專利名稱：一種sfp高頻線及其生產方法
技術領域：
本發明涉及一種高頻線及其生產方法，尤其涉及一種SFP高頻線及其生產方法。
技術背景
小型封裝可熱插拔式模塊(Small Form-Factor Pluggables,簡稱SFP)是根據 GBIC接口進行設計，卻允許比GBIC更大的端口密度(主板邊上每英寸的收發器數目)，因此SFP也被稱作“min1-GBIC”，SFP模塊體積比GBIC模塊減少一半，可以在相同面板上配置多出一倍以上的端口數量，更加壓縮了尺寸和功耗，現在基本取代GBIC。
小型封裝可熱插拔式模塊之間通過SFP高頻線進行數據傳輸。
目前，市場上的一種SFP高頻線的芯線由導體、從內到外依次包覆該導體的發泡層和外絕緣層。
然而，上述SFP高頻線的導體外為發泡層，而發泡層具有的發泡孔會導致導體傳輸信號的衰減，從而降低傳輸速率。
因此，迫切需要一種能夠傳輸更高速度的SFP高頻線，尤其需要一種在IOm長時能夠傳輸lOG/s的信號。發明內容
本發明的目的在于提供一種能夠傳輸更高速度的SFP高頻線，尤其在IOm長時能夠傳輸lOG/s的信號的SFP高頻線。
為實現上述目的，本發明所提供SFP高頻線包括若干芯線組、包覆該若干芯線組的屏蔽層以及包覆該屏蔽層的護套，每一芯線組包括兩芯線、一地線和包覆該兩芯線、地線的第一鋁箔繞包、包覆該第一鋁箔繞包的自粘聚酯層包帶，芯線包括導體和從內向外包覆導體的內絕緣 層、發泡層和外絕緣層。
優選地，所述芯線的發泡層的發泡度為20 40%。
優選地，所述芯線的內絕緣層厚度為O. 04 O. 08mm。
優選地，所述芯線的外絕緣層厚度為O. 04 O. 08mm。
優選地，所述兩芯線的第一鋁箔繞包的節距為5. O 7. 5mm。
優選地，所述自粘聚酯層包帶的節距為6. O 7. 8mm。
優選地，所述包覆該若干芯線組的屏蔽層從內往外依次為非自粘聚酯層包帶、第二鋁箔繞包和編織屏蔽層。
優選地，所述導體為鍍銀導體。
本發明還提供一種SFP高頻線的生產方法，該方法包括由以下步驟組成
(I)芯線押出采用三層共擠工藝押出從內到外依次為導體、內絕緣層、發泡層和外絕緣層結構的芯線；
(2)形成芯線組將兩芯線和地線并在一起，將第一鋁箔、自粘聚酯層包帶依次繞包于該兩芯線和地線上，自粘聚酯層包帶繞包是將自粘聚酯帶繞包于第二鋁箔繞包上并進行加熱使自粘聚酯帶粘固于鋁箔上；(3)成纜將若干芯線組絞合成纜，將非自粘聚酯帶、第二鋁箔依次繞包于該成纜的若干芯線組上；(4)編織屏蔽層用編織機對步驟(3)形成的成纜進行編織形成編織屏蔽層；(5)護套押出用押出機將護套料在步驟(4)形成的編織屏蔽層上押出形成護套，從而形成SFP高頻線。本發明SFP高頻線由于芯線包括導體和從內向外包覆導體的內絕緣層、發泡層和外絕緣層，與導體外僅有發泡層、外絕緣層的芯線的現有技術相比，導體與發泡層之間添加一內絕緣層，該內絕緣層能夠降低導體傳速信號的衰減，從而能夠提高SFP高頻線的傳輸速率，在IOm長時能夠傳輸10G/s以上的信號，衰減值彡54dB/10m，阻抗95 105 Q，延時 差< 100ps/10m。


圖1是本發明SFP高頻線的截面結構示意圖。圖2是圖1所示SFP高頻線的生產方法的流程圖。圖中各附圖標記說明如下芯線組10，芯線11，導體111，內絕緣層112，發泡層113，外絕緣層114，地線12，第
一鋁箔繞包13，自粘聚酯層包帶14，屏蔽層20，非自粘聚酯層包帶21，第二鋁箔繞包22，編織屏蔽層23，護套30。
具體實施例方式為詳細說明本發明的技術內容、所實現目的及效果，以下結合實施方式詳予說明。請參閱圖1,本發明SFP高頻線包括若干芯線組10、包覆該若干芯線組10的屏蔽層20以及包覆該屏蔽層20的護套30。每一芯線組10包括兩芯線11、一地線12和包覆該兩芯線11、一地線12的第一鋁箔繞包13、包覆該第一鋁箔繞包13的自粘聚酯層包帶14，芯線11包括導體111和從內向外包覆導體111的內絕緣層112、發泡層113和外絕緣層114。導體111優選為鍍銀導體。芯線11的內絕緣層112厚度優選為0. 04 0. 08mm，更優選0. 04 0. 06mm。 芯線11的外絕緣層114厚度優選為0. 04 0. 08mm,更優選0. 06 0. 07_。芯線11的發泡層113的發泡度優選為20 40%，更優選25 35%。第一鋁箔繞包13的節距優選為5. 0 7. 5mm,更優選為6. 0 7. Omm,第一鋁箔繞包的節距在該范圍內能夠在繞包時能夠使芯線11內部結構的內絕緣層112、發泡層113和外絕緣層114不易發生變形，尤其是發泡層113不易發生變形，這是因為SFP高頻線的芯線11若發生變形則會導致芯線組10的兩芯線11的長度不一致，長度不一致則會導致延時差的增加，從而不能滿足高頻線延時差的傳輸要求。自粘聚酯層包帶14含有熱融膠，采用對自粘聚酯層包帶14加熱的方法使其粘固于第一鋁箔繞包13上，這增加了自粘聚酯層包帶14對其內的第一鋁箔繞包13和芯線11的包覆力度，使其不易變形，降低延時差，滿足高頻線延時差的傳輸要求。自粘聚酯層包帶14的節距最好為6. 0 7. 8mm,更優選為6. 5 7. 5mm,這是因為自粘聚酯層包帶14的節距在該范圍內能夠在繞包時使芯線11內部結構的內絕緣層112、發泡層113和外絕緣層114不易發生變形，尤其是發泡層113不易發生變形，確保SFP高頻線延時差的傳輸要求。這里需指出的是，高頻線的芯線11若發生變形則會導致芯線組10的兩芯線11的長度不一致，長度不一致則會導致延時差的增加，從而不能滿足SFP高頻線延時差的傳輸要求。包覆若干芯線組10的屏蔽層20從內往外依次為非自粘聚酯層21、第二鋁箔繞包22和編織屏蔽層23。本發明還提供一種SFP高頻線的生產方法，該方法包括由以下步驟組成(I)芯線押出采用三層共擠工藝押出從內到外依次為導體、內絕緣層、發泡層和外絕緣層結構的芯線，其中，內絕緣層厚度優選為0. 04 0. 08mm,芯線的外絕緣層厚度優選為0. 04 0. 08mm,芯線的發泡層的優選發泡度為20 40% ;(2)形成芯線組將兩芯線和地線并在一起，將第一鋁箔、自粘聚酯帶依次繞包于該兩芯線和地線上，自粘聚酯帶繞包是將自粘聚酯帶繞包于第一鋁箔繞包上并進行加熱使自粘聚酯帶粘固于第一鋁箔上，第一鋁箔繞包的節距最好為5. 0 7. 5mm ;(3)成纜將若干芯線組絞合成纜，將非自粘聚酯帶、鋁箔依次繞包于該成纜的若干芯線組上；(4)編織屏蔽層用編織機對步驟(3)形成的成纜進行編織形成編織屏蔽層；(5)護套押出用押出機將護套料在步驟⑷形成的編織屏蔽層上押出形成護套，從而形成SFP高頻線。經實驗驗證，本發明SFP高頻線在長度為IOm時數據傳輸率達到10G/S以上，衰減值彡54dB/10m,阻抗95 105 Q，延時差彡100ps/10m。綜上所述，本發明SFP高頻線由于芯線包括導體和從內向外包覆導體的內絕緣層、發泡層和外絕緣層，與導體外僅有發泡層、外絕緣層的芯線的現有技術相比，導體與發泡層之間添加一內絕緣層，該內絕緣層能夠降低導體傳速信號的衰減，從而能夠提高SFP高頻線的傳輸速率，在IOm長時能夠傳輸lOG/s以上的信號，衰減值< 54dB/10m，阻抗95 105 Q，延時差< 100ps/10m。本發明并不局限于上述具體實施方式
，熟悉本技術領域的人員還可據此做出多種變化，但任何與本發明等同或相類似的變化都應涵蓋在本發明權利要求的范圍內。
權利要求
1.一種SFP高頻線，其特征在于包括若干芯線組、包覆該若干芯線組的屏蔽層以及包覆該屏蔽層的護套，每一芯線組包括兩芯線、一地線和包覆該兩芯線、地線的第一鋁箔繞包、包覆該第一鋁箔繞包的自粘聚酯層包帶，芯線包括導體和從內向外包覆導體的內絕緣層、發泡層和外絕緣層。
2.如權利要求1所述的SFP高頻線，其特征在于所述芯線的發泡層的發泡度為20 40%。
3.如權利要求1所述的SFP高頻線，其特征在于所述芯線的內絕緣層厚度為O.04 O.08mm。
4.如權利要求1所述的SFP高頻線，其特征在于所述芯線的外絕緣層厚度為O.04 O.08mm。
5.如權利要求1所述的SFP高頻線，其特征在于所述兩芯線的第一鋁箔繞包的節距為 5. O 7. Smnin
6.如權利要求1所述的SFP高頻線，其特征在于所述自粘聚酯層包帶的節距為6.O 7.8mm η
7.如權利要求1所述的SFP高頻線，其特征在于所述包覆該若干芯線組的屏蔽層從內往外依次為非自粘聚酯層包帶、第二鋁箔繞包和編織屏蔽層。
8.如權利要求1所述的SFP高頻線，其特征在于所述導體為鍍銀導體。
9.一種如權利要求1至8任一項所述SFP高頻線的生產方法，其特征在于該方法包括由以下步驟組成 (1)芯線押出采用三層共擠工藝押出從內到外依次為導體、內絕緣層、發泡層和外絕緣層結構的芯線； (2)形成芯線組將兩芯線和地線并在一起，將第一鋁箔、自粘聚酯層包帶依次繞包于該兩芯線和地線上，自粘聚酯層包帶繞包是將自粘聚酯帶繞包于第一鋁箔繞包上并進行加熱使自粘聚酯帶粘固于鋁箔上； (3)成纜將若干芯線組絞合成纜，將非自粘聚酯帶、第二鋁箔依次繞包于該成纜的若干芯線組上； (4)編織屏蔽層用編織機對步驟(3)形成的成纜進行編織形成編織屏蔽層； (5)護套押出用押出機將護套料在步驟(4)形成的編織屏蔽層上押出形成護套，從而形成SFP高頻線。
全文摘要
本發明公開一種SFP高頻線，包括若干芯線組、包覆若干芯線組的屏蔽層以及包覆該屏蔽層的護套，每一芯線組包括兩芯線、一地線和包覆兩芯線、地線的第一鋁箔繞包、包覆第一鋁箔繞包的自粘聚酯層包帶，芯線包括導體和從內向外包覆導體的內絕緣層、發泡層和外絕緣層。高頻線的生產方法包括由以下步驟組成(1)芯線押出；(2)形成芯線組；(3)成纜；(4)編織屏蔽層；(5)護套押出。本發明由于導體與發泡層之間添加內絕緣層，內絕緣層能夠降低導體傳速信號的衰減，從而能夠提高SFP高頻線的傳輸速率，在10m長時能夠傳輸10G/s的信號，衰減值≤54dB/10m，阻抗95～105Ω，延時差≤100ps/10m。
文檔編號H01B7/02GK103000270SQ20121045475
公開日2013年3月27日 申請日期2012年11月2日 優先權日2012年11月2日
發明者周和平, 饒喜梅, 江靖, 康樹峰 申請人:深圳市沃爾核材股份有限公司, 深圳市沃爾特種線纜有限公司, 金壇市沃爾新材料有限公司