本(ben)發明涉及半導體領域，尤其涉及一種半導體結構(gou)的制造方(fang)法(fa)。

背景技術：

在半(ban)導體制(zhi)造中，隨(sui)(sui)著(zhu)超大(da)規模集成(cheng)電路(lu)(lu)的(de)發(fa)展趨勢，集成(cheng)電路(lu)(lu)特征尺(chi)寸持續減小(xiao)。為(wei)了適應(ying)特征尺(chi)寸的(de)減小(xiao)，MOSFET場效應(ying)管的(de)溝道長度也(ye)相應(ying)不斷(duan)縮短(duan)(duan)(duan)。然而，隨(sui)(sui)著(zhu)器件溝道長度的(de)縮短(duan)(duan)(duan)，器件源極(ji)與漏極(ji)間的(de)距離也(ye)隨(sui)(sui)之縮短(duan)(duan)(duan)，因(yin)此柵極(ji)對(dui)溝道的(de)控制(zhi)能力隨(sui)(sui)之變差，柵極(ji)電壓夾斷(duan)(pinch off)溝道的(de)難度也(ye)越來(lai)越大(da)，使得亞閾值漏電(subthreshold leakage)現象，即所(suo)謂的(de)短(duan)(duan)(duan)溝道效應(ying)(SCE：short-channel effects)更容易發(fa)生。

因此，為(wei)了(le)更好的(de)(de)適應(ying)(ying)特征尺寸的(de)(de)減小，半導體(ti)工藝逐(zhu)漸開始從(cong)平(ping)面MOSFET晶(jing)體(ti)管(guan)向具有(you)更高功效(xiao)的(de)(de)三(san)維立體(ti)式(shi)的(de)(de)晶(jing)體(ti)管(guan)過(guo)渡，如鰭式(shi)場效(xiao)應(ying)(ying)管(guan)(FinFET)。FinFET中，柵至少(shao)可以從(cong)兩側對超薄(bo)體(ti)(鰭部)進(jin)行控制(zhi)，具有(you)比平(ping)面MOSFET器件強得多的(de)(de)柵對溝道的(de)(de)控制(zhi)能(neng)力(li)，能(neng)夠很好的(de)(de)抑制(zhi)短溝道效(xiao)應(ying)(ying)；且FinFET相對于其他(ta)器件，具有(you)更好的(de)(de)現有(you)的(de)(de)集成(cheng)電路(lu)制(zhi)作技術的(de)(de)兼(jian)容性。

鰭(qi)式(shi)場效(xiao)應(ying)管(guan)按照(zhao)功能區分(fen)(fen)主要分(fen)(fen)為核心(xin)(Core)器(qi)件(jian)和周(zhou)邊(bian)(I/O)器(qi)件(jian)(或(huo)稱(cheng)為輸入/輸出器(qi)件(jian))。按照(zhao)鰭(qi)式(shi)場效(xiao)應(ying)管(guan)的電性類型區分(fen)(fen)，核心(xin)器(qi)件(jian)可分(fen)(fen)為核心(xin)NMOS器(qi)件(jian)和核心(xin)PMOS器(qi)件(jian)，周(zhou)邊(bian)器(qi)件(jian)可分(fen)(fen)為周(zhou)邊(bian)NMOS器(qi)件(jian)和周(zhou)邊(bian)PMOS器(qi)件(jian)。

通(tong)常(chang)情況下，周邊器(qi)(qi)件的(de)(de)(de)工作(zuo)電(dian)壓比(bi)核心(xin)器(qi)(qi)件的(de)(de)(de)工作(zuo)電(dian)壓大的(de)(de)(de)多(duo)。為防止電(dian)擊穿等問題，當器(qi)(qi)件的(de)(de)(de)工作(zuo)電(dian)壓越大時，要求器(qi)(qi)件的(de)(de)(de)柵介(jie)質(zhi)層(ceng)的(de)(de)(de)厚(hou)度(du)(du)越厚(hou)，因此(ci)，周邊器(qi)(qi)件的(de)(de)(de)柵介(jie)質(zhi)層(ceng)的(de)(de)(de)厚(hou)度(du)(du)通(tong)常(chang)大于(yu)核心(xin)器(qi)(qi)件的(de)(de)(de)柵介(jie)質(zhi)層(ceng)的(de)(de)(de)厚(hou)度(du)(du)。

但(dan)是，現有技(ji)術形成(cheng)的半導體器(qi)件的電學性(xing)能較差。

技術實現要素：

本發明解決的問題是提供一種(zhong)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)結構的制造方法，提高半(ban)導(dao)(dao)體(ti)器件(jian) 的電學(xue)性能。

為解決上述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)問題，本(ben)發(fa)明提供(gong)一(yi)(yi)(yi)(yi)種(zhong)半導(dao)體(ti)(ti)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)的(de)(de)制造方(fang)法。包(bao)(bao)(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)如下步驟：形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)半導(dao)體(ti)(ti)基(ji)底(di)(di)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)半導(dao)體(ti)(ti)基(ji)底(di)(di)包(bao)(bao)(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)襯(chen)(chen)底(di)(di)、凸出于(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)襯(chen)(chen)底(di)(di)的(de)(de)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)襯(chen)(chen)底(di)(di)包(bao)(bao)(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)周(zhou)邊區和(he)核心區，凸出于(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)周(zhou)邊區襯(chen)(chen)底(di)(di)的(de)(de)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)為第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)，凸出于(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)核心區襯(chen)(chen)底(di)(di)的(de)(de)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)為第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)；在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)表面(mian)(mian)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)包(bao)(bao)(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)電(dian)極層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)表面(mian)(mian)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)包(bao)(bao)(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)電(dian)極；在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)半導(dao)體(ti)(ti)基(ji)底(di)(di)表面(mian)(mian)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)介(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)介(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)與所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)齊平并(bing)露出所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)電(dian)極層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)電(dian)極層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)；去除所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)，暴露出所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)(de)部(bu)(bu)(bu)(bu)分表面(mian)(mian)并(bing)在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)介(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)內(nei)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)開(kai)(kai)(kai)口(kou)(kou)；在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)開(kai)(kai)(kai)口(kou)(kou)底(di)(di)部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)表面(mian)(mian)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)；在(zai)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)之后，去除所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)，暴露出所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)(de)部(bu)(bu)(bu)(bu)分表面(mian)(mian)并(bing)在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)介(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)內(nei)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)開(kai)(kai)(kai)口(kou)(kou)；在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)表面(mian)(mian)、第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)開(kai)(kai)(kai)口(kou)(kou)側(ce)壁以及第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)開(kai)(kai)(kai)口(kou)(kou)的(de)(de)底(di)(di)部(bu)(bu)(bu)(bu)和(he)側(ce)壁上形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)介(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)；在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)開(kai)(kai)(kai)口(kou)(kou)和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)開(kai)(kai)(kai)口(kou)(kou)中(zhong)填充金屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，位于(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)開(kai)(kai)(kai)口(kou)(kou)中(zhong)的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)介(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和(he)金屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)構(gou)(gou)成(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)，位于(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)開(kai)(kai)(kai)口(kou)(kou)中(zhong)的(de)(de)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)介(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和(he)金屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)構(gou)(gou)成(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)。

可選的，所述第(di)一柵(zha)氧化(hua)層(ceng)的材料為氧化(hua)硅。

可(ke)選(xuan)的(de)，形成(cheng)所述第(di)一柵氧化(hua)層的(de)工藝(yi)為原(yuan)位蒸汽生成(cheng)氧化(hua)工藝(yi)。

可選的，所述原位蒸汽生成氧化工藝的工藝參數包括：提供O₂和H₂，O₂流量為1sccm至30sccm，H₂流(liu)量為1.5sccm至(zhi)15sccm，腔室溫(wen)度(du)為700攝氏(shi)度(du)至(zhi)1200攝氏(shi)度(du)。

可選的，所述柵介質層的材料為HfO₂、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO、ZrO₂或Al₂O₃。

可選(xuan)的(de)，所述(shu)(shu)核心區(qu)為N型(xing)區(qu)或P型(xing)區(qu)，所述(shu)(shu)周(zhou)邊區(qu)為N型(xing)區(qu)或P型(xing)區(qu)，所述(shu)(shu)核心區(qu)和周(zhou)邊區(qu)類型(xing)相同(tong)。

可選的，在(zai)所(suo)述(shu)第(di)一柵(zha)氧(yang)化層(ceng)(ceng)表面、第(di)一開(kai)(kai)口側(ce)壁(bi)以及第(di)二開(kai)(kai)口的底部和(he)側(ce)壁(bi)上形(xing)成柵(zha)介質層(ceng)(ceng)后，在(zai)所(suo)述(shu)第(di)一開(kai)(kai)口和(he)第(di)二口開(kai)(kai)中(zhong)填(tian)充金屬層(ceng)(ceng)之前， 還(huan)包括：在(zai)所(suo)述(shu)柵(zha)介質層(ceng)(ceng)表面形(xing)成功(gong)(gong)(gong)函(han)(han)數層(ceng)(ceng)；所(suo)述(shu)核心區(qu)(qu)和(he)周邊區(qu)(qu)為N型(xing)區(qu)(qu)，所(suo)述(shu)功(gong)(gong)(gong)函(han)(han)數層(ceng)(ceng)為N型(xing)功(gong)(gong)(gong)函(han)(han)數材(cai)料；所(suo)述(shu)核心區(qu)(qu)和(he)周邊區(qu)(qu)為P型(xing)區(qu)(qu)，所(suo)述(shu)功(gong)(gong)(gong)函(han)(han)數層(ceng)(ceng)為P型(xing)功(gong)(gong)(gong)函(han)(han)數材(cai)料。

可選的，所(suo)述核(he)心(xin)區和(he)周邊(bian)區為N型區，所(suo)述功(gong)函(han)數層的材(cai)料包括(kuo)TiAl、TaAlN、TiAlN、MoN、TaCN和(he)AlN中的一種或幾(ji)種；或者，所(suo)述核(he)心(xin)區和(he)周邊(bian)區為P型區，所(suo)述功(gong)函(han)數層的材(cai)料包括(kuo)Ta、TiN、TaN、TaSiN和(he)TiSiN中的一種或幾(ji)種。

可(ke)選(xuan)的(de)，所述金屬層的(de)材(cai)料為Al、Cu、Ag、Au、Pt、Ni、Ti或W。

可選的(de)，形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)所(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構(gou)和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構(gou)的(de)步(bu)驟(zou)包括(kuo)：形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)覆蓋所(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)鰭(qi)部(bu)(bu)和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)鰭(qi)部(bu)(bu)表(biao)面(mian)的(de)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)氧化(hua)膜；在(zai)所(suo)述(shu)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)氧化(hua)膜表(biao)面(mian)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)電極(ji)膜；在(zai)所(suo)述(shu)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)電極(ji)膜表(biao)面(mian)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)圖(tu)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)層(ceng)，所(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)圖(tu)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)層(ceng)的(de)位(wei)置、形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)狀(zhuang)和(he)尺(chi)寸與(yu)后續形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)的(de)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)電極(ji)層(ceng)的(de)位(wei)置、形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)狀(zhuang)和(he)尺(chi)寸相同；以所(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)圖(tu)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)層(ceng)為掩膜，依次刻蝕所(suo)述(shu)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)電極(ji)膜和(he)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)氧化(hua)膜，在(zai)所(suo)述(shu)周(zhou)邊區的(de)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)鰭(qi)部(bu)(bu)表(biao)面(mian)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構(gou)，在(zai)所(suo)述(shu)核心區的(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)鰭(qi)部(bu)(bu)表(biao)面(mian)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構(gou)，所(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構(gou)包括(kuo)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)氧化(hua)層(ceng)和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)電極(ji)層(ceng)，所(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構(gou)包括(kuo)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)氧化(hua)層(ceng)和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)電極(ji)層(ceng)；去(qu)除(chu)所(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)圖(tu)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)層(ceng)。

可選的，去除(chu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一偽柵結構的步(bu)驟包括(kuo)：形成(cheng)覆蓋(gai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)核心區的第(di)(di)二圖(tu)形層(ceng)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)二圖(tu)形層(ceng)暴露出(chu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一偽柵電極(ji)(ji)層(ceng)表面；以所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)二圖(tu)形層(ceng)為掩膜(mo)，采用干法刻蝕工(gong)藝先刻蝕去除(chu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一偽柵電極(ji)(ji)層(ceng)，再刻蝕去除(chu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一偽柵氧化層(ceng)，直至(zhi)暴露出(chu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一鰭(qi)部的部分表面并在所(suo)(suo)(suo)述(shu)介質層(ceng)內形成(cheng)第(di)(di)一開口(kou)；去除(chu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)二圖(tu)形層(ceng)。

可(ke)選(xuan)的，去(qu)除所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二偽(wei)柵(zha)結構(gou)的步驟包括：形(xing)成覆蓋所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)周邊區的第(di)(di)(di)三(san)圖(tu)形(xing)層(ceng)(ceng)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)三(san)圖(tu)形(xing)層(ceng)(ceng)暴露(lu)(lu)出所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二偽(wei)柵(zha)電極(ji)層(ceng)(ceng)表面；以所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)三(san)圖(tu)形(xing)層(ceng)(ceng)為(wei)掩膜，采用干法刻蝕(shi)(shi)工藝先(xian)刻蝕(shi)(shi)去(qu)除所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二偽(wei)柵(zha)電極(ji)層(ceng)(ceng)，再刻蝕(shi)(shi)去(qu)除所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二偽(wei)柵(zha)氧(yang)化層(ceng)(ceng)，直至暴露(lu)(lu)出所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二鰭部的部分表面并在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)介質層(ceng)(ceng)內形(xing)成第(di)(di)(di)二開口(kou)；去(qu)除所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)三(san)圖(tu)形(xing)層(ceng)(ceng)。

可選的(de)，形(xing)成(cheng)所(suo)(suo)(suo)述第一(yi)(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)極結構和(he)第二柵(zha)(zha)極結構的(de)步驟包括：在(zai)所(suo)(suo)(suo)述第一(yi)(yi)(yi)(yi)開(kai)(kai)口(kou)(kou)(kou)(kou)底部(bu)的(de)第一(yi)(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)氧化(hua)層(ceng)表(biao)(biao)面(mian)(mian)、第一(yi)(yi)(yi)(yi)開(kai)(kai)口(kou)(kou)(kou)(kou)側壁、第二開(kai)(kai)口(kou)(kou)(kou)(kou)底部(bu)以及(ji)第二開(kai)(kai) 口(kou)(kou)(kou)(kou)側壁形(xing)成(cheng)柵(zha)(zha)介質(zhi)(zhi)(zhi)層(ceng)，所(suo)(suo)(suo)述柵(zha)(zha)介質(zhi)(zhi)(zhi)層(ceng)還覆蓋所(suo)(suo)(suo)述介質(zhi)(zhi)(zhi)層(ceng)表(biao)(biao)面(mian)(mian)；在(zai)所(suo)(suo)(suo)述柵(zha)(zha)介質(zhi)(zhi)(zhi)層(ceng)表(biao)(biao)面(mian)(mian)形(xing)成(cheng)功(gong)函數(shu)層(ceng)；在(zai)所(suo)(suo)(suo)述功(gong)函數(shu)層(ceng)表(biao)(biao)面(mian)(mian)形(xing)成(cheng)金屬(shu)層(ceng)，所(suo)(suo)(suo)述金屬(shu)層(ceng)填充滿(man)所(suo)(suo)(suo)述第一(yi)(yi)(yi)(yi)開(kai)(kai)口(kou)(kou)(kou)(kou)和(he)第二開(kai)(kai)口(kou)(kou)(kou)(kou)且所(suo)(suo)(suo)述金屬(shu)層(ceng)頂(ding)部(bu)高于(yu)所(suo)(suo)(suo)述介質(zhi)(zhi)(zhi)層(ceng)頂(ding)部(bu)；研磨去除高于(yu)所(suo)(suo)(suo)述介質(zhi)(zhi)(zhi)層(ceng)頂(ding)部(bu)的(de)金屬(shu)層(ceng)，在(zai)所(suo)(suo)(suo)述周(zhou)邊區(qu)的(de)功(gong)函數(shu)層(ceng)表(biao)(biao)面(mian)(mian)形(xing)成(cheng)第一(yi)(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)電極層(ceng)，在(zai)所(suo)(suo)(suo)述核(he)心(xin)區(qu)的(de)功(gong)函數(shu)層(ceng)表(biao)(biao)面(mian)(mian)形(xing)成(cheng)第二柵(zha)(zha)電極層(ceng)。

可選的(de)，研(yan)磨去除高于(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)介(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)頂部(bu)(bu)的(de)金(jin)屬層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)同時(shi)，研(yan)磨去除高于(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)介(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)頂部(bu)(bu)的(de)柵介(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和(he)功(gong)(gong)函(han)數層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，在所(suo)(suo)述(shu)(shu)周邊區形成位于(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)柵氧(yang)化層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)表面(mian)和(he)第(di)一(yi)開口側壁的(de)第(di)一(yi)柵介(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，以及(ji)位于(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)柵介(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)表面(mian)的(de)第(di)一(yi)功(gong)(gong)函(han)數層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)；在所(suo)(suo)述(shu)(shu)核心區形成位于(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)開口底(di)部(bu)(bu)和(he)側壁的(de)第(di)二(er)柵介(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)以及(ji)位于(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)柵介(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)表面(mian)的(de)第(di)二(er)功(gong)(gong)函(han)數層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。

可選的(de)(de)(de)，去(qu)除(chu)所(suo)述(shu)第(di)二(er)(er)(er)(er)偽柵(zha)(zha)結(jie)構(gou)之(zhi)后，在所(suo)述(shu)第(di)一開(kai)(kai)(kai)口底(di)部(bu)的(de)(de)(de)第(di)一柵(zha)(zha)氧化(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)表(biao)面(mian)(mian)(mian)、第(di)一開(kai)(kai)(kai)口側壁、第(di)二(er)(er)(er)(er)開(kai)(kai)(kai)口底(di)部(bu)以及(ji)第(di)二(er)(er)(er)(er)開(kai)(kai)(kai)口側壁形成柵(zha)(zha)介質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)之(zhi)前，形成所(suo)述(shu)第(di)一柵(zha)(zha)極結(jie)構(gou)和第(di)二(er)(er)(er)(er)柵(zha)(zha)極結(jie)構(gou)的(de)(de)(de)步(bu)驟(zou)還包(bao)括：在所(suo)述(shu)第(di)一開(kai)(kai)(kai)口底(di)部(bu)的(de)(de)(de)第(di)一柵(zha)(zha)氧化(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)表(biao)面(mian)(mian)(mian)、第(di)一開(kai)(kai)(kai)口側壁、第(di)二(er)(er)(er)(er)開(kai)(kai)(kai)口底(di)部(bu)以及(ji)第(di)二(er)(er)(er)(er)開(kai)(kai)(kai)口側壁形成界(jie)面(mian)(mian)(mian)層(ceng)(ceng)(ceng)，所(suo)述(shu)界(jie)面(mian)(mian)(mian)層(ceng)(ceng)(ceng)還覆蓋所(suo)述(shu)介質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)表(biao)面(mian)(mian)(mian)；研磨(mo)去(qu)除(chu)高于(yu)(yu)(yu)所(suo)述(shu)介質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)頂部(bu)的(de)(de)(de)金屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)同(tong)時，還研磨(mo)去(qu)除(chu)高于(yu)(yu)(yu)所(suo)述(shu)介質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)頂部(bu)的(de)(de)(de)界(jie)面(mian)(mian)(mian)層(ceng)(ceng)(ceng)，在所(suo)述(shu)周邊區形成位于(yu)(yu)(yu)所(suo)述(shu)第(di)一柵(zha)(zha)氧化(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)表(biao)面(mian)(mian)(mian)和第(di)一開(kai)(kai)(kai)口側壁的(de)(de)(de)第(di)一界(jie)面(mian)(mian)(mian)層(ceng)(ceng)(ceng)，在所(suo)述(shu)核(he)心區形成位于(yu)(yu)(yu)所(suo)述(shu)第(di)二(er)(er)(er)(er)開(kai)(kai)(kai)口底(di)部(bu)和側壁的(de)(de)(de)第(di)二(er)(er)(er)(er)界(jie)面(mian)(mian)(mian)層(ceng)(ceng)(ceng)。

可(ke)選的(de)，所(suo)述第一偽(wei)柵電極層的(de)材料為多(duo)晶硅(gui)、氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)、氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)、氮氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)、碳化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)、碳氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)、碳氮氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)或非晶碳，所(suo)述第二偽(wei)柵電極層的(de)材料為多(duo)晶硅(gui)、氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)、氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)、氮氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)、碳化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)、碳氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)、碳氮氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)或非晶碳。

可選的，在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)鰭(qi)部(bu)(bu)表(biao)面(mian)(mian)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)偽(wei)(wei)柵(zha)(zha)結(jie)構(gou)、在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)二鰭(qi)部(bu)(bu)表(biao)面(mian)(mian)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)(di)二偽(wei)(wei)柵(zha)(zha)結(jie)構(gou)之(zhi)(zhi)后(hou)，在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)半(ban)導體基底表(biao)面(mian)(mian)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)介質層(ceng)(ceng)(ceng)之(zhi)(zhi)前，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)制造方法還包括：在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)偽(wei)(wei)柵(zha)(zha)結(jie)構(gou)側(ce)(ce)(ce)壁(bi)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)周(zhou)邊(bian)區(qu)(qu)(qu)(qu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)側(ce)(ce)(ce)壁(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)，在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)二偽(wei)(wei)柵(zha)(zha)結(jie)構(gou)側(ce)(ce)(ce)壁(bi)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)核心(xin)區(qu)(qu)(qu)(qu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)側(ce)(ce)(ce)壁(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)；在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)偽(wei)(wei)柵(zha)(zha)結(jie)構(gou)兩(liang)(liang)側(ce)(ce)(ce)的第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)鰭(qi)部(bu)(bu)內(nei)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)周(zhou)邊(bian)區(qu)(qu)(qu)(qu)應力(li)(li)層(ceng)(ceng)(ceng)，在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)二偽(wei)(wei)柵(zha)(zha)結(jie)構(gou)兩(liang)(liang)側(ce)(ce)(ce)的第(di)(di)(di)(di)二鰭(qi)部(bu)(bu)內(nei)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)核心(xin)區(qu)(qu)(qu)(qu)應力(li)(li)層(ceng)(ceng)(ceng)；在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)周(zhou)邊(bian)區(qu)(qu)(qu)(qu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)側(ce)(ce)(ce)壁(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)表(biao)面(mian)(mian)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)周(zhou)邊(bian)區(qu)(qu)(qu)(qu)第(di)(di)(di)(di)二側(ce)(ce)(ce)壁(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)，在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)核心(xin)區(qu)(qu)(qu)(qu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)側(ce)(ce)(ce)壁(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)表(biao)面(mian)(mian)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)核心(xin)區(qu)(qu)(qu)(qu)第(di)(di)(di)(di)二側(ce)(ce)(ce)壁(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)；在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)偽(wei)(wei)柵(zha)(zha)結(jie)構(gou)兩(liang)(liang)側(ce)(ce)(ce)的第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)鰭(qi) 部(bu)(bu)內(nei)和周(zhou)邊(bian)區(qu)(qu)(qu)(qu)應力(li)(li)層(ceng)(ceng)(ceng)內(nei)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)周(zhou)邊(bian)區(qu)(qu)(qu)(qu)源(yuan)、漏區(qu)(qu)(qu)(qu)，在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)二偽(wei)(wei)柵(zha)(zha)結(jie)構(gou)兩(liang)(liang)側(ce)(ce)(ce)的第(di)(di)(di)(di)二鰭(qi)部(bu)(bu)內(nei)和核心(xin)區(qu)(qu)(qu)(qu)應力(li)(li)層(ceng)(ceng)(ceng)內(nei)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)核心(xin)區(qu)(qu)(qu)(qu)源(yuan)、漏區(qu)(qu)(qu)(qu)。

可選(xuan)的，所述(shu)周邊區應力(li)層的材料(liao)為硅(gui)，所述(shu)核心區應力(li)層的材料(liao)為硅(gui)。

可選的，形(xing)成所(suo)述(shu)周邊區應力層的方法(fa)為化學氣相(xiang)沉(chen)積外(wai)延生(sheng)長法(fa)，形(xing)成所(suo)述(shu)核心(xin)區應力層的方法(fa)為化學氣相(xiang)沉(chen)積外(wai)延生(sheng)長法(fa)。

可(ke)選的(de)，所(suo)述(shu)化學氣(qi)(qi)相沉積外延(yan)生長法(fa)的(de)工(gong)藝(yi)參數包括(kuo)：外延(yan)形(xing)成所(suo)述(shu)周邊(bian)區應(ying)力(li)層和(he)(he)核(he)心區應(ying)力(li)層的(de)化學氣(qi)(qi)相沉積外延(yan)生長法(fa)的(de)工(gong)藝(yi)參數包括(kuo)：工(gong)藝(yi)溫度為(wei)(wei)500℃至(zhi)950℃，工(gong)藝(yi)時(shi)間(jian)為(wei)(wei)1000s至(zhi)11000s，反應(ying)室氣(qi)(qi)壓為(wei)(wei)5Torr至(zhi)1000Torr，預(yu)處理氣(qi)(qi)體為(wei)(wei)氫(qing)，反應(ying)氣(qi)(qi)體為(wei)(wei)氯化氫(qing)、二氯二氫(qing)硅(gui)(gui)和(he)(he)硅(gui)(gui)烷中的(de)一種(zhong)氣(qi)(qi)體或(huo)多種(zhong)構成的(de)混合氣(qi)(qi)體。

與(yu)現有技(ji)術(shu)相比，本發明的(de)(de)技(ji)術(shu)方案具有以下優(you)點：本發明通過(guo)在周邊(bian)區形(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)偽柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構，在核心區形(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)偽柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構，為后(hou)續(xu)(xu)形(xing)成(cheng)的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)結(jie)(jie)構和第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)結(jie)(jie)構占據空間(jian)位置，然后(hou)去除所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)偽柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構后(hou)，在所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)鰭(qi)部表面形(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)化(hua)層(ceng)(ceng)，由于所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)化(hua)層(ceng)(ceng)未經過(guo)刻(ke)蝕(shi)工藝，避免了刻(ke)蝕(shi)工藝對所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)化(hua)層(ceng)(ceng)造成(cheng)損傷，因此所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)化(hua)層(ceng)(ceng)具有良(liang)好的(de)(de)膜層(ceng)(ceng)質量，所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)化(hua)層(ceng)(ceng)作(zuo)為后(hou)續(xu)(xu)周邊(bian)區器件(jian)的(de)(de)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)介(jie)質層(ceng)(ceng)的(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)部分(fen)，從(cong)而提高(gao)(gao)了周邊(bian)區第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)結(jie)(jie)構的(de)(de)質量，進而使形(xing)成(cheng)的(de)(de)半導體器件(jian)的(de)(de)電學性能得到提高(gao)(gao)。

進一(yi)(yi)步，在(zai)(zai)去除(chu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)偽(wei)柵(zha)(zha)結(jie)構(gou)(gou)(gou)時，保留所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)偽(wei)柵(zha)(zha)結(jie)構(gou)(gou)(gou)；在(zai)(zai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)周邊區第(di)(di)一(yi)(yi)鰭(qi)(qi)部(bu)表(biao)面(mian)形成(cheng)第(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)結(jie)構(gou)(gou)(gou)、在(zai)(zai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)核心(xin)區第(di)(di)二(er)鰭(qi)(qi)部(bu)表(biao)面(mian)形成(cheng)第(di)(di)二(er)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)結(jie)構(gou)(gou)(gou)之(zhi)前去除(chu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)偽(wei)柵(zha)(zha)結(jie)構(gou)(gou)(gou)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)偽(wei)柵(zha)(zha)結(jie)構(gou)(gou)(gou)可(ke)以起到保護核心(xin)區第(di)(di)二(er)鰭(qi)(qi)部(bu)表(biao)面(mian)以及第(di)(di)二(er)開口(kou)(kou)側壁的(de)作用，避免在(zai)(zai)形成(cheng)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)結(jie)構(gou)(gou)(gou)之(zhi)前，所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)鰭(qi)(qi)部(bu)以及第(di)(di)二(er)開口(kou)(kou)側壁暴露在(zai)(zai)工藝環境中(zhong)，從(cong)而(er)使后(hou)續形成(cheng)的(de)第(di)(di)二(er)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)結(jie)構(gou)(gou)(gou)具有良好的(de)質(zhi)量，進而(er)使形成(cheng)的(de)核心(xin)區器件的(de)電學性(xing)能得到提(ti)高。

附圖說明

圖1至圖5是現有技術(shu)半導體結構的制造方法各步驟對(dui)應的結構示意(yi)圖；

圖(tu)(tu)6至圖(tu)(tu)18是本發明半導體結構的制造方法一實施例(li)中各步驟(zou)對應(ying)結構 示意圖(tu)(tu)。

具體實施方式

現有技(ji)術的(de)(de)半(ban)(ban)(ban)導(dao)體器件的(de)(de)電性(xing)能較差，結(jie)合現有技(ji)術半(ban)(ban)(ban)導(dao)體結(jie)構(gou)(gou)制造(zao)方法(fa)分析其(qi)原(yuan)因。參考圖1至圖5，示(shi)出了現有技(ji)術半(ban)(ban)(ban)導(dao)體結(jie)構(gou)(gou)的(de)(de)制造(zao)方法(fa)各步驟(zou)對應的(de)(de)結(jie)構(gou)(gou)示(shi)意圖。所述半(ban)(ban)(ban)導(dao)體結(jie)構(gou)(gou)的(de)(de)制造(zao)方法(fa)包括以(yi)下步驟(zou)：

如(ru)圖1所(suo)示，形成半導體(ti)基底(di)(di)，所(suo)述(shu)半導體(ti)基底(di)(di)包括(kuo)襯(chen)底(di)(di)100、凸出(chu)于(yu)所(suo)述(shu)襯(chen)底(di)(di)100的鰭(qi)部；所(suo)述(shu)襯(chen)底(di)(di)100包括(kuo)周邊區Ⅰ和核(he)心區Ⅱ，凸出(chu)于(yu)所(suo)述(shu)周邊區Ⅰ襯(chen)底(di)(di)100的鰭(qi)部為第一(yi)鰭(qi)部110，凸出(chu)于(yu)所(suo)述(shu)核(he)心區Ⅱ襯(chen)底(di)(di)100的鰭(qi)部為第二鰭(qi)部120。

具體地，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)半導體基(ji)底還包括位(wei)(wei)(wei)于(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)周邊區(qu)Ⅰ的(de)第(di)(di)一(yi)(yi)偽(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構(gou)(gou)(未圖示(shi))、位(wei)(wei)(wei)于(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)核心區(qu)Ⅱ第(di)(di)二(er)(er)偽(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構(gou)(gou)(未圖示(shi))、位(wei)(wei)(wei)于(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)偽(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構(gou)(gou)兩側(ce)的(de)周邊區(qu)源(yuan)、漏(lou)區(qu)113以及位(wei)(wei)(wei)于(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)(er)偽(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構(gou)(gou)兩側(ce)的(de)核心區(qu)源(yuan)、漏(lou)區(qu)123。其中，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)偽(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構(gou)(gou)包括位(wei)(wei)(wei)于(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)鰭部(bu)110表面的(de)第(di)(di)一(yi)(yi)偽(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)層(ceng)111以及位(wei)(wei)(wei)于(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)偽(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)層(ceng)111表面的(de)第(di)(di)一(yi)(yi)偽(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)電極層(ceng)112，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)(er)偽(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構(gou)(gou)包括位(wei)(wei)(wei)于(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)(er)鰭部(bu)120表面的(de)第(di)(di)二(er)(er)偽(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)層(ceng)121以及位(wei)(wei)(wei)于(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)(er)偽(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)層(ceng)121表面的(de)第(di)(di)二(er)(er)偽(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)電極層(ceng)122。所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)半導體基(ji)底還包括覆蓋所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)極結(jie)(jie)構(gou)(gou)和第(di)(di)二(er)(er)柵(zha)(zha)(zha)(zha)極結(jie)(jie)構(gou)(gou)的(de)介質層(ceng)130。

參考圖2，刻(ke)蝕去除(chu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)偽柵(zha)電極層(ceng)(ceng)112(如圖1所(suo)(suo)示)，暴(bao)露出部分所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)偽柵(zha)氧化層(ceng)(ceng)111表面并(bing)在(zai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)介質(zhi)層(ceng)(ceng)130內形成(cheng)第(di)一(yi)(yi)開(kai)口200；去除(chu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二偽柵(zha)電極層(ceng)(ceng)122(如圖1所(suo)(suo)示)，暴(bao)露出部分所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二偽柵(zha)氧化層(ceng)(ceng)121表面并(bing)在(zai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)介質(zhi)層(ceng)(ceng)130內形成(cheng)第(di)二開(kai)口210。

參考圖(tu)(tu)3，形成覆(fu)蓋(gai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)周邊區Ⅰ的第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)圖(tu)(tu)形層(ceng)(ceng)300，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)圖(tu)(tu)形層(ceng)(ceng)300覆(fu)蓋(gai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)周邊區Ⅰ的介質(zhi)層(ceng)(ceng)130并填充(chong)滿(man)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)開(kai)口(kou)200(如(ru)圖(tu)(tu)2所(suo)(suo)(suo)示(shi))，暴露出所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)開(kai)口(kou)210底部(bu)的第(di)(di)(di)(di)二(er)偽(wei)柵氧(yang)(yang)化(hua)層(ceng)(ceng)121(如(ru)圖(tu)(tu)2所(suo)(suo)(suo)示(shi))；以所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)圖(tu)(tu)形層(ceng)(ceng)300為(wei)掩膜，刻蝕去(qu)除(chu)(chu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)開(kai)口(kou)210底部(bu)的第(di)(di)(di)(di)二(er)偽(wei)柵氧(yang)(yang)化(hua)層(ceng)(ceng)121；刻蝕去(qu)除(chu)(chu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)偽(wei)柵氧(yang)(yang)化(hua)層(ceng)(ceng)121后，去(qu)除(chu)(chu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)圖(tu)(tu)形層(ceng)(ceng)300。

參(can)考(kao)圖(tu)4，在所(suo)(suo)(suo)述(shu)第一(yi)開(kai)口200(如圖(tu)2所(suo)(suo)(suo)示(shi))底(di)部的第一(yi)偽柵(zha)氧化層(ceng)(ceng)111表(biao)面(mian)、第一(yi)開(kai)口200側壁、第二開(kai)口210(如圖(tu)2所(suo)(suo)(suo)示(shi))底(di)部以及第二開(kai)口 210側壁形(xing)成(cheng)界面(mian)層(ceng)(ceng)140，所(suo)(suo)(suo)述(shu)界面(mian)層(ceng)(ceng)140還覆蓋所(suo)(suo)(suo)述(shu)介質層(ceng)(ceng)130表(biao)面(mian)；在所(suo)(suo)(suo)述(shu)界面(mian)層(ceng)(ceng)140表(biao)面(mian)形(xing)成(cheng)柵(zha)介質層(ceng)(ceng)150；在所(suo)(suo)(suo)述(shu)柵(zha)介質層(ceng)(ceng)150表(biao)面(mian)形(xing)成(cheng)功函數層(ceng)(ceng)160。

參考(kao)圖5，在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)功(gong)函(han)(han)數層(ceng)160表(biao)(biao)面形成金(jin)(jin)屬層(ceng)(未圖示)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)金(jin)(jin)屬層(ceng)填(tian)充(chong)滿所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第一開(kai)口200(如圖2所(suo)(suo)(suo)示)和第二(er)開(kai)口210(如圖2所(suo)(suo)(suo)示)且所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)金(jin)(jin)屬層(ceng)頂部(bu)高于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)介質層(ceng)130頂部(bu)；研磨去除高于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)介質層(ceng)130頂部(bu)的金(jin)(jin)屬層(ceng)，在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)周邊(bian)區(qu)Ⅰ的功(gong)函(han)(han)數層(ceng)160表(biao)(biao)面形成第一柵電(dian)極層(ceng)114，在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)核(he)心區(qu)Ⅱ的功(gong)函(han)(han)數層(ceng)160表(biao)(biao)面形成第二(er)柵電(dian)極層(ceng)124。

具(ju)體地，研磨(mo)去除高于(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)介(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)130頂(ding)部(bu)(bu)的(de)(de)(de)金(jin)屬層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)同時，研磨(mo)去除高于(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)介(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)130頂(ding)部(bu)(bu)的(de)(de)(de)功(gong)函(han)數(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)160、柵(zha)(zha)(zha)介(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)150和界(jie)(jie)(jie)面(mian)(mian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)140，在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)周邊(bian)區Ⅰ形成(cheng)(cheng)位(wei)(wei)于(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)偽柵(zha)(zha)(zha)氧化層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)111表(biao)面(mian)(mian)和第(di)一(yi)(yi)開口200側壁(bi)的(de)(de)(de)第(di)一(yi)(yi)界(jie)(jie)(jie)面(mian)(mian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)115、位(wei)(wei)于(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)界(jie)(jie)(jie)面(mian)(mian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)115表(biao)面(mian)(mian)的(de)(de)(de)第(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)介(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)116，以(yi)(yi)及(ji)位(wei)(wei)于(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)介(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)116表(biao)面(mian)(mian)的(de)(de)(de)第(di)一(yi)(yi)功(gong)函(han)數(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)117，在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)核(he)心(xin)區Ⅱ形成(cheng)(cheng)位(wei)(wei)于(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)(er)開口210側壁(bi)和底部(bu)(bu)的(de)(de)(de)第(di)二(er)(er)界(jie)(jie)(jie)面(mian)(mian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)125、位(wei)(wei)于(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)(er)界(jie)(jie)(jie)面(mian)(mian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)125表(biao)面(mian)(mian)的(de)(de)(de)第(di)二(er)(er)柵(zha)(zha)(zha)介(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)126，以(yi)(yi)及(ji)位(wei)(wei)于(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)(er)柵(zha)(zha)(zha)介(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)126表(biao)面(mian)(mian)的(de)(de)(de)第(di)二(er)(er)功(gong)函(han)數(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)127。所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)偽柵(zha)(zha)(zha)氧化層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)111、第(di)一(yi)(yi)界(jie)(jie)(jie)面(mian)(mian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)115、第(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)介(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)116、第(di)一(yi)(yi)功(gong)函(han)數(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)117以(yi)(yi)及(ji)第(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)電極(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)114構成(cheng)(cheng)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)周邊(bian)區Ⅰ的(de)(de)(de)第(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)結構；所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)(er)界(jie)(jie)(jie)面(mian)(mian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)125、第(di)二(er)(er)柵(zha)(zha)(zha)介(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)126、第(di)二(er)(er)功(gong)函(han)數(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)127以(yi)(yi)及(ji)第(di)二(er)(er)柵(zha)(zha)(zha)電極(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)124構成(cheng)(cheng)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)核(he)心(xin)區Ⅱ的(de)(de)(de)第(di)二(er)(er)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)結構。

現有(you)技術將(jiang)所(suo)(suo)述第一(yi)(yi)偽柵(zha)氧(yang)化(hua)層(ceng)111作(zuo)為所(suo)(suo)述周(zhou)邊區Ⅰ的(de)第一(yi)(yi)柵(zha)極(ji)結構的(de)一(yi)(yi)部分，然而形(xing)(xing)成(cheng)所(suo)(suo)述第一(yi)(yi)偽柵(zha)結構(未圖示(shi))的(de)刻(ke)蝕工藝容易(yi)對所(suo)(suo)述第一(yi)(yi)偽柵(zha)氧(yang)化(hua)層(ceng)111造成(cheng)損傷，從而影響所(suo)(suo)述周(zhou)邊區Ⅰ第一(yi)(yi)柵(zha)極(ji)結構的(de)形(xing)(xing)成(cheng)質量，且損傷區域接近周(zhou)邊器(qi)件(jian)的(de)溝道邊緣區，進而降低半導(dao)體器(qi)件(jian)的(de)電(dian)學(xue)性(xing)能。

為(wei)了解決所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)技術問題，本發明提供一種半(ban)導體(ti)器件的(de)(de)制(zhi)造方法(fa)，包括：形(xing)成(cheng)(cheng)半(ban)導體(ti)基底(di)(di)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)半(ban)導體(ti)基底(di)(di)包括襯底(di)(di)、凸(tu)(tu)出(chu)于(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)襯底(di)(di)的(de)(de)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)襯底(di)(di)包括周邊(bian)區和(he)(he)核心(xin)區，凸(tu)(tu)出(chu)于(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)周邊(bian)區襯底(di)(di)的(de)(de)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)為(wei)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)，凸(tu)(tu)出(chu)于(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)核心(xin)區襯底(di)(di)的(de)(de)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)為(wei)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)；在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面形(xing)成(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一偽柵(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構(gou)(gou)(gou)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一偽柵(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構(gou)(gou)(gou)包括第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一偽柵(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和(he)(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一偽柵(zha)(zha)(zha)(zha)電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er) 鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面形(xing)成(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)偽柵(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構(gou)(gou)(gou)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)偽柵(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構(gou)(gou)(gou)包括第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)偽柵(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和(he)(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)偽柵(zha)(zha)(zha)(zha)電(dian)極(ji)(ji)；在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)半(ban)導體(ti)基底(di)(di)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面形(xing)成(cheng)(cheng)介(jie)(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)介(jie)(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)與所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一偽柵(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構(gou)(gou)(gou)和(he)(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)偽柵(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構(gou)(gou)(gou)齊平并露(lu)出(chu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一偽柵(zha)(zha)(zha)(zha)電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和(he)(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)偽柵(zha)(zha)(zha)(zha)電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)；去(qu)除所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一偽柵(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構(gou)(gou)(gou)，暴露(lu)出(chu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)(de)部(bu)(bu)(bu)(bu)分表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面并在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)介(jie)(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)內(nei)形(xing)成(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一開(kai)(kai)(kai)口；在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一開(kai)(kai)(kai)口底(di)(di)部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面形(xing)成(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一柵(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)；在(zai)(zai)形(xing)成(cheng)(cheng)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一柵(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)之(zhi)后，去(qu)除所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)偽柵(zha)(zha)(zha)(zha)結(jie)(jie)構(gou)(gou)(gou)，暴露(lu)出(chu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)(de)部(bu)(bu)(bu)(bu)分表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面并在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)介(jie)(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)內(nei)形(xing)成(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)開(kai)(kai)(kai)口；在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一柵(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面、第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一開(kai)(kai)(kai)口側(ce)壁以及第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)開(kai)(kai)(kai)口的(de)(de)底(di)(di)部(bu)(bu)(bu)(bu)和(he)(he)側(ce)壁上形(xing)成(cheng)(cheng)柵(zha)(zha)(zha)(zha)介(jie)(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)；在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一開(kai)(kai)(kai)口和(he)(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)開(kai)(kai)(kai)口中填(tian)充金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，位于(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一開(kai)(kai)(kai)口中的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一柵(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、柵(zha)(zha)(zha)(zha)介(jie)(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和(he)(he)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)構(gou)(gou)(gou)成(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一柵(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)結(jie)(jie)構(gou)(gou)(gou)，位于(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)開(kai)(kai)(kai)口中的(de)(de)柵(zha)(zha)(zha)(zha)介(jie)(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和(he)(he)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)構(gou)(gou)(gou)成(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)柵(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)結(jie)(jie)構(gou)(gou)(gou)。

本(ben)發(fa)明通過(guo)在周(zhou)邊區(qu)形成第(di)(di)一(yi)(yi)偽柵(zha)結構(gou)(gou)，在核(he)心區(qu)形成第(di)(di)二偽柵(zha)結構(gou)(gou)，為后(hou)續(xu)形成的(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)極(ji)結構(gou)(gou)和第(di)(di)二柵(zha)極(ji)結構(gou)(gou)占(zhan)據空間位置(zhi)，然后(hou)去除所(suo)述第(di)(di)一(yi)(yi)偽柵(zha)結構(gou)(gou)后(hou)，在所(suo)述第(di)(di)一(yi)(yi)鰭部表面形成第(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)氧(yang)化(hua)層(ceng)，由于(yu)所(suo)述第(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)氧(yang)化(hua)層(ceng)未(wei)經過(guo)刻(ke)蝕(shi)工藝(yi)，避免(mian)了所(suo)述刻(ke)蝕(shi)工藝(yi)對(dui)所(suo)述第(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)氧(yang)化(hua)層(ceng)造成損傷，因此所(suo)述第(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)氧(yang)化(hua)層(ceng)具有良好的(de)(de)(de)膜層(ceng)質量，所(suo)述第(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)氧(yang)化(hua)層(ceng)作為后(hou)續(xu)周(zhou)邊區(qu)器件的(de)(de)(de)柵(zha)介(jie)質層(ceng)的(de)(de)(de)一(yi)(yi)部分，從(cong)而提(ti)(ti)高(gao)了周(zhou)邊區(qu)第(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)極(ji)結構(gou)(gou)的(de)(de)(de)質量，進而使形成的(de)(de)(de)半導(dao)體器件的(de)(de)(de)電學性(xing)能得到提(ti)(ti)高(gao)。

為使本發明的上述(shu)目的、特征和優點能夠更為明顯易(yi)懂，下面(mian)結合附(fu)圖對本發明的具體實施(shi)例做詳(xiang)細(xi)的說明。

圖6至圖18是(shi)本發明(ming)半導(dao)體結構的制(zhi)造方法一實施例中各步驟對應結構示意圖。

結合參考圖(tu)(tu)(tu)6和(he)圖(tu)(tu)(tu)7，圖(tu)(tu)(tu)7是圖(tu)(tu)(tu)6沿(yan)AA1方向的剖面結構示意(yi)圖(tu)(tu)(tu)，形成半導體(ti)基底(di)(di)，所(suo)(suo)述半導體(ti)基底(di)(di)包括襯底(di)(di)400、凸(tu)出(chu)于(yu)所(suo)(suo)述襯底(di)(di)400的鰭(qi)部，所(suo)(suo)述襯底(di)(di)400包括周邊(bian)區(qu)Ⅰ(如圖(tu)(tu)(tu)7所(suo)(suo)示)和(he)核心區(qu)Ⅱ(如圖(tu)(tu)(tu)7所(suo)(suo)示)，凸(tu)出(chu)于(yu)所(suo)(suo)述周邊(bian)區(qu)Ⅰ襯底(di)(di)400的鰭(qi)部為第一鰭(qi)部410，凸(tu)出(chu)于(yu)所(suo)(suo)述核心區(qu)Ⅱ襯底(di)(di)400的鰭(qi)部為第二鰭(qi)部420。

所述襯(chen)底(di)(di)400的(de)(de)材料(liao)為(wei)(wei)硅(gui)、鍺(zang)、鍺(zang)化(hua)硅(gui)、碳化(hua)硅(gui)、砷(shen)化(hua)鎵(jia)(jia)或鎵(jia)(jia)化(hua)銦，所 述襯(chen)底(di)(di)400還(huan)能夠為(wei)(wei)絕緣體上的(de)(de)硅(gui)襯(chen)底(di)(di)或者絕緣體上的(de)(de)鍺(zang)襯(chen)底(di)(di)；所述第(di)一鰭(qi)部(bu)410和第(di)二鰭(qi)部(bu)420的(de)(de)材料(liao)包括硅(gui)、鍺(zang)、鍺(zang)化(hua)硅(gui)、碳化(hua)硅(gui)、砷(shen)化(hua)鎵(jia)(jia)或鎵(jia)(jia)化(hua)銦。本實施例(li)中(zhong)，所述襯(chen)底(di)(di)400為(wei)(wei)硅(gui)襯(chen)底(di)(di)，所述第(di)一鰭(qi)部(bu)410和第(di)二鰭(qi)部(bu)420的(de)(de)材料(liao)為(wei)(wei)硅(gui)。

需要說(shuo)明的是，所(suo)述周(zhou)邊(bian)區(qu)Ⅰ可以(yi)為N型(xing)(xing)區(qu)或P型(xing)(xing)區(qu)，所(suo)述核心區(qu)Ⅱ可以(yi)為N型(xing)(xing)區(qu)或P型(xing)(xing)區(qu)，所(suo)述周(zhou)邊(bian)區(qu)Ⅰ和(he)核心區(qu)Ⅱ類型(xing)(xing)相(xiang)同。

具體(ti)地，形(xing)(xing)(xing)成所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)半導(dao)體(ti)基(ji)(ji)底的(de)(de)(de)(de)步驟包(bao)括：提供初始(shi)基(ji)(ji)底，在(zai)所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)初始(shi)基(ji)(ji)底表面(mian)(mian)形(xing)(xing)(xing)成圖(tu)(tu)形(xing)(xing)(xing)層(ceng)(未圖(tu)(tu)示)；在(zai)所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)圖(tu)(tu)形(xing)(xing)(xing)層(ceng)和半導(dao)體(ti)基(ji)(ji)底表面(mian)(mian)形(xing)(xing)(xing)成硬(ying)掩(yan)膜(mo)層(ceng)500；刻蝕所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)圖(tu)(tu)形(xing)(xing)(xing)層(ceng)頂部(bu)(bu)(bu)(bu)和初始(shi)基(ji)(ji)底表面(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)硬(ying)掩(yan)膜(mo)層(ceng)500，留下(xia)所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)圖(tu)(tu)形(xing)(xing)(xing)層(ceng)側壁的(de)(de)(de)(de)圖(tu)(tu)形(xing)(xing)(xing)化(hua)的(de)(de)(de)(de)硬(ying)掩(yan)膜(mo)層(ceng)500；去除所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)圖(tu)(tu)形(xing)(xing)(xing)層(ceng)，暴露出部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)初始(shi)基(ji)(ji)底表面(mian)(mian)，剩(sheng)(sheng)余的(de)(de)(de)(de)圖(tu)(tu)形(xing)(xing)(xing)化(hua)的(de)(de)(de)(de)硬(ying)掩(yan)膜(mo)層(ceng)500的(de)(de)(de)(de)形(xing)(xing)(xing)貌、尺寸及(ji)位(wei)置與所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)鰭部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)形(xing)(xing)(xing)貌、尺寸及(ji)位(wei)置相(xiang)同；以剩(sheng)(sheng)余的(de)(de)(de)(de)圖(tu)(tu)形(xing)(xing)(xing)化(hua)的(de)(de)(de)(de)硬(ying)掩(yan)膜(mo)層(ceng)500為(wei)(wei)掩(yan)膜(mo)，沿(yan)暴露的(de)(de)(de)(de)初始(shi)基(ji)(ji)底圖(tu)(tu)形(xing)(xing)(xing)刻蝕所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)初始(shi)基(ji)(ji)底，形(xing)(xing)(xing)成若干分(fen)立的(de)(de)(de)(de)凸起，所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)凸起為(wei)(wei)鰭部(bu)(bu)(bu)(bu)，刻蝕后(hou)的(de)(de)(de)(de)初始(shi)基(ji)(ji)底作為(wei)(wei)襯(chen)底400，所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)襯(chen)底400包(bao)括周邊區(qu)Ⅰ和核心(xin)區(qu)Ⅱ，位(wei)于所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)周邊區(qu)Ⅰ的(de)(de)(de)(de)鰭部(bu)(bu)(bu)(bu)為(wei)(wei)第一鰭部(bu)(bu)(bu)(bu)410，位(wei)于所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)核心(xin)區(qu)Ⅱ的(de)(de)(de)(de)鰭部(bu)(bu)(bu)(bu)為(wei)(wei)第二鰭部(bu)(bu)(bu)(bu)420。

本實施例中，所述第(di)一鰭(qi)(qi)(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)410的(de)(de)頂部(bu)(bu)(bu)(bu)尺(chi)(chi)(chi)寸(cun)(cun)(cun)(cun)小于(yu)底(di)(di)(di)部(bu)(bu)(bu)(bu)尺(chi)(chi)(chi)寸(cun)(cun)(cun)(cun)，所述第(di)二鰭(qi)(qi)(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)420的(de)(de)頂部(bu)(bu)(bu)(bu)尺(chi)(chi)(chi)寸(cun)(cun)(cun)(cun)小于(yu)底(di)(di)(di)部(bu)(bu)(bu)(bu)尺(chi)(chi)(chi)寸(cun)(cun)(cun)(cun)。在其他實施例中，所述第(di)一鰭(qi)(qi)(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)(de)側壁還能夠與(yu)襯底(di)(di)(di)表面相垂直(zhi)，即(ji)第(di)一鰭(qi)(qi)(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)(de)頂部(bu)(bu)(bu)(bu)尺(chi)(chi)(chi)寸(cun)(cun)(cun)(cun)等于(yu)底(di)(di)(di)部(bu)(bu)(bu)(bu)尺(chi)(chi)(chi)寸(cun)(cun)(cun)(cun)，所述第(di)二鰭(qi)(qi)(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)(de)側壁還能夠與(yu)襯底(di)(di)(di)表面相垂直(zhi)，即(ji)第(di)二鰭(qi)(qi)(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)(de)頂部(bu)(bu)(bu)(bu)尺(chi)(chi)(chi)寸(cun)(cun)(cun)(cun)等于(yu)底(di)(di)(di)部(bu)(bu)(bu)(bu)尺(chi)(chi)(chi)寸(cun)(cun)(cun)(cun)。

需要說明(ming)的是，在形(xing)成所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)(yi)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)410和第二(er)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)420之后(hou)，保(bao)留位于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)(yi)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)410頂部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)和第二(er)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)420頂部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)的硬(ying)掩膜(mo)層(ceng)500。所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)硬(ying)掩膜(mo)層(ceng)500的材料(liao)為氮化(hua)硅，后(hou)續在進(jin)行平坦(tan)(tan)化(hua)工藝時，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)硬(ying)掩膜(mo)層(ceng)500表面(mian)能夠(gou)作(zuo)為平坦(tan)(tan)化(hua)工藝的停止位置，且(qie)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)硬(ying)掩膜(mo)層(ceng)500還能夠(gou)起到保(bao)護所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)(yi)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)410頂部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)、第二(er)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)420頂部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)的作(zuo)用(yong)。

在(zai)另一(yi)實(shi)施(shi)例中(zhong)，形(xing)(xing)成所述(shu)(shu)基(ji)底(di)(di)(di)的(de)(de)(de)步驟還能(neng)夠包括(kuo)：提供初始(shi)(shi)基(ji)底(di)(di)(di)；在(zai)所述(shu)(shu)初始(shi)(shi)基(ji)底(di)(di)(di)表面形(xing)(xing)成圖(tu)形(xing)(xing)化(hua)的(de)(de)(de)硬(ying)掩(yan)(yan)膜(mo)層，所述(shu)(shu)圖(tu)形(xing)(xing)化(hua)的(de)(de)(de)硬(ying)掩(yan)(yan)膜(mo)層的(de)(de)(de)位(wei)置(zhi)、形(xing)(xing)狀(zhuang)和尺(chi)寸(cun)與(yu)后續(xu)形(xing)(xing)成的(de)(de)(de)鰭(qi)部(bu)(bu)的(de)(de)(de)位(wei)置(zhi)、形(xing)(xing)狀(zhuang)和尺(chi)寸(cun)相同；以所述(shu)(shu)圖(tu)形(xing)(xing)化(hua)的(de)(de)(de)硬(ying)掩(yan)(yan)膜(mo)層為(wei)(wei)掩(yan)(yan)膜(mo)，刻(ke)蝕(shi)(shi)所述(shu)(shu)初始(shi)(shi)基(ji)底(di)(di)(di)形(xing)(xing)成若干(gan)分立(li)的(de)(de)(de)凸(tu)(tu)起(qi)，所述(shu)(shu)凸(tu)(tu)起(qi)為(wei)(wei)鰭(qi)部(bu)(bu)， 刻(ke)蝕(shi)(shi)后的(de)(de)(de)初始(shi)(shi)基(ji)底(di)(di)(di)作為(wei)(wei)襯底(di)(di)(di)，所述(shu)(shu)襯底(di)(di)(di)包括(kuo)周邊區(qu)(qu)和核心區(qu)(qu)，位(wei)于(yu)所述(shu)(shu)周邊區(qu)(qu)的(de)(de)(de)鰭(qi)部(bu)(bu)為(wei)(wei)第一(yi)鰭(qi)部(bu)(bu)，位(wei)于(yu)所述(shu)(shu)核心區(qu)(qu)的(de)(de)(de)鰭(qi)部(bu)(bu)為(wei)(wei)第二(er)鰭(qi)部(bu)(bu)。

參(can)考圖8，在所述第(di)一鰭(qi)部410和第(di)二鰭(qi)部420表面形成線性氧化層401。

所述(shu)線性(xing)氧(yang)化(hua)層401用于修(xiu)復所述(shu)第一鰭(qi)部(bu)410和第二(er)鰭(qi)部(bu)420。

由于所(suo)述第一鰭(qi)(qi)部(bu)410、第二(er)鰭(qi)(qi)部(bu)420為通過對所(suo)述初始基底刻蝕后(hou)(hou)形(xing)成，所(suo)述第一鰭(qi)(qi)部(bu)410和(he)第二(er)鰭(qi)(qi)部(bu)420通常(chang)具有(you)凸出(chu)的棱角且表面具有(you)缺陷，在(zai)后(hou)(hou)續形(xing)成鰭(qi)(qi)式(shi)場效應管后(hou)(hou)會(hui)影響(xiang)器件性能。

因此(ci)，本實施例對第(di)一(yi)鰭(qi)(qi)(qi)部410和(he)第(di)二(er)鰭(qi)(qi)(qi)部420進行(xing)氧(yang)化(hua)處理以在(zai)所(suo)(suo)述第(di)一(yi)鰭(qi)(qi)(qi)部410和(he)第(di)二(er)鰭(qi)(qi)(qi)部420表(biao)面(mian)形成所(suo)(suo)述線性(xing)氧(yang)化(hua)層(ceng)(ceng)401。在(zai)氧(yang)化(hua)處理過程(cheng)中，由于第(di)一(yi)鰭(qi)(qi)(qi)部410和(he)第(di)二(er)鰭(qi)(qi)(qi)部420凸出(chu)的(de)(de)棱角部分(fen)的(de)(de)比表(biao)面(mian)更大，更容易(yi)被氧(yang)化(hua)，后續去除(chu)(chu)所(suo)(suo)述線性(xing)氧(yang)化(hua)層(ceng)(ceng)401之后，不僅第(di)一(yi)鰭(qi)(qi)(qi)部410和(he)第(di)二(er)鰭(qi)(qi)(qi)部420表(biao)面(mian)的(de)(de)缺陷層(ceng)(ceng)被去除(chu)(chu)，且凸出(chu)棱角部分(fen)也被去除(chu)(chu)，使所(suo)(suo)述第(di)一(yi)鰭(qi)(qi)(qi)部410和(he)第(di)二(er)鰭(qi)(qi)(qi)部420的(de)(de)表(biao)面(mian)光(guang)滑，晶格質量得到改善，避免第(di)一(yi)鰭(qi)(qi)(qi)部410和(he)第(di)二(er)鰭(qi)(qi)(qi)部420頂角尖(jian)端放電問題，有(you)利于改善鰭(qi)(qi)(qi)式場效應管的(de)(de)性(xing)能(neng)。

所(suo)述(shu)氧化(hua)(hua)處(chu)理(li)可以采用氧等離子體氧化(hua)(hua)工藝、或(huo)者硫酸(suan)和(he)過氧化(hua)(hua)氫(qing)的混合(he)溶(rong)液氧化(hua)(hua)工藝。所(suo)述(shu)氧化(hua)(hua)處(chu)理(li)還會對所(suo)述(shu)襯(chen)底400表面(mian)進(jin)行氧化(hua)(hua)，因此(ci)，所(suo)述(shu)線性氧化(hua)(hua)層401還位(wei)于(yu)所(suo)述(shu)襯(chen)底400表面(mian)。本實施例中，采用ISSG(原位(wei)蒸(zheng)汽生成(cheng)，In-situ Stream Generation)氧化(hua)(hua)工藝對所(suo)述(shu)第(di)一(yi)鰭(qi)部410和(he)第(di)二(er)(er)鰭(qi)部420進(jin)行氧化(hua)(hua)處(chu)理(li)，形成(cheng)所(suo)述(shu)線性氧化(hua)(hua)層401，且由于(yu)第(di)一(yi)鰭(qi)部410和(he)第(di)二(er)(er)鰭(qi)部420的材(cai)料為(wei)(wei)硅(gui)，相應的，所(suo)述(shu)線性氧化(hua)(hua)層401的材(cai)料為(wei)(wei)氧化(hua)(hua)硅(gui)。

參考圖9，在所述襯底400表面(mian)形成隔離層(ceng)402。

所(suo)(suo)述(shu)隔(ge)離(li)層(ceng)(ceng)402作為半(ban)導體結(jie)構的(de)隔(ge)離(li)結(jie)構，用于(yu)對相鄰器件(jian)之間(jian)起到隔(ge)離(li)作用，所(suo)(suo)述(shu)隔(ge)離(li)層(ceng)(ceng)402的(de)材料可以為氧(yang)化(hua)硅、氮化(hua)硅或氮氧(yang)化(hua)硅。本實施(shi)例中，所(suo)(suo)述(shu)隔(ge)離(li)層(ceng)(ceng)402的(de)材料為氧(yang)化(hua)硅。

需要說明(ming)的(de)是(shi)，本(ben)實(shi)施例中，所述隔離層402是(shi)淺溝槽(cao)隔離層，但不限于淺溝槽(cao)隔離層。

具體地，形(xing)成所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)隔(ge)(ge)離層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)402的步驟包括(kuo)：在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)線(xian)性(xing)(xing)氧化層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)401表面 形(xing)成隔(ge)(ge)離膜(mo)(mo)(mo)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)隔(ge)(ge)離膜(mo)(mo)(mo)還覆蓋所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)硬(ying)(ying)掩膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)500表面，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)隔(ge)(ge)離膜(mo)(mo)(mo)的頂(ding)(ding)部高于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)硬(ying)(ying)掩膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)500頂(ding)(ding)部；平坦化所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)隔(ge)(ge)離膜(mo)(mo)(mo)直至露出(chu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)掩膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)500表面；回刻(ke)蝕去除部分厚度的所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)隔(ge)(ge)離膜(mo)(mo)(mo)以(yi)形(xing)成所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)隔(ge)(ge)離層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)402，且去除高于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)隔(ge)(ge)離層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)402頂(ding)(ding)部的線(xian)性(xing)(xing)氧化層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)401；去除所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)硬(ying)(ying)掩膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)500(如圖8所(suo)(suo)(suo)示)。

所(suo)(suo)(suo)述(shu)隔離(li)膜(mo)(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)材(cai)料(liao)與第(di)一鰭(qi)部(bu)410、第(di)二(er)鰭(qi)部(bu)420以(yi)及襯底400的(de)(de)(de)(de)材(cai)料(liao)不同(tong)，且(qie)所(suo)(suo)(suo)述(shu)隔離(li)膜(mo)(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)材(cai)料(liao)為易于被去除的(de)(de)(de)(de)材(cai)料(liao)，使得后續(xu)回刻蝕去除部(bu)分厚度的(de)(de)(de)(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)隔離(li)膜(mo)(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)工(gong)(gong)藝(yi)不會(hui)對所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)一鰭(qi)部(bu)410和第(di)二(er)鰭(qi)部(bu)420造成(cheng)損傷。所(suo)(suo)(suo)述(shu)隔離(li)膜(mo)(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)材(cai)料(liao)可以(yi)為非(fei)晶(jing)碳(tan)、氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)、氮化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)、氮氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)、碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)、碳(tan)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)或(huo)碳(tan)氮氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)，形(xing)成(cheng)所(suo)(suo)(suo)述(shu)隔離(li)膜(mo)(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)工(gong)(gong)藝(yi)可以(yi)為化(hua)(hua)(hua)(hua)學(xue)氣相沉(chen)積(ji)、物(wu)理氣相沉(chen)積(ji)或(huo)原子層沉(chen)積(ji)工(gong)(gong)藝(yi)。本(ben)實(shi)施例中(zhong)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)隔離(li)膜(mo)(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)材(cai)料(liao)為氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)，形(xing)成(cheng)所(suo)(suo)(suo)述(shu)犧牲膜(mo)(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)工(gong)(gong)藝(yi)為化(hua)(hua)(hua)(hua)學(xue)氣相沉(chen)積(ji)工(gong)(gong)藝(yi)。

本(ben)實施例中(zhong)，采用化學機(ji)械研磨工(gong)(gong)藝(yi)(yi)平坦化所述(shu)平坦化所述(shu)隔(ge)離(li)(li)膜直至露出所述(shu)掩膜層500表(biao)面；采用干法刻(ke)蝕工(gong)(gong)藝(yi)(yi)、濕法刻(ke)蝕工(gong)(gong)藝(yi)(yi)，或干法刻(ke)蝕工(gong)(gong)藝(yi)(yi)和濕法刻(ke)蝕工(gong)(gong)藝(yi)(yi)相結合的工(gong)(gong)藝(yi)(yi)，回(hui)刻(ke)蝕去除部分厚度的所述(shu)隔(ge)離(li)(li)膜以形(xing)成所述(shu)隔(ge)離(li)(li)層402。

需要說(shuo)明的是(shi)，所(suo)述(shu)隔離層402的厚(hou)度與所(suo)述(shu)第(di)(di)一鰭(qi)(qi)部410或第(di)(di)二(er)鰭(qi)(qi)部420的高度之(zhi)(zhi)比(bi)大于(yu)等(deng)于(yu)1/4小于(yu)等(deng)于(yu)1/2。本實施例中，所(suo)述(shu)隔離層402的厚(hou)度與所(suo)述(shu)第(di)(di)一鰭(qi)(qi)部410或第(di)(di)二(er)鰭(qi)(qi)部420的高度之(zhi)(zhi)比(bi)為1/2。

參考(kao)圖(tu)10，圖(tu)10是(shi)沿BB1(如圖(tu)6所(suo)示)方向的剖面(mian)結構示意圖(tu)，在所(suo)述第一鰭部410表面(mian)形成第一偽柵(zha)結構(未圖(tu)示)，在所(suo)述第二鰭部420表面(mian)形成第二偽柵(zha)結構(未圖(tu)示)。

所述(shu)第(di)一偽柵(zha)結構和第(di)二偽柵(zha)結構為后續(xu)形成的第(di)一柵(zha)極(ji)結構和第(di)二柵(zha)極(ji)結構占(zhan)據空間位置。

本實施(shi)例中，所述第(di)一(yi)(yi)偽柵(zha)結構(gou)(gou)包(bao)括第(di)一(yi)(yi)偽柵(zha)氧化層411和第(di)一(yi)(yi)偽柵(zha)電(dian)極層412，所述第(di)二(er)偽柵(zha)結構(gou)(gou)包(bao)括第(di)二(er)偽柵(zha)氧化層421和第(di)二(er)偽柵(zha)電(dian)極層422。

所(suo)述第(di)一偽(wei)柵氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)411和第(di)二(er)偽(wei)柵氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)421的材料為氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)，所(suo)述第(di)一偽(wei)柵電極層(ceng)(ceng)(ceng)412和第(di)二(er)偽(wei)柵電極層(ceng)(ceng)(ceng)422的材料為多(duo)(duo)晶硅(gui)(gui)、氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)、氮(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)、氮(dan)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)、碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)、碳(tan)氮(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)、碳(tan)氮(dan)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)或非(fei)晶碳(tan)。本實施(shi)例中，所(suo) 述第(di)一偽(wei)柵電極層(ceng)(ceng)(ceng)412和第(di)二(er)偽(wei)柵電極層(ceng)(ceng)(ceng)422的材料為多(duo)(duo)晶硅(gui)(gui)。

具體地，形(xing)成(cheng)所(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)一(yi)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)結構(gou)和第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)結構(gou)的(de)(de)步(bu)驟包括：形(xing)成(cheng)覆(fu)(fu)蓋所(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)一(yi)鰭(qi)部(bu)410和第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)鰭(qi)部(bu)420表面(mian)的(de)(de)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)氧化(hua)(hua)(hua)膜(mo)(mo)(mo)(mo)，所(suo)(suo)(suo)述偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)氧化(hua)(hua)(hua)膜(mo)(mo)(mo)(mo)還(huan)覆(fu)(fu)蓋所(suo)(suo)(suo)述襯底400和隔離層402表面(mian)；在所(suo)(suo)(suo)述偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)氧化(hua)(hua)(hua)膜(mo)(mo)(mo)(mo)表面(mian)形(xing)成(cheng)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)電(dian)極(ji)膜(mo)(mo)(mo)(mo)；在所(suo)(suo)(suo)述偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)電(dian)極(ji)膜(mo)(mo)(mo)(mo)表面(mian)形(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)一(yi)圖(tu)形(xing)層510，所(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)一(yi)圖(tu)形(xing)層510的(de)(de)位置、形(xing)狀和尺(chi)寸與(yu)后續形(xing)成(cheng)的(de)(de)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)電(dian)極(ji)層的(de)(de)位置、形(xing)狀和尺(chi)寸相同；以所(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)一(yi)圖(tu)形(xing)層510為(wei)掩膜(mo)(mo)(mo)(mo)，依(yi)次刻蝕所(suo)(suo)(suo)述偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)電(dian)極(ji)膜(mo)(mo)(mo)(mo)和偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)氧化(hua)(hua)(hua)膜(mo)(mo)(mo)(mo)，在所(suo)(suo)(suo)述周邊(bian)區Ⅰ的(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)鰭(qi)部(bu)410表面(mian)形(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)一(yi)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)結構(gou)，在所(suo)(suo)(suo)述核心區Ⅱ的(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)鰭(qi)部(bu)420表面(mian)形(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)結構(gou)，所(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)一(yi)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)結構(gou)包括第(di)(di)(di)一(yi)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)氧化(hua)(hua)(hua)層411和第(di)(di)(di)一(yi)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)電(dian)極(ji)層412，所(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)結構(gou)包括第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)氧化(hua)(hua)(hua)層421和第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)電(dian)極(ji)層422；形(xing)成(cheng)所(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)一(yi)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)結構(gou)和第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)偽(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)柵(zha)(zha)(zha)結構(gou)后，去除所(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)一(yi)圖(tu)形(xing)層510。

本實施(shi)例中，所述(shu)第一圖(tu)形層(ceng)510為硬(ying)掩膜層(ceng)，所述(shu)第一圖(tu)形層(ceng)510的(de)材料為氮(dan)化硅。

參考圖11，在所述(shu)第(di)一(yi)偽(wei)柵結(jie)構側(ce)(ce)壁形(xing)成周邊(bian)區(qu)第(di)一(yi)側(ce)(ce)壁層(ceng)413，在所述(shu)第(di)二(er)偽(wei)柵結(jie)構側(ce)(ce)壁形(xing)成核心區(qu)第(di)一(yi)側(ce)(ce)壁層(ceng)423。

所述(shu)(shu)周邊(bian)區第一側(ce)壁(bi)層413的材(cai)料(liao)可(ke)以(yi)為氧化(hua)(hua)硅(gui)(gui)、氮(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)、碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)、碳(tan)氮(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)、碳(tan)氮(dan)(dan)(dan)氧化(hua)(hua)硅(gui)(gui)、氮(dan)(dan)(dan)氧化(hua)(hua)硅(gui)(gui)、氮(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)硼(peng)(peng)(peng)或(huo)碳(tan)氮(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)硼(peng)(peng)(peng)，所述(shu)(shu)周邊(bian)區第一側(ce)壁(bi)層413可(ke)以(yi)為單層結(jie)(jie)構(gou)或(huo)疊層結(jie)(jie)構(gou)；所述(shu)(shu)核心區第一側(ce)壁(bi)層423的材(cai)料(liao)可(ke)以(yi)為氧化(hua)(hua)硅(gui)(gui)、氮(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)、碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)、碳(tan)氮(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)、碳(tan)氮(dan)(dan)(dan)氧化(hua)(hua)硅(gui)(gui)、氮(dan)(dan)(dan)氧化(hua)(hua)硅(gui)(gui)、氮(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)硼(peng)(peng)(peng)或(huo)碳(tan)氮(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)硼(peng)(peng)(peng)，所述(shu)(shu)核心區第一側(ce)壁(bi)層423可(ke)以(yi)為單層結(jie)(jie)構(gou)或(huo)疊層結(jie)(jie)構(gou)。

本實施例中，所述(shu)周邊(bian)區(qu)(qu)第(di)一側(ce)壁(bi)層(ceng)(ceng)413為(wei)(wei)單(dan)層(ceng)(ceng)結構，所述(shu)周邊(bian)區(qu)(qu)第(di)一側(ce)壁(bi)層(ceng)(ceng)413的材(cai)料為(wei)(wei)氮化(hua)硅(gui)；所述(shu)核心區(qu)(qu)第(di)一側(ce)壁(bi)層(ceng)(ceng)423為(wei)(wei)單(dan)層(ceng)(ceng)結構，所述(shu)核心區(qu)(qu)第(di)一側(ce)壁(bi)層(ceng)(ceng)423的材(cai)料為(wei)(wei)氮化(hua)硅(gui)

具體地，形(xing)成(cheng)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)周(zhou)邊區第一(yi)(yi)(yi)(yi)側(ce)壁(bi)層413和(he)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)核心(xin)(xin)區第一(yi)(yi)(yi)(yi)側(ce)壁(bi)層423的步驟包括：在所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第一(yi)(yi)(yi)(yi)偽柵結構表面、第二偽柵結構表面形(xing)成(cheng)第一(yi)(yi)(yi)(yi)側(ce)壁(bi)膜，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第一(yi)(yi)(yi)(yi)側(ce)壁(bi)膜還覆蓋所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)襯底400表面和(he)隔離層402表面；采(cai)用無(wu)掩膜刻蝕工藝刻蝕去(qu)除所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第一(yi)(yi)(yi)(yi)偽柵電極層412頂部以(yi)及所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第二偽柵電極層422頂部的第一(yi)(yi)(yi)(yi)側(ce)壁(bi)膜，在所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第一(yi)(yi)(yi)(yi)偽柵結構側(ce)壁(bi)形(xing)成(cheng)周(zhou)邊區第一(yi)(yi)(yi)(yi)側(ce)壁(bi)層413，在 所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第二偽柵結構側(ce)壁(bi)形(xing)成(cheng)核心(xin)(xin)區第一(yi)(yi)(yi)(yi)側(ce)壁(bi)層423。

本(ben)實施例(li)中(zhong)，所述(shu)(shu)無掩(yan)膜(mo)(mo)刻(ke)蝕(shi)工藝為(wei)等離子體干法(fa)刻(ke)蝕(shi)工藝；刻(ke)蝕(shi)去除(chu)所述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一偽(wei)(wei)(wei)柵(zha)電極層412頂部(bu)以(yi)及(ji)第(di)(di)(di)二偽(wei)(wei)(wei)柵(zha)電極層422頂部(bu)的(de)第(di)(di)(di)一側(ce)壁(bi)(bi)(bi)膜(mo)(mo)，形成位(wei)(wei)于所述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一偽(wei)(wei)(wei)柵(zha)結構側(ce)壁(bi)(bi)(bi)的(de)周(zhou)邊區第(di)(di)(di)一側(ce)壁(bi)(bi)(bi)層413以(yi)及(ji)位(wei)(wei)于所述(shu)(shu)第(di)(di)(di)二偽(wei)(wei)(wei)柵(zha)結構側(ce)壁(bi)(bi)(bi)的(de)核心區第(di)(di)(di)一側(ce)壁(bi)(bi)(bi)層423。在所述(shu)(shu)干法(fa)刻(ke)蝕(shi)工藝過程中(zhong)，還刻(ke)蝕(shi)去除(chu)位(wei)(wei)于所述(shu)(shu)襯底400表面以(yi)及(ji)隔離層402表面的(de)第(di)(di)(di)一側(ce)壁(bi)(bi)(bi)膜(mo)(mo)。

參考圖(tu)12，在(zai)所(suo)述(shu)(shu)第一(yi)偽(wei)柵結構(gou)兩(liang)側的(de)第一(yi)鰭部(bu)410內(nei)形成(cheng)周邊區(qu)應(ying)力層414，在(zai)所(suo)述(shu)(shu)第二(er)偽(wei)柵結構(gou)兩(liang)側的(de)第二(er)鰭部(bu)420內(nei)形成(cheng)核心區(qu)應(ying)力層424。

所述周邊區(qu)(qu)應力(li)層(ceng)414和核心(xin)區(qu)(qu)應力(li)層(ceng)424用于減小器件(jian)的電(dian)(dian)阻以及接(jie)觸(chu)電(dian)(dian)阻，同時還可(ke)以對周邊區(qu)(qu)Ⅰ器件(jian)的溝(gou)道(dao)區(qu)(qu)和核心(xin)區(qu)(qu)Ⅱ器件(jian)的溝(gou)道(dao)區(qu)(qu)施加適當(dang)的應力(li)，提高(gao)空穴和電(dian)(dian)子(zi)的遷移率，進而提高(gao)半(ban)導體器件(jian)的性能。

具體地，形(xing)成所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)周邊區應力(li)(li)層(ceng)(ceng)(ceng)414和核心區應力(li)(li)層(ceng)(ceng)(ceng)424的(de)(de)步(bu)驟包括：在所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)半導體基底表(biao)(biao)面(mian)形(xing)成掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)(未(wei)圖示)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)覆蓋所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)偽柵(zha)結(jie)(jie)(jie)構表(biao)(biao)面(mian)、第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)偽柵(zha)結(jie)(jie)(jie)構表(biao)(biao)面(mian)、隔離層(ceng)(ceng)(ceng)402表(biao)(biao)面(mian)以(yi)及(ji)襯底400表(biao)(biao)面(mian)，暴露(lu)出(chu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)柵(zha)極(ji)結(jie)(jie)(jie)構兩(liang)(liang)側的(de)(de)部(bu)(bu)分(fen)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)鰭(qi)(qi)(qi)部(bu)(bu)410表(biao)(biao)面(mian)以(yi)及(ji)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)柵(zha)極(ji)結(jie)(jie)(jie)構兩(liang)(liang)側的(de)(de)部(bu)(bu)分(fen)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)鰭(qi)(qi)(qi)部(bu)(bu)420表(biao)(biao)面(mian)；以(yi)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)為掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)，采用(yong)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)刻蝕(shi)工(gong)藝刻蝕(shi)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)暴露(lu)出(chu)的(de)(de)部(bu)(bu)分(fen)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)鰭(qi)(qi)(qi)部(bu)(bu)410和部(bu)(bu)分(fen)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)鰭(qi)(qi)(qi)部(bu)(bu)420，在所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)柵(zha)極(ji)結(jie)(jie)(jie)構兩(liang)(liang)側的(de)(de)部(bu)(bu)分(fen)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)鰭(qi)(qi)(qi)部(bu)(bu)410內(nei)以(yi)及(ji)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)柵(zha)極(ji)結(jie)(jie)(jie)構兩(liang)(liang)側的(de)(de)部(bu)(bu)分(fen)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)鰭(qi)(qi)(qi)部(bu)(bu)420內(nei)形(xing)成初(chu)(chu)(chu)始開口(kou)(未(wei)圖示)；繼續以(yi)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)為掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)，采用(yong)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)刻蝕(shi)工(gong)藝刻蝕(shi)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)初(chu)(chu)(chu)始開口(kou)，形(xing)成溝(gou)槽(cao)(未(wei)圖示)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)溝(gou)槽(cao)的(de)(de)深度大于(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)初(chu)(chu)(chu)始開口(kou)的(de)(de)深度，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)溝(gou)槽(cao)的(de)(de)橫截面(mian)面(mian)積(ji)大于(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)初(chu)(chu)(chu)始開口(kou)的(de)(de)橫截面(mian)面(mian)積(ji)；形(xing)成所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)溝(gou)槽(cao)后(hou)，采用(yong)濕法去膠或灰化工(gong)藝去除所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)圖形(xing)層(ceng)(ceng)(ceng)；在所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)鰭(qi)(qi)(qi)部(bu)(bu)410內(nei)的(de)(de)溝(gou)槽(cao)中形(xing)成周邊區應力(li)(li)層(ceng)(ceng)(ceng)414，在所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)鰭(qi)(qi)(qi)部(bu)(bu)420內(nei)的(de)(de)溝(gou)槽(cao)中形(xing)成核心區應力(li)(li)層(ceng)(ceng)(ceng)424。

本實施例中，所述第一刻蝕工藝為等離子體干法刻蝕工藝。所述第一刻蝕工藝的工藝參數包括：刻蝕氣體為CF₄、CH₃F、HBr、NF₃、Cl₂、O₂和N₂中的一種或多(duo)種氣體，載氣為Ar和(he)He中的一種或多(duo)種氣體，反應室(shi)氣壓為2mtorr至100mtorr，偏置(zhi)電壓為50V至250V，工(gong)藝溫度為30℃至100℃，工(gong)藝時(shi)間為3s至20s。

本實施例中，所述第二(er)刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)為(wei)(wei)濕法刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)。通過濕法刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)的各(ge)向異性(xing)，對(dui)硅材料具有很(hen)高的刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)選擇(ze)比，從而在所述第一柵極(ji)結構(gou)兩側的部(bu)分第一鰭(qi)部(bu)410內(nei)以(yi)及第二(er)柵極(ji)結構(gou)兩側的部(bu)分第二(er)鰭(qi)部(bu)420內(nei)形成所述溝槽。所述濕法刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)所采用的刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)液(ye)體包括四甲基氫氧化氨溶液(ye)，工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)溫度為(wei)(wei)20℃至120℃，工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)時間為(wei)(wei)20s至500s。

所(suo)述(shu)周(zhou)邊區應力(li)層(ceng)(ceng)414和核(he)心區應力(li)層(ceng)(ceng)424的材(cai)料可以(yi)為(wei)硅(gui)(gui)、鍺(zang)、鍺(zang)化硅(gui)(gui)、碳化硅(gui)(gui)、砷化鎵或(huo)鎵化銦(yin)。本實(shi)施例中，所(suo)述(shu)周(zhou)邊區應力(li)層(ceng)(ceng)414和核(he)心區應力(li)層(ceng)(ceng)424的材(cai)料為(wei)硅(gui)(gui)。

本實(shi)施(shi)例中，形成(cheng)所(suo)(suo)述(shu)(shu)周邊(bian)(bian)區(qu)(qu)應(ying)(ying)(ying)(ying)力(li)層(ceng)(ceng)414和(he)核(he)(he)心(xin)區(qu)(qu)應(ying)(ying)(ying)(ying)力(li)層(ceng)(ceng)424所(suo)(suo)采(cai)用的(de)(de)工(gong)藝(yi)為化(hua)學(xue)氣相沉積外延(yan)生長(chang)工(gong)藝(yi)。所(suo)(suo)述(shu)(shu)周邊(bian)(bian)區(qu)(qu)應(ying)(ying)(ying)(ying)力(li)層(ceng)(ceng)414的(de)(de)材料晶格(ge)常數(shu)(shu)與(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一鰭(qi)(qi)部(bu)(bu)410的(de)(de)材料晶格(ge)常數(shu)(shu)相同(tong)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)核(he)(he)心(xin)區(qu)(qu)應(ying)(ying)(ying)(ying)力(li)層(ceng)(ceng)424的(de)(de)材料晶格(ge)常數(shu)(shu)與(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)(er)鰭(qi)(qi)部(bu)(bu)420的(de)(de)材料晶格(ge)常數(shu)(shu)相同(tong)，因此，在所(suo)(suo)述(shu)(shu)化(hua)學(xue)氣相沉積外延(yan)生長(chang)工(gong)藝(yi)過程中，沿著所(suo)(suo)述(shu)(shu)溝槽暴露出的(de)(de)第(di)一鰭(qi)(qi)部(bu)(bu)410表面晶向(xiang)逐(zhu)層(ceng)(ceng)生長(chang)薄(bo)膜，沿著所(suo)(suo)述(shu)(shu)溝槽暴露出的(de)(de)第(di)二(er)(er)鰭(qi)(qi)部(bu)(bu)420表面晶向(xiang)逐(zhu)層(ceng)(ceng)生長(chang)薄(bo)膜，直至(zhi)在所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一鰭(qi)(qi)部(bu)(bu)410內形成(cheng)厚(hou)度符合預設目標(biao)值(zhi)的(de)(de)周邊(bian)(bian)區(qu)(qu)應(ying)(ying)(ying)(ying)力(li)層(ceng)(ceng)414，在所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)(er)鰭(qi)(qi)部(bu)(bu)420內形成(cheng)厚(hou)度符合預設目標(biao)值(zhi)的(de)(de)核(he)(he)心(xin)區(qu)(qu)應(ying)(ying)(ying)(ying)力(li)層(ceng)(ceng)424，其中，所(suo)(suo)述(shu)(shu)周邊(bian)(bian)區(qu)(qu)應(ying)(ying)(ying)(ying)力(li)層(ceng)(ceng)414的(de)(de)頂(ding)(ding)(ding)部(bu)(bu)高(gao)于所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一偽柵氧化(hua)層(ceng)(ceng)411的(de)(de)頂(ding)(ding)(ding)部(bu)(bu)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)核(he)(he)心(xin)區(qu)(qu)應(ying)(ying)(ying)(ying)力(li)層(ceng)(ceng)424的(de)(de)頂(ding)(ding)(ding)部(bu)(bu)高(gao)于所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)(er)偽柵氧化(hua)層(ceng)(ceng)421的(de)(de)頂(ding)(ding)(ding)部(bu)(bu)。

所(suo)述(shu)化學氣(qi)相沉積外(wai)延(yan)生長工(gong)(gong)藝的工(gong)(gong)藝參(can)數包括(kuo)：工(gong)(gong)藝溫度為(wei)(wei)500℃至(zhi)(zhi)(zhi)950℃，工(gong)(gong)藝時(shi)間為(wei)(wei)1000s至(zhi)(zhi)(zhi)11000s，反(fan)應(ying)室(shi)氣(qi)壓為(wei)(wei)5Torr至(zhi)(zhi)(zhi)1000Torr，外(wai)延(yan)形成(cheng)所(suo)述(shu)周(zhou)邊區(qu)應(ying)力層(ceng)414和核(he)心區(qu)應(ying)力層(ceng)424的預處理氣(qi)體為(wei)(wei)氫(qing)氣(qi)，外(wai)延(yan)形成(cheng)所(suo)述(shu)周(zhou)邊區(qu)應(ying)力層(ceng)414和核(he)心區(qu)應(ying)力層(ceng)424的反(fan)應(ying)氣(qi)體為(wei)(wei)氯化氫(qing)、二氯二氫(qing)硅(gui)、硅(gui)烷中的一種氣(qi)體或(huo)多種構(gou)成(cheng)的混合氣(qi)體。

參考圖13，在所述周邊(bian)區(qu)第(di)一(yi)側(ce)壁(bi)(bi)層(ceng)413表面形(xing)成周邊(bian)區(qu)第(di)二側(ce)壁(bi)(bi)層(ceng)415，在所述核心區(qu)第(di)一(yi)側(ce)壁(bi)(bi)層(ceng)423表面形(xing)成核心區(qu)第(di)二側(ce)壁(bi)(bi)層(ceng)425。

所(suo)述(shu)周(zhou)邊(bian)區(qu)第二(er)側(ce)壁(bi)(bi)層(ceng)415的材料(liao)可(ke)以為(wei)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)、氮(dan)(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)、碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)、碳(tan)氮(dan)(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)、碳(tan)氮(dan)(dan)(dan)(dan)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)、氮(dan)(dan)(dan)(dan)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)、氮(dan)(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硼或碳(tan)氮(dan)(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硼，所(suo)述(shu)周(zhou)邊(bian)區(qu)第二(er)側(ce)壁(bi)(bi)層(ceng)415可(ke)以為(wei)單層(ceng)結構或疊(die)(die)層(ceng)結構；所(suo)述(shu)核心區(qu)第二(er)側(ce)壁(bi)(bi)層(ceng)425的材料(liao)可(ke)以 為(wei)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)、氮(dan)(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)、碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)、碳(tan)氮(dan)(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)、碳(tan)氮(dan)(dan)(dan)(dan)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)、氮(dan)(dan)(dan)(dan)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)、氮(dan)(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硼或碳(tan)氮(dan)(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硼，所(suo)述(shu)核心區(qu)第二(er)側(ce)壁(bi)(bi)層(ceng)425可(ke)以為(wei)單層(ceng)結構或疊(die)(die)層(ceng)結構。

本實施例(li)中，所述周邊區第(di)二(er)側壁層(ceng)415為(wei)(wei)(wei)單(dan)層(ceng)結構，所述周邊區第(di)二(er)側壁層(ceng)415的(de)材料為(wei)(wei)(wei)氮化硅；所述核(he)心(xin)區第(di)二(er)側壁層(ceng)425為(wei)(wei)(wei)單(dan)層(ceng)結構，所述核(he)心(xin)區第(di)二(er)側壁層(ceng)425的(de)材料為(wei)(wei)(wei)氮化硅。

具體地，形成(cheng)(cheng)(cheng)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)周(zhou)邊區(qu)(qu)(qu)(qu)第(di)(di)(di)二(er)側(ce)(ce)(ce)壁(bi)(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)415和(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)核心(xin)區(qu)(qu)(qu)(qu)第(di)(di)(di)二(er)側(ce)(ce)(ce)壁(bi)(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)425的步(bu)驟包括：在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)周(zhou)邊區(qu)(qu)(qu)(qu)第(di)(di)(di)一(yi)側(ce)(ce)(ce)壁(bi)(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)413表(biao)面、核心(xin)區(qu)(qu)(qu)(qu)第(di)(di)(di)一(yi)側(ce)(ce)(ce)壁(bi)(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)423表(biao)面形成(cheng)(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)二(er)側(ce)(ce)(ce)壁(bi)(bi)膜，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)側(ce)(ce)(ce)壁(bi)(bi)膜還(huan)覆蓋所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)偽(wei)(wei)柵電極層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)412頂(ding)部(bu)、第(di)(di)(di)二(er)偽(wei)(wei)柵電極層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)422頂(ding)部(bu)和(he)隔(ge)離層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)402表(biao)面；采用無掩膜刻蝕(shi)工藝刻蝕(shi)去除(chu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)偽(wei)(wei)柵電極層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)412頂(ding)部(bu)以及第(di)(di)(di)二(er)偽(wei)(wei)柵電極層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)422頂(ding)部(bu)的第(di)(di)(di)二(er)側(ce)(ce)(ce)壁(bi)(bi)膜，在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)周(zhou)邊區(qu)(qu)(qu)(qu)第(di)(di)(di)一(yi)側(ce)(ce)(ce)壁(bi)(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)413表(biao)面形成(cheng)(cheng)(cheng)周(zhou)邊區(qu)(qu)(qu)(qu)第(di)(di)(di)二(er)側(ce)(ce)(ce)壁(bi)(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)415，在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)核心(xin)區(qu)(qu)(qu)(qu)第(di)(di)(di)一(yi)側(ce)(ce)(ce)壁(bi)(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)423表(biao)面形成(cheng)(cheng)(cheng)核心(xin)區(qu)(qu)(qu)(qu)第(di)(di)(di)二(er)側(ce)(ce)(ce)壁(bi)(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)425。

本實施(shi)例中(zhong)，采用干法(fa)刻蝕(shi)(shi)工藝(yi)，刻蝕(shi)(shi)去(qu)除(chu)所述(shu)第(di)(di)一偽柵(zha)電極層412頂部以及第(di)(di)二偽柵(zha)電極層422頂部的(de)第(di)(di)二側(ce)壁(bi)(bi)(bi)(bi)膜，形成位(wei)于所述(shu)周邊區(qu)(qu)(qu)第(di)(di)一側(ce)壁(bi)(bi)(bi)(bi)層413表(biao)面的(de)周邊區(qu)(qu)(qu)第(di)(di)二側(ce)壁(bi)(bi)(bi)(bi)層415以及位(wei)于所述(shu)核心區(qu)(qu)(qu)第(di)(di)一側(ce)壁(bi)(bi)(bi)(bi)層423表(biao)面的(de)核心區(qu)(qu)(qu)第(di)(di)二側(ce)壁(bi)(bi)(bi)(bi)層425。在所述(shu)干法(fa)刻蝕(shi)(shi)工藝(yi)過(guo)程中(zhong)，還(huan)刻蝕(shi)(shi)去(qu)除(chu)所述(shu)隔離層402表(biao)面的(de)第(di)(di)二側(ce)壁(bi)(bi)(bi)(bi)膜。

需要說明的(de)是(shi)，在(zai)形成(cheng)所述周(zhou)邊(bian)區(qu)(qu)第(di)(di)二(er)側(ce)(ce)壁(bi)層(ceng)(ceng)415和核(he)(he)心區(qu)(qu)第(di)(di)二(er)側(ce)(ce)壁(bi)層(ceng)(ceng)425后，在(zai)所述第(di)(di)一偽柵結構兩(liang)側(ce)(ce)的(de)第(di)(di)一鰭部410內(nei)(nei)和周(zhou)邊(bian)區(qu)(qu)外延層(ceng)(ceng)414內(nei)(nei)形成(cheng)周(zhou)邊(bian)區(qu)(qu)源漏(lou)區(qu)(qu)(未圖(tu)示)，在(zai)所述第(di)(di)二(er)偽柵結構兩(liang)側(ce)(ce)的(de)第(di)(di)二(er)鰭部420內(nei)(nei)和核(he)(he)心區(qu)(qu)外延層(ceng)(ceng)424內(nei)(nei)形成(cheng)核(he)(he)心區(qu)(qu)源漏(lou)區(qu)(qu)(未圖(tu)示)。

參考圖14，在所(suo)述半導體基底表面形成介質層460，所(suo)述介質層460與所(suo)述第一(yi)(yi)偽柵結構(gou)和第二偽柵結構(gou)齊平并露出所(suo)述第一(yi)(yi)偽柵電極層412和第二偽柵電極層422。

本實施例中，所(suo)(suo)述(shu)介(jie)質層460位(wei)于所(suo)(suo)述(shu)隔(ge)離(li)層402表(biao)面(mian)以及部(bu)(bu)(bu)分第一(yi)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)410表(biao)面(mian)和部(bu)(bu)(bu)分第二(er)鰭(qi)部(bu)(bu)(bu)420表(biao)面(mian)，所(suo)(suo)述(shu)介(jie)質層470還(huan)覆蓋所(suo)(suo)述(shu)周邊區(qu)源(yuan)、漏區(qu)(未(wei)圖示)和核(he)心區(qu)源(yuan)、漏區(qu)(未(wei)圖示)表(biao)面(mian)，且所(suo)(suo)述(shu)介(jie)質層460頂(ding)部(bu)(bu)(bu)與所(suo)(suo)述(shu)第一(yi)偽(wei)柵(zha)電(dian)極(ji)層412和第二(er)偽(wei)柵(zha)電(dian)極(ji)層422頂(ding)部(bu)(bu)(bu)齊平(ping)。

本(ben)實(shi)施(shi)例中，所述介質(zhi)層(ceng)(ceng)460為疊(die)層(ceng)(ceng)結構，包括(kuo)位于所述半導體(ti)基底表面第(di)一(yi)介質(zhi)層(ceng)(ceng)440，以及位于所述第(di)一(yi)介質(zhi)層(ceng)(ceng)440表面的第(di)二介質(zhi)層(ceng)(ceng)450。

所(suo)述第(di)一介(jie)質層(ceng)440為(wei)(wei)作為(wei)(wei)后續形(xing)成的鰭式(shi)場(chang)效應管的隔離結構，所(suo)述第(di)一介(jie)質層(ceng)440的材料(liao)為(wei)(wei)絕緣材料(liao)，例如(ru)為(wei)(wei)氧(yang)化(hua)硅(gui)(gui)、氮化(hua)硅(gui)(gui)、氮氧(yang)化(hua)硅(gui)(gui)、碳(tan)氧(yang)化(hua)硅(gui)(gui)、碳(tan)氮化(hua)硅(gui)(gui)或碳(tan)氮氧(yang)化(hua)硅(gui)(gui)。本實施例中，所(suo)述第(di)一介(jie)質層(ceng)440的材料(liao)為(wei)(wei)氧(yang)化(hua)硅(gui)(gui)。

所述(shu)(shu)(shu)第二(er)介(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)450的(de)致密(mi)度大于所述(shu)(shu)(shu)第一介(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)440的(de)致密(mi)度，所述(shu)(shu)(shu)第二(er)介(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)450的(de)電(dian)絕(jue)緣(yuan)(yuan)性(xing)(xing)(xing)能(neng)優(you)于所述(shu)(shu)(shu)第一介(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)440的(de)電(dian)絕(jue)緣(yuan)(yuan)性(xing)(xing)(xing)能(neng)，從而使得后續形成(cheng)的(de)隔離(li)結構具有(you)良(liang)好(hao)的(de)電(dian)絕(jue)緣(yuan)(yuan)性(xing)(xing)(xing)能(neng)。所述(shu)(shu)(shu)第二(er)介(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)450的(de)材料(liao)為絕(jue)緣(yuan)(yuan)材料(liao)，例如為氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)、氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)、氮(dan)(dan)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)、碳氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)、碳氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)或碳氮(dan)(dan)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)。本實(shi)施例中(zhong)，所述(shu)(shu)(shu)第二(er)介(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)450的(de)材料(liao)為氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)。

需要說(shuo)明(ming)的是，在(zai)形(xing)(xing)成所述介質層460之前，先在(zai)所述半導體基底表面形(xing)(xing)成刻蝕(shi)阻(zu)擋層430，所述刻蝕(shi)阻(zu)擋層430還覆(fu)蓋所述第一偽柵結構(gou)表面和第二(er)偽柵結構(gou)表面。

所述(shu)(shu)刻(ke)蝕(shi)(shi)阻擋層430用于(yu)作為后續(xu)接(jie)觸孔(kong)刻(ke)蝕(shi)(shi)工(gong)藝中的刻(ke)蝕(shi)(shi)停止層，且作為后續(xu)平坦化(hua)工(gong)藝的停止位(wei)置。本實施例(li)中，所述(shu)(shu)刻(ke)蝕(shi)(shi)阻擋層430的材料為氮化(hua)硅。

具體地(di)，形(xing)(xing)成所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)460的步驟(zou)包括：在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)半導體基(ji)底表(biao)面形(xing)(xing)成刻(ke)蝕(shi)阻擋(dang)層(ceng)430后(hou)，在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)鰭部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)與鰭部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)之間的半導體基(ji)底上(shang)填充滿第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)膜(mo)(mo)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)膜(mo)(mo)還覆蓋所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)偽(wei)柵(zha)結(jie)(jie)構(gou)和(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)偽(wei)柵(zha)結(jie)(jie)構(gou)，且(qie)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)膜(mo)(mo)頂(ding)(ding)(ding)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)高于所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)偽(wei)柵(zha)電(dian)(dian)極層(ceng)412頂(ding)(ding)(ding)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)和(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)偽(wei)柵(zha)電(dian)(dian)極層(ceng)422頂(ding)(ding)(ding)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)；平坦化所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)膜(mo)(mo)直至露(lu)出所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)刻(ke)蝕(shi)阻擋(dang)層(ceng)430頂(ding)(ding)(ding)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)表(biao)面；回刻(ke)蝕(shi)去(qu)除部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)分厚度的第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)膜(mo)(mo)以(yi)形(xing)(xing)成第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)440；在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)440表(biao)面形(xing)(xing)成第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)膜(mo)(mo)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)膜(mo)(mo)還覆蓋所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)偽(wei)柵(zha)結(jie)(jie)構(gou)和(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)偽(wei)柵(zha)結(jie)(jie)構(gou)表(biao)面，且(qie)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)膜(mo)(mo)頂(ding)(ding)(ding)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)高于所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)偽(wei)柵(zha)電(dian)(dian)極層(ceng)412頂(ding)(ding)(ding)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)和(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)偽(wei)柵(zha)電(dian)(dian)極層(ceng)422頂(ding)(ding)(ding)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)；平坦化所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)膜(mo)(mo)直至露(lu)出所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)偽(wei)柵(zha)電(dian)(dian)極層(ceng)412頂(ding)(ding)(ding)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)和(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)偽(wei)柵(zha)電(dian)(dian)極層(ceng)422頂(ding)(ding)(ding)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)表(biao)面，以(yi)形(xing)(xing)成第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)層(ceng)450。

需要說明的(de)是，在平(ping)坦(tan)化所述第二(er)介質(zhi)膜的(de)同時(shi)，去除(chu)位于(yu)所述第一(yi)偽(wei) 柵電極層(ceng)(ceng)412頂部(bu)和第二(er)偽(wei)柵電極層(ceng)(ceng)422頂部(bu)刻蝕(shi)阻擋層(ceng)(ceng)430，使形(xing)成的(de)所述第二(er)介質(zhi)層(ceng)(ceng)450頂部(bu)與(yu)所述第一(yi)偽(wei)柵電極層(ceng)(ceng)412和第二(er)偽(wei)柵電極層(ceng)(ceng)422頂部(bu)齊平(ping)。

本實施(shi)例(li)中(zhong)，由于所(suo)(suo)(suo)述(shu)第一(yi)(yi)介(jie)(jie)質膜(mo)所(suo)(suo)(suo)需填充的(de)開口(kou)深(shen)寬比較大(da)，具體(ti)的(de)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)第一(yi)(yi)介(jie)(jie)質膜(mo)填充的(de)開口(kou)包括(kuo)：鰭(qi)部(bu)與(yu)襯(chen)底400構成(cheng)的(de)開口(kou)，以及相(xiang)(xiang)鄰鰭(qi)部(bu)構成(cheng)的(de)開口(kou)。為了提高(gao)所(suo)(suo)(suo)述(shu)第一(yi)(yi)介(jie)(jie)質膜(mo)的(de)填孔(gap-filling)能力，使得后(hou)續形(xing)成(cheng)的(de)第一(yi)(yi)介(jie)(jie)質層440具有較好的(de)粘附性，且避免后(hou)續形(xing)成(cheng)的(de)第一(yi)(yi)介(jie)(jie)質層440內形(xing)成(cheng)空洞，采用流動性化學氣(qi)相(xiang)(xiang)沉積(ji)(FCVD)工(gong)藝形(xing)成(cheng)所(suo)(suo)(suo)述(shu)第一(yi)(yi)介(jie)(jie)質膜(mo)。此(ci)外，為了提高(gao)所(suo)(suo)(suo)述(shu)第二介(jie)(jie)質膜(mo)的(de)致密度，本實施(shi)例(li)中(zhong)，采用高(gao)縱寬比(HARP)沉積(ji)工(gong)藝形(xing)成(cheng)所(suo)(suo)(suo)述(shu)第二介(jie)(jie)質膜(mo)。

本實施例中，采用(yong)化學機械(xie)研(yan)磨(mo)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)平坦化所述(shu)第(di)一(yi)介(jie)(jie)質(zhi)膜，去(qu)除(chu)高于(yu)所述(shu)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)阻擋層430頂部(bu)表面(mian)的(de)第(di)一(yi)介(jie)(jie)質(zhi)膜；采用(yong)化學機械(xie)研(yan)磨(mo)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)平坦化所述(shu)第(di)二介(jie)(jie)質(zhi)膜，去(qu)除(chu)高于(yu)所述(shu)第(di)一(yi)偽柵(zha)電極層412和第(di)二偽柵(zha)電極層422頂部(bu)表面(mian)的(de)第(di)二介(jie)(jie)質(zhi)膜；采用(yong)干(gan)法刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)、濕法刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)或干(gan)法刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)和濕法刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)相結合的(de)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)回刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)去(qu)除(chu)部(bu)分厚(hou)度的(de)第(di)一(yi)介(jie)(jie)質(zhi)膜。

參考(kao)圖15，去除所(suo)述第(di)一(yi)偽柵結(jie)構，暴露出所(suo)述第(di)一(yi)鰭(qi)部410的部分(fen)表面并(bing)在所(suo)述介質層460內形成(cheng)第(di)一(yi)開(kai)口600。

具體(ti)地(di)，去(qu)(qu)除(chu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第一(yi)(yi)偽柵結構的(de)步驟包括：形(xing)(xing)成覆蓋(gai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)核心區Ⅱ的(de)第二(er)(er)圖形(xing)(xing)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)520，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第二(er)(er)圖形(xing)(xing)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)520暴(bao)(bao)露(lu)出所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第一(yi)(yi)偽柵電(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)412(如圖14所(suo)(suo)(suo)示)表(biao)面；以所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第二(er)(er)圖形(xing)(xing)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)520為(wei)掩膜(mo)，采用干法刻蝕(shi)(shi)工藝先刻蝕(shi)(shi)去(qu)(qu)除(chu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第一(yi)(yi)偽柵電(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)412(如圖14所(suo)(suo)(suo)示)，再刻蝕(shi)(shi)去(qu)(qu)除(chu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第一(yi)(yi)偽柵氧(yang)化層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)411(如圖14所(suo)(suo)(suo)示)，直至暴(bao)(bao)露(lu)出所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第一(yi)(yi)鰭部410的(de)部分表(biao)面并在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)介(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)460內形(xing)(xing)成第一(yi)(yi)開口600；去(qu)(qu)除(chu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第二(er)(er)圖形(xing)(xing)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。

本實施例中，采用干法刻(ke)蝕(shi)工(gong)藝(yi)刻(ke)蝕(shi)去除所述第一(yi)偽柵(zha)結構(gou)，由(you)于(yu)所述刻(ke)蝕(shi)工(gong)藝(yi)對所述第一(yi)偽柵(zha)結構(gou)具有(you)較高(gao)刻(ke)蝕(shi)選擇(ze)比，從而在刻(ke)蝕(shi)去除所述第一(yi)偽柵(zha)結構(gou)的(de)同時，能夠使所述介質層(ceng)460不(bu)受損耗。

本(ben)實(shi)施例中，所(suo)述(shu)第(di)二(er)圖形層(ceng)520的(de)材料(liao)為光刻膠。去除(chu)所(suo)述(shu)第(di)一偽(wei)柵結構之后，采用(yong)濕法去膠或(huo)灰化工藝(yi)去除(chu)所(suo)述(shu)第(di)二(er)圖形層(ceng)520。

需要說明的(de)(de)是，由于(yu)前述(shu)(shu)形成(cheng)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)偽(wei)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)結(jie)構和第(di)(di)一(yi)(yi)偽(wei)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)結(jie)構的(de)(de)刻(ke)蝕(shi)工藝容(rong)易(yi)(yi)對所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)偽(wei)柵(zha)(zha)(zha)氧(yang)化層(ceng)411造成(cheng)損(sun)傷，而所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)偽(wei)柵(zha)(zha)(zha)氧(yang)化層(ceng)411作為后續(xu)形成(cheng)的(de)(de)周(zhou)邊區Ⅰ第(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)結(jie)構的(de)(de)一(yi)(yi)部分，容(rong)易(yi)(yi)對所(suo)(suo)述(shu)(shu)周(zhou)邊區Ⅰ第(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)結(jie)構的(de)(de)形成(cheng)質量造成(cheng)不良影響，且所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)偽(wei)柵(zha)(zha)(zha)氧(yang)化層(ceng)411的(de)(de)損(sun)傷區域接近周(zhou)邊區Ⅰ器件(jian)(jian)的(de)(de)溝道邊緣區，進而容(rong)易(yi)(yi)降低半導(dao)體(ti)器件(jian)(jian)的(de)(de)電學(xue)性能。為此，為了避免受損(sun)傷的(de)(de)第(di)(di)一(yi)(yi)偽(wei)柵(zha)(zha)(zha)氧(yang)化層(ceng)411對半導(dao)體(ti)器件(jian)(jian)電學(xue)性能的(de)(de)影響，本實(shi)施(shi)例中，在形成(cheng)周(zhou)邊區Ⅰ第(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)結(jie)構之前，去除所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)偽(wei)柵(zha)(zha)(zha)氧(yang)化層(ceng)411。

參(can)考(kao)圖16，在(zai)所述第一開口600底部的第一鰭部410表面形成(cheng)第一柵氧化層470。

本(ben)實(shi)施例中，所(suo)述(shu)第一(yi)柵氧化(hua)層(ceng)470作為后續形成的周(zhou)邊區Ⅰ第一(yi)柵極結構的一(yi)部分，所(suo)述(shu)第一(yi)柵氧化(hua)層(ceng)470的材料為氧化(hua)硅。

具體地，形成所述第一柵氧化層470的工藝為原位蒸汽生成氧化工藝。所述原位蒸汽生成氧化工藝的工藝參數包括：提供O₂和H₂，O₂流量為1sccm至30sccm，H₂流量為(wei)1.5sccm至(zhi)15sccm，腔室(shi)溫(wen)度(du)為(wei)700攝(she)氏(shi)度(du)至(zhi)1200攝(she)氏(shi)度(du)。

需要說明的(de)是(shi)，在所述(shu)第(di)(di)一開口600底部的(de)第(di)(di)一鰭部410表(biao)面形成第(di)(di)一柵(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)(yang)化(hua)層(ceng)(ceng)470的(de)同(tong)時(shi)，在所述(shu)第(di)(di)二(er)偽(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)電極層(ceng)(ceng)422頂(ding)部表(biao)面形成所述(shu)第(di)(di)一柵(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)(yang)化(hua)層(ceng)(ceng)470，所述(shu)第(di)(di)二(er)偽(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)電極層(ceng)(ceng)422頂(ding)部表(biao)面的(de)第(di)(di)一柵(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)(yang)化(hua)層(ceng)(ceng)470厚度(du)小(xiao)于(yu)(yu)所述(shu)第(di)(di)一鰭部410表(biao)面的(de)第(di)(di)一柵(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)(yang)化(hua)層(ceng)(ceng)470，在后續工藝中需去除(chu)位于(yu)(yu)所述(shu)第(di)(di)二(er)偽(wei)柵(zha)(zha)(zha)(zha)電極層(ceng)(ceng)422頂(ding)部表(biao)面的(de)第(di)(di)一柵(zha)(zha)(zha)(zha)氧(yang)(yang)化(hua)層(ceng)(ceng)470。

參(can)考圖17，在形(xing)成所述(shu)第一柵氧化層470之后，去除所述(shu)第二(er)偽柵結(jie)構，暴露出所述(shu)第二(er)鰭部420的(de)部分(fen)表面(mian)并在所述(shu)介質層460內形(xing)成第二(er)開(kai)口610。

需要(yao)說明的(de)(de)是(shi)，核心(xin)(xin)(xin)區Ⅱ器(qi)件的(de)(de)工(gong)(gong)作電(dian)(dian)壓比周邊(bian)區Ⅰ器(qi)件的(de)(de)工(gong)(gong)作電(dian)(dian)壓小(xiao)(xiao)，為防止電(dian)(dian)擊穿等(deng)問題，當器(qi)件的(de)(de)工(gong)(gong)作電(dian)(dian)壓越(yue)大時，要(yao)求器(qi)件的(de)(de)柵(zha)介(jie)質(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)厚度(du)越(yue)厚，也就是(shi)說，后續形成的(de)(de)核心(xin)(xin)(xin)區Ⅱ的(de)(de)柵(zha)介(jie)質(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)厚度(du)小(xiao)(xiao)于(yu)周邊(bian)區Ⅰ的(de)(de)柵(zha)介(jie)質(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)厚度(du)。為此，本實施例中(zhong)，在(zai)形成核心(xin)(xin)(xin)區Ⅱ的(de)(de)柵(zha)介(jie)質(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)之前，去 除所述(shu)第(di)二偽(wei)柵(zha)電(dian)(dian)極層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)422下方(fang)的(de)(de)第(di)二偽(wei)柵(zha)氧化層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)421。

具體(ti)地，去(qu)(qu)除所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)(er)偽柵(zha)結構的(de)步驟包括(kuo)：形(xing)成(cheng)(cheng)覆蓋所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)周邊區Ⅰ的(de)第(di)三(san)(san)圖(tu)形(xing)層(ceng)530，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)三(san)(san)圖(tu)形(xing)層(ceng)530暴(bao)露出所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)(er)偽柵(zha)電極層(ceng)422(如(ru)圖(tu)16所(suo)(suo)示)表面(mian)；以所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)三(san)(san)圖(tu)形(xing)層(ceng)530為掩膜(mo)，采用干法刻(ke)蝕工藝先刻(ke)蝕去(qu)(qu)除所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)(er)偽柵(zha)電極層(ceng)422，再刻(ke)蝕去(qu)(qu)除所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)(er)偽柵(zha)氧化層(ceng)421，直至(zhi)暴(bao)露出所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)(er)鰭部420的(de)部分表面(mian)并在所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)介(jie)質層(ceng)460內形(xing)成(cheng)(cheng)第(di)二(er)(er)(er)開(kai)口(kou)610；去(qu)(qu)除所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)三(san)(san)圖(tu)形(xing)層(ceng)530。

需要(yao)說明(ming)的(de)是，在所(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)開口600(如圖16所(suo)示)底部的(de)第(di)一(yi)鰭(qi)部410表面形成(cheng)第(di)一(yi)柵(zha)(zha)(zha)氧化層(ceng)470的(de)同時，在所(suo)述(shu)(shu)第(di)二偽柵(zha)(zha)(zha)電(dian)極層(ceng)422頂部表面形成(cheng)所(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)柵(zha)(zha)(zha)氧化層(ceng)470，因此，刻(ke)蝕去(qu)除所(suo)述(shu)(shu)第(di)二偽柵(zha)(zha)(zha)電(dian)極層(ceng)422之前，先刻(ke)蝕去(qu)除位(wei)于(yu)所(suo)述(shu)(shu)第(di)二偽柵(zha)(zha)(zha)電(dian)極層(ceng)422頂部表面的(de)第(di)一(yi)柵(zha)(zha)(zha)氧化層(ceng)470。

本實(shi)施例中，所述第三(san)圖(tu)形(xing)層530的材(cai)料(liao)為光刻(ke)膠(jiao)且(qie)具有較好的填(tian)充能力(li)。去除所述第一(yi)偽柵結構之后，采用濕(shi)法去膠(jiao)或(huo)灰(hui)化工藝去除所述第二圖(tu)形(xing)層520。

參考圖(tu)18，在所述(shu)(shu)第(di)(di)一柵(zha)(zha)氧化(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)470表面、第(di)(di)一開(kai)口(kou)600(如圖(tu)16所示(shi))側壁以(yi)及第(di)(di)二(er)開(kai)口(kou)610(如圖(tu)17所示(shi))的(de)底部和(he)側壁上(shang)形成(cheng)柵(zha)(zha)介(jie)質(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(未(wei)(wei)圖(tu)示(shi))；在所述(shu)(shu)第(di)(di)一開(kai)口(kou)600和(he)第(di)(di)二(er)開(kai)口(kou)610中(zhong)填充金屬層(ceng)(ceng)(ceng)(未(wei)(wei)圖(tu)示(shi))，位(wei)于(yu)所述(shu)(shu)第(di)(di)一開(kai)口(kou)600中(zhong)的(de)第(di)(di)一柵(zha)(zha)氧化(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)470、柵(zha)(zha)介(jie)質(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)和(he)金屬層(ceng)(ceng)(ceng)構(gou)成(cheng)第(di)(di)一柵(zha)(zha)極結構(gou)(未(wei)(wei)圖(tu)示(shi))，位(wei)于(yu)所述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)開(kai)口(kou)610中(zhong)的(de)柵(zha)(zha)介(jie)質(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)和(he)金屬層(ceng)(ceng)(ceng)構(gou)成(cheng)第(di)(di)二(er)柵(zha)(zha)極結構(gou)(未(wei)(wei)圖(tu)示(shi))。

本(ben)實施例(li)中(zhong)(zhong)，在所(suo)述第一柵氧化層470表(biao)面、第一開(kai)口(kou)(kou)600側壁以及第二開(kai)口(kou)(kou)610的底部和(he)側壁上形成柵介質層后(hou)，在所(suo)述第一開(kai)口(kou)(kou)600和(he)第二開(kai)口(kou)(kou)610中(zhong)(zhong)填充金(jin)屬層之前(qian)，還包括(kuo)：在所(suo)述柵介質層表(biao)面形成功函數層(未圖(tu)示)。

本實施(shi)例(li)中，所述核心區Ⅱ和(he)周邊區Ⅰ為(wei)N型(xing)區時，所述功函(han)數(shu)(shu)層為(wei)N型(xing)功函(han)數(shu)(shu)材料(liao)；所述核心區Ⅱ和(he)周邊區Ⅰ為(wei)P型(xing)區時，所述功函(han)數(shu)(shu)層為(wei)P型(xing)功函(han)數(shu)(shu)材料(liao)。

具體地，所述(shu)核(he)心區Ⅱ和周邊區Ⅰ為N型區，所述(shu)功(gong)函(han)(han)數(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)為N型功(gong)函(han)(han) 數(shu)(shu)材料(liao)，N型功(gong)函(han)(han)數(shu)(shu)材料(liao)功(gong)函(han)(han)數(shu)(shu)范圍為3.9ev至4.5ev，例如為4ev、4.1ev或4.3ev。所述(shu)功(gong)函(han)(han)數(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)為單層(ceng)(ceng)(ceng)結(jie)構或疊層(ceng)(ceng)(ceng)結(jie)構，所述(shu)功(gong)函(han)(han)數(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)的材料(liao)包括(kuo)TiAl、TaAlN、TiAlN、MoN、TaCN和AlN中的一種(zhong)或幾種(zhong)。本實施例中，所述(shu)功(gong)函(han)(han)數(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)的材料(liao)為TiAl。

所(suo)述(shu)(shu)核心區Ⅱ和周邊區Ⅰ為(wei)(wei)P型區，所(suo)述(shu)(shu)功(gong)(gong)函(han)數(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)為(wei)(wei)P型功(gong)(gong)函(han)數(shu)(shu)(shu)材料(liao)，P型功(gong)(gong)函(han)數(shu)(shu)(shu)材料(liao)功(gong)(gong)函(han)數(shu)(shu)(shu)范圍為(wei)(wei)5.1ev至5.5ev，例如，5.2ev、5.3ev或(huo)5.4ev。所(suo)述(shu)(shu)功(gong)(gong)函(han)數(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)為(wei)(wei)單層(ceng)(ceng)結(jie)(jie)構或(huo)疊層(ceng)(ceng)結(jie)(jie)構，所(suo)述(shu)(shu)功(gong)(gong)函(han)數(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)的(de)(de)材料(liao)包括Ta、TiN、TaN、TaSiN和TiSiN中的(de)(de)一種或(huo)幾種。本實(shi)施例中，所(suo)述(shu)(shu)功(gong)(gong)函(han)數(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)的(de)(de)材料(liao)為(wei)(wei)TiN。

所(suo)述金屬(shu)層的材(cai)料為Al、Cu、Ag、Au、Pt、Ni、Ti或W。本實(shi)施例中，所(suo)述金屬(shu)層的材(cai)料為W。

本實施例中，所述柵介質層的材料為高k柵介質材料，其中，高k柵介質材料指的是，相對介電常數大于氧化硅相對介電常數的柵介質材料，高k柵介質材料可以為HfO₂、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO、ZrO₂或Al₂O₃。

具體地，形成所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)柵(zha)(zha)極結(jie)構和第(di)二柵(zha)(zha)極結(jie)構的(de)(de)(de)步驟包括：在所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)開口600底(di)部(bu)的(de)(de)(de)第(di)一(yi)柵(zha)(zha)氧化層(ceng)表(biao)(biao)面(mian)、第(di)一(yi)開口600側壁(bi)、第(di)二開口610底(di)部(bu)以及第(di)二開口610側壁(bi)形成柵(zha)(zha)介質層(ceng)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)柵(zha)(zha)介質層(ceng)還覆蓋所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)介質層(ceng)460表(biao)(biao)面(mian)；在所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)柵(zha)(zha)介質層(ceng)表(biao)(biao)面(mian)形成功函(han)(han)數層(ceng)；在所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)功函(han)(han)數層(ceng)表(biao)(biao)面(mian)形成金(jin)(jin)屬層(ceng)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)金(jin)(jin)屬層(ceng)填充(chong)滿所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)開口600和第(di)二開口610且所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)金(jin)(jin)屬層(ceng)頂(ding)部(bu)高于所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)介質層(ceng)460頂(ding)部(bu)；研(yan)磨去除高于所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)介質層(ceng)460頂(ding)部(bu)的(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬層(ceng)，在所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)周邊區(qu)Ⅰ的(de)(de)(de)功函(han)(han)數層(ceng)表(biao)(biao)面(mian)形成第(di)一(yi)柵(zha)(zha)電(dian)極層(ceng)419，在所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)核(he)心區(qu)Ⅱ的(de)(de)(de)功函(han)(han)數層(ceng)表(biao)(biao)面(mian)形成第(di)二柵(zha)(zha)電(dian)極層(ceng)429。

需要說明的(de)(de)(de)是(shi)，研磨去除(chu)(chu)高(gao)于(yu)所(suo)述(shu)介(jie)質層(ceng)460頂(ding)部的(de)(de)(de)金屬層(ceng)的(de)(de)(de)同時，還(huan)研磨去除(chu)(chu)高(gao)于(yu)所(suo)述(shu)介(jie)質層(ceng)460頂(ding)部的(de)(de)(de)柵(zha)介(jie)質層(ceng)和功函(han)數(shu)層(ceng)，在所(suo)述(shu)周邊(bian)區(qu)Ⅰ形成(cheng)位于(yu)所(suo)述(shu)第一柵(zha)氧化層(ceng)470表面和第一開口(kou)600側(ce)壁的(de)(de)(de)第一柵(zha)介(jie)質層(ceng)417，以及位于(yu)所(suo)述(shu)第一柵(zha)介(jie)質層(ceng)417表面的(de)(de)(de)第一功函(han)數(shu)層(ceng)418，在所(suo)述(shu)核心區(qu)Ⅱ形成(cheng)位于(yu)所(suo)述(shu)第二開口(kou)610側(ce)壁及底部的(de)(de)(de)第二柵(zha)介(jie)質層(ceng)427，以及位于(yu)所(suo)述(shu)第二柵(zha)介(jie)質,427表面的(de)(de)(de)第二功函(han)數(shu)層(ceng)428。

本實施例中(zhong)，所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)一(yi)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)結構包括第(di)(di)(di)一(yi)柵(zha)(zha)(zha)氧(yang)化層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)470、位于(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)一(yi)柵(zha)(zha)(zha)氧(yang)化層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)470表面(mian)(mian)(mian)以(yi)及(ji)(ji)第(di)(di)(di)一(yi)開口600側(ce)壁的第(di)(di)(di)一(yi)柵(zha)(zha)(zha)介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)417、位于(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)一(yi)柵(zha)(zha)(zha)介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)417表面(mian)(mian)(mian)的第(di)(di)(di)一(yi)功(gong)(gong)函數(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)418以(yi)及(ji)(ji)位于(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)一(yi)功(gong)(gong)函數(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)418表面(mian)(mian)(mian)的第(di)(di)(di)一(yi)柵(zha)(zha)(zha)電極(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)419，所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)二柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)結構包括位于(yu)(yu)第(di)(di)(di)二開口610側(ce)壁及(ji)(ji)底部的第(di)(di)(di)二柵(zha)(zha)(zha)介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)427、位于(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)二柵(zha)(zha)(zha)介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)427表面(mian)(mian)(mian)的第(di)(di)(di)二功(gong)(gong)函數(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)428以(yi)及(ji)(ji)位于(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)二功(gong)(gong)函數(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)428表面(mian)(mian)(mian)的第(di)(di)(di)二柵(zha)(zha)(zha)電極(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)429。

所(suo)述(shu)第(di)一柵氧(yang)化(hua)層470與所(suo)述(shu)第(di)一柵介(jie)質(zhi)層417作(zuo)為周邊區(qu)Ⅰ器(qi)件的(de)(de)柵介(jie)質(zhi)層，所(suo)述(shu)第(di)一功函數層418用(yong)于(yu)(yu)調節所(suo)述(shu)周邊區(qu)Ⅰ器(qi)件的(de)(de)閾(yu)值(zhi)電壓；所(suo)述(shu)第(di)二柵介(jie)質(zhi)層427作(zuo)為核心(xin)區(qu)Ⅱ器(qi)件的(de)(de)柵介(jie)質(zhi)層，所(suo)述(shu)第(di)二功函數層428用(yong)于(yu)(yu)調節所(suo)述(shu)核心(xin)區(qu)Ⅱ器(qi)件的(de)(de)閾(yu)值(zhi)電壓。

需要(yao)說明的(de)(de)(de)是，為了提高(gao)所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)極結構與(yu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)鰭部410之間，所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)柵(zha)(zha)(zha)極結構與(yu)第(di)(di)(di)二(er)鰭部420之間的(de)(de)(de)界(jie)面(mian)(mian)性能，在(zai)(zai)形成(cheng)所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)417和第(di)(di)(di)二(er)柵(zha)(zha)(zha)介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)427之前(qian)，還(huan)包括步驟(zou)：在(zai)(zai)所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)開(kai)(kai)口(kou)(kou)600底(di)(di)部的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)氧(yang)化(hua)層(ceng)(ceng)表面(mian)(mian)、第(di)(di)(di)一(yi)(yi)開(kai)(kai)口(kou)(kou)600側壁(bi)、第(di)(di)(di)二(er)開(kai)(kai)口(kou)(kou)610底(di)(di)部以及第(di)(di)(di)二(er)開(kai)(kai)口(kou)(kou)610側壁(bi)形成(cheng)界(jie)面(mian)(mian)層(ceng)(ceng)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)界(jie)面(mian)(mian)層(ceng)(ceng)還(huan)覆蓋所(suo)述(shu)(shu)(shu)介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)460表面(mian)(mian)；研磨(mo)去(qu)(qu)除高(gao)于所(suo)述(shu)(shu)(shu)介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)460頂部的(de)(de)(de)金屬層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)同時，還(huan)研磨(mo)去(qu)(qu)除高(gao)于所(suo)述(shu)(shu)(shu)介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)460頂部的(de)(de)(de)界(jie)面(mian)(mian)層(ceng)(ceng)，在(zai)(zai)所(suo)述(shu)(shu)(shu)周邊區(qu)Ⅰ形成(cheng)位于所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)氧(yang)化(hua)層(ceng)(ceng)470表面(mian)(mian)和第(di)(di)(di)一(yi)(yi)開(kai)(kai)口(kou)(kou)600側壁(bi)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)界(jie)面(mian)(mian)層(ceng)(ceng)416，在(zai)(zai)所(suo)述(shu)(shu)(shu)核心區(qu)Ⅱ形成(cheng)位于所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)開(kai)(kai)口(kou)(kou)610側壁(bi)及底(di)(di)部的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)界(jie)面(mian)(mian)層(ceng)(ceng)426。

在(zai)形成(cheng)所述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)極結構(gou)之前，本發明先(xian)去除受損的(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)偽柵(zha)(zha)(zha)(zha)氧化層(ceng)，然后(hou)在(zai)所述(shu)(shu)(shu)周(zhou)邊(bian)區的(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)鰭部(bu)表面形成(cheng)第(di)一(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)氧化層(ceng)，由于所述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)氧化層(ceng)未(wei)經(jing)過(guo)刻(ke)(ke)蝕(shi)工藝，避(bi)免(mian)了所述(shu)(shu)(shu)刻(ke)(ke)蝕(shi)工藝對(dui)所述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)氧化層(ceng)造(zao)成(cheng)損傷(shang)，因此所述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)氧化層(ceng)具有良好的(de)膜層(ceng)質量，所述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)氧化層(ceng)作為后(hou)續周(zhou)邊(bian)區器件(jian)的(de)柵(zha)(zha)(zha)(zha)介質層(ceng)的(de)一(yi)(yi)(yi)部(bu)分，從而提高(gao)了周(zhou)邊(bian)區器件(jian)的(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)極結構(gou)的(de)質量，進而使形成(cheng)的(de)半(ban)導體器件(jian)的(de)電(dian)學性能得到提高(gao)。

雖然本發(fa)明披露如上(shang)，但(dan)本發(fa)明并非限定(ding)(ding)于此。任何本領域(yu)技術人員，在(zai)不(bu)脫離本發(fa)明的(de)精神和范圍(wei)內，均可作(zuo)各(ge)種更(geng)動與修改，因此本發(fa)明的(de)保護(hu)范圍(wei)應當以(yi)權利(li)要求所(suo)限定(ding)(ding)的(de)范圍(wei)為準。