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三相整流橋式扁平封裝功率模塊的制作方法

文檔序號:7220301閱讀:376來源:國知局
專利名稱:三相整流橋式扁平封裝功率模塊的制作方法
技術領域
本實用新型涉及一種扁平封裝功率模塊,特別涉及一種三相整流橋式扁平 封裝功率模塊。
背景技術
目前,^^口的扁平封裝功率才缺包括有電極、連接片、芯片、絕多樹脂封 裝體,每個電極由一個電極片和一個電才rt組成,各電極片分開設置且排列在 同一平面內,電極片、連接片、芯片均封^絕^f對脂封裝體內,電才贈由絕 ^#月旨封裝體的同一側伸出,封裝時選用不同的芯片以及相應的連接方式,可 以得出不同的功率模塊。目前公知的這些扁平封裝功率模塊有四個電極,也就
是im絕^M脂封裝體的同一側伸出的電才踏也均為四個腳,這樣就使現有的
扁平封裝功率存在著以下缺陷由于只有四個電極腳,電極腳少,因jHiit成功 率模塊的接點過少,使用范圍受到限制;同時由于電才踏少,完成連接需要增 加功率模塊的數量,這liii成了成本的增加和占用空間大等問題。
發明內容
本實用新型的目的A^服現有技術的不足,提供一種有五個電極、三相整 《浙式連接的三相整流橋式扁平封裝功率模塊。
實現上述目的的技術方案是 一種三相整流橋式扁平封裝功率模塊,包括 電極、連接片、芯片、絕^#月旨封裝體,每個電極由一個電極片和一個電4贈 組成,各電極片分開設置且排列在同一平面內,電極片、連接片、芯片均封裝 在絕緣樹月旨封裝體內,電極腳由絕緣樹脂封裝體的同一側伸出,所述的電極為 五個電極,芯片為六片芯片,第一至第三片芯片設置在第一個電極的電極片上, 并且第一至第三片芯片的一端分別與這個電極片電連接,第四至第六片芯片設 置在第五個電極的電極片上,并且第四至第六,片芯片的一端分別與這個電極片 電連接,第一片芯片的另 一端與第四片芯片的另 一端通過與第四個電極的電級 片相連接的連接片電連接,第二片芯片的另一端與第五片芯片的另一端通過與 第三個電極的電級片相連接的連接片電連接,第三片芯片的另一端與第六片芯 片的另一端通過與第二個電極的電級片相連接的連接片電連接。
采用上述技術方案后,帶來的好處是(l)接點多,使用范圍廣。由于有 五個電極,增加了電極的個數,因jl:bl妾點多,使用范圍廣;(2)、成本少。由于 電核浙增多,完成與四個電極相同的連接需要的功率模塊的數量就少,因此成 本降低,并且占用空間也小,便于電子類產品向小型化、規模化H (3)、工
作穩定性好。本實用新型提供的三相整流橋式功率才缺,可以控制輸出電壓的 大小,且工作穩定性好,干擾小。


圖1為本實用新型的主^L結構示意圖; 圖2為圖1的左視局部剖^L圖;,
圖3為不帶有絕緣樹脂封裝體的本實用新型內部結構示意圖; 圖4為本實用新型組成的三相整流橋式電路的電路示意圖。
具體實施方式

以下結合附圖和實施例對本實用新型作進一步詳細的說明。 如圖1、 2、 3所示, 一種三相整流橋式扁平封裝功率模塊,包括電極、 連接片6、芯片7、絕桑,月旨封裝體8,所述的電極為五個電極l、 2、 3、 4、 5, 連接片6為六片連接片61、 62、 63、 64、 65、 66,芯片7為六片芯片71、 72、
73、 74、 75、 76,且均為二極管。每個電極由一個電極片和一個電極腳組成, 各電極片分開設置且排列在同一平面內,電極片、連接片6、芯片7均封絲 絕緣樹脂封裝體8內,絕緣樹脂封裝體8呈矩形,其四角中有一角處設置有起 識別方面作用的倒角10,絕緣樹脂封裝體8的中部開有一^安裝作用的通孔 9,五個電才瑜12、 22、 32、 42、 5:2由絕^#月旨封裝體8的同一側伸出,第一 至第三片芯片71、 72、 73固接在第一個電極l的電極片11上,并且第一至第 三片芯片71、 72、 73的一端分別與這個電極片11電連4秦,第四至第六片芯片
74、 75、 76固接在第五個電極5的電極片51上,并且第四至第六片芯片74、
75、 76的一端分別與這個電極片51電連接,第一片連接片61的一端與第一片 芯片71的另一端電連4妻,第一片速.接片61的另一端與第四個電極4的電極片 41電連接,第四片連接片64的一端與第四片芯片74的另一端電連接,第四片 連接片64的另一端與第四個電極4的電極片41電連接,第二片連接片62的一 端與第二片芯片72的另一端電連接.,第二片連接片62的另一端與第三個電極 3的電極片31電連接,第五片連接片65的一端與第五片芯片75的另一端電連 接,第五片連接片65的另一端與第三個電極3的電極片31電連接,第三片連 接片63的一端與第三片芯片73的另一端電連接,第三片連接片63的另一端與 第二個電極2的電極片21電連接,第六片連接片66的一端與第六片芯片76 的另一端電連接,第六片連接片66的另一端與第二個電極2的電極片21電連 接。這樣組成如圖4所示的三相整流橋式電路。
本實用新型的芯片7根據需要也可以選用可控硅、三極管、IGBT、 MOSFET、電阻、電容、壓^Ut件、熱^件等不同芯片,從而得到不同的三 相整流橋式扁平封裝功率模塊。
權利要求1、一種三相整流橋式扁平封裝功率模塊,包括電極、連接片(6)、芯片(7)、絕緣樹脂封裝體(8),每個電極由一個電極片和一個電極腳組成,各電極片分開設置且排列在同一平面內,電極片、連接片(6)、芯片(7)均封裝在絕緣樹脂封裝體(8)內,電極腳由絕緣樹脂封裝體(8)的同一側伸出,其特征在于所述的電極為五個電極(1、2、3、4、5),芯片(7)為六片芯片(71、72、73、74、75、76),第一至第三片芯片(71、72、73)設置在第一個電極(1)的電極片(11)上,并且第一至第三片芯片(71、72、73)的一端分別與這個電極片(11)電連接,第四至第六片芯片(74、75、76)設置在第五個電極(5)的電極片(51)上,并且第四至第六片芯片(74、75、76)的一端分別與這個電極片(51)電連接,第一片芯片(71)的另一端與第四片芯片(74)的另一端通過與第四個電極(4)的電級片(41)相連接的連接片(6)電連接,第二片芯片(72)的另一端與第五片芯片(75)的另一端通過與第三個電極(3)的電級片(31)相連接的連接片(6)電連接,第三片芯片(73)的另一端與第六片芯片(76)的另一端通過與第二個電極(2)的電級片(21)相連接的連接片(6)電連接。
2、 根據權利要求1所述的三相整流橋式扁平封裝功率模塊,其特征在于: 所述的芯片(71、 72、 73、 74、 75、 76)均為^^4 l管。
專利摘要本實用新型特別涉及一種三相整流橋式扁平封裝功率模塊。它包括電極、連接片(6)、芯片(7)、絕緣樹脂封裝體(8),每個電極由一個電極片和一個電極腳組成,所述電極為五個電極(1、2、3、4、5),芯片(7)為六片,芯片(71、72、73)設置在電極片(11)上,芯片(74、75、76)設置在電極片(51)上,芯片(71)與芯片(74)另一端通過與電級片(41)相連的連接片(6)電連接,芯片(72)與芯片(75)另一端通過與電級片(31)相連的連接片(6)電連接,芯片(73)與芯片(76)另一端通過與電級片(21)相連的連接片(6)電連接。本實用新型好處接點多,使用范圍廣;成本少;工作穩定性好。
文檔編號H01L25/00GK201011657SQ20062016904
公開日2008年1月23日 申請日期2006年12月28日 優先權日2006年12月28日
發明者沈富德 申請人:沈富德
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