一種高散熱性能的smt二極管封裝結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種高散熱性能的SMT 二極管封裝結構，屬于半導體微電子技術領域，封裝外形主要適合于表面貼裝整流橋等半導體功率器件的集成化封裝。
【背景技術】
[0002]隨著移動資訊產品、家用電器產品以及綠色照明等領域的發展，為其配套的電子產品大量使用到了整流橋、二極管、穩壓管等重要元器件，并對這類器件產品的“輕、薄、小、密”提出了更高的要求；高水平的超小型塑封結構，不僅代表了行業技術水平，對后級產品的小型化、更高的功率密度，高可靠性、高安全性等要求至關重要；目前半導體元器件中使用量最大的整流二極管產品，也朝著集成化方向發展，安裝了四顆二極管的整流橋封裝器件以使用安裝方便、功率密度高、占用PCB板面積小、可靠性高等特點，在一些高端產品中得到廣泛的應用。
[0003]以表面貼裝整流橋為代表的此類表面封裝的元器件，在走向小型化的基礎上，由于受到結構限制，散熱問題卻越來越難以解決，其功率密度很難達到設計要求，常溫條件自然散熱環境下其耗散功率最大只有1.2W。因此需要一種自帶散熱片的表面貼裝二極管封裝結構，來解決小型化與功率的矛盾。

【發明內容】

[0004]本發明為了克服以上技術的不足，提供了一種高散熱性能的SMT 二極管封裝結構，能提高二極管的散熱效果和功率密度。
[0005]術語解釋:
1、SMT:Surface Mount Technology，表面貼裝技術。
[0006]2、SMA:適于表面貼裝的一種半導體元器件封裝形式，厚度在2.2mm以上。
[0007]3,SMB:適于表面貼裝的一種半導體元器件封裝形式，與SMA結構一樣，但比SMA尺寸大。
[0008]4、S0D123:適于表面貼裝的一種半導體元器件封裝形式，體積厚度較小。
[0009]本發明克服其技術問題所采用的技術方案是:
一種高散熱性能的SMT 二極管封裝結構，包括塑封體，塑封體的兩端底面上分別設置有引腳，所述引腳為“T”字形結構，引腳包括引腳前端和引腳后端，引腳后端部分與塑封體底面結合，引腳后端的寬度與塑封體的寬度相等。
[0010]根據本發明優選的，所述引腳后端與塑封體結合部分的長度A和引腳后端未與塑封體結合部分的長度B之比為1-3。進一步優選的，所述引腳后端與塑封體結合部分的長度A和引腳后端未與塑封體結合部分的長度B之比為1.5。
[0011]根據本發明優選的，所述引腳前端的寬度e與引腳后端的寬度E之比為0.4-0.6。進一步優選的，所述引腳前端的寬度e與引腳后端的寬度E之比為0.5。
[0012]根據本發明優選的，所述引腳為表面鍍錫的銅。
[0013]根據本發明優選的，所述引腳的厚度為0.14-0.16mm。
[0014]根據本發明優選的，所述塑封體的厚度為0.95-1.08mm，能滿足后級產品的小型化、超薄化要求。
[0015]根據本發明優選的，所述二極管內部采用三明治焊接塑封體結構，采用一類冶金結合方法焊接，使得熱流回路更短，且可雙向進行散熱。
[0016]本發明的有益效果是:
1、本發明將引腳設計成“T”字形結構，在兼容市場上大多數類似封裝的情況下，有著良好的散熱效果，使得封裝的產品有更低的熱阻，較同外形尺寸的其它封裝形式其熱阻能減少35%左右，封裝的功率密度(W/mm2)較以前的SOD123提高大約10.5%。
[0017]2、由于本發明的引腳后端寬度較寬，而且塑封體與引腳后端結合在一起使得塑封體與帶有散熱功能的引腳距離更近，約為0.3mm，能容許封裝更大尺寸的芯片，進一步提升了封裝的寬容度。
[0018]3、本發明的引腳前端與現有類似的引腳封裝器件可以兼容，降低了對焊盤尺寸精度的要求；引腳后端寬度較寬，不僅提高了散熱效果，還增強了焊接強度，使得引腳與塑封體的焊接更加牢固，增強了可靠性。
[0019]4、本發明的二極管內部采用三明治結構封裝，塑封體采用一類冶金結合方法焊接，使得熱流回路更短，且可雙向進行散熱。
[0020]5、本發明的二極管厚度很薄，能滿足后級產品的小型化、超薄化要求，本發明的二極管可直接替代電路板中較大封裝尺寸SMA (D0214A)或SMB的器件等。
【附圖說明】
[0021]圖1為本發明的主視結構示意圖。
[0022]圖2為本發明的俯視結構示意圖。
[0023]圖3為本發明的仰視結構示意圖。
[0024]圖中，1、塑封體，2、引腳，21、引腳前端，22、引腳后端。
【具體實施方式】
[0025]為了便于本領域人員更好的理解本發明，下面結合附圖和具體實施例對本發明做進一步詳細說明，下述僅是示例性的不限定本發明的保護范圍。
[0026]如圖1-3所示，本發明的高散熱性能的SMT 二極管封裝結構，包括塑封體1，其厚度為0.95-1.08mm，塑封體的兩端底面上分別設置有“T”字形結構的引腳2，其厚度為0.14-0.16_，材質為表面鍍錫的銅，引腳2既能導電還能實現散熱，引腳2包括引腳前端21和引腳后端22，引腳后端22部分與塑封體I底面結合，引腳后端22的寬度與塑封體I的寬度相等。
[0027]所述引腳后端22與塑封體結合部分的長度A和引腳后端22未與塑封體結合部分的長度B之比為1-3，進一步優選為1.5，當處于這個比例時，能很好的兼顧引腳2與塑封體I之間的牢固性和散熱性。
[0028]所述引腳前端21的寬度e與引腳后端22的寬度E之比為0.4-0.6，進一步優選為0.5，這樣，引腳前端21與現有類似的引腳封裝器件可以兼容，降低了對焊盤尺寸精度的要求，引腳后端22寬度較寬，不僅提高了散熱效果，還增強了焊接強度，使得引腳與塑封體的焊接更加牢固，增強了可靠性。
[0029]為了方便塑封體從條形框架結構中取出，塑封體I的兩端面與豎直方向的夾角β為5°。另外，本發明的二極管內部采用三明治焊接塑封體結構，采用一類冶金結合方法焊接，使得熱流回路更短，且可雙向進行散熱。
[0030]本發明的SMT 二極管封裝結構提高了散熱性能和功率密度，可靠性強，并能滿足后級產品的小型化、超薄化要求；另外，采用機械沖壓框架結構，在實現高精度尺寸控制的基礎上，可同時形成300粒以上塑封體封裝，可實現規模化生產。
[0031]以上僅描述了本發明的基本原理和優選實施方式，本領域人員可以根據上述描述作出許多變化和改進，這些變化和改進應該屬于本發明的保護范圍。
【主權項】
1.一種高散熱性能的SMT 二極管封裝結構，包括塑封體(1)，塑封體兩端底面上分別設置有引腳(2)，其特征在于:所述引腳(2)為“T”字形結構，引腳(2)包括引腳前端(21)和引腳后端(22)，引腳后端(22)部分與塑封體底面結合，引腳后端(22)的寬度與塑封體(I)的寬度相等。
2.根據權利要求1所述的高散熱性能的SMT二極管封裝結構，其特征在于:所述引腳后端(22)與塑封體結合部分的長度A和引腳后端(22)未與塑封體結合部分的長度B之比為 1_3。
3.根據權利要求2所述的高散熱性能的SMT二極管封裝結構，其特征在于:所述引腳后端(22)與塑封體結合部分的長度A和引腳后端(22)未與塑封體結合部分的長度B之比為 1.5ο
4.根據權利要求1或2所述的高散熱性能的SMT二極管封裝結構，其特征在于:所述引腳前端(21)的寬度e與引腳后端(22)的寬度E之比為0.4-0.6。
5.根據權利要求4所述的高散熱性能的SMT二極管封裝結構，其特征在于:所述引腳前端(21)的寬度e與引腳后端(22)的寬度E之比為0.5。
6.根據權利要求1所述的高散熱性能的SMT二極管封裝結構，其特征在于:所述引腳(2)為表面鍍錫的銅。
7.根據權利要求1所述的高散熱性能的SMT二極管封裝結構，其特征在于:所述引腳(2)的厚度為 0.14-0.16_。
8.根據權利要求1所述的高散熱性能的SMT二極管封裝結構，其特征在于:所述塑封體(I)的厚度為0.95-1.08mm。
9.根據權利要求1所述的高散熱性能的SMT二極管封裝結構，其特征在于:所述二極管內部采用三明治焊接塑封體結構，采用一類冶金結合方法焊接。
【專利摘要】本發明的高散熱性能的SMT二極管封裝結構，包括塑封體，塑封體的兩端底面上分別設置有引腳，所述引腳為“T”字形結構，引腳包括引腳前端和引腳后端，引腳后端部分與塑封體底面結合，引腳后端的寬度與塑封體的寬度相等。本發明將引腳設計成“T”字形結構，在兼容市場上大多數類似封裝的情況下，有著良好的散熱效果，使得封裝的產品有更低的熱阻，較同外形尺寸的其它封裝形式其熱阻能減少35%左右，封裝的功率密度（W/mm2）較以前的SOD123提高大約10.5%。
【IPC分類】H01L23-367, H01L23-31, H01L23-48
【公開號】CN104867884
【申請號】CN201510159293
【發明人】孔凡偉, 賀先忠, 段花山, 陸新城, 劉君, 袁小平, 荀義
【申請人】山東晶導微電子有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2015年4月7日