專利名稱：金屬氧硅化物的單源混合物的制作方法
背景技術：
已經采用金屬氧硅化物(metal siloxides)化學氣相沉積(CVD)方法，在微電子工業使用的硅基片上沉積穩定的硅酸鹽薄膜，作為門電路的絕緣材料(高介電常數)。單源金屬氧硅化物母體大大地簡化了生產和加工。過去一直使用的典型單源母體，包括Zr(OSiMe3)4、Zr(OSiEt3)4、Hf(PSiEt3)4、Zr[OSi(OtBu)3]4、Hf[OSi(OtBu)3]4、(thd)2Zr(OSiMe3)2和(thd)2Hf(OSiMe3)2。
這些單源金屬氧硅化物的化學氣相沉積，雖然簡化了薄膜生產的某些方面，但將不同的問題引入工藝過程和薄膜組成的設計。例如Zr(OSiMe3)4在室溫下是固體。化合物(thd)2Zr(OSiMe3)2和(thd)2Hf(OSiMe3)2是固體，由于采用體積大的螺紋配體，具有揮發性低的缺點。還發現其它的母體，例如Zr[OSi(OtBu)3]4和Hf[OSi(OtBu)3]4也有較低的揮發性。
對于薄膜用途，優選液體的單源金屬氧硅化物母體，例如Zr(OSiEt3)4和Hf(OSiEt3)4。盡管是液態形式，但在設計獲得薄膜所需的組成時，它們也可能存在一些問題。由于上述每一種液態的金屬氧硅化物，都具有完全限定的金屬Si比例1∶4(0.25)或1∶2(0.5)，所以使設計成為問題。例如Zr(OSiMe3)4具有金屬Si比例1∶4和(thd)2Zr(OSiMe3)2具有金屬Si比例1∶2。為了獲得不同于1∶4和1∶2純絡合物薄膜組成的比例，本領域已經采取使用多源的方法。為了獲得不同于固定比例1∶2和1∶4的金屬Si比例，而采用第二種源的一種技術，是使用含硅的金屬(鋯)源例如Zr(OSiMe3)4和不含硅的金屬(鋯)源例如Zr(OtBu)4的混合物，它們分別以混合物或溶解在溶劑中的形式提供。另一種技術是采用不含金屬的硅化合物例如Si(NMe2)4和金屬氧硅化物化合物例如Zr(OsiMe3)4，它們分別以混合物或溶解在溶劑中的形式提供。另一種技術采用不含金屬的硅化合物例如Si(NMe2)4和含金屬的化合物例如Zr(NEt2)4，它們分別以混合物或溶解在溶劑中的形式提供。
單獨絡合物的單源混合物，將許多問題引入CVD方法中。因為每一種母體的相對沉積速率，由于活化能不同，都明顯地隨溫度和壓力而變化，均勻地控制沉積成絕緣材料薄膜的金屬Si比例是困難的。采用單獨的金屬和硅源，還需要提供多種化學源設備以及按比例提供它們時控制比例的設備。
說明單源母體制備和沉積方法的典型專利和論文如下WO 01/25502公開了在硅基片上的硅酸鋯和硅酸鉿門電路絕緣材料膜。母體金屬化合物包括鋯和鉿等金屬和至少醇鹽或β-二酮酸鹽(diketonate)；不包含硅的第二種母體，提供0.01-0.99的Mx/Si1-x比例。這些母體是使β-二酮例如2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮(Hthd)與懸浮在乙醚中的ZrCl2反應生產的。然后將獲得的化合物按1∶2的mol比例與LiOSiMe3混合，從而生成Zr(thd)2(OSiMe)2。表明有Zr(OSiMe3)4和Zr(OtBu)4混合物沉積。
US 6,238,734公開了金屬化合物或至少二種金屬配位絡合物的混合物在適合半導體制造的基片上的沉積。采用二種或多種金屬配位絡合物的混合物作為母體。配體是相同的，它們選自烷基，醇鹽，鹵化物，氫化物，酰胺，酰亞胺，氮化物，硝酸鹽，環戊二烯基，羰基，和它們的氟、氧、和氮取代的類似物。典型的金屬配位絡合物包括Si(N(CH2CH3)2)、Ti(N(CH2CH3)2)4、Zr(N(CH2CH3)2)4、Hf(N(CH2CH3)2)4、V(N(CH2CH3)2)5、V(N(CH2CH3)2)4、Nb(N(CH2CH3)2)5、Nb(N(CH2CH3)2)4、CH2CH3N＝Nb(N(CH2CH3)2)3、CH3CH2N＝V(N(CH2CH3)2)3、(CH3CH2N＝)2W(N(CH2CH3)2)2、(CH3CH2N＝)2Mo(N(CH2CH3)2)2、和CH3CH2N＝Ta(N(CH2CH3)2)3。
Terry等人在論文“作為MO2·4SiO2(M＝Ti、Zr、Hf)材料母體的三烷氧基甲硅烷氧基絡合物”，化學材料(Chem.Mater.)，1991，3，1001-1003中，公開了基于烷氧基甲硅烷氧基過渡金屬絡合物的陶瓷材料，作為均勻金屬硅酸鹽網絡單源母體的化學路線。采用通式M[OSi(OtBu)3]4的這些絡合物生產MO2·4SiO2材料，式中M＝Ti、Zr、或Hf。一種類型的絡合物，是將HOSi(OtBu)3(4equiv)的甲苯溶液與Ti(NEt2)4一起回流生產的。
發明簡述本發明涉及通式M(L1)x(L2)v-x的母體混合物，式中M是具有2-6價的金屬，L1是陰離子配體，L2是適合生產金屬硅酸鹽穩定薄膜的氧硅化物或甲硅烷基酰胺(silyl amide)配體，v等于金屬的價數，和0＜x＜v。這種連接使其分別存在M-O-Si或M-N-Si鍵。本發明還涉及制備金屬氧硅化物和金屬甲硅烷基酰胺母體混合物的方法。
更具體而言，形成混合物的絡合物用下式表示(R)mM-(O-SiR1R2R3)n和(R)mM-[N-(SiR1R2R3)y(R4)2-y]n式中M是2-6價的金屬，m和n是正整數，m+n等于金屬M的價數，y是1或2。R型基團，即R、R1、R2、R3、和R4是有機配體。它們可以相同或不同。
這里所述的金屬母體絡合物和它們對例如微電子電路中薄膜生成的應用，具有明顯的優點。
具有按預定的M∶Si比例配制金屬/硅氧烷絡合物的能力；具有配制在CVD等沉積過程中使用的單源母體的能力；具有消除與單源母體物理混合物有關的加工困難的能力，例如與不同沉積速率、不同沉積溫度、和組成變化有關的困難；和具有生產具有被限定的金屬Si比例的單源母體的能力，由于單源母體混合物中的單個絡合物具有相近的活化能，所以在各種溫度下具有相近的相對沉積速率這個事實，它們對沉積溫度和沉積壓力的變化比較不靈敏。
附圖
簡述該圖是沉積膜中各種被鑒定元素的濃度作為溫度函數的曲線。
發明詳述本發明涉及M(L1)x(L2)v-x形式的單源金屬氧硅化物母體混合物，當在微電子應用中使用時，式中M是具有2-6價的金屬，一般是Zr、Ti、或Hf，L1是陰離子配體、L2是適合生產金屬硅酸鹽穩定薄膜的氧硅化物或甲硅烷基酰胺配體，v等于金屬的價數，和0＜x＜v。獲得的混合物包含金屬絡合物，其中含硅的陰離子部分通過氧或氮原子與金屬連接，所以存在M-O-Si或M-N-Si鍵。
第2-6族金屬作為金屬有機化學沉積(MOCVD)和制備母體的源試劑，適合合成金屬氧硅化物和甲硅烷基酰胺。典型的金屬和鑭系元素包括鋁、鎵、銦、鉈、錫、鉛、銻、鉍、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鈧、釔、鑭、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、錳、锝、錸、鐵、釕、鋨、鈷、銠、銥、鎳、鈀、鉑、銅、銀、金、鈰、鐠、釹、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、镥、錒、釷、鏷、和鈾。在合成微電子用途的金屬氧硅化物和甲硅烷基酰胺時采用的金屬，優選第4族金屬鋯、鉿、和鈦，以及第5b族金屬鈮、鉭、和釩。對于某些用途，優選第3族金屬鋁、鎵、銦和鉈。
在通式M(L1)x(L2)v-x中的配體L1和L2，在下式中由R型基團R、R1、R2、R3、和R4表示；(R)mM-(O-SiR1R2R3)n和(R)mM-[N-(SiR1R2R3)n(R4)2-y]可以是單齒或多齒的，其中包括C1-8烷基，C1-8醇鹽，芐基，鹵化物，氫化物，酰胺，酰亞胺，氮化物，硝酸鹽，環戊二烯基，羰基，和它們的氟、氧、和氮取代的類似物，β-二酮酸鹽，和N(R5)2，其中R5是C1-8烷基、C1-8醇鹽、C1-8二烷氨基和芐基。如所已知，在單源金屬氧硅化物母體中R-R5基團的類型，對獲得的金屬氧硅化物的性能有影響。應當選擇R基團，以便提供所采用的沉積方法所需性能的類型。液態單源金屬氧硅化物和甲硅烷基酰胺母體，時常采用體積不大的基團，例如甲基、和乙基等。可以采用冠醚和β-二酮，例如這里有時稱做六氟乙酰丙酮的2，4-戊二酮和2，2，6，6-四甲基庚-3，5-二酮。
C1-8烷基的具體實例，包括甲基、乙基、異丙基和叔丁基；芐基，C1-8醇鹽，例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、和異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基；醚類，例如甲基醚、乙醚、和苯基醚等；酰胺、例如甲酰胺、乙酰胺和苯甲酰胺、二甲氨基、二乙氨基、乙基甲氨基、丁氨基、二丙氨基、甲基丙氨基、乙基丙氨基；和胺類，例如二甲胺、二乙胺。重要的是使用相同的或通用的配體，homoleptic配體，以避免現有技術潛在的配體交換問題。
與金屬甲硅烷基酰胺相比，更優選金屬氧硅化物，因為它們非常容易氧化和具有較小的位阻體積(steric bulk)。此外在蒸發前，優選的金屬氧硅化物母體絡合物在室溫下是液體，具有足夠低的粘度，在不引入溶劑或被加熱的源容器或輸送管線的情況下，容許使用提供的純液體源。
金屬氧硅化物單源絡合物一般是，但不只是從金屬氧化物絡合物與甲硅烷醇反應獲得的，甲硅烷醇包括但不限于硅烷二醇和硅烷三醇。有時認為這些硅烷醇是Si的醇鹽類似物。適合生產金屬氧硅化物的硅烷二醇和硅烷三醇的實例包括C1-8烷基硅烷醇、例如三甲基硅烷醇、三乙基硅烷純、三異和三正-丙基硅烷醇、和叔丁基硅烷醇。
甲硅烷基酰胺與氧硅化物相似，但包括用N代替O。甲硅烷基酰胺一般是，但不只是從甲硅烷基胺衍生的，甲硅烷基胺包括但不限于二甲硅烷基胺，例如六甲基二硅氮烷(HMDS)。
制備金屬氧硅化物母體絡合物的一種方法，是使通式M(OR)v的第2-6族金屬絡合物與通式HO-Si(R1R2R3)的硅烷醇反應。可以使金屬氧化物絡合物和硅烷醇或甲硅烷基酰胺，按能獲得不同的金屬對硅摩爾比例的各種摩爾比例反應，過量的配體提供穩定作用。由于有過量的配體，在給定的組成范圍內，M∶Si的比例可以略有變化。為了組成的設計，假定組成的比例接近它們反應的摩爾比例。也是由于這些差別，單金屬氧硅化物或金屬甲硅烷基酰胺材料，是具有預選的M∶Si比例為1∶X的金屬絡合物的均勻混合物，其中0＜X＜v。
可以使用溶劑制備金屬氧硅化物或金屬甲硅烷基酰胺。一般將制備絡合物采用的硅烷醇或甲硅烷基胺溶解在適宜的溶劑中，生成粗制形式的上述混合物。溶劑的實例包括烴類，例如己烷、和辛烷等，醚類，例如四氫呋喃等。
反應產物的純化，是通過在真空下除去溶劑和通過蒸餾進行的。用NMR光譜法和GC-MS鑒定純化的混合物的特征。采用NMR、GC-MS、或其它等價的分析技術，可以分析確定金屬氧硅化物和金屬甲硅烷基酰胺絡合物的實際組成。反應產物將包含至少二種可檢量的具有不同X值的單獨絡合物，所以X的單個值之差是1。
可以采用這種方法生產的金屬絡合物混合物的實例包括[(CH3CH2)2N]mZr[OSi(CH2CH3)3]n；[(CH3CH2)2N]mHf[OSi(CH2CH3)3]n，[(t-C4H9)O]mZr[OSi(CH2CH3)3]n，和[(叔-C4H9)O]mHf[OSi(CH2CH3)3]n。M和n的值＞0而＜4，在這些混合物中m+n＝4。
用以生成金屬硅酸鹽薄膜，例如生成具有基于經驗式限定的Zr∶Si和Hf∶Si比例的鋯和鉿硅酸鹽薄膜的絡合物化學氣相沉積，是使源以液體形式或在具有加熱基片(100-700℃)的蒸氣相中與基片接觸進行的。選擇的基片是硅大圓片。其它沉積方法包括ALCVD、MBE、旋壓(spin-on)和噴霧蒸氣沉積方法。
下面提供一些實施例來說明本發明各種優選的實施方案，但不采用這些實施例限制本發明的范圍。
實施例1具有經驗組成Hf(NEt2)3.15(OEiEt3)0.85的母體的合成具有經驗組成Hf(NEt2)3.15(OSiEt3)0.85的母體的合成，是采用下列方法進行的。所有操作都是在氮和氬氣中在沒有水分和空氣存在的條件下，采用標準的Schlenk和手套箱技術進行的。在手套箱中，稱量Hf(NEt2)4(75.71g，162.3mmol)放入裝有攪拌棒的500ml Schlenk燒瓶中。將己烷(～200ml)加入該燒瓶中。將裝有HOSiEt3(21.3g，161mmol)和己烷(～50ml)的等壓加料漏斗固定到燒瓶上，用玻璃塞蓋好。將反應裝置從手套箱中移出，固定在Schlenk線上。
在加入反應劑前，將反應燒瓶放在干冰/異丙醇浴中。在30-45min內將硅烷醇溶液滴加到反應混合物中。繼續攪拌過夜，同時容許燒瓶和浴上升到室溫，使反應進行完全。
在反應完成后，除掉加料漏斗并換上隔膜。然后在真空中在約5h內除去溶劑。獲得的液體進行真空蒸餾，得到57g呈亮黃色液體的單源母體，采用NMR光譜法分析，其經驗組成為Hf(NEt2)3.15(OSiEt3)0.85，得到的Hf/Si比例為3.7。采用1H和13CNMR和GC-MS鑒定母體的特性。采用GC-MS檢測Hf(NEt2)4(m/z468)和Hf(NEt2)3(OSiEt3)(m/z527)。由于采用GC-MS檢測分解產物二乙胺和六乙基二硅氧烷指出它們在柱上發生一些分解，所以采用1H NMR確定經驗組成。13C NMR光譜表明，還存在Hf(NEt2)4、Hf(NEt2)3(OSiEt3)、和Hf(NEt2)2(OSiEt3)2。
實施例2具有經驗組成Hf(NEt2)1.66(OSiEt3)2.34的母體的合成具有經驗組成Hf(NEt2)1.66(OSiEt3)2.34的母體的合成，是采用下列方法進行的。所有操作都是在氮和氬氣中在沒有水分和空氣存在的條件下，采用標準的Schlenk和手套箱技術進行的。在手套箱中，稱量Hf(NEt2)4(74.96g，160.7mmol)放入裝有攪拌棒的500ml Schlenk燒瓶中。將己烷(～100ml)加入該燒瓶中。將裝有HOSiEt3(47.5g，359mmol)和己烷(～50ml)的等壓加料漏斗固定到燒瓶上，用玻璃塞蓋好。將反應裝置從手套箱中移出，固定在Schlenk線上。
一邊在干冰/異丙醇浴中冷卻反應燒瓶，一邊在約15min內將硅烷醇溶液滴加到反應混合物中。繼續攪拌過夜，同時容許燒瓶和浴上升到室溫。除掉加料漏斗并換上隔膜。然后在真空下在約8h內除去溶劑。獲得的液體進行真空蒸餾，得到63g呈亮橙色液體的母體，采用NMR光譜法分析，具有經驗組成Hf(NEt2)1.66(OSiEt3)2.34，得到的Hf/Si比例為～0.70。采用1H和13C NMR鑒定母體的特性。采用1H NMR光譜積分確定經驗組成。13C NMR光譜表明，還存在Hf(NEt2)3(OSiEt3)、Hf(NEt2)2(OSiEt3)2和Hf(NEt2)(OSiEt3)3。
實施例3具有經驗組成Hf(OtBu)3.30(OSiEt3)0.70的母體的合成具有經驗組成Hf(OtBu)3.30(OSiEt3)0.70的母體(Hf/Si的比例為～4.7)的合成，是采用下列方法進行的。所有操作都是在氮和氬氣中在沒有水分和空氣存在的條件下，采用標準的Schlenk和手套箱技術進行的。在手套箱中，稱量Hf(OtBu)4(81.80g，173.7mmol)放入裝有攪拌棒的500mlSchlenk燒瓶中。將己烷(～200ml)加入該燒瓶中。將裝有HOSiEt3(23.01g，173.9mmol)和己烷(～10ml)的等壓加料漏斗固定到燒瓶上，用玻璃塞蓋好。將反應裝置從手套箱中移出，固定在Schlenk線上。
一邊在干冰/異丙醇浴中冷卻反應燒瓶，一邊在約50min內將硅烷醇溶液滴加到反應混合物中。繼續攪拌過夜，同時容許燒瓶和浴上升到室溫后。除掉加料漏斗并換上隔膜。然后在真空下在約10h內除去溶劑。獲得的黃色渾濁液體進行真空蒸餾，得到73.45g呈無色透明液體的母體，采用NMR光譜法分析，具有經驗組成Hf(OtBu)3.30(OSiEt3)0.70。采用1H和13CNMR鑒定母體的特性。采用1H NMR光譜積分確定經驗組成。NMR光譜表明，還存在Hf(OtBu)4和Hf(OtBu)3(OSiEt3)1。
實施例4Hf硅酸鹽薄膜的化學氣相沉積由具有經驗組成Hf(NEt2)1.66(OSiEt3)2.34的母體中，化學氣相沉積Hf硅酸鹽薄膜。通過液體輸送，將液態母體輸送到蒸發器中，和輸送到CVD反應室中。母體在氧化環境中在加熱的基片上(200-800℃)發生反應，生成Hf硅酸鹽薄膜。采用RBS測定，在獲得的薄膜中，基于絡合物的經驗式，Si/Hf比例為0.62-0.71。Si/Hf比例對沉積溫度相對不夠靈敏。
圖中的曲線表明，在獲得的膜中Si∶Hf的mol比例隨溫度沒有明顯的變化。因此，在整個基片上加熱的差異，不會在整個基片上產生組成梯度，這對確保裝置的操作性能是個關鍵。伴隨半導體工業采用較大尺寸基片的趨勢，這個優點甚至比采用根本不同的化合物的物理混合物作為母體更為顯著。
雖然已就幾個優選的實施方案敘述了本發明，但本發明的范圍應根據后面的權利要求確定。
權利要求
1.一種具有下列經驗式的金屬氧硅化物或甲硅烷基酰胺母體混合物M(L1)x(L2)v-x式中M是具有2-6價的金屬，L1是陰離子配體，L2是適合生產穩定的金屬硅酸鹽薄膜的氧硅化物或甲硅烷基酰胺配體，v等于金屬的價數，和0＜x＜v，分別具有M-O-Si或M-N-Si鍵。
2.權利要求1的金屬氧硅化物或甲硅烷基酰胺母體混合物，該混合物是由下列經驗式表示的絡合物組成(R)mM-(O-SiR1R2R3)n和(R)mM-[N-(SiR1R2R3)y(R4)2-y]nR、R1、R2、R3和R4是單齒或多齒配體，它們選自C1-8烷基、C1-8醇鹽、芐基、醚類、鹵化物、氫化物、酰胺、酰亞胺、氮化物、硝酸鹽、環戊二烯基、羰基、β-二酮酸鹽、N(R5)2、以及它們的氟、氧、和氮取代的類似物，其中R5與R、R1、R2、R3和R4具有相同的含義，m+n等于金屬的價數(v)，y是1或2。
3.權利要求2的金屬氧硅化物或甲硅烷基酰胺母體混合物，其中M選自第3-5族的金屬。
4.權利要求3的金屬氧硅化物或甲硅烷基酰胺母體絡合物，其中R、R1、R2和R3選自C1-8烷基、芐基、C1-8醇鹽、環戊二烯基、羰基、β-二酮酸鹽、和N(R5)2，其中R5是C1-8烷基、C1-8醇鹽、C1-8二烷氨基和芐基。
5.權利要求4的金屬氧硅化物或甲硅烷基酰胺母體絡合物，其中β-二酮酸鹽是從2，4-戊二酮和2，2，6，6-四甲基庚烷-3，5-二酮衍生的。
6.權利要求4的金屬氧硅化物或甲硅烷基酰胺母體絡合物，其中的絡合物用下式表示(R)mM-(O-SiR1R2R3)n。
7.權利要求6的金屬氧硅化物母體絡合物，其中R、R1、R2和R3選自甲基、乙基、異丙基、和叔丁基；芐基；甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、二甲氨基、和二乙氨基。
8.權利要求7的金屬氧硅化物母體絡合物，其中M是第4族金屬，選自鋯和鉿。
9.權利要求8的金屬氧硅化物母體絡合物，其中R1、R2和R3是甲基或乙基。
10.權利要求9的金屬氧硅化物母體絡合物，其中R是叔丁氧基，R1R2和R3是乙基。
11.權利要求8的金屬氧硅化物母體絡合物，其中R是(CH3CH2)2N，R1R2和R3是乙基。
12.權利要求4的金屬氧硅化物或甲硅烷基酰胺母體絡合物，其中M是第3族金屬或鑭系元素，選自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、和Lu。
13.權利要求12的金屬氧硅化物或甲硅烷基酰胺母體絡合物，其中β-酮酸鹽是從2，4-戊二酮和2，2，6，6-四甲基庚烷-3，5-二酮衍生的。
14.權利要求12的金屬氧硅化物或甲硅烷基酰胺母體絡合物，其中R、R1R2R3和R4選自甲基、乙基、異丙基、和叔丁基；甲基醚、乙醚、苯基醚；甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丁氧基、仲丁氧基、和叔丁氧基、二甲氨基、和二乙氨基。
15.權利要求4的金屬氧硅化物或甲硅烷基酰胺母體絡合物，其中M是第5族金屬，選自V、Nb、和Ta。
16.權利要求4的金屬氧硅化物或甲硅烷基酰胺母體絡合物，其中M是第3族金屬，選自Al、Ga、In、和T1。
17.權利要求4的金屬氧硅化物或甲硅烷基酰胺母體絡合物，該絡合物用下式表示(R)mM-[N-(SiR1R2R3)y(R4)2-y]nM選自鉿和鋯，R是叔丁氧基、或二乙氨基、或二甲氨基，R1、R2R3和R4是甲基或乙基。
18.生產權利要求4的用下列經驗式表示的金屬氧硅化物母體絡合物的方法，(R)mM-(O-SiR1R2R3)n式中M是一種2-6價的金屬，R、R1、R2、R3和R4是單齒或多齒的配體，該方法包括下列步驟(a)使選自通式為M(OR)4和M(NR2)4的金屬絡合物與通式HO-Si-R1R2R3n的甲硅烷醇反應，其中R、R1、R2和R3具有上述的含義。
19.權利要求18的方法，其中金屬M選自鉿和鋯。
20.權利要求19的方法，其中R是乙基或叔丁基，R1、R2和R3是乙基。
21.通式Hf(O-t-Bu)m(OSiEt3)n的金屬氧硅化物母體混合物，其中m和n是正整數，m+n＝4，鉿是處于+4價氧化態。
22.通式Hf(NEt2)m(OSiEt3)n的金屬氧硅化物母體混合物，其中m和n是正整數，m+n＝4，鉿是處于+4價氧化態。
全文摘要
本發明涉及通式為M(L
文檔編號H01L21/02GK1492073SQ0315563
公開日2004年4月28日 申請日期2003年8月29日 優先權日2002年8月30日
發明者R·D·克拉克, A·K·霍克伯格, R D 克拉克, 霍克伯格 申請人:氣體產品與化學公司