一種tem樣品的定位方法
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及集成電路制造領域，特別涉及一種TEM樣品的定位方法。
【背景技術】
[0002]TEM (Transmiss1n Electron Microscope，簡稱透射電鏡)是一種非常重要的材料分析手段。特別是隨著半導體集成電路工藝持續的開發，特征尺寸從微米級別逐漸發展到現在的納米級別，TEM已經取代SEM(掃描電子顯微鏡)成為集成電路材料/結構分析的主要工具。
[0003]—般情況下，在具有特殊結構的產品上面制備TEM樣品，后續在TEM樣品上觀察目標結構都是比較容易的。但是，對于某些具有大量重復的小尺寸單元結構的產品，如圖1和圖2所示，即使制樣前能夠通過電壓襯度等方式定位到失效單元100，但在制樣過程中或制樣完成后卻很難確認失效單元100的位置，從而造成制樣效率低下，甚至可能分析到錯誤的重復單元上去，而影響分析結果。

【發明內容】

[0004]本發明提供一種TEM樣品的定位方法，從而對重復單元結構進行準確定位。
[0005]為解決上述技術問題，本發明提供一種TEM樣品的定位方法，包括:
[0006]步驟1:提供具有重復單元結構的產品，并確定該產品上的失效單元的位置；
[0007]步驟2:在產品表面制作與所述失效單元對應的定位標記和警示標記；
[0008]步驟3:在所述失效單元上方沉積第一金屬保護層，所述第一金屬保護層部分覆蓋所述定位標記和警示標記；步驟4:在所述第一金屬保護層上沉積第二金屬保護層；
[0009]步驟5:根據所述定位標記和警示標記切割產品制備TEM樣品。
[0010]作為優選，所述步驟2中，定位標記和警示標記均為線狀。
[0011]作為優選，使用FIB制作所述定位標記和警示標記。
[0012]作為優選，所述步驟2包括:
[0013]步驟21:制作線狀定位標記，所述線狀定位標記與所述失效單元處于同一直線上，且所述線狀定位標記的一端與所述失效單元距離多個重復單元；
[0014]步驟22:制作線狀警示標記，所述線狀警示標記與所述線狀定位標記平行設置，且距離所述線狀定位標記一個或多個重復單元。
[0015]作為優選，通過FIB電子束輔助沉積所述第一金屬保護層，離子束輔助沉積第二金屬保護層。
[0016]作為優選，所述第一、第二金屬保護層均采用金屬鉑。
[0017]作為優選，所述步驟5包括:
[0018]步驟51:切割產品到警示標記后停下；
[0019]步驟52:繼續切割產品到定位標記處，完成TEM樣品的第一面切割；
[0020]步驟53:根據定位標記的位置，進行TEM樣品第二面的切割。[0021 ] 作為優選，所述步驟51中的電流強度為3000?500pA，所述步驟52中的電流強度為 300 ?ΙΟΟρΑο
[0022]作為優選，所述具有重復單元結構的產品為SRAM(靜態隨機存儲器)晶圓陣列、DRAM(動態隨機存取存儲器)晶圓陣列、FLASH(閃存)晶圓陣列或CT(contact，測試結構)陣列。
[0023]與現有技術相比，本發明針對具有重復單元結構的產品上的失效單元，在產品上制作與所述失效單元對應的定位標記和警示標記，以便后續切割產品進行TEM樣品時，能夠準確地獲知失效單元的位置，進而實現精確定位。本發明的操作簡單，可以在制樣過程中或制樣完成后快速確認失效單兀的位置，提尚了 TEM樣品的制樣效率。
【附圖說明】
[0024]圖1為具有重復單元結構的產品上失效單元的俯視圖；
[0025]圖2為具有重復單元結構的產品上失效單元的剖面圖；
[0026]圖3為本發明一【具體實施方式】中產品上形成線性警示標記后的俯視圖；
[0027]圖4為本發明一【具體實施方式】中產品上形成線性警示標記后失效單元的剖面圖；
[0028]圖5為本發明一【具體實施方式】中產品上沉積第一金屬保護層后的俯視圖；
[0029]圖6為本發明一【具體實施方式】中產品上沉積第一金屬保護層后失效單元的剖面圖；
[0030]圖7為本發明一【具體實施方式】中產品上沉積第二金屬保護層后的俯視圖；
[0031]圖8為本發明一【具體實施方式】中產品上沉積第二金屬保護層后失效單元的剖面圖；
[0032]圖9為本發明一【具體實施方式】中產品切割至線性警示標記后的俯視圖；
[0033]圖10為本發明一【具體實施方式】中產品上切割至線性定位標記后(完成第一面切割后)的俯視圖；
[0034]圖11為本發明一【具體實施方式】中對產品進行第二面切割的示意圖；
[0035]圖12為本發明一【具體實施方式】中一種TEM樣品的定位方法的流程圖。
[0036]圖1至圖2中:100-失效單元；
[0037]圖3至圖12中:10_失效單元、20-線狀定位標記、30-線狀警示標記、40-第一金屬保護層、50-第二金屬保護層；
[0038]200-產品、210-重復單元。
【具體實施方式】
[0039]為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的【具體實施方式】做詳細的說明。需說明的是，本發明附圖均采用簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
[0040]如圖3至圖12所示，本發明提供一種TEM樣品的定位方法，包括:
[0041]步驟1:提供具有重復單元結構的產品200，并確定該產品200上的失效單元10的位置。本實施例中，所述產品200上設置有若干重復單元210。
[0042]步驟2:如圖3和圖4所示，在產品200表面制作與所述失效單元10對應的定位標記和警示標記；所述定位標記為線狀定位標記20，所述警示標記為線狀警示標記30，所述線狀定位標記20和線狀警示標記30均使用FIB (聚焦離子束)制作。
[0043]所述步驟2具體包括下面兩個步驟:
[0044]步驟21:利用FIB將廣品200表面的原子進彳丁剝尚，完成線狀定位標記20的制備。較佳的，所述線狀定位標記20與所述失效單元10處于同一直線上，且所述線狀定位標記20的一端與所述失效單元10距離多個重復單元210，便于后續制備TEM樣品時，切割產品200 ;進一步的，所述線狀定位標記20的深度大于重復單元210的深度，便于后續TEM樣品的制備。
[0045]步驟22:制作線狀警示標記30，同樣利用FIB將產品200表面的原子進行剝離，完成線狀警示標記30的制備。并且，所述線