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一種新穎的高性能基板結構的制作方法

文檔序號(hao):7191943閱讀:278來源:國知局
專利名稱:一種新穎的高性能基板結構的制作方法
技術領域
本發明涉及基板,尤其涉及一種應用于芯片封裝的基板結構。
背景技術
基板是芯片封裝技術中所使用的一個部件。其結構一般如圖1所示。下面請參見圖1和圖2。現有基板多應用層壓板的技術,分兩層、四層及多層結構。由BT材料形成多層基層1結構,并在基層1之間布置電路層2。通過在基層1鉆過孔3,并電鍍過孔3,以連接各層之間的電路層2。對芯片封裝時,通過焊線4將芯片5與基板內的電路層2互連,再由基板上的焊球9連接到印制線路板上(PCB)。
然而,在集成電路的封裝領域,隨著集成電路的密集程度在不斷的增加,同時封裝尺寸在不斷變小,導致芯片產生的熱量就越來越集中。封裝中的散熱問題就越發關鍵。原有的基板由于采用散熱性能較差的BT材料作為基材,而通過在芯片下面制作通孔3,并植導熱球6的方式導熱,不能夠滿足大功率產品的散熱要求。

發明內容
因此,本發明的目的在于提供一種散熱性能良好的基板結構,以支持更大功率的芯片產品的封裝要求。
本發明的另一目的在于提供一種具有有效接地的基板結構,改善產品的電性能。
根據上述目的,本發明提供一種基板結構,包括一層或多層基層、形成在基層上或基層間的電路層、以及電連接所述電路層的過孔,其特征在于,所述基板的中心區域,設置有金屬區作為芯片座,所述金屬區與所述一層或多層基層之間通過非導電膠體連接。
如上述的基板結構中,所述金屬區的下部向下凸出基層。
如上所述,本發明的主要改進點在于,在基板的中心區域,由原來的不散熱的BT材料,改為金屬材料。而封裝時,芯片就設置于該金屬區上,芯片通過導熱材料粘接劑粘接到金屬區上,這樣,可以將芯片工作時產生的熱量有效地散發出去。


圖1為已知技術的基板結構圖;圖2為已知技術的基板與芯片的電路連接示意圖;圖3為本發明的基板結構示意圖;圖4為本發明基板的俯視圖;圖5為本發明的基板應用于芯片封裝的示意圖;圖6示出了本發明的基板的進一步改進以及應用于封裝及與PCB組裝的示意圖。
具體實施例方式
下面參照附圖詳細描述本發明的具體實施例。
如圖3所示,本發明在基板的周邊仍采用原來的基板結構,仍然通過BT材料形成一層或多層基層1(所有實施例中,都以多層基層為例來說明,但應當理解,一層結構也同樣適用)。在基層1之間設置有多層電路層2,各電路層2之間通過過孔3來電連接。
本發明的基板結構的不同之處在于在基板的中心區域,不再是BT材料的多層結構,而是整個一塊金屬區7,作為芯片座。材料可以選用例如銅等。這個整塊的金屬區7,通過不導電的膠體8,如Polyamide,與周圍的BT材料基層1連接在一起。金屬區7露在基板表面的形狀可以是各種圖形,例如正方形(如圖4所示)、圓形等,這些形狀也可以與待封裝的芯片的外形相配合。
如圖5所示,本發明的基板,應用于芯片封裝技術的方式與普通基板無太多不同之處,也是通過焊線4將芯片5的引腳與基板的電路層2電路連接,并通過設置于基板上的焊球9與外電路(例如通過印刷電路板)連接。如此,芯片5可直接通過導熱粘接劑10粘接到基板的金屬區7上,芯片5產生的熱可以迅速通過粘結劑10和金屬區7向下傳遞,達到很好的散熱效果。
在本發明的另一個實施例中,如圖6所示,金屬區7還可以比基板部分更厚,在金屬區的下部向下凸出基層2。這樣在與印刷電路板13焊接的過程中,通過導熱材料11將金屬區7與印刷電路板13上的金屬部分12粘接,更快地將芯片的熱量散發出去。此外,如果將電路的地極接在金屬塊7上,還可以使接地更穩定,提高芯片工作電性能。
權利要求
1.一種基板結構,包括一層或多層基層、形成在基層上或基層間的電路層、以及電連接所述電路層的過孔,其特征在于,所述基板的中心區域,設置有金屬區作為芯片座,所述金屬區與所述一層或多層基層之間通過非導電膠體連接。
2.如權利要求1所述的基板結構,其特征在于,所述金屬區的下部向下凸出基層。
全文摘要
本發明提供一種應用于芯片封裝的基板結構。傳統的基板由于散熱性的問題,不能適應目前的大功率芯片對散熱性能的要求。本發明提供的基板結構,包括一層或多層基層、形成在基層上或基層間的電路層、以及電連接所述電路層的過孔,所述基板的中心區域,設置有金屬區作為芯片座,所述金屬區與所述一層或多層基層之間通過非導電膠體連接。本發明的主要改進點在于,在基板的中心區域,由原來的不散熱的BT材料,改為金屬材料。而封裝時,芯片就設置于該金屬區上,芯片通過導熱材料粘接劑粘接到金屬區上,這樣,可以將芯片工作時產生的熱量有效地散發出去。
文檔編號H01L23/12GK1508863SQ0215517
公開日2004年6月30日 申請日期2002年12月18日 優先權日2002年12月18日
發明者陸昕, 陸 昕 申請人:威宇科技測試封裝(上海)有限公司
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