專利名稱：：控制半導體器件制造過程的方法和控制系統的制作方法
技術領域：
：本發明涉及半導體器件及其制作方法，特別涉及控制半導體器件制造過程的方法，以及用于這種過程的控制系統。
背景技術：
：半導體器件通過各種各樣的處理來制造。例如，通過執行包括半導體材料的晶體成長、從半導體晶體制造晶圓、蝕刻、摻雜、離子注入、封裝以及最后測試的順序的處理(sequentialprocesses)來制造半導體器件。然而，這些順序的處理會使用不同的控制方法在不同的裝置上執行。通常需要或希望精確地控制處理條件的控制系統來維持各個處理的適當狀態。在大多數制造過程中，能夠通過控制處理的執行時間(以下稱為“處理時間”)來適當地控制處理條件。例如，由時間控制的處理可以是快速熱處理、化學機械研磨(CMP)處理、覆蓋處理、物理沉積處理、化學沉積處理、或旋涂處理。在CMP處理的情況下，由CMP處理去除的材料的厚度根據處理時間而變化。傳統CMP處理是通過劃分為采樣CMP處理和主CMP處理來執行的。采樣CMP處理確定從沒有形成圖案(pattern)的毯狀晶圓(blanketwafer)的去除速率(removalrate)(/sec，埃/秒)。根據確定的去除速率，憑經驗計算對于要研磨以去除材料的實際晶圓的處理時間(即，研磨時間)，然后執行采樣CMP處理。如果采樣CMP處理的厚度偏差(thicknessdeviation)處于允許范圍內，則執行主CMP處理。可以通過不斷檢查應用主CMP處理的批次(lots)的厚度來經由手動反饋控制處理時間。例如，如果在主CMP處理之后該批次的去除厚度大于預期厚度，則縮短處理時間，而如果小于預期厚度，則延長處理時間。在這里，該處理時間是憑經驗得出的，并且該CMP處理可以被毫無困難地應用到一種產品。在多種類型的產品的情況下(例如，在系統LSI生產線中)，每種產品的圖案密度(densitiesofpatterns)彼此不同，因此處理時間也彼此不同。從而，需要憑經驗收集處理時間，并對于每種產品都將處理時間制成單獨的表(以下稱為“處理表”(processtable))，并且當特定產品被進行相應處理時，就使用存儲在處理表中的處理時間。但是，基于經驗數據執行對于多種類型的產品的處理可能具有發生誤差的潛在危險，或者可能會對制造者的錯誤高度敏感，而這會導致較差的處理分布(processdistribution)。而且，在CMP處理的情況下，諸如研磨墊的易耗品(consumablearticle)會隨著時間的流逝而功能不正常。結果，去除速率可能會減小，而這種減小的去除速率又會導致較差或不一致的處理分布。已經系統地實施了一種先進的處理控制(APC)方法以減少處理分布的程度(degree)，該方法通過自動輸入傳統經驗處理條件來計算處理時間。根據該APC方法，可以利用產品處理時間的轉換因子(factor)來自動地計算處理時間。但是，與那些通過實施APC方法的而以較少限制制造的傳統或先前處理的產品形成對比的是，對于新開發的產品的制造可能會受到限制，因為由于產品的新穎性而導致沒有已經建立的處理表，并且由于轉換因子的使用受到約束而導致APC方法的實施中也存在困難。
發明內容本發明的實施例提供一種通過自動計算被第一次應用到半導體器件制造過程的產品的處理條件來控制產品的半導體器件制造過程的方法，以及用于這種處理的控制系統。根據本發明的一個方面，提供一種用于控制半導體器件制造過程的方法，包括計算第一次應用到半導體器件制造過程的產品的采樣處理時間；基于所計算的采樣處理時間執行對采樣的半導體器件制造過程；通過將采樣處理時間應用到主處理時間公式來計算主處理時間；以及基于主處理時間控制半導體器件制造過程。所述采樣處理時間可以被存儲在信息存儲表中，并且從該信息存儲表中檢索采樣處理時間以用于計算主處理時間。可以通過下列順序操作來計算產品的采樣處理時間，包括確定與在半導體器件制造過程中使用的易耗品的消耗時間相對應的、半導體產品處理時間的轉換因子的預定比率；以及將轉換因子的預定比率與所應用的產品的轉換因子相乘。可以使用下面定義的主處理時間計算公式來執行主處理時間的計算Tn＝{Tn-1+En}×CFn/CFn-1公式1其中，“Tn”、“Tn-1”、“En”、“CFn”和“CFn-1”分別代表當前操作階段的處理時間、先前操作階段的處理時間、關于產品厚度的誤差因子、半導體器件制造過程的當前操作階段的轉換因子、以及半導體器件制造過程的先前操作階段的轉換因子。如果第一次執行主處理(n＝1)，則可以將采樣處理時間代入“Tn-1”，可以將轉換因子CFn代入“CFn-1”，并且可以將“Tn”視為產品的初始主處理時間。在主處理的初始執行之后，代入正常的值。通過將與在半導體器件制造過程期間產品的增加厚度或減少厚度相對應的第一轉換因子與對應于所述產品的圖案密度的第二轉換因子相乘來計算轉換因子“CFn”。根據本發明的另一個方面，提供一種半導體器件制造過程的控制系統，包括采樣邏輯單元，用于計算第一次應用到半導體器件制造過程的產品的采樣處理時間；以及主處理控制單元，用于通過將采樣處理時間應用到主處理時間公式來計算主處理時間，并用于控制半導體器件制造過程。所述系統可以還包括信息存儲表單元，用于從所述采樣邏輯單元接收采樣處理時間，并存儲所接收的采樣處理時間，并且，從該存儲表檢索采樣處理時間用于計算主處理時間。主處理控制單元可以包括主處理時間計算單元和控制外部裝置的外部裝置控制單元。所述控制系統可以用于新應用的產品的各種制造過程，諸如化學機械研磨(CMP)處理、沉積處理、蝕刻處理、以及清洗處理。通過下面結合附圖對本發明示例實施例的詳細描述，本發明的上述和其它特征和優點將變得更加清楚，其中圖1是表示根據本發明實施例的控制半導體器件制造過程的方法的流程圖；圖2是圖示關于易耗品的消耗時間的轉化因子的比率的圖形(graph)；圖3是圖示關于由處理去除的產品厚度的轉換因子1(CF1)的圖形；圖4是圖示關于產品圖案密度的轉換因子2(CF2)的圖形；以及圖5是示意地圖示根據本發明的實施例的半導體器件制造過程的控制系統的框圖。具體實施例方式現在將參考附圖在下文中對本發明進行更全面的描述，在附圖中示出了本發明的說明性的實施例。在附圖中，各個區域或特性的相對尺寸為清楚起見可能被夸大。但是，本發明可以以許多不同的形式來實現，而不應當被解釋為限制于這里所闡述的實施例；而是，提供這些實施例是為了使本公開變得全面和完整，并將本發明的范圍全面地傳達給本領域的技術人員。如這里所用的表述“和/或”包括了一個或多個所列出的相關項目的任何一個以及所有組合。而這里所用的術語只是為了描述特定實施例的目的，而不是為了對本發明進行限制。除非在上下文中明確指出相反含義，否則這里所用的單數形式“一”、“該”和“所述”均同時包括復數形式。還應當理解，當“包括”和/或“包含”用在本說明書中時，它們指定了所聲明的特征、整體、步驟、操作、元件、和/或組件的存在，但是并不排除附加的一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件、及其群組的存在。圖1是圖示根據本發明實施例的控制半導體器件制造過程的方法的流程圖。在操作S100中，計算新應用到半導體器件制造過程的產品的采樣的處理時間。在被制定為經驗數據的傳統產品的情況下，也執行采樣處理時間的計算，以便根據諸如圖案密度的特定因子來計算處理時間。特別是根據先前建立的經驗數據來計算處理時間。但是，那些經驗數據對于第一次在半導體制造過程中實施的產品可能不適用。因此，根據本發明的實施例，考慮通常可以被應用于所有類型產品的因子來計算處理時間。將參考圖2來提供對所述計算更詳細的描述。在操作S200，通常，基于所計算的處理時間來執行對采樣的處理(以下稱為“采樣處理”)，以便確認所計算的采樣的處理時間(以下稱為“采樣處理時間”)的誤差允許范圍。而且，在傳統產品的情況下，通過這一操作可以校正(correct)采樣處理時間的計算公式。在操作S300，采樣處理時間被存儲在表中，在該表中存儲了關于處理時間的信息(以下稱為“信息存儲表”)。在操作S400，通過將存儲在信息存儲表中的采樣處理時間應用到主處理時間的計算公式來計算主處理時間。在操作S500，基于主處理時間執行和控制相應的制造過程(例如，基于主處理時間來控制主處理的持續時間)。隨著處理的執行，不斷地更新主處理時間。將參考附圖及以下的計算公式更詳細地描述根據本發明實施例的主處理時間的計算。而且，該描述基于作為示例處理的CMP處理。如圖2所示的圖形可以被用來計算或確定采樣處理時間。水平軸(例如，X軸)表示在半導體器件制造過程中使用的易耗品的消耗時間，垂直軸(例如，Y軸)表示所有類型產品公共的轉換因子的比率。通常，對于傳統的或先前處理或實施過的產品，處理時間的轉換因子是基于先前建立的經驗數據來計算的。但是，因為對于新實施的產品沒有計算好的轉換因子，所以需要計算最常用的轉換因子，并需要計算基于或對應于在處理中使用的易耗品的消耗時間的轉換因子的比率。對于每個易耗品的消耗時間，在X-Y坐標系統中標出所有類型產品的轉換因子的比率(也被稱為“轉換因子的預定比率”)，并且所標出的轉換因子的比率被制定為(formulateinto)圖形或公式。所述圖形可以用于計算與在制造新實施的產品的過程中使用的易耗品的消耗時間相對應的、預定或已知的轉換因子的比率。特別地，圖2是圖示關于在銅接觸線處理期間用于去除氧化層的盤(disk)的消耗時間的轉換因子的比率的示意圖。盤的消耗時間越短(即，盤被用于研磨的持續時間越短)，則盤將提供越高的氧化層去除速率，從而處理時間越短，并且因此轉換因子的比率越小。相反，如果消耗時間越長，盤的性能降低，從而導致了處理時間的延長以及更大的轉換因子的比率。由于基于易耗品的消耗時間的轉換因子的比率的圖形能夠基本上被同樣地應用于所有的半導體產品，因此這個圖形可以被用于第一次應用的產品。通過將上面計算的轉換因子的比率(例如，利用圖2的圖形)與用于新實施的產品的轉換因子相乘來計算采樣處理時間。通過將基于或對應于在處理期間產品的增加厚度或減少厚度的轉換因子(CF1)與基于或對應于產品的圖案密度的轉換因子(CF2)相乘來獲得用于新實施的產品的轉換因子。圖3是用于計算與在處理期間產品的增加厚度或減少厚度相對應的轉換因子1(CF1)的示例圖形。特別地，這個圖形描述了在CMP處理期間去除的產品厚度與對應于產品去除厚度的轉換因子CF1之間的關系。水平軸(例如，X軸)表示CMP處理去除的產品的厚度，并以埃為單位表示。垂直軸(例如，Y軸)表示轉換因子CF1，并且沒有以特定的單位來表示。這個示例的圖形是通過在X-Y坐標系中標出每個去除的產品厚度以及與去除的產品厚度相對應的轉換因子CF1而獲得的。可以獲得這個圖示的關系的一般方程。選擇新實施的產品的預期的去除厚度。因此，利用所述圖形，計算或確定適當的轉換因子CF1，作為與新實施的產品的預期去除厚度相對應的轉換因子CF1。雖然轉換因子CF1在該圖形中以特定實數來表示，但該轉換因子CF1也可以在進行歸一化之后再表示。該轉換因子CF1是在沒有考慮產品的圖案密度的情況下的轉換因子。而且，可能包括在圖形中用黑體“I”標注的偏差(deviation)。圖4圖示了用于計算基于產品圖案密度的轉換因子2(CF2)的示例圖形。水平軸(例如，X軸)表示產品的圖案密度，特別表示在形成圖案的局部區域中的圖案密度，并且以百分比來表示。所述以百分比表示的圖案密度是在局部區域中形成圖案的區域的面積與所述局部區域的面積的比。垂直軸(例如，Y軸)表示轉換因子CF2，并且沒有以特定的單位來表示。或者，轉換因子CF2也可以用歸一化的數字來表示。在這個圖形中，轉換因子CF2被表示為關于圖案密度的二次方程(即，y＝ax2+bx+c)。轉換因子CF2還可以使用其它的方程來表示。通過使用適當的測量設備測量特定部分來獲得新實施的產品的圖案密度。在大約100μm的測量部分中，測量結果與圖示的轉換因子CF2的圖形最接近(mostclosely)重合。因此，對于新實施的產品，利用圖案密度的測量設備確定在大約100μm的測量部分內的圖案密度，并且通過在圖4所示的圖形中確定與所測量的圖案密度相對應的轉換因子CF2來計算轉換因子CF2。因此，綜上所述，根據本發明的一些實施例，如下計算新實施的產品的采樣處理時間。確定易耗品的消耗時間并從圖2的圖形中確定相應的預定或已知的轉換因子的比率。選擇將從新實施的產品去除的預期厚度，并從圖3的圖形確定相應的轉換因子CF1。測量新實施的產品的所選擇部分的圖案密度，并從圖4的圖形確定相應的轉換因子CF2。轉換因子CF1和轉換因子CF2彼此相乘以提供用于新實施的產品的轉換因子。這個轉換因子乘以確定的轉換因子的已知比率，從而提供采樣處理時間。然后，將采樣處理時間用于執行相對于操作S200所討論的處理。以下，將更詳細地描述主處理時間的計算。雖然有許多計算公式可以被用來計算主處理時間，但是，作為在本實施例中的示例，使用用于計算CMP處理的研磨時間的公式。用于研磨時間的計算公式可以被定義如下。Tn＝{Tn-1+En}×CFn/CFn-1公式1這里，“Tn”和“Tn-1”分別代表當前操作階段的CMP處理時間和先前(previous)操作階段的CMP處理時間。而“En”、“CFn”和“CFn-1”分別代表關于產品厚度的誤差因子、當前操作階段的CMP處理時間的轉換因子、以及先前操作階段的CMP處理時間的轉換因子。可以與計算傳統產品的研磨時間基本相同地應用研磨時間的計算公式。在新實施的產品的情況下，在初始處理的操作期間輸入的數值可能會改變。換句話說，如果n＝1，所計算的采樣處理時間代入“Tn-1”(即，用作“Tn-1”的值)，而轉換因子“CFn”代入“CFn-1”。在初始處理之后，再將正常的數值代入“Tn-1”和“CFn-1”。誤差因子“En”可以如下表示。En＝{(PoTn-1-PoTTn-1)+(PrTn-PrTTn)-(PrTn-1-PrTTn-1)}/RR公式2這里，“PoTn-1”和“PoTTn-1”分別代表先前CMP處理之后的產品的剩余厚度和先前CMP處理之后的產品的目標厚度。“PrTn”和“PrTTn”分別代表要進行當前CMP處理的產品厚度及其目標厚度。“PrTn-1”和“PrTTn-1”分別代表在當前CMP處理之前產品的厚度及其目標厚度，但是該產品是當前CMP處理之后的產品，并且可以是與要進行當前CMP處理的產品相同或不同的產品。如果產品相同，則第二個括號和第三個括號互相抵消。“RR”代表通過CMP處理產品的平均去除速率。當第一次執行主處理時(即，n＝1)，將數值0代入“PoTn-1”和“PoTTn-1”。考慮到上述各種因子來計算主處理時間，并且隨著制造過程的進行，計算更精確的處理時間。一旦計算出處理時間，CMP處理就被應用到下一個產品，并基于應用到下一個產品的這個CMP處理的結果，再次計算處理時間。根據本發明的實施例，主處理時間計算公式可以應用到沒有任何經驗數據的新實施的產品，因此，即使在新實施的產品中也能夠實現自動處理。如上所述，傳統的半導體制造過程是基于包括各種測試和確定結果的先前建立的經驗數據以及制造者的控制來執行的，并且傳統半導體制造過程對這些提及的因子的依賴會引起處理時間的損失和較差的處理分布。但是，本發明的實施例可以提供一種解決方案來克服這些缺點。圖5是圖示根據本發明的實施例的半導體制造過程的控制系統的框圖。半導體制造過程的控制系統(以下稱為“控制系統”)400包括采樣邏輯單元100、信息存儲表單元200和主處理控制單元300。采樣邏輯單元100計算新應用到制造過程的產品的采樣處理時間。信息存儲表單元200從采樣邏輯單元100接收采樣處理時間，并存儲所接收的采樣處理時間。主處理控制單元300通過將存儲在信息存儲表單元200中的采樣處理時間應用到主處理時間計算公式來計算主處理時間，并控制半導體器件制造過程。主處理控制單元300包括主處理計算單元320和外部裝置控制單元340。主處理計算單元320計算主處理時間，而外部裝置控制單元340基于計算的主處理時間控制外部裝置500。根據一些實施例，控制系統400能夠控制CMP處理、沉積處理、蝕刻處理、和/或清洗處理。特別地，在CMP處理的情況下，外部裝置500是用于執行CMP處理的裝置。上述處理時間計算方法可以應用于控制系統400的處理時間計算邏輯。根據本發明的示例實施例，計算用于新應用到半導體器件制造過程的產品的轉換因子及其比率，然后將所計算的轉換因子及其比率應用到主處理時間計算公式以計算主處理時間。結果，可以實現新產品的自動處理。而且，該自動處理能夠減少處理時間并減少處理分布的程度。前面的描述是對本發明的說明而不應被解釋為對本發明的限制。雖然已經描述的本發明的一些示例性實施例，但是本領域的技術人員將容易地理解，在實質上不脫離本發明的新穎性教導和優點的情況下，可以在所述示例性實施例中進行許多修改。因此，所有這些修改都應當被包括在本發明的保護范圍內。從而，應該理解前面的描述是對本發明的說明而不應當被解釋為限制在所公開的實施例，對所公開的實施例的修改以及其它實施例都應當被包括在本發明的范圍內。權利要求1.一種控制半導體器件制造過程的方法，該方法包括計算第一次應用到半導體器件制造過程的產品的采樣處理時間；基于所計算的采樣處理時間執行對采樣的半導體器件制造過程；通過將采樣處理時間應用到主處理時間公式來計算主處理時間；以及基于主處理時間控制半導體器件制造過程。2.根據權利要求1的方法，包括在信息存儲表中存儲采樣處理時間，以及檢索存儲的采樣處理時間以用于計算主處理時間。3.根據權利要求1的方法，其中，計算采樣處理時間包括確定與在半導體器件制造過程中使用的易耗品的消耗時間相對應的、半導體產品處理時間的轉換因子的預定比率；以及通過將轉換因子的預定比率與所應用的產品的轉換因子相乘來計算采樣處理時間。4.根據權利要求1的方法，其中，計算主處理時間包括使用如下定義的主處理時間計算公式Tn＝{Tn-1+En}×CFn/CFn-1公式1其中，“Tn”、“Tn-1”、“En”、“CFn”和“CFn-1”分別代表當前操作階段的處理時間、先前操作階段的處理時間、關于產品厚度的誤差因子、半導體器件制造過程的當前操作階段的轉換因子、以及半導體器件制造過程的先前操作階段的轉換因子。5.根據權利要求4的方法，其中，計算主處理時間包括如果第一次執行主處理(n＝1)，則將采樣處理時間代入“Tn-1”，將轉換因子“CFn”代入“CFn-1”，并且將“Tn”視為產品的初始主處理時間。6.根據權利要求4的方法，其中，計算主處理時間包括通過將與在半導體器件制造過程期間產品的增加厚度或減少厚度相對應的第一轉換因子與對應于所述產品的圖案密度的第二轉換因子相乘來計算轉換因子“CFn”。7.根據權利要求6的方法，其中，計算主處理時間包括利用與產品的增加厚度或減少厚度相對應的已知轉換因子的圖形或公式來確定第一轉換因子；以及利用與產品的圖案密度相對應的已知轉換因子的圖形或公式來確定第二轉換因子。8.根據權利要求4的方法，其中，計算主處理時間包括利用如下定義的誤差因子En＝{(PoTn-1-PoTTn-1)+(PrTn-PrTTn)-(PrTn-1-PrTTn-1)}/RR公式2其中“PoTn-1”和“PoTTn-1”分別代表先前處理之后的產品的剩余厚度以及先前處理之后的產品的目標厚度；“PrTn”和“PrTTn”分別代表要進行當前處理的產品的厚度及其目標厚度；“PrTn-1”和“PrTTn-1”分別代表在當前處理之前產品的厚度及其目標厚度，其中所述產品是當前處理之后的產品；并且“RR”代表通過所述處理產品的平均去除速率。9.根據權利要求8的方法，其中，計算主處理時間包括如果第一次執行主處理(n＝1)，則將數值0代入“PoTn-1”和“PoTTn-1”中的每一個。10.根據權利要求1的方法，其中，執行半導體制造過程包括執行化學機械研磨(CMP)處理、沉積處理、蝕刻處理、以及清洗處理中的至少一個。11.根據權利要求10的方法，其中，所述主處理是CMP處理，主處理時間是CMP處理時間，并且計算采樣處理時間包括確定與在CMP處理中使用的易耗品的消耗時間相對應的半導體產品的CMP處理時間的轉換因子的預定比率；以及通過將轉換因子的預定比率與所應用的產品的轉換因子相乘來計算用于CMP處理的采樣處理時間。12.根據權利要求11的方法，其中，所述易耗品是用于CMP處理的研磨墊或盤。13.根據權利要求11的方法，其中，計算CMP處理時間包括利用如下定義的CMP處理時間計算公式Tn{Tn-1+En}×CFn/CFn-1公式1其中“Tn”、“Tn-1”、“En”、“CFn”和“CFn-1”分別代表當前操作階段的CMP處理時間、先前操作階段的CMP處理時間、關于產品厚度的誤差因子、CMP處理的當前操作階段的轉換因子、以及CMP處理的先前操作階段的轉換因子。14.根據權利要求13的方法，其中，計算CMP處理時間包括如果第一次執行CMP處理(n＝1)，則將所述CMP處理的采樣處理時間代入“Tn-1”，將CMP處理的轉換因子“CFn”代入“CFn-1”，并且將“Tn”視為產品的初始CMP處理時間。15.根據權利要求13的方法，其中，計算CMP處理時間包括通過將與在CMP處理期間產品的減少厚度相對應的第一轉換因子與對應于所述產品的圖案密度的第二轉換因子相乘來計算轉換因子“CFn”。16.根據權利要求15的方法，其中，計算CMP處理時間包括利用與通過CMP處理產品的減少厚度相對應的已知轉換因子的圖形或公式來確定第一轉換因子；以及利用與產品的圖案密度相對應的已知轉換因子的圖形或公式來確定第二轉換因子。17.權利要求10的方法，其中計算CMP處理時間包括利用如下定義的誤差因子En＝{(PoTn-1-PoTTn-1)+(PrTn-PrTTn)-(PrTn-1-PrTTn-1)}/RR公式2其中“PoTn-1”和“PoTTn-1”分別代表先前CMP處理之后的產品的剩余厚度以及先前CMP處理之后的產品的目標厚度；“PrTn”和“PrTTn”分別代表要進行當前CMP處理的產品的厚度及其目標厚度；“PrTn-1”和“PrTTn-1”分別代表在當前CMP處理之前產品的厚度及其目標厚度，其中所述產品是當前CMP處理之后的產品；并且“RR”代表通過所述CMP處理產品的平均去除速率。18.一種用于半導體器件制造過程的控制系統，該系統包括采樣邏輯單元，用于計算第一次應用到半導體器件制造過程的產品的采樣處理時間；以及主處理控制單元，用于通過將采樣處理時間應用到主處理時間公式來計算主處理時間，并用于控制半導體器件制造過程。19.根據權利要求18的控制系統，包括信息存儲表單元，用于從所述采樣邏輯單元接收采樣處理時間，并存儲所接收的采樣處理時間。20.根據權利要求18的控制系統，其中，所述采樣邏輯單元被配置來通過將與半導體器件制造過程中使用的易耗品的消耗時間相對應的、半導體產品的處理時間的轉換因子的預定比率與所應用的產品的轉換因子相乘來計算采樣處理時間。21.根據權利要求18的控制系統，其中，所述主處理控制單元被配置成利用如下定義的主處理時間計算公式來計算主處理時間Tn＝{Tn-1+En}×CFn/CFn-1公式3其中“Tn”、“Tn-1”、“En”、“CFn”和“CFn-1”分別代表當前操作階段的處理時間、先前操作階段的處理時間、關于產品厚度的誤差因子、半導體器件制造過程的當前操作階段的轉換因子、以及半導體器件制造過程的先前操作階段的轉換因子。22.根據權利要求21的控制系統，其中，如果第一次執行主處理(n＝1)，則將采樣處理時間代入“Tn-1”，將轉換因子“CFn”代入“CFn-1”，并且將“Tn”視為產品的初始主處理時間。23.根據權利要求21的控制系統，其中轉換因子“CFn”是通過將與在半導體器件制造過程期間產品的增加厚度或減少厚度相對應的第一轉換因子與對應于所述產品的圖案密度的第二轉換因子相乘來計算的。24.根據權利要求23的控制系統，其中第一轉換因子是利用與產品的增加厚度或減少厚度相對應的已知轉換因子的圖形或公式來確定的，而第二轉換因子是利用與產品的圖案密度相對應的已知轉換因子的圖形或公式來確定的。25.根據權利要求21的控制系統，其中所述主處理時間是利用如下定義的誤差因子來計算的En＝{(PoTn-1-PoTTn-1)+(PrTn-PrTTn)-(PrTn-1-PrTTn-1)}/RR公式4其中“PoTn-1”和“PoTTn-1”分別代表先前處理之后的產品的剩余厚度以及先前處理之后的產品的目標厚度；“PrTn”和“PrTTn”分別代表要進行當前處理的產品的厚度及其目標厚度；“PrTn-1”和“PrTTn-1”分別代表在當前處理之前產品的厚度及其目標厚度，其中所述產品是當前處理之后的產品；并且“RR”代表通過所述處理產品的平均去除速率。26.根據權利要求18的控制系統，其中，所述半導體制造過程包括化學機械研磨(CMP)處理、沉積處理、蝕刻處理、以及清洗處理中的至少一個。全文摘要提供了一種控制用于新應用的產品的半導體器件制造過程的方法，以及用于該過程的控制系統。根據所述控制方法的實施例，計算第一次應用到半導體器件制造過程的產品的采樣處理時間。基于所計算的采樣處理時間執行半導體器件制造過程。然后，將所存儲的采樣處理時間應用到主處理時間公式以計算主處理時間。在主處理時間的基礎上能夠控制半導體器件制造過程。采樣處理時間可以存儲在信息存儲表中。文檔編號H01L21/304GK1979359SQ20061014865公開日2007年6月13日申請日期2006年11月22日優先權日2005年11月22日發明者黃鎮豪,韓宙撤申請人:三星電子株式會社