專利名稱：一種肖特基二極管的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及半導體器件。具體說涉及一種肖特基二極管。
背景技術：
肖特基二極管是利用金屬與半導體之間接觸勢壘進行工作的一種多數載流子器件，它包括由重摻雜硅襯底和輕摻雜的硅外延層構成的硅外延片，設在襯底背面的歐姆接觸電極，在硅外延層的上方有周邊圍了二氧化硅的勢壘金屬，勢壘金屬上方設置有金屬電極。在本實用新型作出前，傳統的硅基肖特基二極管的硅外延層厚度均在2μm以上，它的截止頻率較低，使應用場合受到極大限制，已無法適應通訊、微波技術的發展。

發明內容
本實用新型的目的是提供一種肖特基二極管。它包括由重摻雜硅襯底和硅外延層構成的硅外延片，歐姆接觸電極，周邊圍有二氧化硅的勢壘金屬和金屬電極，其特征是所說的硅外延層的厚度為0.4μm～1μm，外延層摻雜濃度為1×1015cm-3～1×1017cm-3。
本實用新型采用了外延層厚度為亞微米的超薄硅外延片及合適的摻雜濃度，能有效降低器件的串聯電阻和結電容，大幅度提高截止頻率，試驗表明，可使截止頻率高達40GHz～80GHz，本實用新型的一種肖特基二極管拓寬了硅基器件在高頻領域的應用，能廣泛用于微波混頻、檢波及超高速開關電路中。


附圖是肖特基二極管結構示意圖。
具體實施方式
參照附圖，本實用新型的肖特基二極管包括重摻雜硅襯底1和硅外延層3構成的硅外延片，設在襯底背面的歐姆接觸電極2，硅外延層的厚度為0.4μm～1μm，硅外延層的摻雜濃度為1×1015cm-3～1×1017cm-3，通常，用磷摻雜或砷摻雜，在硅外延層的上方有周邊圍了二氧化硅6的勢壘金屬4，在勢壘金屬的上方設置有金屬電極5。
權利要求1.肖特基二極管，包括由重摻雜硅襯底(1)和硅外延層(3)構成的硅外延片，歐姆接觸電極(2)，周邊圍有二氧化硅的勢壘金屬(4)和金屬電極(5)，其特征是所說的硅外延層的厚度為0.4μm～1μm，外延層摻雜濃度為1×1015cm-3～1×1017cm-3。
2.按權利要求1所述的肖特基二極管，其特征是硅外延層的摻雜為磷或砷。
專利摘要本實用新型的肖特基二極管包括由重摻雜硅襯底和硅外延層構成的硅外延片，歐姆接觸電極，周邊圍有二氧化硅的勢壘金屬和金屬電極，其特征是所說的硅外延層的厚度為0.4μm～1μm，外延層摻雜濃度為1×10
文檔編號H01L29/66GK2562372SQ02265178
公開日2003年7月23日 申請日期2002年6月26日 優先權日2002年6月26日
發明者葉志鎮, 張海燕, 黃靖云, 李蓓 申請人:浙江大學