)品(pin)的電(dian)性規定(ding)設(she)定(ding)測試(shi)程序進行(xing)電(dian)性能(neng)參數測試(shi),通過(guo)測試(shi)合格產(chan)品(pin)按照(zhao)印(yin)章內容要求MARK打印(yin),并對測試(shi)打印(yin)后產(chan)品(pin)進行(xing)外觀檢測通過(guo)后進行(xing)編帶包裝,形成(cheng)合格成(cheng)品(pin)。

進一步地,所述步驟a中底(di)板為(wei)厚度0.1mm的銅板或不銹鋼板材料通過多層電鍍方式制成。

進一步地,所(suo)述步驟b中采(cai)用銀膠(jiao)、絕(jue)(jue)緣(yuan)膠(jiao)工藝的產品裝(zhuang)片后需進行(xing)加溫燒(shao)結,燒(shao)結后進行(xing)等離子(zi)清(qing)洗去除燒(shao)結過程中的銀膠(jiao)、絕(jue)(jue)緣(yuan)膠(jiao)產生的揮發物,保(bao)證下道焊線工序的品質。

進一步(bu)地,所述步(bu)驟c中(zhong)球焊(han)(han)工藝中(zhong)選用金(jin)線(xian)、合(he)金(jin)線(xian)或者銅線(xian)等焊(han)(han)接材料(liao),采用合(he)金(jin)線(xian)和銅線(xian)生產在焊(han)(han)接過程中(zhong)需要(yao)增加(jia)氮氫混合(he)氣進行保護,防止球氧化造(zao)成焊(han)(han)接不良。

采(cai)用(yong)了上(shang)述技(ji)術方案,本發明具有(you)以下(xia)的有(you)益效果(guo):

1、結(jie)構靈活,可以根(gen)據(ju)需要隨意(yi)設計裝片和焊線功能區域形狀;

2、封(feng)裝工藝簡單,設備(bei)通(tong)用性強;

3、最終產品內(nei)部無框架設計(ji),產品超薄化。

附圖說明

下(xia)面結合(he)附圖和實(shi)施例(li)對本發(fa)明作(zuo)進一步(bu)說明。

圖(tu)(tu)1是本(ben)發(fa)明(ming)的工(gong)藝流程(cheng)圖(tu)(tu)。

具體實施方式

為了(le)使(shi)本發明(ming)(ming)的內容更容易被清楚地理(li)解(jie),下(xia)面根據(ju)具體實施例并(bing)結合附圖,對本發明(ming)(ming)作進一(yi)步詳(xiang)細的說(shuo)明(ming)(ming)。

如圖(tu)1所示的一種(zhong)超薄封裝元件的制作(zuo)工藝,包括如下(xia)步驟:

a、框架設計制造

采用(yong)(yong)(yong)金屬(shu)作為底(di)板(ban),底(di)板(ban)選用(yong)(yong)(yong)厚(hou)度(du)(du)0.1mm的銅板(ban)或不銹鋼板(ban)材料,在底(di)板(ban)上通過干(gan)膜光刻掩膜,按順序分別電鍍(du)厚(hou)度(du)(du)控制在0.03~0.05um的Au層(ceng)、厚(hou)度(du)(du)60~80um的Ni層(ceng)和(he)厚(hou)度(du)(du)1.5~3umAg層(ceng),形成(cheng)組(zu)裝功能區,用(yong)(yong)(yong)于(yu)芯(xin)片的安裝和(he)焊(han)線的焊(han)點;

b、裝片

采用共晶或銀膠(jiao)(jiao)或絕緣膠(jiao)(jiao)中的(de)(de)任一種裝片工(gong)藝,完成芯片安裝,采用銀膠(jiao)(jiao)、絕緣膠(jiao)(jiao)工(gong)藝的(de)(de)產品(pin)裝片后需進(jin)行(xing)加溫燒結(jie)(jie),燒結(jie)(jie)后進(jin)行(xing)等離子清洗去(qu)除燒結(jie)(jie)過程中的(de)(de)銀膠(jiao)(jiao)、絕緣膠(jiao)(jiao)產生的(de)(de)揮(hui)發物,保證下(xia)道焊線工(gong)序的(de)(de)品(pin)質;

c、焊線

采用(yong)(yong)球焊工藝進(jin)行焊接(jie),選用(yong)(yong)金(jin)線(xian)、合(he)金(jin)線(xian)或者銅線(xian)等焊接(jie)材料,采用(yong)(yong)合(he)金(jin)線(xian)和銅線(xian)生(sheng)產在焊接(jie)過程中(zhong)需(xu)要增加氮(dan)氫混合(he)氣進(jin)行保護(hu),防止球氧化造成焊接(jie)不良。

d、等離子清洗

進行等離子清(qing)洗,保證產品在塑(su)封前的(de)表(biao)面清(qing)潔,提高(gao)器件(jian)的(de)可靠(kao)性和濕度敏感性;

e、塑封固化

產品(pin)裝入塑(su)封(feng)(feng)模具,加(jia)入環(huan)(huan)氧樹(shu)脂包裹(guo)成型,使產品(pin)內(nei)部(bu)的(de)芯(xin)片和焊線能夠(gou)安全地保護,塑(su)封(feng)(feng)后的(de)產品(pin)經(jing)過高(gao)溫150~175℃烘烤4~8小時,使環(huan)(huan)氧樹(shu)脂內(nei)部(bu)結構能夠(gou)充(chong)分反應;

f、化學去框架底板

產品(pin)(pin)放(fang)進(jin)(jin)腐(fu)蝕(shi)(shi)液中(zhong)進(jin)(jin)行腐(fu)蝕(shi)(shi),框架底(di)(di)板(ban)材料在腐(fu)蝕(shi)(shi)液中(zhong)被(bei)腐(fu)蝕(shi)(shi)掉(diao),而與底(di)(di)板(ban)接觸的(de)(de)鍍(du)金層(ceng)由于(yu)耐(nai)腐(fu)蝕(shi)(shi)性未被(bei)腐(fu)蝕(shi)(shi),去除(chu)框架底(di)(di)板(ban)后(hou)產品(pin)(pin)的(de)(de)底(di)(di)部全部露(lu)出鍍(du)金層(ceng)凸點,用于(yu)產品(pin)(pin)后(hou)續與PCB板(ban)之間(jian)的(de)(de)焊接;

g、切割分離

將去除底(di)板后的(de)產(chan)品(pin)粘貼在UV上(shang),按照產(chan)品(pin)設計的(de)尺寸大小及外(wai)露的(de)鍍金凸(tu)點之間的(de)間距采用切(qie)(qie)割設備(bei)進行(xing)切(qie)(qie)割分離(li),切(qie)(qie)割后進行(xing)UV照射并(bing)使(shi)產(chan)品(pin)從UV上(shang)分離(li)開,通過(guo)清(qing)洗并(bing)干燥烘干;

h、測試、包裝

根據產(chan)(chan)品(pin)的電性規定設(she)定測(ce)試程序(xu)進(jin)行(xing)電性能(neng)參(can)數測(ce)試,通過測(ce)試合(he)(he)格產(chan)(chan)品(pin)按照(zhao)印章內容要求(qiu)MARK打(da)印,并對測(ce)試打(da)印后產(chan)(chan)品(pin)進(jin)行(xing)外觀(guan)檢測(ce)通過后進(jin)行(xing)編帶包(bao)裝,形成合(he)(he)格成品(pin)。

本發明設(she)(she)計新穎,采用特(te)殊的(de)(de)框架(jia)設(she)(she)計方式,裝片和焊(han)線功能區域可根據結(jie)構需要設(she)(she)計不同(tong)形(xing)狀并通過電鍍形(xing)成(cheng),最終成(cheng)型后的(de)(de)產(chan)品內部沒有框架(jia)。該種(zhong)工藝容(rong)易實現各種(zhong)復雜結(jie)構的(de)(de)封(feng)裝要求(qiu),設(she)(she)備工裝通用性強,封(feng)裝工藝難度低,產(chan)品厚度可實現超(chao)薄型化。

以上(shang)所述(shu)的具(ju)體(ti)實施例(li)(li),對(dui)本(ben)發(fa)(fa)(fa)明的目(mu)的、技術方案和(he)有(you)益效果進行了進一步(bu)詳細說明,所應理解的是,以上(shang)所述(shu)僅為本(ben)發(fa)(fa)(fa)明的具(ju)體(ti)實施例(li)(li)而已,并不(bu)用于限(xian)制本(ben)發(fa)(fa)(fa)明,凡在本(ben)發(fa)(fa)(fa)明的精神和(he)原則之(zhi)內(nei),所做的任(ren)何修改、等(deng)同替換(huan)、改進等(deng),均應包(bao)含在本(ben)發(fa)(fa)(fa)明的保護范圍之(zhi)內(nei)。

以上(shang)所(suo)述的(de)具體(ti)實(shi)施例,對本(ben)發(fa)明(ming)(ming)(ming)的(de)目的(de)、技術方案(an)和(he)有(you)益效果進(jin)行了進(jin)一步詳細說明(ming)(ming)(ming),所(suo)應理解的(de)是,以上(shang)所(suo)述僅為(wei)本(ben)發(fa)明(ming)(ming)(ming)的(de)具體(ti)實(shi)施例而(er)已,并不用于限制本(ben)發(fa)明(ming)(ming)(ming),凡在本(ben)發(fa)明(ming)(ming)(ming)的(de)精(jing)神和(he)原則之(zhi)內(nei)(nei),所(suo)做的(de)任何修改(gai)、等(deng)同替換(huan)、改(gai)進(jin)等(deng),均應包(bao)含在本(ben)發(fa)明(ming)(ming)(ming)的(de)保(bao)護范(fan)圍之(zhi)內(nei)(nei)。

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