具有抗沖擊能力的殼體諧振器的制造方法
【專利摘要】本發明公開了一種具有抗沖擊能力的殼體諧振器，其包括一個半球諧振子；一個封裝和垂直互連的基底；多個嵌入基底的非平面電極；一個用于真空封裝的玻璃封裝殼蓋；半球諧振子由殼體、位于殼體內部中心軸處的自對準柱子組成，半球諧振子內表面涂有一層導電層，通過一層導電包裹層與引出結構連接引出；基底嵌入有多個非平面電極；引出結構和多個非平面電極在基底背面通過導電引出層引線引出；基底與玻璃封裝殼蓋通過鍵合實現真空封裝。本發明的半球諧振子直徑尺寸在1mm?30mm。本發明能夠實現殼體諧振器的真空封裝和垂直互連，同時提高環境魯棒性和抗沖擊能力。
【專利說明】
具有抗沖擊能力的殼體諧振器
技術領域
[0001]本發明涉及一種振動諧振器，具體地涉及具有抗沖擊能力的殼體諧振器。
【背景技術】
[0002]發明專利“微玻璃半球諧振陀螺及其圓片級制備方法”(專利申請號:201510963681.6)提出了一種利用熱發泡工藝制備高深寬比的微玻璃半球諧振子，本發明專利申請可視為發明專利“微玻璃半球諧振陀螺及其圓片級制備方法”的延續與拓展。
[0003]微半球諧振陀螺由于其結構的特殊性和優異的特性，有望實現慣性級性能。目前多家單位正在研制微半球諧振陀螺，利用新穎的三維制備技術或硅基表面加工技術，以實現半球諧振陀螺的微型化和批量制備，通過設計和制備工藝的改進實現半球諧振陀螺的高性能。這些研究大體可分為兩大類:表面薄膜沉積技術和塑性成型技術。表面薄膜沉積技術主要特征在于將結構材料沉積在半球或類半球腔表面上(或表面犧牲層上)；塑性成型技術主要特征在于在高溫環境下利用表面張力將軟化的無定形材料成型為帶柱子的半球殼或類半球殼結構。第一類技術的難點在于半球或類半球腔的制備，半球諧振陀螺要求極高的對稱性，具體表現在殼體的半徑、厚度、密度、楊氏模量等在圓周方向高度一致，而硅基表面加工技術的精度在10—2-10—4，因此需進一步改進加工技術提高半球殼的對稱性，同時改進設計降低半球諧振陀螺對高對稱性的敏感性。第二類技術的難點在于無定形材料的加工技術，如在高溫處理無定形材料后結構的釋放、金屬化。除此之外，電極的一體化制備或組裝以及真空封裝均是設計和制備上的難點。
[0004]在實現低成本、小尺寸、輕重量和低功耗的基礎上，慣導級性能的半球諧振陀螺主要應用在兩種平臺:高動態平臺和長期工作平臺。無論應用在軍事領域或民用領域，半球諧振陀螺均需提高環境魯棒性和抗沖擊能力。外界環境干擾振動通常在5Hz-5kHz范圍內，而抗沖擊能力要求大于20000g甚至50000g。這種情況下，半球諧振陀螺的工作頻率需大于5kHz ;同時由于半球諧振陀螺與襯底的唯一連接部分為柱子部分，因此在設計上需解耦柱子振動、環境干擾振動與殼體工作振動。

【發明內容】

[0005]針對上述現有技術的不足，本發明的目的是提供一種具有抗沖擊能力的殼體諧振器，實現半球諧振陀螺的真空封裝和垂直互連，同時提高環境魯棒性和抗沖擊能力。
[0006]為實現上述目的，本發明采用以下技術方案:
[0007]—種具有抗沖擊能力的殼體諧振器，包括:
[0008]—個半球諧振子；
[0009]一個封裝和垂直互連的基底；
[0010]多個嵌入基底的非平面電極；
[0011 ] 一個用于真空封裝的玻璃封裝殼蓋；
[0012]其中，所述半球諧振子由殼體、位于殼體內部中心軸處的自對準柱子組成，殼體的內表面、自對準柱子的表面均涂有一層導電層;所述自對準柱子插入所述封裝和垂直互連的基底中，通過一層導電包裹層與引出結構連接引出；所述封裝和垂直互連的基底中嵌入有多個非平面電極，多個非平面電極包括驅動檢測電極，其中包含偶數個驅動電極、偶數個檢測電極;所述引出結構和多個非平面電極在封裝和垂直互連的基底背面通過導電引出層引出；所述用于真空封裝的玻璃封裝殼蓋通過鍵合的方式與封裝和垂直互連的基底真空封裝，并在真空封裝后的腔室內放置有吸氣劑。
[0013]進一步的，多個非平面電極中還包括一個環形激勵電極。
[0014]進一步的，所述半球諧振子由熱發泡工藝制備而成;所述半球諧振子直徑范圍為;所述半球諧振子的結構材料為無定形材料，所述無定形材料為硼娃酸鹽玻璃、石英玻璃、超低膨脹系數玻璃鈦硅酸鹽玻璃或金屬玻璃的一種;所述半球諧振子的殼體厚度從圓周處到極點沿經度方向減小，殼體圓周處的厚度范圍為20um-800um;所述半球諧振子的深寬比范圍為0.5-1.5;所述半球諧振子在基底上的投影區域在非平面電極內邊沿和外邊沿之間；涂在殼體的內表面的導電層材料為半導體材料或金屬材料，導電層厚度范圍為Inm-1OOnm0
[0015]進一步的，所述半球諧振子的殼體的端部設置有緣邊，緣邊內表面也涂有導電層，緣邊厚度和長度范圍均為50um-800umo
[0016]進一步的，所述自對準柱子表面的導電層的材料與殼體內表面的導電層材料一致，導電層厚度范圍為Inm-1OOnm;所述自對準柱子插入封裝和垂直互連的基底中，通過一層導電包裹層與引出結構連接引出或直接插入至基底底部;所述自對準柱子插入基底中的深度大于50um或等于基底厚度。
[0017]進一步的，所述封裝和垂直互連的基底為復合型基底，由電極部分和主體部分組成，或者由電極部分、引出結構和主體部分組成，主體部分的材料為硅或玻璃;所述封裝和垂直互連的基底嵌入有多個非平面電極和引出結構;所述引出結構為圓柱體、長方柱或帶扇形柱的圓柱體;所述引出結構材料為導電材料，所述導電材料為高摻雜導電硅、因瓦合金、金屬或金屬玻璃的一種;所述引出結構的尺寸大于自對準柱子，尺寸范圍為100um-5mm。
[0018]進一步的，所述多個嵌入基底的非平面電極的材料為導電材料，所述導電材料為高摻雜導電娃、因瓦合金、金屬或金屬玻璃的一種；多個驅動檢測電極為扇形圓環，并中心對稱。
[0019]進一步的，所述用于真空封裝的玻璃封裝殼蓋由熱發泡工藝制備而成;所述玻璃封裝殼蓋結構材料的熱膨脹系數與基底主體部分材料的熱膨脹系數匹配;所述玻璃封裝殼蓋的直徑大于所述半球諧振子的直徑;所述玻璃封裝殼蓋的高度大于所述半球諧振子的高度;所述玻璃封裝殼蓋與基底直接鍵合或通過一層中間層鍵合實現真空封裝。
[0020]進一步的，所述多個嵌入基底的非平面電極與半球諧振子的間距范圍為Ium-500um，最佳間距由半球諧振子尺寸和真空封裝后的真空度決定。
[0021 ]進一步的，所述吸氣劑在真空封裝前放入，吸氣劑在玻璃封裝殼蓋上或在基底上，實現鍵合后進行激活。
[0022]本發明的有益效果是:本發明采用了熱發泡法圓片級制備尺寸lmm-30mm量級的半球諧振子，降低了半球諧振子的加工難度;本發明實現了真空封裝和垂直引出。
[0023]與現有技術相比，本發明具有如下優勢:
[0024]1.本發明可實現較高的真空度，降低能量損耗，提高器件的性能；
[0025]2.自對準柱子插入基底里，提高了半球諧振子的環境魯棒性和抗沖擊能力；
[0026]3.半球諧振子采用無定形材料，可選用超低膨脹系數材料，可實現高品質因子，提尚器件性能；
[0027]4.本發明采用直接真空封裝方式，可采用第二次真空封裝，采用兩級真空封裝，實現低氣體泄露率；
[0028]5.采用非平面電極，降低了電極組裝的難度。
【附圖說明】
[0029]圖1a-圖1e是實施例1所述的殼體諧振器的截面圖:圖1a是殼體諧振器真空封裝后整體結構截面示意圖，圖1b是整體結構截面圖1a局部II半球諧振子圓周處與基底截面示意圖一，圖1c是整體結構截面圖1a局部II半球諧振子圓周處與基底截面示意圖二，圖1d是整體結構截面圖1a局部III半球諧振子自對準柱子與基底連接處截面示意圖一，圖1e是整體結構截面圖1a局部III半球諧振子自對準柱子與基底連接處截面示意圖二；
[0030]圖2a_圖2e是實施例2所述的殼體諧振器的截面圖:圖2a是殼體諧振器真空封裝后整體結構截面示意圖，圖2b是整體結構截面圖2a局部II半球諧振子圓周處與基底截面示意圖一，圖2c是整體結構截面圖2a局部II半球諧振子圓周處與基底截面示意圖二，圖2d是整體結構截面圖2a局部III半球諧振子自對準柱子與基底連接處截面示意圖一，圖2e是整體結構截面圖2a局部III半球諧振子自對準柱子與基底連接處截面示意圖二；
[0031]圖3a_圖3c是實施例3所述的殼體諧振器的截面圖:圖3a是殼體諧振器真空封裝后整體結構截面示意圖，圖3b是整體結構截面圖3a局部II半球諧振子圓周處與基底截面示意圖一，圖3c是整體結構截面圖3a局部II半球諧振子圓周處與基底截面示意圖二；
[0032]圖4a_圖4c是實施例4所述的殼體諧振器的截面圖:圖4a是殼體諧振器真空封裝后整體結構截面示意圖，圖4b是整體結構截面圖4a局部II半球諧振子圓周處與基底截面示意圖一，圖4c是整體結構截面圖4a局部II半球諧振子圓周處與基底截面示意圖二；
[0033]圖5是圖1-圖4中的線1-1上的基底水平截面俯視圖，圖5為基底結構的一種方案，反應基底主體部分材料為E6.4的結構材料:圖5a是對應圖la、圖lb(圖中未標出線1-1)、圖2b(圖中未標出線1-1)、圖3a、圖3b(圖中未標出線1-1)、圖4b(圖中未標出線1-Ι)基底水平截面俯視圖，圖5a是電極設計的一種方案；圖5b是對應圖1c (圖中未標出線1-1 )、圖2a、圖2c(圖中未標出線1-1)、圖3c(圖中未標出線1-1)、圖4a、圖4c(圖中未標出線1-Ι)基底水平截面俯視圖，圖5b是電極設計的另一種方案；
[0034]圖6是對應圖5的另外一種基底水平截面俯視圖，圖6為基底結構的另一種方案，反應基底主體部分材料為E6.1的結構材料:圖6a對應圖5a，在圖1 -圖4中未圖示出這種結構；圖6b對應圖5b，在圖1-圖4中未圖示出這種結構；
[0035]圖7為帶緣邊5的半球諧振子的諧振頻率仿真結果圖:圖7a為緣邊5的長度為200um時半球諧振子的諧振頻率隨緣邊5的厚度變化的趨勢圖，圖7b為緣邊5的厚度為10um時半球諧振子的諧振頻率隨緣邊5的長度變化的趨勢圖；
[0036]圖中，1-殼體，2-自對準柱子，3-自對準柱子空心處，4-導電包裹層，5-緣邊，6-半球諧振子內表面導電層，Cl-玻璃封裝殼蓋殼體部分，C2-玻璃封裝殼蓋平面部分;El-環形激勵電極，E2-驅動檢測電極，E4-引出結構，E6.1-電極外圍部分，E6.2-電極間的部分，E6.3-電極內圍部分，E6.4-基底主體部分，E8-第一基底導電引出層，ElO-第二基底導電引出層。
【具體實施方式】
[0037]下面結合實施例和附圖對本發明做更進一步的解釋。下列實施例僅用于說明本發明，但并不用來限定本發明的實施范圍。
[0038]下述實施例中所述的超低膨脹系數玻璃鈦硅酸鹽玻璃為含二氧化鈦的玻璃T12+Si〇2具體型號為Titanium silicate glass ULE?，其熱膨脹系數小于 15ppb/°C (5_35°C );超低熱膨脹系數指熱膨脹系數小于lppm/°C或10—6/°C。
[0039]實施例1
[0040]如圖1a-圖1e所示，本實例提供的具有抗沖擊能力的殼體諧振器，包括:
[0041]—個半球諧振子；
[0042]一個封裝和垂直互連的基底；
[0043]多個嵌入基底的非平面電極；
[0044]一個用于真空封裝的玻璃封裝殼蓋；
[0045]其中，所述半球諧振子由殼體I和位于殼體I內部中心軸處的自對準柱子2組成，殼體I的內表面和自對準柱子2的表面均涂有一層導電層6;所述自對準柱子2插入封裝和垂直互連的基底中，通過一層導電包裹層4與引出結構E4連接引出；所述封裝和垂直互連的基底嵌入有多個非平面電極，其中包含驅動檢測電極E2和一個環形激勵電極El(也可以不設置環形激勵電極El)，其中驅動檢測電極E2包括偶數個驅動電極、偶數個檢測電極;所述引出結構E4和多個非平面電極在封裝和垂直互連的基底背面通過第一基底導電引出層ES和第一基底導電引出層ElO引出；所述用于真空封裝的玻璃封裝殼蓋C由玻璃封裝殼蓋殼體部分Cl和玻璃封裝殼蓋平面部分C2組成，并通過鍵合的方式實現與封裝和垂直互連的基底的真空封裝;所述真空封裝后的腔室在真空封裝前放入吸氣劑。
[0046]半球諧振子由熱發泡工藝制備而成;所述半球諧振子直徑范圍為lmm-30mm，優選直徑范圍為2mm-10_ ；所述半球諧振子的結構材料為無定形材料，包括硼娃酸鹽玻璃、石英玻璃、超低膨脹系數玻璃鈦硅酸鹽玻璃、金屬玻璃等，優選材料為石英玻璃和超低膨脹系數玻璃鈦硅酸鹽玻璃;所述半球諧振子殼體I厚度從圓周處到極點沿經度方向減小，圓周處殼體I厚度范圍為20um-800um，優選值隨半球諧振子直徑變化;所述半球諧振子的深寬比范圍為0.5-1.5，優選值為0.7-1.1；所述半球諧振子在基底上的投影區域在非平面電極內邊沿和外邊沿之間;所述半球諧振子的內表面涂有一層導電層6，導電層6材料可為半導體材料、金屬材料或其他導電材料，包括Au、Ir、W、Al203/W/Al203、Cr、Cr/Au、T1、Pt、TiN、63Hf02.37Ti02、HfO2.WO3.Ta205、Al203.Ti02、55Ta205.45TO3、37Ta205.63W03、Zn0/Ag/Zn0、Sn0x/Ag/Sn0x、Ti02/Ag/Ti0、TO3/Ag/Mo0、Mo03/Ag/Mo0、Nb205/Ag/Nb20、Zn0/Cu/Zn0 和 AZO/Mo/AZO等，導電層6厚度范圍為lnm-100nm，優選值為5nm-50nmo
[0047]自對準柱子2表面涂有一層導電層6，導電層材料與殼體I內表面的導電層6材料一致，導電層6厚度范圍為Inm-lOOnm，優選值為5nm-50nm;所述自對準柱子2插入封裝和垂直互連的基底中，通過一層導電包裹層4與引出結構E4連接直接插入至基底底部;所述自對準柱子2插入基底中的深度大于50um或等于基底的厚度。
[0048]封裝和垂直互連的基底為復合型基底，由電極部分和主體部分組成，或者由電極部分、引出結構和主體部分組成，主體部分的材料為硅或玻璃;所述封裝和垂直互連的基底嵌入有多個對稱非平面電極和引出結構;所述引出結構E4為圓柱體、長方柱或帶扇形柱的圓柱體，優選圓柱體;所述引出結構E4材料為導電材料，包括高摻雜導電硅、因瓦合金、金屬或金屬玻璃等，優選材料為高摻雜導電硅;所述引出結構E4尺寸大于自對準柱子2，尺寸范圍為100um-5mm，優選值由半球諧振子直徑和自對準柱子2尺寸決定。
[0049]多個嵌入基底的非平面電極材料為導電材料，包括高摻雜導電娃、因瓦合金、金屬或金屬玻璃等，優選材料為高摻雜導電硅;多個驅動檢測電極E2為扇形圓環，并中心對稱。
[0050]用于真空封裝的玻璃封裝殼蓋C由熱發泡工藝制備而成;所述玻璃封裝殼蓋C結構材料的熱膨脹系數與基底主體部分材料的熱膨脹系數匹配;所述玻璃封裝殼蓋C的直徑大于所述半球諧振子的直徑;所述玻璃封裝殼蓋C的高度大于所述半球諧振子的高度;所述玻璃封裝殼蓋C與基底直接鍵合或通過一層中間層(未圖示)鍵合實現真空封裝。
[0051]多個嵌入基底的非平面電極與半球諧振子的間距范圍為lym-500Um，最佳間距由半球諧振子尺寸和真空封裝后的真空度決定。
[0052]吸氣劑(未圖示)在真空封裝前放入，吸氣劑(未圖示)可以在玻璃封裝殼蓋C上或在基底上，實現鍵合后進彳T激活。
[0053]圖1a-圖1e是殼體諧振器的截面圖；其中，圖1a是殼體諧振器真空封裝后整體結構截面示意圖，圖1b是整體結構截面圖1a局部II半球諧振子圓周處與基底截面示意圖一，對應圖5a;圖1c是整體結構截面圖1a局部II半球諧振子圓周處與基底截面示意圖二，對應圖5b;圖1d是整體結構截面圖1a局部III半球諧振子自對準柱子與基底連接處截面示意圖一，自對準柱子2插入基底中但未到達基底底部；圖1e是整體結構截面圖1a局部III半球諧振子自對準柱子與基底連接處截面示意圖二，自對準柱子2插入至基底底部。
[0054]圖5是圖1中的線1-1上的基底水平截面俯視圖，圖5為基底結構的一種方案，反應基底主體部分材料為E6.4的結構材料，如硅；圖5a是電極設計的一種方案，圖中E2.1-E2.8為嵌入基底的八個驅動檢測電極；圖5b是電極設計的另一種方案，圖中El為環形激勵電極，圖中E2.1.1、E2.1.2-E2.8.1、E2.8.2為嵌入基底的八組驅動檢測電極；電極如上述可有多種設計方案，可設計為8個驅動檢測電極E2.1-E2.8，8組驅動檢測電極E2.1.1、E2.1.2-E2.8.1、E2.8.2和1個環形激勵電極E1，12個驅動檢測電極E2.1-E2.12，12組驅動檢測電極E2.1.1、E2.1.2-E2.12.1、E2.12.2和1個環形激勵電極E1，16個驅動檢測電極E2.1-E2.16，16組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.16.1、E2.16.2和I個環形激勵電極El，24個驅動檢測電極E2.1-E2.24，24組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.24.1、E2.24.2和I個環形激勵電極El，32個驅動檢測電極E2.1-E2.32，32組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.32.1、E2.32.2和I個環形激勵電極EI，36個驅動檢測電極E2.1-E2.36，36組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.36.1、E2.36.2和I個環形激勵電極EI，48個驅動檢測電極E2.1-E2.48，48組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.48.1、E2.48.2和I個環形激勵電極El，64個驅動檢測電極E2.1-E2.64，64組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.64.1、E2.64.2和I個環形激勵電極EI ；所述多個驅動檢測電極E2為扇形圓環，并中心對稱。
[0055]圖6是對應圖5的另外一種基底水平截面俯視圖，圖6為基底結構的另一種方案，反應基底主體部分材料為E6.1的結構材料，如硼硅酸鹽玻璃；圖5&是電極設計的一種方案，圖中E2.1-E2.8為嵌入基底的八個驅動檢測電極；圖5b是電極設計的另一種方案，圖中El為環形激勵電極，圖中E2.1.1、E2.1.2-E2.8.1、E2.8.2為嵌入基底的八組驅動檢測電極;電極如上述也可有多種設計方案。
[0056]實施例2
[0057]如圖2a_圖2e所示，本實例提供的具有抗沖擊能力的殼體諧振器，包括:
[0058]一個半球諧振子；
[0059]一個封裝和垂直互連的基底；
[0060]多個嵌入基底的非平面電極；
[0061]—個用于真空封裝的玻璃封裝殼蓋；
[0062]其中，所述半球諧振子由殼體1、緣邊5和位于殼體I內部中心軸處的自對準柱子2組成，殼體I的內表面和自對準柱子2的表面涂有一層導電層6;所述自對準柱子2插入封裝和垂直互連的基底中，通過一層導電包裹層4與引出結構E4連接引出；所述封裝和垂直互連的基底嵌入有多個非平面電極，其中包含驅動檢測電極E2和一個環形激勵電極El(也可以不設置環形激勵電極El)，其中驅動檢測電極E2包括偶數個驅動電極、偶數個檢測電極;所述引出結構E4和多個非平面電極在封裝和垂直互連的基底背面通過第一基底導電引出層ES和第一基底導電引出層ElO引出；所述用于真空封裝的玻璃封裝殼蓋C通過鍵合的方式實現與封裝和垂直互連的基底的真空封裝;所述真空封裝后的腔室在真空封裝前放入吸氣劑。
[0063]半球諧振子由熱發泡工藝制備而成;所述半球諧振子直徑范圍為lmm-30mm，優選直徑范圍為2mm-10_ ；所述半球諧振子的結構材料為無定形材料，包括硼娃酸鹽玻璃、石英玻璃、超低膨脹系數玻璃鈦硅酸鹽玻璃、金屬玻璃等，優選材料為石英玻璃和超低膨脹系數玻璃鈦硅酸鹽玻璃;所述半球諧振子殼體I厚度從圓周處到極點沿經度方向減小，圓周處殼體I厚度范圍為20um-800um，優選值隨半球諧振子直徑變化;所述半球諧振子的深寬比范圍為0.5-1.5，優選值為0.7-1.1；所述半球諧振子在基底上的投影區域在非平面電極內邊沿和外邊沿之間；所述半球諧振子有緣邊5，緣邊厚度和長度范圍為50um-800um;所述半球諧振子的內表面涂有一層導電層6，導電層6材料可為半導體材料、金屬材料或其他導電材料，包括Au、Ir、W、Al203/W/Al203、Cr、Cr/Au、T1、Pt、TiN、63HfO2.37Ti02、HfO2.WO3.Ta2O5'Al2O3.Ti02、55Ta205.45TO3、37Ta205.63TO3、Zn0/Ag/Zn0、Sn0x/Ag/Sn0x、Ti02/Ag/Ti0、TO3/Ag/Mo0、Mo03/Ag/Mo0、Nb205/Ag/Nb20、Zn0/Cu/Zn0 和 AZO/Mo/AZO 等，導電層 6厚度范圍為lnm-100nm，優選值為5nm_50nmo
[0064]自對準柱子2表面涂有一層導電層6，導電層材料與殼體I內表面的導電層6材料一致，導電層6厚度范圍為Inm-lOOnm，優選值為5nm-50nm;所述自對準柱子2插入封裝和垂直互連的基底中，通過一層導電包裹層4與引出結構E4連接引出或直接插入至基底底部;所述自對準柱子2插入基底中的深度大于50um或等于基底的厚度。
[0065]封裝和垂直互連的基底為復合型基底，由電極部分和主體部分組成，或者由電極部分、引出結構和主體部分組成，主體部分材料為娃或玻璃;所述封裝和垂直互連的基底嵌入有多個對稱非平面電極和引出結構;所述引出結構E4為圓柱體、長方柱或帶扇形柱的圓柱體，優選圓柱體;所述引出結構E4材料為導電材料，包括高摻雜導電硅、因瓦合金、金屬或金屬玻璃等，優選材料為高摻雜導電硅;所述引出結構E4尺寸大于自對準柱子2，尺寸范圍為100um-5mm，優選值由半球諧振子直徑和自對準柱子2的尺寸決定。
[0066]多個嵌入基底的非平面電極材料為導電材料，包括高摻雜導電娃、因瓦合金、金屬或金屬玻璃等，優選材料為高摻雜導電硅;所述多個嵌入基底的非平面電極包括偶數個或偶數組驅動檢測電極，還所述多個驅動檢測電極E2為扇形圓環，并中心對稱。
[0067]用于真空封裝的玻璃封裝殼蓋C由熱發泡工藝制備而成;所述玻璃封裝殼蓋C結構材料的熱膨脹系數與基底主體部分材料的熱膨脹系數匹配;所述玻璃封裝殼蓋C的直徑大于所述半球諧振子的直徑;所述玻璃封裝殼蓋C的高度大于所述半球諧振子的高度;所述玻璃封裝殼蓋C與基底直接鍵合或通過一層中間層(未圖示)鍵合實現真空封裝。
[0068]多個嵌入基底的非平面電極與半球諧振子的間距范圍為1μπι-500μπι，最佳間距由半球諧振子尺寸和真空封裝后的真空度決定。
[0069]吸氣劑(未圖示)在真空封裝前放入，吸氣劑(未圖示)可以在玻璃封裝殼蓋C上或在基底上，實現鍵合后進行激活。
[0070]圖2a_圖2e是殼體諧振器的截面圖；其中，圖2a是殼體諧振器真空封裝后整體結構截面示意圖，圖2b是整體結構截面圖2a局部II半球諧振子圓周處與基底截面示意圖一，對應圖5a;圖2c是整體結構截面圖2a局部II半球諧振子圓周處與基底截面示意圖二，對應圖5b;圖2d是整體結構截面圖2a局部III半球諧振子自對準柱子與基底連接處截面示意圖一，自對準柱子2插入基底中但未到達基底底部；圖2e是整體結構截面圖2a局部III半球諧振子自對準柱子與基底連接處截面示意圖二，自對準柱子2插入至基底底部。
[0071]圖5是圖2中的線1-1上的基底水平截面俯視圖，圖5為基底結構的一種方案，反應基底主體部分材料為E6.4的結構材料，如硅；圖5a是電極設計的一種方案，圖中E2.1-E2.8為嵌入基底的八個驅動檢測電極；圖5b是電極設計的另一種方案，圖中El為環形激勵電極，圖中E2.1.1、E2.1.2-E2.8.1、E2.8.2為嵌入基底的八組驅動檢測電極；電極如上述可有多種設計方案，可設計為8個驅動檢測電極E2.1-E2.8，8組驅動檢測電極E2.1.1、E2.1.2-E2.8.1、E2.8.2和1個環形激勵電極E1，12個驅動檢測電極E2.1-E2.12，12組驅動檢測電極E2.1.1、E2.1.2-E2.12.1、E2.12.2和1個環形激勵電極E1，16個驅動檢測電極E2.1-E2.16，16組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.16.1、E2.16.2和I個環形激勵電極El，24個驅動檢測電極E2.1-E2.24，24組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.24.1、E2.24.2和I個環形激勵電極El，32個驅動檢測電極E2.1-E2.32，32組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.32.1、E2.32.2和I個環形激勵電極EI，36個驅動檢測電極E2.1-E2.36，36組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.36.1、E2.36.2和I個環形激勵電極EI，48個驅動檢測電極E2.1-E2.48，48組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.48.1、E2.48.2和I個環形激勵電極El，64個驅動檢測電極E2.1-E2.64，64組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.64.1、E2.64.2和I個環形激勵電極EI ；所述多個驅動檢測電極E2為扇形圓環，并中心對稱。
[0072]圖6是對應圖5的另外一種基底水平截面俯視圖，圖6為基底結構的另一種方案，反應基底主體部分材料為E6.1的結構材料，如硼硅酸鹽玻璃；圖5&是電極設計的一種方案，圖中E2.1-E2.8為嵌入基底的八個驅動檢測電極；圖5b是電極設計的另一種方案，圖中El為環形激勵電極，圖中E2.1.1、E2.1.2-E2.8.1、E2.8.2為嵌入基底的八組驅動檢測電極;電極如上述也可有多種設計方案。
[0073]圖7是帶緣邊5的半球諧振子的諧振頻率仿真結果圖，仿真的半球諧振子的參數為半徑3mm，殼體厚度lOOum，自對準柱子為半徑150um的圓柱；圖7a為緣邊5長度為200um時厚度從50um以50um的步長增加至300um的半球諧振子的各階諧振頻率值；圖7b為緣邊5厚度為10um時長度從50um以50um的步長增加至400um的半球諧振子的各階諧振頻率值;仿真結果選用工作頻率大于5kHz的設計。
[0074]實施例3
[0075]如圖3a_圖3c所示，本實例提供的具有抗沖擊能力的殼體諧振器，包括:
[0076]一個半球諧振子；
[0077]一個封裝和垂直互連的基底；
[0078]多個嵌入基底的非平面電極；
[0079]—個用于真空封裝的玻璃封裝殼蓋；
[0080]其中，所述半球諧振子由殼體I和位于殼體I內部中心軸處的自對準柱子2組成，殼體I的內表面和自對準柱子2的表面涂有一層導電層6;所述自對準柱子2插入封裝和垂直互連的基底中，通過一層導電包裹層4與引出結構E4連接引出；所述封裝和垂直互連的基底嵌入有多個非平面電極，其中包含驅動檢測電極E2和一個環形激勵電極El(也可以不設置環形激勵電極El)，其中驅動檢測電極E2包括偶數個驅動電極、偶數個檢測電極;所述引出結構E4和多個非平面電極在封裝和垂直互連的基底背面通過第一基底導電引出層ES和第一基底導電引出層ElO引出;所述用于真空封裝的玻璃封裝殼蓋C通過鍵合的方式實現與封裝和垂直互連的基底的真空封裝；所述真空封裝后的腔室在真空封裝前放入吸氣劑(未圖示)。
[0081 ] 所述半球諧振子由熱發泡工藝制備而成;所述半球諧振子直徑范圍為lmm-30mm，優選直徑范圍為2mm-10_ ；所述半球諧振子的結構材料為無定形材料，包括硼娃酸鹽玻璃、石英玻璃、超低膨脹系數玻璃鈦硅酸鹽玻璃、金屬玻璃等，優選材料為石英玻璃和超低膨脹系數玻璃鈦硅酸鹽玻璃;所述半球諧振子殼體I厚度從圓周處到極點沿經度方向減小，圓周處殼體I厚度范圍為20um-800um，優選值隨半球諧振子直徑變化;所述半球諧振子的深寬比范圍為0.5-1.5，優選值為0.7-1.1;所述半球諧振子在基底上的投影區域在非平面電極內邊沿和外邊沿之間；所述半球諧振子的內表面涂有一層導電層6，導電層6材料可為半導體材料、金屬材料或其他導電材料，包括Au、Ir、W、Al203/W/Al203、Cr、Cr/Au、T1、Pt、TiN、63Hf02.37Ti02、HfO2.WO3.Ta2O5^l2O3.Ti02、55Ta205.45TO3、37Ta205.63W03、Zn0/Ag/ZnO、SnOx/Ag/SnOx、T i02/Ag/Ti 0、W03/Ag/Mo0、Mo03/Ag/Mo0、Nb205/Ag/Nb20、Zn0/Cu/Zn0 和AZO/Mo/AZO等，導電層6厚度范圍為lnm-100nm，優選值為5nm_50nm。
[0082]自對準柱子2表面涂有一層導電層6，導電層材料與殼體I內表面的導電層6材料一致，導電層6厚度范圍為Inm-lOOnm，優選值為5nm-50nm;所述自對準柱子2的底部與殼體圓周處齊平;所述自對準柱子2插入封裝和垂直互連的基底中，通過一層導電包裹層4與引出結構E4連接引出；所述自對準柱子2插入基底中的深度大于50um。
[0083]封裝和垂直互連的基底為復合型基底，由電極部分和主體部分組成，或者由電極部分、引出結構和主體部分組成，主體部分材料為娃或玻璃;所述封裝和垂直互連的基底嵌入有多個非平面電極和引出結構E4;所述引出結構E4為圓柱體、長方柱或帶扇形柱的圓柱體，優選圓柱體;所述引出結構E4材料為導電材料，包括高摻雜導電硅、因瓦合金、金屬或金屬玻璃等，優選材料為高摻雜導電硅;所述引出結構E4尺寸大于自對準柱子2，尺寸范圍為100um-5mm，優選值由半球諧振子直徑和自對準柱子2尺寸決定。
[0084]多個嵌入基底的非平面電極與所述引出結構E4齊平;所述多個嵌入基底的非平面電極材料為導電材料，包括高摻雜導電硅、因瓦合金、金屬或金屬玻璃等，優選材料為高摻雜導電硅;多個驅動檢測電極E2為扇形圓環，并中心對稱。
[0085]用于真空封裝的玻璃封裝殼蓋C由熱發泡工藝制備而成;所述玻璃封裝殼蓋C結構材料的熱膨脹系數與基底主體部分材料的熱膨脹系數匹配;所述玻璃封裝殼蓋C的直徑大于所述半球諧振子的直徑;所述玻璃封裝殼蓋C的高度大于所述半球諧振子的高度;所述玻璃封裝殼蓋C與基底直接鍵合或通過一層中間層(未圖示)鍵合實現真空封裝。
[0086]多個嵌入基底的非平面電極與半球諧振子的間距范圍為lum-500um，最佳間距由半球諧振子尺寸和真空封裝后的真空度決定。
[0087]吸氣劑(未圖示)在真空封裝前放入，吸氣劑(未圖示)可以在玻璃封裝殼蓋C上或在基底上，實現鍵合后進行激活。
[0088]圖3a_圖3c是殼體諧振器的截面圖；其中，圖3a是殼體諧振器真空封裝后整體結構截面示意圖，圖3b是整體結構截面圖3a局部II半球諧振子圓周處與基底截面示意圖一，對應圖5a;圖3c是整體結構截面圖3a局部II半球諧振子圓周處與基底截面示意圖二，對應圖5b ο
[0089]圖5是圖3中的線1-1上的基底水平截面俯視圖，圖5為基底結構的一種方案，反應基底主體部分材料為E6.4的結構材料，如硅；圖5a是電極設計的一種方案，圖中E2.1-E2.8為嵌入基底的八個驅動檢測電極；圖5b是電極設計的另一種方案，圖中El為環形激勵電極，圖中E2.1.1、E2.1.2-E2.8.1、E2.8.2為嵌入基底的八組驅動檢測電極；電極如上述可有多種設計方案，可設計為8個驅動檢測電極E2.1-E2.8，8組驅動檢測電極E2.1.1、E2.1.2-E2.8.1、E2.8.2和1個環形激勵電極E1，12個驅動檢測電極E2.1-E2.12，12組驅動檢測電極E2.1.1、E2.1.2-E2.12.1、E2.12.2和1個環形激勵電極E1，16個驅動檢測電極E2.1-E2.16，16組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.16.1、E2.16.2和I個環形激勵電極El，24個驅動檢測電極E2.1-E2.24，24組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.24.1、E2.24.2和I個環形激勵電極El，32個驅動檢測電極E2.1-E2.32，32組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.32.1、E2.32.2和I個環形激勵電極EI，36個驅動檢測電極E2.1-E2.36，36組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.36.1、E2.36.2和I個環形激勵電極EI，48個驅動檢測電極E2.1-E2.48，48組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.48.1、E2.48.2和I個環形激勵電極El，64個驅動檢測電極E2.1-E2.64，64組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.64.1、E2.64.2和I個環形激勵電極EI ；所述多個驅動檢測電極E2為扇形圓環，并中心對稱。
[0090]圖6是對應圖5的另外一種基底水平截面俯視圖，圖6為基底結構的另一種方案，反應基底主體部分材料為E6.1的結構材料，如硼硅酸鹽玻璃；圖5&是電極設計的一種方案，圖中E2.1-E2.8為嵌入基底的八個驅動檢測電極；圖5b是電極設計的另一種方案，圖中El為環形激勵電極，圖中E2.1.1、E2.1.2-E2.8.1、E2.8.2為嵌入基底的八組驅動檢測電極;電極如上述也可有多種設計方案。
[0091 ] 實施例4
[0092]如圖4a_圖4c所示，本實例提供的具有抗沖擊能力的殼體諧振器，包括:
[0093]一個半球諧振子；
[0094]一個封裝和垂直互連的基底；
[0095]多個嵌入基底的非平面電極；
[0096]—個用于真空封裝的玻璃封裝殼蓋；
[0097]其中，所述半球諧振子由殼體1、緣邊5和位于殼體I內部中心軸處的自對準柱子2組成，殼體I的內表面和自對準柱子2的表面涂有一層導電層6;所述自對準柱子2插入封裝和垂直互連的基底中，通過一層導電包裹層4與引出結構E4連接引出；所述封裝和垂直互連的基底嵌入有多個非平面電極，其中包含驅動檢測電極E2和一個環形激勵電極El(也可以不設置環形激勵電極El)，其中驅動檢測電極E2包括偶數個驅動電極、偶數個檢測電極;所述引出結構E4和多個非平面電極在封裝和垂直互連的基底背面通過第一基底導電引出層ES和第一基底導電引出層ElO引出；所述用于真空封裝的玻璃封裝殼蓋C通過鍵合的方式實現與封裝和垂直互連的基底的真空封裝;所述真空封裝后的腔室在真空封裝前放入吸氣劑(未圖示)。
[0098]半球諧振子由熱發泡工藝制備而成;所述半球諧振子直徑范圍為lmm-30mm，優選直徑范圍為2mm-10_ ；所述半球諧振子的結構材料為無定形材料，包括硼娃酸鹽玻璃、石英玻璃、超低膨脹系數玻璃鈦硅酸鹽玻璃、金屬玻璃等，優選材料為石英玻璃和超低膨脹系數玻璃鈦硅酸鹽玻璃;所述半球諧振子殼體I厚度從圓周處到極點沿經度方向減小，圓周處殼體I厚度范圍為20um-800um，優選值隨半球諧振子直徑變化;所述半球諧振子的深寬比范圍為0.5-1.5，優選值為0.7-1.1；所述半球諧振子在基底上的投影區域在非平面電極內邊沿和外邊沿之間；所述半球諧振子有緣邊5，緣邊厚度和長度范圍為50um-800um;所述半球諧振子的內表面涂有一層導電層6，導電層6材料可為半導體材料、金屬材料或其他導電材料，包括Au、Ir、W、Al203/W/Al203、Cr、Cr/Au、T1、Pt、TiN、63HfO2.37Ti02、HfO2.WO3.Ta2O5'Al2O3.Ti02、55Ta205.45TO3、37Ta205.63TO3、Zn0/Ag/Zn0、Sn0x/Ag/Sn0x、Ti02/Ag/Ti0、TO3/Ag/Mo0、Mo03/Ag/Mo0、Nb205/Ag/Nb20、Zn0/Cu/Zn0 和 AZO/Mo/AZO 等，導電層 6厚度范圍為lnm-100nm，優選值為5nm_50nmo
[0099]自對準柱子2表面涂有一層導電層6，導電層材料與殼體I內表面的導電層6材料一致，導電層6厚度范圍為Inm-lOOnm，優選值為5nm-50nm;所述自對準柱子2的底部與殼體圓周處齊平;所述自對準柱子2插入封裝和垂直互連的基底中，通過另一層導電包裹層4與引出結構E4連接引出；所述自對準柱子2插入基底中的深度大于50um。
[0100]封裝和垂直互連的基底為復合型基底，由電極部分和主體部分組成，或者由電極部分、引出結構和主體部分組成，主體部分材料為娃或玻璃;所述封裝和垂直互連的基底嵌入有多個非平面電極和引出結構E4;所述引出結構E4為圓柱體、長方柱或帶扇形柱的圓柱體，優選圓柱體;所述引出結構E4材料為導電材料，包括高摻雜導電硅、因瓦合金、金屬或金屬玻璃等，優選材料為高摻雜導電硅;所述引出結構E4尺寸大于自對準柱子2，尺寸范圍為100um-5mm，優選值由半球諧振子直徑和自對準柱子2尺寸決定。
[0101]多個嵌入基底的非平面電極與所述引出結構E4齊平;所述多個嵌入基底的非平面電極材料為導電材料，包括高摻雜導電硅、因瓦合金、金屬或金屬玻璃等，優選材料為高摻雜導電硅;多個驅動檢測電極E2為扇形圓環，并中心對稱。
[0102]用于真空封裝的玻璃封裝殼蓋C由熱發泡工藝制備而成;所述玻璃封裝殼蓋C結構材料的熱膨脹系數與基底主體部分材料、電極部分材料的熱膨脹系數匹配;所述玻璃封裝殼蓋C的直徑大于所述半球諧振子的直徑;所述玻璃封裝殼蓋C的高度大于所述半球諧振子的高度;所述玻璃封裝殼蓋C與基底直接鍵合或通過一層中間層(未圖示)鍵合實現真空封裝。
[0103]多個嵌入基底的非平面電極與半球諧振子的間距范圍為lum-500um，最佳間距由半球諧振子尺寸和真空封裝后的真空度決定。
[0104]吸氣劑(未圖示)在真空封裝前放入，吸氣劑(未圖示)可以在玻璃封裝殼蓋C上或在基底上，實現鍵合后進彳T激活。
[0105]圖4a_圖4c是殼體諧振器的截面圖；其中，圖4a是殼體諧振器真空封裝后整體結構截面示意圖，圖4b是整體結構截面圖4a局部II半球諧振子圓周處與基底截面示意圖一，對應圖5a;圖4c是整體結構截面圖4a局部II半球諧振子圓周處與基底截面示意圖二，對應圖5b ο
[0106]圖5是圖4中的線1-1上的基底水平截面俯視圖，圖5為基底結構的一種方案，反應基底主體部分材料為E6.4的結構材料，如硅；圖5a是電極設計的一種方案，圖中E2.1-E2.8為嵌入基底的八個驅動檢測電極；圖5b是電極設計的另一種方案，圖中El為環形激勵電極，圖中E2.1.1、E2.1.2-E2.8.1、E2.8.2為嵌入基底的八組驅動檢測電極；電極如上述可有多種設計方案，可設計為8個驅動檢測電極E2.1-E2.8，8組驅動檢測電極E2.1.1、E2.1.2-E2.8.1、E2.8.2和1個環形激勵電極E1，12個驅動檢測電極E2.1-E2.12，12組驅動檢測電極E2.1.1、E2.1.2-E2.12.1、E2.12.2和1個環形激勵電極E1，16個驅動檢測電極E2.1-E2.16，16組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.16.1、E2.16.2和I個環形激勵電極El，24個驅動檢測電極E2.1-E2.24，24組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.24.1、E2.24.2和I個環形激勵電極El，32個驅動檢測電極E2.1-E2.32，32組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.32.1、E2.32.2和I個環形激勵電極EI，36個驅動檢測電極E2.1-E2.36，36組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.36.1、E2.36.2和I個環形激勵電極EI，48個驅動檢測電極E2.1-E2.48，48組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.48.1、E2.48.2和I個環形激勵電極El，64個驅動檢測電極E2.1-E2.64，64組驅動檢測電極E2.I.1、E2.I.2-E2.64.1、E2.64.2和I個環形激勵電極EI ；所述多個驅動檢測電極E2為扇形圓環，并中心對稱。
[0107]圖6是對應圖5的另外一種基底水平截面俯視圖，圖6為基底結構的另一種方案，反應基底主體部分材料為E6.1的結構材料，如硼硅酸鹽玻璃；圖5&是電極設計的一種方案，圖中E2.1-E2.8為嵌入基底的八個驅動檢測電極；圖5b是電極設計的另一種方案，圖中El為環形激勵電極，圖中E2.1.1、E2.1.2-E2.8.1、E2.8.2為嵌入基底的八組驅動檢測電極;電極如上述也可有多種設計方案。
[0108]圖7是帶緣邊5的半球諧振子的諧振頻率仿真結果圖，仿真的半球諧振子的參數為半徑3mm，殼體厚度lOOum，自對準柱子為半徑150um的圓柱；圖7a為緣邊5長度為200um時厚度從50um以50um的步長增加至300um的半球諧振子的各階諧振頻率值，圖7b為緣邊5厚度為10um時長度從50um以50um的步長增加至400um的半球諧振子的各階諧振頻率值，仿真結果選用工作頻率大于5kHz的設計。
[0109]以上所述僅是本發明的優選實施方式，應當指出:對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護范圍。
【主權項】
1.一種具有抗沖擊能力的殼體諧振器，其特征在于:包括: 一個半球諧振子； 一個封裝和垂直互連的基底； 多個嵌入基底的非平面電極； 一個用于真空封裝的玻璃封裝殼蓋； 其中，所述半球諧振子由殼體、位于殼體內部中心軸處的自對準柱子組成，殼體的內表面、自對準柱子的表面均涂有一層導電層;所述自對準柱子插入所述封裝和垂直互連的基底中，通過一層導電包裹層與引出結構連接引出；所述封裝和垂直互連的基底中嵌入有多個非平面電極，多個非平面電極包括驅動檢測電極，其中包含偶數個驅動電極、偶數個檢測電極；所述引出結構和多個非平面電極在封裝和垂直互連的基底背面通過導電引出層引出；所述用于真空封裝的玻璃封裝殼蓋通過鍵合的方式與封裝和垂直互連的基底真空封裝，并在真空封裝后的腔室內放置有吸氣劑。2.如權利要求1所述的具有抗沖擊能力的殼體諧振器，其特征在于:多個非平面電極中還包括一個環形激勵電極。3.如權利要求1所述的具有抗沖擊能力的殼體諧振器，其特征在于:所述半球諧振子由熱發泡工藝制備而成;所述半球諧振子直徑范圍為所述半球諧振子的結構材料為無定形材料，所述無定形材料為硼娃酸鹽玻璃、石英玻璃、超低膨脹系數玻璃鈦娃酸鹽玻璃或金屬玻璃的一種;所述半球諧振子的殼體厚度從圓周處到極點沿經度方向減小，殼體圓周處的厚度范圍為20um-800um ；所述半球諧振子的深寬比范圍為0.5_1.5;所述半球諧振子在基底上的投影區域在非平面電極內邊沿和外邊沿之間；涂在殼體的內表面的導電層材料為半導體材料或金屬材料，導電層厚度范圍為Inm-1OOnm04.如權利要求1或3所述的具有抗沖擊能力的殼體諧振器，其特征在于:所述半球諧振子的殼體的端部設置有緣邊，緣邊內表面也涂有導電層，緣邊厚度和長度范圍均為50um-800umo5.如權利要求1所述的具有抗沖擊能力的殼體諧振器，其特征在于:所述自對準柱子表面的導電層的材料與殼體內表面的導電層材料一致，導電層厚度范圍為lnm-1 OOnm ；所述自對準柱子插入封裝和垂直互連的基底中，通過一層導電包裹層與引出結構連接引出或直接插入至基底底部;所述自對準柱子插入基底中的深度大于50um或等于基底厚度。6.如權利要求1所述的具有抗沖擊能力的殼體諧振器，其特征在于:所述封裝和垂直互連的基底為復合型基底，由電極部分和主體部分組成，或者由電極部分、引出結構和主體部分組成，主體部分的材料為硅或玻璃;所述封裝和垂直互連的基底嵌入有多個非平面電極和引出結構;所述引出結構為圓柱體、長方柱或帶扇形柱的圓柱體;所述引出結構材料為導電材料，所述導電材料為高摻雜導電娃、因瓦合金、金屬或金屬玻璃的一種;所述引出結構的尺寸大于自對準柱子，尺寸范圍為100um-5mm。7.如權利要求1所述的具有抗沖擊能力的殼體諧振器，其特征在于:所述多個嵌入基底的非平面電極的材料為導電材料，所述導電材料為高摻雜導電硅、因瓦合金、金屬或金屬玻璃的一種;多個驅動檢測電極為扇形圓環，并中心對稱。8.如權利要求1所述的具有抗沖擊能力的殼體諧振器，其特征在于:所述用于真空封裝的玻璃封裝殼蓋由熱發泡工藝制備而成;所述玻璃封裝殼蓋結構材料的熱膨脹系數與基底主體部分材料的熱膨脹系數匹配;所述玻璃封裝殼蓋的直徑大于所述半球諧振子的直徑；所述玻璃封裝殼蓋的高度大于所述半球諧振子的高度;所述玻璃封裝殼蓋與基底直接鍵合或通過一層中間層鍵合實現真空封裝。9.如權利要求1所述的具有抗沖擊能力的殼體諧振器，其特征在于:所述多個嵌入基底的非平面電極與半球諧振子的間距范圍為lum-500um，最佳間距由半球諧振子尺寸和真空封裝后的真空度決定。10.如權利要求1所述的具有抗沖擊能力的殼體諧振器，其特征在于:所述吸氣劑在真空封裝前放入，吸氣劑在玻璃封裝殼蓋上或在基底上，實現鍵合后進行激活。
【文檔編號】G01C19/56GK106052664SQ201610375804
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年5月30日
【發明人】尚金堂, 羅斌, 張瑾
【申請人】東南大學