存儲器系統和包括所述存儲器系統的用戶裝置的制造方法【專利說明】[0001]本申請要求于2013年12月4日在韓國知識產權局提交的第10-號韓國專利申請和于2014年8月22日提交的第14/466,187號美國專利申請的優先權，所述專利申請的全部內容通過引用合并于此。
技術領域：
[0002]這里描述的本發明構思涉及一種半導體存儲器裝置，更具體地講，涉及一種非易失性存儲器裝置和/或用于控制該非易失性存儲器裝置的存儲器控制器。【
背景技術：
】[0003]通常，半導體存儲器被認為是數字邏輯系統設計（諸如從衛星到消費電子的基于計算機和微處理器的應用）的最重要的微電子組件。因此，包括通過擴展到更高密度和更快速度的工藝改進和技術發展的半導體存儲器的制造上的進步有助于建立用于其他數字邏輯系列的性能標準。[0004]半導體存儲器裝置可表征為易失性隨機存取存儲器（RAM)或非易失性存儲器裝置。在RAM中，通過諸如在靜態隨機存取存儲器（SRAM)中設置雙穩態觸發器的邏輯狀態或者通過如在動態隨機存取存儲器（DRAM)中對電容器充電來存儲邏輯信息。在任一情況下，只要施加了電力就可讀出和存儲數據，而當電力斷開時數據會丟失，因此，這些存儲器被稱作易失性存儲器。[0005]諸如掩膜只讀存儲器（MROM)、可編程只讀存儲器（PROM)、可擦除可編程只讀存儲器（EPROM)和電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM)的非易失性存儲器能夠甚至在電力斷開時也存儲數據。非易失性存儲器數據存儲模式可根據使用的制造技術而是永久的或可重復編程的。非易失性存儲器用于計算機、航空、電信和消費者電子行業的各種各樣的應用中的程序和微代碼存儲。單芯片易失性以及非易失性存儲器存儲模式的組合也可用于諸如非易失性SRAM(nvSRAM)的裝置中以在需要快速、可編程非易失性存儲器的系統中使用。另外，已經發展了幾十個專用存儲器架構，其中，包含用于優化其特定應用任務的性能的一些額外邏輯電路。[0006]電荷擷取閃存（CTF)技術現正被應用于非易失性存儲器裝置。CTF技術是用于實現非易失性NOR和NAND閃存的半導體存儲器技術。CTF技術與傳統的浮柵MOSFET技術的不同之處在于，CTF技術使用氮化硅膜來存儲電子，而不是浮柵結構的摻雜的多晶硅類型。這種方法允許存儲器制造商降低制造成本的五種方式：（1)需要更少的工藝步驟形成電荷存儲節點；（2)可使用更小的工藝尺寸（從而減小芯片尺寸和成本）；（3)可在單個閃存單元上存儲多個比特；(4)提高的可靠性；（5)由于電荷擷取不易受隧道氧化層中的點缺陷而導致更高的產率。【
發明內容】[0007]至少一個實施例涉及一種從存儲器讀取的方法。[0008]在一個實施例中，所述方法包括：接收用于從存儲器的存儲器區域讀取數據的讀取請求；確定存儲器區域的標識符是否存儲在特性表的多個條目中的一個條目中。所述多個條目中的每個條目與不同范圍的至少一個存儲器區域特性相關聯，并且所述多個條目中的每個條目與不同的讀取條件信息相關聯。所述方法還包括：如果所述確定步驟確定存儲器區域的標識符存儲在特性表的多個條目中的一個條目中，則獲得與存儲了存儲器區域的標識符的條目相關聯的讀取條件信息；控制存儲器使用獲得的讀取條件信息從存儲器區域讀取數據。[0009]至少一個實施例涉及一種管理讀取條件信息的方法。[0010]在一個實施例中，所述方法包括：將存儲器區域的標識符存儲在特性表的多個條目中的一個條目中。所述多個條目中的每個條目與不同范圍的至少一個存儲器區域特性相關聯，并且所述多個條目中的每個條目與不同的讀取條件信息相關聯。所述存儲步驟基于存儲器區域的存儲器區域特性，將存儲器區域的標識符存儲在所述多個條目中的一個條目中。[0011]至少一個實施例涉及一種存儲器控制器。[0012]在一個實施例中，所述存儲器控制器包括：緩沖器，被配置為存儲特性表。所述特性表包括多個條目。所述多個條目中的每個條目與不同范圍的至少一個存儲器區域特性相關聯，并且所述多個條目中的每個條目與不同的讀取條件信息相關聯。所述存儲器控制器還包括：處理器，被配置為接收用于從存儲器的存儲器區域讀取數據的讀取請求，確定存儲器區域的標識符是否存儲在特性表的多個條目中的一個條目中，如果所述確定操作確定存儲器區域的標識符存儲在特性表的多個條目中的一個條目中，則獲得與存儲了存儲器區域的標識符的條目相關聯的讀取條件信息，以及控制存儲器使用獲得的讀取條件信息從存儲器區域讀取數據。[0013]在另一實施例中，所述存儲器控制器包括：緩沖器；以及處理器，被配置為將存儲器區域的標識符存儲在特性表的多個條目中的一個條目中，其中，所述特性表存儲在緩沖器中。所述多個條目中的每個條目與不同范圍的至少一個存儲器區域特性相關聯，并且所述多個條目中的每個條目與不同的讀取條件信息相關聯，并且所述處理器被配置為基于存儲器區域的存儲器區域特性將存儲器區域的標識符存儲在所述多個條目中的一個條目中。【附圖說明】[0014]從下面參照以下附圖進行的描述，上述和其他目的和特征將變得清楚，其中，除非另外指出，否則相同的參考標號在各個圖中始終表示相同的部件，其中：[0015]圖1是示意性示出電荷擷取閃存單元的垂直結構的示圖；[0016]圖2是示出由于快速電荷損耗現象而導致的CTF單元的閾值電壓的變化的示圖；[0017]圖3是示出根據快速電荷損耗現象變化的閾值電壓分布的示圖；[0018]圖4是示意性示出根據本發明構思的實施例的存儲器系統的框圖；[0019]圖5是示意性示出根據本發明構思的實施例的在圖4中示出的存儲器控制器的時標表（timemarktable)的不圖；[0020]圖6是示意性示出根據本發明構思的實施例的在圖4中示出的存儲器控制器的框圖；[0021]圖7是示意性示出根據本發明構思的實施例的在圖4中示出的存儲介質的框圖；[0022]圖8A是示意性示出根據本發明構思的實施例的存儲器系統的寫入流程的示圖；[0023]圖8B是示意性示出根據本發明構思的實施例的存儲器控制器的編程控制方法的流程圖；[0024]圖8C示出了示意性示出根據本發明構思的實施例的存儲器控制器的編程控制方法的流程圖；[0025]圖9示出隨時間改變的時標表的示例；[0026]圖10是示意性示出根據本發明構思的實施例的存儲器系統的讀取流程的示圖；[0027]圖11是示意性示出根據本發明構思的實施例的存儲器控制器的讀取控制方法的流程圖；[0028]圖12是示出由于快速電荷損耗現象變化的CTF單元的閾值電壓的曲線圖；[0029]圖13是示意性示出根據本發明構思的實施例的存儲器塊的三維結構的透視圖；[0030]圖14是示意性示出在圖13中示出的存儲器塊的等效電路的電路圖；[0031]圖15是示意性示出根據本發明構思的實施例的計算系統的框圖；[0032]圖16是示意性示出根據本發明構思的實施例的固態驅動器的框圖；[0033]圖17是示意性示出使用圖16中的固態驅動器的存儲器的框圖；[0034]圖18是示意性示出使用圖16中的固態驅動器的存儲服務器的框圖；[0035]圖19是示意性示出根據本發明構思的實施例的嵌入式存儲器的框圖；[0036]圖20是示意性示出根據本發明構思的實施例的通信裝置的框圖；[0037]圖21是示意性示出應用了根據本發明構思的實施例的固態驅動器裝置的系統的示圖；[0038]圖22是示意性示出根據本發明構思的實施例的存儲卡的框圖；[0039]圖23是示意性示出根據本發明構思的實施例的數字靜態相機的框圖；[0040]圖24是示意性示出應用了圖22中的存儲卡的各種系統的示圖。【具體實施方式】[0041]將參照附圖詳細描述實施例。然而，本發明構思可以以多種不同形式實施，并且不應被解釋為僅受限于所示出的實施例。相反，提供這些實施例作為示例使得本公開將是徹底和完整的，并且這些實施例將把本發明構思的構思完全傳達給本領域技術人員。因此，針對本發明構思的一些實施例，不描述公知的處理、元件和技術。除非另外標注，否則相同的參考標號在整個附圖和撰寫的說明書中表示相同的元件，并因此將不重復描述。在附圖中，為了清楚，可夸大層和區域的尺寸和相對尺寸。[0042]將理解，雖然在此可使用術語"第一"、"第二"、"第三"等來描述各種元件、組件、區域、層和/或部件，但是這些元件、組件、區域、層和/或部件不應受這些術語限制。這些術語僅用于將一個元件、組件、區域、層或部件與另一元件、組件、區域、層或部件區分開來。因此，在不脫離本發明構思的教導的情況下，以下討論的第一元件、組件、區域、層或部件可被命名為第二元件、組件、區域、層或部件。[0043]為了易于描述，在此可使用諸如"在…之下"、"在…下面"、"下面"、"在…下方"、"在…上面"、"上面"等的空間相對術語，以描述如附圖中示出的一個元件或特征與其它元件或特征的關系。將理解，空間相對術語意在包含除了附圖中描繪的方位以外的裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的裝置被翻轉，則被描述為"在其它元件或特征下面"或"在其它元件或特征之下"或"在其它元件或特征下方"的元件將被導向為"在所述其它元件或特征上面"。因此，示例性術語"在…下面"和"在…下方"可包含上面和下面兩個方位。裝置可位于其它方位（旋轉90度或處于其它方位），并且在此使用的空間相對描述符將被相應地解釋。此外，還將理解，當層被稱為在兩個層"之間"時，該層可以是該兩個層之間僅有的層，或還可以存在一個或更多個中間層。[0044]在此使用的術語僅用于描述特定實施例的目的，而不意在限制本發明構思。如這里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否則單數形式也意在包括復數形式。還將理解，當在本說明書中使用時，術語"包括"和/或"包含"指定所敘述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但不排除一個或更多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合的存在或添加。如這里所使用的，術語"和/或"包括關聯列出項中的一個或更多個的任何組合和所有組合。此外，術語"示例性"意在表示示例或說明。[0045]將理解，當元件或層被稱為"在"另一元件或層"上"、"連接到"另一元件或層、"耦接到"另一元件或層或者與另一元件或層"相鄰"時，該元件或層可直接在該另一元件或層上、直接連接到該另一元件或層、直接耦接到該另一元件或層或者與該另一元件或層直接相鄰，或者可存在中間元件或層。相反，當元件被稱為"直接在"另一元件或層"上"、"直接連接到"另一元件或層、"直接耦接到"另一元件或層或者"緊鄰"另一元件或層時，不存在中間當前第1頁1 2 3 4 5 6