具有可濕剝離的中間層的半導體結構的圖案化工藝的制作方法
【專利摘要】根據一些實施例提供了一種光刻方法。光刻方法包括在襯底上形成聚合材料的下層；在下層上形成含硅中間層，其中含硅中間層具有重量百分比小于20％的硅濃度并且是可濕剝離的；在含硅中間層上形成圖案化的光敏層；實施第一蝕刻工藝以將圖案化的光敏層的圖案轉印至含硅中間層；實施第二蝕刻工藝以將圖案轉印至下層；以及對含硅中間層和下層實施濕剝離工藝。
【專利說明】
具有可濕剝離的中間層的半導體結構的圖案化工藝
技術領域
[0001] 本發明設及半導體領域，更具體地設及具有可濕剝離的中間層的半導體結構的圖 案化工藝。
【背景技術】
[0002] 在集成電路（IC)的制造中，圖案化的光刻膠層用于將具有小部件尺寸的設計圖 案從光掩模轉印至晶圓。光刻膠是光敏感的并且可W通過光刻工藝圖案化光刻膠。此外， 光刻膠層提供對蝕刻或離子注入的抵抗，其進一步需要足夠的厚度。當IC技術持續發展為 更小的部件尺寸（例如，降低至3211111、2811111、2〇11111^及更低）時，由于抵抗需要，因此厚度并 沒有相應地按比例縮小。足W能夠覆蓋更厚的光刻膠的焦深將使成像分辨率降低。引入多 重膜光刻膠W克服上述挑戰。然而，多重膜光刻膠中的附加的材料是難W去除的，要么損壞 襯底，要么留下殘余物。
[0003] 因此，需要光刻膠材料和光刻方法來解決上述問題。

【發明內容】

[0004] 本發明提供一種光刻方法，包括：在襯底上形成聚合材料的下層；在所述下層上 形成含娃中間層，其中，所述含娃中間層具有重量百分比小于20%的娃濃度，并且所述含娃 中間層是可濕剝離的；在所述含娃中間層上形成圖案化的光敏層；實施第一蝕刻工藝W將 所述圖案化的光敏層的圖案轉印至所述含娃中間層；實施第二蝕刻工藝W將所述圖案轉印 至所述下層；W及對所述含娃中間層和所述下層實施濕剝離工藝。 陽〇化]優選地，光刻方法還包括：在實施所述第二蝕刻工藝之后W及在實施所述濕剝離 工藝之前，對所述襯底實施蝕刻和離子注入中的一種。
[0006] 優選地，實施所述濕剝離工藝包括：應用硫酸和過氧化氨的第一混合物；應用氨 酸、過氧化氨和水的第二混合物；W及應用稀釋的氨氣酸。
[0007] 優選地，形成所述含娃中間層包括：利用具有含娃聚合材料的溶液涂覆所述襯底； W及對所述溶液實施固化工藝，由此交聯所述含娃聚合材料W形成所述含娃中間層。
[0008] 優選地，形成所述含娃中間層包括形成具有如下化學結構的含娃中間層：
[0009]
[0010] 其中，0和Si分別表不氧和娃；a、b和C分別表不X、D和R基團的重量百分比； X表示提供交聯位點的第一有機基團；D表示設計為調節消光系數和折射率的芳香族基團； W及R表示增強所述光敏層的抗蝕刻性、粘附性的第二有機基團。
[0011] 優選地，所述第一有機基團X具有包含2至20個碳的烷基基團并且具有至少一個 可交聯的官能團，所述可交聯的官能團選自由-I、-Br、-Cl、-畑2、-C00H、-OH、-甜、-Ns、環氧 基、烘控、締控、酬、醒、醋、酷基面、N服醋、亞氨酸醋、五氣苯醋、徑甲基麟、碳二亞胺、馬來酷 亞胺、面代乙酷、二硫代化晚、硫代亞橫酸醋、乙締基諷、酷阱、烷氧基胺、雙日丫丙晚、芳基疊 氮化物、異氯酸醋、麟、酷胺、酸和它們的組合組成的組。
[0012] 優選地，所述芳香族基團D是發色團并且具有含有3至20個碳的烷基基團，其中， 所述芳香族基團D具有至少一個光敏官能團，所述光敏官能團選自由苯基、糞基、菲酪基、 蔥基、菲基和含有一至五元環的其他芳香族衍生物組成的組。
[0013] 優選地，R是含有1至20個碳的烷基基團，其中，所述烷基基團包括化學物，所述 化學物選自由-I、-Br、-Cl、-NH2、-C00H、-OH、-甜、-N3、-S( = 0)-、締控、烘控、亞胺、酸、醋、 醒、酬、酷胺、諷、乙酸、氯或它們的組合組成的組。
[0014] 優選地，所述含娃中間層包括如下的化學結構： 「001 引
I.', I.
[0016] 其中，Rab、化C、Rac、Ra、化和Rc是可酸裂解的化學間隔，其中，Rab、化C和Rac 中的每個都包括化學結構，所述化學結構選自由芳香環、脂族基團、雜環、-c( = 〇)-、-"= NR) -、-S〇2、-S ( = 0) -、-C00R、-C0NHR、-CONR2、酸、締控、烘控和它們的組合組成的組。
[0017] 優選地，所述含娃中間層包括給電子基團，所述給電子基團選自由伯碳基團、仲碳 基團、叔碳基團、芳香環、脂族基團、雜環、-OR、-OH、服2、-饑取、-畑2、-SR、-SH、-PRs、-PHRz、-P H2R、-PH3、締控、烘控和它們的組合組成的組。
[001引優選地，所述含娃中間層包括吸電子基團，所述吸電子基團選自由芳 香環、脂族基團、雜環、-CN、-N02、-C( = 0)-、-C00H、-C( = NR)-、-S02、-S(= 0) -、-COOR、-OH、-CONHR、-CONR2、締控、烘控、面化物和它們的組合組成的組。
[0019] 優選地，光刻方法還包括：對所述含娃中間層實施等離子體處理。
[0020] 優選地，所述第二蝕刻工藝是使用含硫氣體和氧氣（〇2)的混合物的等離子體蝕刻 工藝；W及所述等離子體處理使用包含氮氣（Ns)和氨氣化2)的氣體。
[0021] 優選地，在使用包含所述含硫氣體、〇2、ra日H 2的氣體的等離子體工藝中同時執行 所述等離子體處理和所述第二蝕刻工藝。
[0022] 優選地，所述第二蝕刻工藝是階段化的W在第一時間窗口中執行；所述等離子體 處理是階段化的W在第二時間窗口中執行；W及所述第二時間窗口與所述第一時間窗口是 成對的，并且所述第二時間窗口中的每個都在所述第二時間窗口的成對的一個之后。
[0023] 本發明還提供一種光刻方法，包括：在襯底上形成聚合材料的下層；在所述下層 上形成含娃中間層；在所述含娃中間層上形成圖案化的光敏層；實施第一蝕刻工藝W將所 述圖案化的光敏層的圖案轉印至所述含娃中間層；實施第二蝕刻工藝W將所述圖案轉印至 所述下層；對所述含娃中間層實施等離子體處理；W及實施濕剝離工藝W去除所述含娃中 間層和所述下層。
[0024] 優選地，所述含娃中間層具有重量百分比小于20%的娃濃度，并且所述含娃中間 層是可濕剝離的；所述第二蝕刻工藝是使用含硫氣體和氧氣（〇2)的混合物的等離子體蝕刻 工藝；W及所述等離子體處理使用包含氮氣（Ns)和氨氣化2)的氣體。
[0025] 優選地，在使用含硫氣體、化、成和Hz的混合物的共同的等離子體工藝中，同時執 行所述等離子體處理和所述第二蝕刻工藝。
[00%] 優選地，所述第二蝕刻工藝是階段化的W在第一時間窗口中執行；所述等離子體 處理是階段化的W在第二時間窗口中執行；W及所述第二時間窗口與所述第一時間窗口是 成對的，并且所述第二時間窗口中的每個都在所述第二時間窗口的成對的一個之后。
[0027] 本發明還提供一種光刻方法，包括：在半導體襯底上形成含娃中間層；W及對所 述含娃中間層實施烘賠工藝，其中，所述含娃中間層具有重量百分比小于20%的娃濃度，并 且所述含娃中間層是可濕剝離的，其中，所述含娃中間層包括如下的化學結構：
[00；
[0029] 其中，0和Si分別表示氧和娃；a、b和C分別表示X、D和R基團的重量百分比； X表示提供交聯位點的第一有機基團；D表示設計為調節消光系數和折射率的芳香族基團； W及R表示增強光敏層的抗蝕刻性、粘附性的第二有機基團。
【附圖說明】
[0030] 當結合附圖進行閱讀時，從W下詳細描述可最佳地理解本發明的各個方面。應該 注意，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各種部件 的尺寸可W被任意增大或減小。
[0031] 圖1至圖8示出了根據一些實施例構建的在各個制造階段中的一個示例性半導體 結構的截面圖。
[0032] 圖9是在一些實施例中根據本發明的各個方面構建的用于光刻工藝的中間層中 的化學結構的示意圖。
[0033] 圖10是在一些實施例中根據本發明的各個方面構建的用于光刻工藝的中間層中 的化學結構的示意圖。
[0034] 圖11是在一些實施例中根據本發明的各個方面構建的用于光刻工藝的中間層中 的化學結構的示意圖。
[0035] 圖12是在一些實施例中根據本發明的各個方面構建的中間層中的第一有機基團 的化學結構的示意圖。
[0036] 圖13是在一些實施例中根據本發明的各個方面構建的中間層中的芳香族有機基 團的化學結構的示意圖。
[0037] 圖14是在一些實施例中根據本發明的各個方面構建的中間層中的第二有機基團 的化學結構的示意圖。
[0038] 圖15是在一些實施例中根據本發明的各個方面構建的中間層中的長鏈化學結構 的示意圖。
[0039] 圖16是在一些實施例中根據本發明的各個方面構建的中間層中的給電子基團的 化學結構的示意圖。 W40] 圖17是在一些實施例中根據本發明的各個方面構建的中間層中的吸電子基團的 化學結構的示意圖。
[0041] 圖18是在一些實施例中根據本發明的各個方面構建的中間層中的可酸裂解基團 的化學結構的示意圖。
[0042] 圖19是在一個實施例中根據本發明的各個方面構建的用于光刻工藝的方法的流 程圖。
[0043] 圖20是在一個實施例中根據本發明的各個方面構建的用于光刻工藝的方法的流 程圖。
[0044] 圖21是在一個實施例中根據本發明的各個方面構建的用于光刻工藝的方法的流 程圖。
【具體實施方式】
[0045] 應當理解，W下公開內容提供了許多用于實現各個實施例的不同特征的不同實施 例或實例。下面描述了組件和布置的具體實例W簡化本發明。當然，運些僅僅是實例，而不 旨在限制本發明。例如，在W下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可W包括第一部 件和第二部件直接接觸形成的實施例，并且也可W包括在第一部件和第二部件之間可W形 成附加的部件，從而使得第一部件和第二部件可W不直接接觸的實施例。另外，本發明可W 在各個實例中重復參考標號和/或字符。該重復是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不 指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。
[0046] 根據一些實施例，圖1至圖8提供了在各個制造階段中的半導體結構100的截面 圖。參考圖1至圖18共同地描述半導體結構100及其制造方法。
[0047] 參考圖1，在本實施例中半導體結構器件100是半導體晶圓。在一些實施例中，半 導體結構100包括半導體襯底110,諸如娃襯底。在一些實施例中，襯底110可W包括另一 元素半導體，諸如錯或金剛石。襯底110可W包括化合物半導體，諸如碳化娃、神化嫁、神化 銅和憐化銅。襯底110可W包括合金半導體，諸如娃錯、碳化娃錯、憐神化嫁和憐銅化嫁。襯 底110可W包括一個或多個外延半導體層，諸如外延生長在娃襯底上的半導體層。例如，襯 底可W具有位于塊狀半導體上面的外延層。此外，襯底可W是應變的W用于提高性能。例 如，外延層可W包括與塊狀半導體的半導體材料不同的半導體材料，塊狀半導體諸如通過 包括選擇選擇性外延生長（SEG)的工藝形成的位于塊狀娃上面的娃錯層或位于塊狀娃錯 上面的娃層。此外，襯底110可W包括絕緣體上半導體（SOI)結構。例如，襯底可W包括通 過諸如注氧隔離（SIMO訝的工藝形成的掩埋氧化物度0訝層。在其他的實施例中，襯底110 可W包括諸如薄膜晶體管燈FT)技術中的玻璃。 W4引半導體結構100也可W包括其他材料層和其他電路圖案。例如，半導體結構100包 括各個滲雜部件，諸如形成在半導體襯底110中的滲雜阱結構（例如，P型滲雜阱和N型滲 雜阱）。在其他的實施例中，半導體結構100還可W包括：將被圖案化（通過蝕刻W去除或 離子注入W引入滲雜劑）的一個或多個材料層，諸如將被圖案化W形成用于導電線的溝槽 或用于接觸件或通孔的孔的介電層；將被圖案化W形成柵極的柵極材料堆疊件；或將被圖 案化W形成隔離溝槽的半導體材料。例如，將被圖案化的材料層是半導體層，該半導體層作 為半導體襯底110的一部分。在其他的實施例中，諸如神化嫁（GaAs)和神化侶嫁（AlGaAs) 的多個半導體材料層在半導體襯底上外延生長并且被圖案化W形成諸如發光二極管（LED) 的各個器件。在一些其他的實施例中，半導體結構100包括形成在該半導體結構上或將要 形成在該半導體結構上的罐式有源區和S維罐式場效應晶體管（FinFET)。
[0049] 仍然參考圖1，在半導體襯底110上形成=層光刻膠。在半導體襯底110上形成下 層112。將下層112設計為提供對于蝕刻或離子注入的抵抗。下層112用作掩模W保護襯 底110免受蝕刻或離子注入。因此，下層112具有足夠的厚度W實現該目的。在一些實施 例中，下層112包括不含娃的有機聚合物。在一些實施例中，下層112的形成包括旋涂和固 化（諸如具有適當的烘賠溫度的熱烘賠工藝）。
[0050] 仍然參考圖1，在下層112上形成中間層114。中間層114是含娃層，含娃層設計 為提供與下層112的蝕刻選擇性。在本實施例中，中間層114用作蝕刻掩模W將圖案轉印 至下層112。在一些實施例中，也將中間層114設計為用作底部抗反射涂層，該底部抗反射 涂層在光刻曝光工藝期間減小反射，因此提高成像對比度并且增強成像分辨率。含娃中間 層114和不含娃下層112設計為具有蝕刻選擇性。在一些實施例中，中間層114的形成包 括旋涂和固化（諸如具有適合的烘賠溫度的熱烘賠工藝）。
[0051] 存在的中間層難W去除。當應用等離子體蝕刻工藝W去除中間層時，等離子體蝕 刻工藝可能損壞半導體襯底110。現有的濕蝕刻工藝對去除中間層是無效的。設計公開的 方法和中間層114,使得能夠通過濕剝離有效地去除中間層114,而不損壞半導體結構100。 因此，中間層114稱為可濕剝離的中間層。
[0052] 根據一些實施例，可濕剝離的中間層114包括具有圖9中示意性示出的化學結構 的含娃聚合物（或簡單地娃聚合物）130。具體地，可濕剝離的中間層114設計為具有長側 鏈并且具有重量百分比小于20%的娃含量。通過具有長側鏈，降低了中間層114中的娃的 重量百分比。因此，相對于含娃基團，長側鏈易于去除。此外，在圖案化下層112的干蝕刻工 藝期間，長側鏈減少了 O-Si-O的形成。應用至下層112的干蝕刻工藝在圖案化的中間層上 形成外殼，并且由于高娃含量，所W外殼難W被去除。因此，在干蝕刻工藝期間降低O-Si-O 的形成降低了外殼的娃含量并且使外殼容易被去除。可選地，中間層114中的含娃聚合物 130設計為具有更多和/或更長的有機鏈。由于類似的理由，更多和/或更長的有機鏈將降 低中間層114的娃含量，運使得在不損壞半導體結構100的情況下更容易去除中間層和外 冗。
[0053] 根據各個實施例還描述了可濕剝離的中間層114的組成。娃聚合物130的化學結 構包括具有化學鍵合在一起的多個O-Si-O基團的主鏈132。在一些實施例中，O-Si-O基團 可W不直接鍵合在一起。例如，一些其他的化學基團可W橋接兩個鄰近的O-Si-O基團并且 將兩個鄰近的O-Si-O基團鍵合在一起。娃聚合物130還包括：提供交聯位點的第一有機基 團134(標記為"X");改進中間層114的特性（諸如折射率n、消光系數K和/或抗蝕刻 性）的芳香族基團136(標記為"D");化及增強光刻膠層的粘附性并且調節其他影響（諸 如蝕刻性能和濕剝離性）的第二有機基團138 (標記為"R")。
[0054] 如圖9所示，娃聚合物130的主鏈132包括鍵合至第一有機基團134的第一子集、 鍵合至芳香族基團136的第二子集W及鍵合至第二有機基團138的第=子集。O-Si-O基團 的第一、第二和第S子集的相對重量百分比分別為"a"、"b"和"C"(如圖9中標記的）。a、 b和C的和是1或100 %。調整相對重量百分比a、b和C，從而使得適當地調節各個參數。 例如，當期望較少的交聯位點時，降低O-Si-O基團的第一子集的重量百分比"a"。如上所 述，除了各自的功能外，化學基團"X"、"D"和"R"設計為具有長鏈W進一步減小中間層114 的娃含量W及外殼的娃含量，因此，使該中間層和外殼的去除更加容易。在一些實施例中， 中間層114包括通過脂族基團或芳香族基團鍵合至主鏈132中的娃原子的1-4烷基基團。 陽化5] 在一些實施例中，第一有機基團狂)134是交聯劑，其是具有2-20個碳（C2-C20) 的烷基基團并且具有至少一個可交聯的官能團，可交聯的官能團諸如-I、-Br、-Cl、-NH2、-C 00H、-OH、-甜、-N3、環氧基、烘控、締控、酬、醒、醋、酷基面、N服醋、亞氨酸醋、五氣苯醋、徑甲 基麟、碳二亞胺、馬來酷亞胺、面代乙酷、二硫代化晚、硫代亞橫酸醋、乙締基諷、酷阱、燒氧 基胺、雙叮丙晚、芳基疊氮化物、異氯酸醋、麟、酷胺、酸或它們的組合。在一些實例中，第一 有機基團狂)134包括化學結構，諸如圖12中示出的150、152、154或156。根據一些實施 例，第一有機基團狂)134的重量百分比"a"在從0至1的范圍內。
[0056] 在一些實施例中，芳香族基團值)136包括發色團并且包括帶有至少一個光敏官 能團的具有3-20個碳（C3-C20)的烷基基團，諸如芳香族基團或雜環基團。芳香結構可W是 苯基、糞基、菲酪基、蔥基、菲基或含有一至五元環的其他芳香族衍生物。在一些實例中，芳 香族基團值)136包括諸如圖13中示出的160、162或164的化學結構。根據一些實施例， 芳香族基團值）136的重量百分比"b"在從0至0.5的范圍內。
[0057] 在一些實施例中，第二有機基團（R) 138包括帶有非環狀結構或環狀結構的具有 1-20個碳（C1-C20)的烷基基團。例如，環狀結構是芳香環。第二有機基團138設計為提 高光刻膠粘附性、抗蝕刻性和濕剝離性。在其他的實例中，烷基基團還包括官能團，諸如-I 、-B;r、-Cl、-NH2、-C00H、-OH、-甜、-N3、-S( = 0)-、締；l；圣、烘；l；圣、亞胺、酸、醋、醒、酬、酷胺、諷、乙 酸、氯或它們的組合。在一些實例中，第二有機基團（R) 138包括諸如圖14示出的170、172、 174或176的化學結構。根據一些實施例，第二有機基團（R) 138的重量百分比"C"在從0 至0. 5的范圍內。
[005引如上所述，根據一些實施例，可濕剝離的中間層114設計為具有長側鏈。例如，中 間層114中的第一有機基團134、芳香族基團136和第二有機基團138=種中的全部或至少 一種具有含有5至20個碳的長鏈。可選地，中間層114中的含娃聚合物130設計為具有更 多和/或更長的碳鏈，由此在清洗工藝期間形成具有低分子量的多種聚合物。根據一些實 施例，例如，娃聚合物130的主鏈132包括諸如圖15中示出的180、182或它們的組合的化 學結構。
[0059] 可濕剝離的中間層114還包括如圖9所示的交聯劑（"化")142、染料144和其他 添加劑146。交聯劑142用于將中間層中的各個化學物交聯為聚合網絡。由于含娃聚合物 130具有較小的娃含量，所W現有的交聯劑是無效的。W不同方式設計交聯劑142,從而使 得能夠被化學鍵合至第一有機基團134的交聯位點。在本實施例中，交聯劑142是有機交 聯劑。在各個實施例中，交聯劑142包括芳香結構、脂族結構或它們的組合。在一些實施例 中，在交聯反應之前，交聯劑142化學鍵合至含娃聚合物130。例如，交聯劑142中的每一個 都在交聯反應之前最初鍵合至第一有機基團134,或者是第一有機基團134。 W60] 染料144對光是敏感的，并且能夠改進中間層114的特性（諸如折射率n和消光 系數K )。在各個實施例中，染料144是芳香族基團136的一部分，或者化學鍵合至該芳香 族基團，或化學鍵合至第二有機基團138。
[0061] 添加劑146可W包括被設計為改進中間層114的特性和提高該中間層的性能（諸 如可潤濕性和清洗工藝期間的清洗機制的相應的提高）的各種化學物。在一些實施例中， 添加劑146包括表面活性劑、含氣基團或表面活性劑和含氣基團二者。
[0062] 在本實施例中，當中間層114設置在下層112上時，該中間層也包括溶劑。在各個 實例中，溶劑包括異丙醇（IPA)、丙二醇甲酸（PGE巧、丙二醇單甲酸乙酸醋（PGMEA)、&0、酸、 醇、酬或醋。
[0063] 在一些實施例中，如圖10所示，娃聚合物130使用含娃單體，含娃單體具有給電子 基團巧DG，標記為"A") 148、吸電子基團（EWG，標記為"B") 150或二者。邸G 148穩定娃陽 離子并且弱化Si-O鍵。EWG 150能夠降低氧的親核性并且也弱化具有邸G 148的含娃單體 中的Si-O鍵。由此，娃聚合物中的一些Si-O鍵容易裂解。在一些實施例中，EDG、EWG或二 者合并到第一有機基團狂)134、芳香族基團值)136和第二有機基團（R) 138中的至少一些 中。在又一實施例中，化學基團X、D、R的至少一個子集設計為包括邸G、EWG或二者。 W64] 在一些實施例中，邸G 148包括W下中的一種：伯碳基團、仲碳基團、叔碳基團、芳 香環、脂族基團、雜環、-OR、-OH、順2、-饑取、-畑2、-SR、-SH、-PRs、斗皿2、-PHzR、-P&、締控、烘 控和它們的組合。在一些實施例中，根據一些實施例，EDG 148包括諸如圖16所示的190或 192的化學基團。 W65] 在一些實施例中，EWG 150包括W下中的一種：芳香環、脂族基 團、雜環、-CN、_N02、_C( = 0)_、-COOH、-OR、_C( = NR) _、_S〇2、_S (= 0) -、-COOR、-OH、-CONHR、-CONR2、締控、烘控、面化物和它們的組合。在一些實施例中，根據 一些實施例，EWG 150包括諸如圖17所示的200或202的化學基團。
[0066] 在一些實施例中，如圖11所示，娃聚合物130的化學結構包括主鏈132,該主鏈具 有多個O-Si-O基團和將臨近的O-Si-O基團鍵合在一起的化學間隔。在本實施例中，化學 間隔包括碳但不含娃，因此也稱為碳間隔。碳間隔將兩個鄰近的O-Si-O基團鍵合在一起， 形成Si-O-R-O-Si，其中R是碳間隔。通過酸處理容易裂解運樣的結構。換句換說，化學間 隔是可酸裂解的。在圖11中，諸如Ra、化、Rc、Rab、化C和Rac的各個碳間隔合并到娃聚合 物130的主鏈132中。具體地，碳間隔R油插入并且鍵合在第一有機基團X和芳香族基團 D之間；碳間隔化C插入并且鍵合在芳香族基團D和第二有機基團R之間；碳間隔Rac插入 并且鍵合在第一有機基團X和第二有機基團R之間；碳間隔Ra插入并且鍵合在兩個第一有 機基團X之間；碳間隔化插入并且鍵合在兩個芳香族基團D之間；W及碳間隔Rc插入并且 鍵合在兩個第二有機基團R之間。在又一實施例中，由于間隔合并到主鏈132中，所W娃聚 合物130不含Si-O-Si鍵。最后，中間層114是易于剝離的。此外，運減少了在圖案化下層 112的干蝕刻工藝期間的Si-O-Si的形成。因此，由干蝕刻工藝產生的相應的外殼具有較少 的Si-O-Si基團，由此提高了外殼在濕化學清洗中的溶解性，濕化學清洗諸如通過硫酸-過 氧化氨混合物（SPM)和氨水-過氧化氨混合物（SC-1或APM)。 W67] 在一些實施例中，可酸裂解的基團Rab、化C和Rac中的至少一個或全部包 括簡單的烷基基團或可酸裂解基團，諸如芳香環、脂族基團、雜環、-c( = 〇)-、-c(= NR)-、-S02、-S( = 0)-、-C00R、-C0NHR、-C0NR2、酸、締控或烘控。在一些實例中，可酸裂解的 基團（R油、化c、Rac或全部）包括諸如圖18中示出的210或212的化學基團。
[0068] 再次參考圖1，光刻膠層（光敏層或抗蝕劑層）116形成在中間層114上。光刻膠 層116的形成可W包括旋涂和烘賠工藝。光刻膠層116可W包括光敏化學物、聚合材料和 溶劑。在一些實施例中，光敏層116利用化學增幅（CA)抗蝕劑材料。例如，正CA抗蝕劑材 料包括聚合材料，在聚合材料與酸反應之后，該聚合材料變得可溶于諸如堿溶液的顯影劑。 可選地，CA抗蝕材料可W是負性的并且包括聚合材料，在聚合物與酸反應之后，該聚合材料 變得不溶于諸如堿溶液的顯影劑。光刻膠層116還包括溶劑。可W通過軟烘工藝部分地蒸 發溶劑。在又一實施例中，當使用CA抗蝕劑材料時，光敏化學物包括分布在光刻膠層中的 光酸產生劑（PAG)。當吸收光能時，PAG分解并且形成少量的酸。W重量百分比計，PAG的 濃度可W在光刻膠層116的約1%和30%之間的范圍內。
[0069] 光刻膠層116可W附加地包括其他組成，諸如分布在溶劑和聚合材料中的巧滅 劑。在本實例中，巧滅劑是堿性的并且具有中和酸的能力。共同地或附加地，巧滅劑可W抑 制光刻膠層116的其他活性組分，諸如抑制光酸的反應。
[0070] 參考圖2,然后將半導體結構100轉移至用于曝光工藝的光刻裝置。在一個實施 例中，曝光工藝利用光刻技術，光刻技術利用適當的福射源和相應的福射能量。在曝光工藝 中，通過具有預定圖案的光掩模（掩模或標線）將光刻膠層116暴露于福射能量，由此產生 包括諸如曝光的部件116a的多個曝光的區域和多個未曝光的區域11化的潛在的光刻膠圖 案。在各個實例中，福射能量可W包括利用氣化氯（Kr巧受激準分子激光器的248nm束、 利用氣化氣（Ar巧受激準分子激光器的193nm束、利用氣化物（F2)受激準分子激光器的 157皿束或諸如具有約13. 5皿波長的EUV光的遠紫外巧UV)光。在曝光工藝之后，接下來 是諸如曝光后烘賠（PEB)工藝的其他處理步驟。
[0071] 參考圖3,通過顯影劑顯影光刻膠層116 W形成圖案化的光刻膠層。在本實例中， 光刻膠層116是正性的，通過諸如四甲基氨氧化錠（TMAH)的顯影劑來去除光刻膠層的曝光 的部分116曰。在一個實例中，顯影劑包括具有諸如約2. 38%的適當的濃度的TMAH溶液。然 而，可W可選地使用負性的光刻膠層和/或負性的顯影劑。在顯影之后，光刻膠116可W進 行至其他處理步驟，諸如硬烘工藝。可W通過諸如無掩模光刻、電子束寫入、離子束寫入和 分子印跡的其他適當的技術來執行或替換使用光掩模和光刻裝置的曝光工藝。
[0072] 參考圖4,使用圖案化的光刻膠層116作為蝕刻掩模，將第一蝕刻工藝應用于中間 層114,由此將圖案從圖案化的光刻膠層116轉印至中間層114。在各個實施例中，第一蝕 刻工藝可W包括干蝕刻、濕蝕刻或它們的組合。在本實例中，蝕刻工藝包括使用蝕刻劑的等 離子體蝕刻工藝，蝕刻劑具有氣，諸如 CFz、CFs、CF4、C2F2、C2F3、C3F4、C4F4、CaFs、C扔、CeFe、CeFs 或它們的組合。
[0073] 參考圖5,在通過第一蝕刻工藝圖案化中間層114之后，可W通過諸如濕剝離或等 離子體灰化的適當的技術來去除光刻膠層116。
[0074] 參考圖6,使用圖案化的中間層114作為蝕刻掩模，將第二蝕刻工藝應用于下層 112,由此將圖案從圖案化的中間層114轉印至下層112。在各個實施例中，第二蝕刻工藝可 W包括干蝕刻、濕蝕刻或它們的組合，第二蝕刻工藝利用選擇性地蝕刻下層112同時基本 上保留中間層114的蝕刻劑。由于在本實施例中，中間層114是含娃材料而下層112是不 含娃材料，所W可W通過蝕刻劑的適當的選擇實現蝕刻選擇性。在本實施例中，第二蝕刻工 藝包括使用具有含硫氣體和含氧氣體的蝕刻劑的等離子體蝕刻工藝。在一個實例中，含氧 氣體包括氧氣（〇2)。在一個實例中，含硫氣體包括幾基硫化物（COS)。在另一實例中，含硫 氣體包括二氧化硫（S〇2)。第二蝕刻工藝可W產生形成在圖案化的中間層114上的外殼并 且該外殼難W被去除。
[00巧]仍參考圖6,根據一些實施例，可W應用等離子體處理W去除外殼。通過使用可剝 離的中間層114,通過隨后的工藝有效地去除中間層和外殼。可選地或附加地，應用等離子 體處理W具有共同去除效果地去除形成在中間層114上的外殼。等離子體處理包括使用具 有氨氣&和氮氣N 2的氣體。氣體被離子化為等離子體并且然后應用于半導體結構100 W 有效地去除外殼。
[0076] 在其他的實施例中，在不同的方案中，第二蝕刻工藝和等離子體處理可W應用于 半導體結構100。例如，第二蝕刻工藝是階段化的并且應用在第一時間窗口內，W及等離子 體處理是階段化的并且應用在第二時間窗口內。第二時間窗口與第一時間窗口是成對的并 且跟隨相應的第一時間窗口，從而使得通過等離子體處理的相應的階段去除通過第二蝕刻 工藝的每個階段形成的外殼。在更具體的實例中，應用第二蝕刻工藝持續第一時間段，從而 使得部分地去除未被中間層覆蓋的下層；然后應用等離子體處理持續第二時間段；然后應 用第二蝕刻工藝持續第S時間段，從而使得蝕刻穿過下層112 ;然后應用等離子體處理持 續第四時間段；等等。
[0077] 在其他的實施例中，將第二蝕刻工藝和等離子體處理集成，并且在共同的等離子 體工藝中同時執行第二蝕刻工藝和等離子體處理W達到蝕刻和清洗效果。將共同的等離子 體工藝設計為具有蝕刻氣體和等離子體處理氣體W同時實現去除下層112的蝕刻W及去 除由蝕刻導致的外殼的等離子體處理。在又一實施例中，利用氣體將共同的等離子體工藝 應用于半導體結構100,氣體包括蝕刻氣體（諸如COS和〇2的混合物或SO 2和0 2的混合物） 和處理氣體0?和H 2)，由此，當通過蝕刻圖案化下層112時同時去除外殼。
[0078] 參考圖7,將制造工藝應用至半導體結構100,諸如使用下層112作為掩模穿過圖 案化的下層112的開口至頂部材料層。在一些實施例中，使用下層112作為蝕刻掩模，將蝕 刻工藝應用至半導體襯底110的頂部材料層。在一些其他的實施例中，使用下層作為注入 掩模，將離子注入工藝120應用至半導體襯底110,由此在半導體襯底110中形成各個滲雜 部件122,諸如滲雜阱。在又一實施例中，諸如氧化娃的介電材料層可W插入在半導體襯底 110和下層112之間作為離子注入屏蔽層W提高注入質量，諸如降低離子注入工藝120期間 的溝道效應。
[00巧]參考圖8,隨后通過濕化學工藝去除中間層114和下層112。換句話說，通過濕化學 工藝剝離中間層114和下層112。在一些實施例中，濕化學工藝包括應用硫酸-過氧化氨混 合物（SPM) W及應用氨水-過氧化氨混合物（APM或SC-1)。SPM包括具有硫酸（H2SO4)和 過氧化氨化2〇2)的溶液。在本實例中，當將SPM應用至半導體結構100時，將SPM加熱至高 溫（高于室溫）。APM包括具有氨氧化錠（畑4〇巧、過氧化氨化2〇2)和水化2〇)的溶液。根據 各個實施例，W任何順序來相繼將SPM和APM應用至半導體結構100。在其他的實施例中， 濕化學工藝還包括將稀釋的氨氣酸值H巧應用至半導體結構100。
[0080] 通過使用可剝離的中間層114 W及附加地或可選地使用具有&和Nz的氣體來應 用等離子處理，在不損壞襯底110的情況下，有效地去除中間層114和外殼。在各個實施例 中，可W在使用圖案化的下層112作為處理掩模的制造工藝之后，在第二蝕刻工藝期間或 與第二蝕刻工藝同時應用等離子體處理。
[0081] 圖19是根據一些實施例構建的圖案化諸如半導體結構100的工件的方法300的 流程圖。方法300包括操作312,形成下層112、中間層114和光刻膠層116。具體地，操作 312還包括在襯底110上形成下層112、在下層112上形成中間層114 W及在中間層114上 形成光刻膠層116。在一些實施例中，襯底110是半導體襯底，諸如娃襯底。在一些是實例 中，下層112設計為提供對于蝕刻和/或離子注入的抵抗。下層112用作掩模W保護襯底 110免受蝕刻和/或離子注入。在一些實施例中，下層112包括不含娃的有機聚合物。在一 些實施例中，下層112的形成包括旋涂和利用合適的烘賠溫度的熱烘賠工藝。
[0082] 在本實施例中，中間層114是含娃層，設計為提供相對于下層112的蝕刻選擇性。 在又一實施例中，中間層114用作蝕刻掩模W將圖案轉印至下層112。含娃中間層114和不 含娃下層112設計為具有相對于彼此的蝕刻選擇性。在一些實施例中，中間層114的形成 包括旋涂和利用合適的烘賠溫度的熱烘賠工藝。在本實施例中，中間層114設計為是可濕 剝離的中間層，諸如具有重量百分比小于約20%的娃濃度的含娃層。
[0083] 光刻膠層116是光敏感的并且通過光刻工藝圖案化該光刻膠層。通過包括旋涂和 諸如軟烘的烘賠工藝的工序將光刻膠層116設置在中間層114上。
[0084] 方法300包括操作314,根據諸如電路布局的預定電路圖案使用光刻工藝形成圖 案化的光刻膠層116。在一些實施例中，操作320中的光刻工藝包括應用于光刻膠層116的 曝光工藝和顯影工藝，由此形成圖案化的光刻膠層116。曝光工藝利用光刻技術，光刻技術 利用適當的福射源和相應的福射能量，諸如DUV或EUV。在曝光工藝期間，通過具有預定圖 案的光掩模將光刻膠層116暴露于福射能量，由此產生包括曝光的區域116a和未曝光的區 域11化的潛在的光刻膠圖案。化學地改變曝光的區域內的光刻膠層116,使得在顯影工藝 期間去除曝光的部分或可選地在顯影工藝期間去除未曝光的部分，運取決于光刻膠層116 的類型和顯影劑的類型。在一些實施例中，將顯影工藝設計為在諸如噴涂或浸沒的適當的 模式下通過顯影劑去除光刻膠層的一部分（曝光的或未曝光的）。圖案化的光刻膠層116 的形成還包括其他處理步驟，諸如曝光工藝后的陽B和/或顯影工藝后的硬烘工藝。可W 可選地通過諸如無掩模光刻、電子束寫入、離子束寫入或分子印跡的其他適當的技術來替 換曝光工藝。 陽O化]方法300包括操作316,實施第一蝕刻工藝W選擇性地蝕刻中間層114,由此將電 路圖案從圖案化的光刻膠層116轉印至中間層114。使用圖案化的光刻膠層116作為蝕刻 掩模，將第一蝕刻工藝應用于中間層114。在各個實施例中，第一蝕刻工藝可W包括干蝕刻、 濕蝕刻或它們的組合。在本實例中，第一蝕刻工藝包括使用蝕刻劑的等離子體蝕刻工藝，蝕 刻劑具有氣，諸如 CFz、CFs、CF4、C2F2、C2F3、C3F4、C4F4、C4Fe、C扔、CeFe、CeFs或它們的組合。在 操作316之后，可W通過諸如濕剝離或等離子體灰化的適當的技術來去除光刻膠層116。
[0086] 方法300包括操作318,實施第二蝕刻工藝W選擇性地蝕刻下層112,由此將電路 圖案從圖案化的中間層114轉印至下層112。使用圖案化的中間層114作為蝕刻掩模，將第 二蝕刻工藝應用于下層112。在各個實施例中，第二蝕刻工藝可W包括干蝕刻、濕蝕刻或它 們的組合。在一個實例中，第二蝕刻工藝包括使用具有幾基硫化物（CO巧和氧氣（〇2)的蝕 刻劑的等離子體蝕刻工藝。在另一實例中，第二蝕刻工藝包括使用具有二氧化硫（S〇2)和 氧氣（〇2)的蝕刻劑的等離子體蝕刻工藝。在第二蝕刻工藝之后，在圖案化的中間層114上 形成外殼。
[0087] 方法300包括操作320,使用圖案化的下層112作為掩模，對工件實施制造工藝， 從而使得制造工藝僅應用于工件的位于下層112的開口內的部分，同時保護工件的被下層 112覆蓋的其他部分不受制造工藝影響。在一些實施例中，制造工藝包括使用下層112作為 蝕刻掩模應用于半導體襯底110的頂部材料的蝕刻工藝。在一些實施例中，制造工藝包括 使用下層作為注入掩模應用于半導體襯底110的離子注入工藝，由此在半導體襯底110中 形成各個滲雜部件。 陽08引方法300包括操作322,去除中間層114和下層112。在操作320之后，通過使用 濕化學物的濕化學工藝來去除中間層114和下層112。在一些實施例中，濕化學工藝包括 應用硫酸-過氧化氨混合物（SPM) W及應用氨水-過氧化氨混合物（APM或SC-1)。SPM包 括具有硫酸（H2SO4)和過氧化氨化2〇2)的溶液。APM包括具有氨氧化錠（NH4OH)、過氧化氨 化2〇2)和水化2〇)的溶液。根據各個實施例，W任何順序來相繼將SPM和APM應用至工件。 在其他的實施例中，濕化學工藝還包括將稀釋的氨氣酸值H巧應用至工件。
[0089] 圖20是根據一些實施例構建的圖案化諸如半導體結構100的工件的方法330的 流程圖。方法330類似于圖19中的方法300。然而，方法330還包括操作332,對工件實施 等離子體處理。應用等離子體處理W去除通過第二蝕刻工藝在中間層114上形成的外殼。 在一些實施例中，在操作318之后執行該操作。在本實施例中，等離子體處理包括使用具有 氨氣&和氮氣N 2的氣體。氣體被離子化為等離子體W及然后應用至半導體結構100 W有 效地去除外殼。
[0090] 圖21是根據一些實施例構建的圖案化諸如半導體結構100的工件的方法340的 流程圖。方法340類似于圖19中的方法300。方法340也包括實施等離子體處理W去除外 殼。然而，在不同的模式中應用等離子體處理。具體地，方法340包括操作342,選擇性地蝕 刻下層112并且去除外殼。
[0091] 在操作342中，將第二蝕刻工藝和等離子體處理集成為選擇性地蝕刻下層112 W 及去除外殼的共同的等離子體工藝。將共同的等離子體工藝設計為具有蝕刻和清洗（去除 外殼）效果。共同的等離子體工藝使用蝕刻氣體和等離子體處理氣體W同時實現對下層 112的蝕刻W及對中間層114的等離子體處理。等離子體處理的目標是去除由蝕刻導致的 外殼。在又一實施例中，利用氣體將共同的等離子體工藝應用于半導體結構100,氣體包括 蝕刻氣體（諸如COS和〇2的混合物或SO 2和O 2的混合物）和處理氣體（N 2和H 2)，由此，選 擇性地蝕刻下層W及也去除外殼。
[0092] 在一些其他的實施例中，操作342包括階段化的和交叉的第二蝕刻工藝和等離子 體處理。例如，第二蝕刻工藝是階段化的并且應用在第一時間窗口內，W及等離子體處理是 階段化的并且應用在第二時間窗口內。第二時間窗口與第一時間窗口是成對的并且跟隨相 應的第一時間窗口，從而使得通過等離子體處理的相應的階段去除通過第二蝕刻工藝的每 個階段形成的外殼。在更具體的實例中，應用第二蝕刻工藝持續第一時間段，從而使得部分 地去除未被中間層114覆蓋的下層112 ;然后應用等離子體處理持續第二時間段；然后應用 第二蝕刻工藝持續第S時間段，從而使得蝕刻穿過未被中間層覆蓋的下層112 ;然后應用 等離子體處理持續第四時間段，由此去除外殼。在本實施例中，等離子體處理包括使用具有 氨氣&和氮氣N 2的氣體。氣體被離子化為等離子體并且然后應用至半導體結構100 W有 效地去除外殼。
[0093] 在方法330或方法340中，由于包括等離子體處理W有效地去除外殼，所W中間層 114可W不同于可剝離的中間層。然而，通過使用可剝離的中間層114 W及等離子體處理， 通過可剝離的中間層和等離子體處理的共同的效果來更加有效地去除中間層和外殼。
[0094] 本發明提供了一種光刻方法W及用于=層光刻技術的可濕剝離的含娃中間層。通 過使用可濕剝離的含娃中間層和/或等離子體處理，通過濕化學工藝有效地去除中間層， 而不損壞襯底。在各個實施例中，可濕剝離的含娃中間層包括W重量百分比小于20%的娃。 在其他的實施例中，將等離子體處理與用于圖案化下層的第二蝕刻工藝集成為共同的等離 子體工藝，該共同的等離子體工藝使用包含蝕刻氣體和等離子體處理氣體的氣體。 陽0巧]根據一些實施例，提供了一種光刻方法。光刻方法包括在襯底上形成聚合材料的 下層；在下層上形成含娃中間層，其中含娃中間層具有重量百分比小于20%的娃濃度并且 是可濕剝離的；在含娃中間層上形成圖案化的光敏層；實施第一蝕刻工藝W將圖案化的光 敏層的圖案轉印至含娃中間層；實施第二蝕刻工藝W將圖案轉印至下層；W及對含娃中間 層和下層實施濕剝離工藝。
[0096] 根據一些實施例，提供了一種光刻方法。光刻方法包括在襯底上形成聚合材料的 下層；在下層上形成含娃中間層；在含娃中間層上形成圖案化的光敏層；實施第一蝕刻工 藝W將圖案化的光敏層的圖案轉印至含娃中間層；實施第二蝕刻工藝W將圖案轉印至下 層；對含娃中間層實施等離子體處理；W及實施濕剝離工藝W去除含娃中間層和下層。
[0097] 根據一些實施例，提供了一種光刻方法。光刻方法包括在半導體襯底上形成含娃 中間層；W及對含娃中間層實施烘賠工藝。含娃中間層具有重量百分比小于20%的娃濃 度，并且是可濕剝離的。含娃中間層包括如下的化學結構
[0098]
[0099] 在化學結構中，0和Si分別表示氧和娃；a、b和C分別表示X、D和R基團的重量 百分比；X表示提供交聯位點的第一有機基團；D表示設計為調節消光系數和折射率的芳香 族基團；W及R表示增強光敏層的粘附性和抗蝕刻性的第二有機基團。
[0100] 上面概述了若干實施例的特征，使得本領域技術人員可W更好地理解本發明的各 方面。本領域技術人員應該理解，他們可W容易地使用本發明作為基礎來設計或修改用于 實施與在此所介紹實施例相同的目的和/或實現相同優勢的其他工藝和結構。本領域技術 人員也應該意識到，運種等同構造并不背離本發明的精神和范圍，并且在不背離本發明的 精神和范圍的情況下，在此他們可W做出多種變化、替換W及改變。
【主權項】
1. 一種光刻方法，包括： 在襯底上形成聚合材料的下層； 在所述下層上形成含硅中間層，其中，所述含硅中間層具有重量百分比小于20%的硅 濃度，并且所述含硅中間層是可濕剝離的； 在所述含硅中間層上形成圖案化的光敏層； 實施第一蝕刻工藝以將所述圖案化的光敏層的圖案轉印至所述含硅中間層； 實施第二蝕刻工藝以將所述圖案轉印至所述下層；以及 對所述含硅中間層和所述下層實施濕剝離工藝。2. 根據權利要求1所述的方法，還包括： 在實施所述第二蝕刻工藝之后以及在實施所述濕剝離工藝之前，對所述襯底實施蝕刻 和離子注入中的一種。3. 根據權利要求2所述的方法，其中，實施所述濕剝離工藝包括： 應用硫酸和過氧化氫的第一混合物； 應用氨酸、過氧化氫和水的第二混合物；以及 應用稀釋的氫氟酸。4. 根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述含硅中間層包括： 利用具有含硅聚合材料的溶液涂覆所述襯底；以及 對所述溶液實施固化工藝，由此交聯所述含硅聚合材料以形成所述含硅中間層。5. 根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述含硅中間層包括形成具有如下化學結 構的含硅中間層：其中，O和Si分別表不氧和娃； a、b和c分別表示X、D和R基團的重量百分比； X表示提供交聯位點的第一有機基團； D表示設計為調節消光系數和折射率的芳香族基團；以及 R表示增強所述光敏層的抗蝕刻性、粘附性的第二有機基團。6. 根據權利要求5所述的方法，其中，所述第一有機基團X具有包含2至20個碳的烷 基基團并且具有至少一個可交聯的官能團，所述可交聯的官能團選自由-I、_Br、-Cl、-NH 2、 -COOH、-OH、-SH、-N3、環氧基、炔烴、烯烴、酮、醛、酯、酰基鹵、NHS酯、亞氨酸酯、五氟苯酯、羥 甲基膦、碳二亞胺、馬來酰亞胺、鹵代乙酰、二硫代吡啶、硫代亞磺酸酯、乙烯基砜、酰肼、烷 氧基胺、雙吖丙啶、芳基疊氮化物、異氰酸酯、膦、酰胺、醚和它們的組合組成的組。7. 根據權利要求5所述的方法，其中，所述芳香族基團D是發色團并且具有含有3至 20個碳的烷基基團，其中，所述芳香族基團D具有至少一個光敏官能團，所述光敏官能團選 自由苯基、萘基、菲酚基、蒽基、菲基和含有一至五元環的其他芳香族衍生物組成的組。8. 根據權利要求5所述的方法，其中，R是含有1至20個碳的烷基基團，其中，所述烷 基基團包括化學物，所述化學物選自由-I、-Br、-Cl、-NH 2、-C00H、-OH、_SH、-N3、-S( = 0)-、 烯烴、炔烴、亞胺、醚、酯、醛、酮、酰胺、砜、乙酸、氰或它們的組合組成的組。9. 一種光刻方法，包括： 在襯底上形成聚合材料的下層； 在所述下層上形成含硅中間層； 在所述含硅中間層上形成圖案化的光敏層； 實施第一蝕刻工藝以將所述圖案化的光敏層的圖案轉印至所述含硅中間層； 實施第二蝕刻工藝以將所述圖案轉印至所述下層； 對所述含硅中間層實施等離子體處理；以及 實施濕剝離工藝以去除所述含硅中間層和所述下層。10. -種光刻方法，包括： 在半導體襯底上形成含硅中間層；以及 對所述含硅中間層實施烘焙工藝，其中，所述含硅中間層具有重量百分比小于20%的 石圭濃麼·并日所祙僉砝由問盡縣可溫剝商的由·所祙僉砝由問盡鈕栝加下的仆受結抝： 其中，O和Si分別表不氧和娃； a、b和c分別表示X、D和R基團的重量百分比； X表示提供交聯位點的第一有機基團； D表示設計為調節消光系數和折射率的芳香族基團；以及 R表示增強光敏層的抗蝕刻性、粘附性的第二有機基團。
【文檔編號】G03F7/20GK106019849SQ201510755863
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2015年11月9日
【發明人】陳建志, 陳佳偉, 張慶裕, 吳少均
【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司