一種微互連通孔結構透射電鏡樣品的制備方法
【專利摘要】本發明公開了一種微互連通孔結構透射電鏡樣品的制備方法。該方法利用經丙酮稀釋的膠粘劑填充于中空的通孔內，凝固后覆蓋在通孔內壁之上，從而起到保護通孔基體上絕緣層/阻擋層/銅種子層等各界面層組織并防止異物進入通孔的作用；隨后根據所需觀察的通孔位置，通過厚度測量從樣品上下表面研磨至需考察的孔深范圍后，利用常規離子減薄方法對準通孔區域減薄穿孔，獲得通孔內壁的平面透射電鏡薄膜樣品，實現通孔樣品不同孔深處各界面層組織的精確定位表征。本發明方法不會在樣品內部引入離子污染，且制樣設備簡單、成本低廉、操作方便，為通孔型微電子互連結構和半導體器件的透射電鏡組織觀察提供了一種切實可行的平面樣品制備方法。
【專利說明】一種微互連通孔結構透射電鏡樣品的制備方法

【技術領域】
[0001]本發明涉及微電子三維封裝通孔互連技術和半導體器件制造工藝【技術領域】，具體涉及一種微互連通孔結構透射電鏡樣品的制備方法，可實現通孔結構樣品所需任何位置處各界面層的精確定位表征。

【背景技術】
[0002]摩爾定律“集成電路(IC)的集成度每隔18個月翻一倍，而性能也將提升一倍”自1965年出現以來，一直引領著世界半導體產業向更低成本、更高集成度、更小型化的方向發展。然而，傳統的二維平面小型化策略已達到性能、硅工藝尺寸和制造成本的極限，正逐漸被新一代的三維(3D)半導體集成封裝技術,如堆疊式、娃通孔(TSV-Through SiliconVia)等集成封裝技術所取代。3DTSV封裝技術是通過Z方向的通孔實現互連，與以往的IC封裝鍵合和使用凸點的疊加技術不同，能夠減少芯片之間的互連線長度，可解決集成電路的延時問題、降低功耗、增加封裝密度、滿足帶寬要求、減低成本以及獲得更小的外形尺寸。3D集成封裝技術的出現，彌補了半導體產業制程萎縮的瓶頸，封裝產業在整個產業鏈中不再處于從屬地位，而成為整個產業鏈發展的主要推動力。在此過程中，與TSV相關的一些工藝技術，比如芯片減薄技術、深層反應離子刻蝕工藝(DRIE)、化學機械拋光法平坦化(CMP)、物理氣相沉積(PVD)，化學氣相沉積(CVD)以及電鍍銅等通孔填充工藝等隨著封裝設備的完善也在進一步發展。此外，基于不同基板技術而發展的新型互連通孔，如玻璃通孔(TGV-Through Glass Via)、樹脂通孔(TPV-Through Polymer Via)等，也獲得了相應的研究和發展。其中，各種互連通孔結構中所填充的絕緣層、阻擋層和銅種子層等各界面層的微觀組織結構會直接影響到通孔的連接性、可靠性和穩定性，需要系統的研究分析。然而，要對所制備的通孔結構進行縱向各界面層微觀組織結構的精細表征，其透射電鏡樣品的可靠制備就成為最為關鍵一環。
[0003]目前，通孔結構(如硅通孔TSV)透射電鏡樣品的制備主要依靠聚焦離子束(FIB)切割手段來實現，其設備昂貴、制樣成本高、操作工藝流程復雜、制備時間長。更重要的是，由于FIB切割采用高能量的Ga離子束，會在樣品內部引入Ga離子污染，也會在樣品表面形成金屬保護層的沉積污染，從而會影響界面層微觀組織結構的精細表征。


【發明內容】

[0004]本發明的目的在于克服聚焦離子束切割法制備通孔結構試樣的透射電鏡樣品時設備昂貴、成本過高、操作流程復雜、易引入污染等缺點，提供一種微互連通孔結構透射電鏡樣品的制備方法，可實現通孔結構樣品所需任何孔深位置(如通孔表面、上部、中部、下部或底部)處各界面層微觀組織結構的精細表征。本發明成本低廉、操作簡單、定位精確、可控性強。
[0005]本發明技術方案如下:
[0006]一種微互連通孔結構透射電鏡樣品的制備方法，該方法首先在微互連通孔結構試樣的通孔中凝固膠粘劑，通過膠粘劑保護通孔基體上的各界面層組織，然后通過研磨的方式在所需觀察的通孔位置處制備離子減薄試樣，再利用常規離子減薄方法對準離子減薄試樣的通孔內區域進行減薄穿孔，獲得所需觀察的通孔位置的透射電鏡樣品，從而實現對其各界面層的組織結構表征。該方法具體包括如下步驟:
[0007](I)將膠粘劑溶于丙酮中，形成膠粘劑的丙酮溶液；其中:膠粘劑與丙酮體積比為(0.05-0.6):1 ；
[0008](2)將帶有微互連通孔結構的大片晶圓或基板切割成所需尺寸的平面片狀試樣；
[0009](3)將切割好的平面片狀試樣放入所述膠粘劑的丙酮溶液中浸泡，并用超聲波清洗器振蕩2-10min，使所述膠粘劑的丙酮溶液充分填充進入通孔內部；
[0010](4)將填充了膠粘劑的丙酮溶液后的試樣在空氣中放置或加熱，至通孔內溶液中的丙酮揮發，而膠粘劑在通孔內凝固并包裹通孔內壁的各界面層組織；
[0011](5)離子減薄試樣的制備:當所需觀察的通孔位置為通孔上表面時:將兩片相同的經步驟(4)處理后的試樣的上表面對粘，然后從試樣的下表面用細砂紙研磨，將兩片試樣研磨掉相同的厚度并達到離子減薄所需厚度，制得離子減薄試樣；當所需觀察的通孔位置為通孔的上部、中部或底部時，分別從試樣的上表面和下表面用細砂底進行研磨，研磨到所需觀察位置達到離子減薄所需厚度時，制得離子減薄試樣；
[0012](6)將離子減薄試樣放在離子減薄儀上對中進行標準減薄直至出孔，獲得所需表征位置對應的透射電鏡樣品(通孔內壁界面層處大面積觀察薄區)，用于透射電鏡內的顯微組織觀察表征。
[0013]當所需觀察的通孔位置為通孔上表面時，也可以將兩個相同的微互連通孔結構試樣的上表面用膠粘劑的丙酮溶液(膠粘劑與丙酮體積比為(0.05-0.6):1)粘接，待溶液中丙酮完全揮發膠粘劑凝固后，從兩個微互連通孔結構試樣的下表面進行研磨，研磨掉相同的厚度并使剩余厚度達到離子減薄所需厚度，制得離子減薄試樣，即不包括通孔填充的步驟，直接將兩個尺寸相當的樣品上表面對粘做成截面樣品，制備表面對粘的截面樣品時，膠粘劑溶液有一部分會自動流入孔內，雖填充不滿但仍起保護作用。
[0014]上述離子減薄試樣的制備過程中，用螺旋測微器測量經步驟(4)處理后試樣的初始厚度，通過螺旋測微器不斷測量其剩余厚度并計算出研磨厚度，通過控制研磨厚度值，精確定位通孔所要表征的孔深位置。
[0015]所述微互連通孔結構試樣是指中空型娃通孔(TSV-Through Silicon Via)結構試樣、玻璃通孔(TGV-Through Glass Via)結構試樣、樹脂通孔(TPV-Through Polymer Via)結構試樣，也可以是其他用于三維半導體封裝技術的不同材質基板的通孔結構試樣；所述微互連通孔結構試樣由外至內依次為基體、絕緣層、阻擋層、銅種子層和通孔；所述各界面層即指基體、絕緣層、阻擋層和銅種子層。
[0016]所述通孔的形式可為貫穿孔，也可以是未貫穿基板厚度的盲孔；所述通孔的直徑范圍為I?500 μ m，通孔深度無限制。
[0017]將膠粘劑的丙酮溶液向通孔中填充時可以使用自然流入法或振動輔助流入法(如超聲波振動、機械振動等)，也可以使用真空吸入法或壓力注入法實現稀釋膠粘劑溶液的填充。所述膠粘劑為液體狀膠粘劑，具有一定流動性，且可溶于丙酮。
[0018]本發明采用液體膠粘劑填充中空型通孔來制備透射電鏡樣品，首先將用丙酮稀釋的液體膠粘劑對中空型通孔結構進行填充，利用通孔內凝固的液體膠粘劑對通孔內壁各界面層(絕緣層、阻擋層和銅種子層等界面層)進行保護，然后通過定位研磨和減薄可精確制備出通孔結構不同孔深位置的透射電鏡樣品，進而開展精細組織表征。此制備方法具有設備簡單、成本低廉、操作方便、在較大孔深范圍內定位可控、無離子污染的優勢，為通孔型微電子互連結構和半導體器件的透射電鏡組織觀察提供了一種新型的平面樣品制備方法，解決了現有聚焦離子束(FIB)切割法存在的成本過高、操作流程復雜等問題。
[0019]與現有的聚焦離子束切割法制備透射電鏡樣品相比，本發明具有以下優點:
[0020]1、本發明方法設備簡單，材料成本低廉，適于大范圍推廣應用。例如其中最重要的離子減薄儀價格僅在十萬元量級，使用的膠粘劑、丙酮、砂紙等普通耗材也非常便宜。而聚焦離子束設備價格在千萬元量級，使用的保護氣體等各種消耗材料也價格不菲，兩者在設備和材料成本上相差幾十至上百倍。
[0021]2、本發明方法工藝流程簡單，操作方便，便于在短時間內學習掌握，具有很強的市場競爭力。而聚焦離子束方法因設備昂貴對于操作要求非常嚴格，需要專門培訓方可使用，且操作和維護流程復雜，不便于短期掌握和大范圍推廣應用。
[0022]3、本方法不限定通孔結構樣品的三維尺寸，縱向定位可控性強。由于前期手工研磨量自由可調，對通孔結構的深度沒有限制，可實現較大孔深范圍內樣品不同位置處(如通孔表面、上部、中部、下部或底部)的透射電鏡樣品制備。而聚焦離子束方法受設備內空間大小以及樣品臺移動傾轉范圍的限制，對初始樣品外形尺寸有限制要求(I?2cm)，且切割后可用于透射電鏡觀察的薄膜區域最大縱深在十幾個微米，對于大尺度深孔的通孔結構需要多次切割樣品步驟繁瑣，耗時較長。
[0023]4、本發明方法采用膠粘劑填充通孔并保護內壁各層組織，最后使用低能離子束來減薄樣品直至穿孔獲得對電子束透明的優良薄區，對通孔的界面組織不引入離子污染，可靠性好。而聚焦離子束法因采用高能量的離子束切割，會在樣品內部引入離子污染，也會在樣品表面形成金屬保護層的沉積污染，從而會影響界面層微觀組織結構的精細表征。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1為中空型硅通孔中盲孔的剖面結構掃描照片；圖中:(a)通孔表面，(b)通孔上部，(C)通孔下部，(d)通孔底部，(e)通孔中部。
[0025]圖2為對應于圖1中通孔不同位置的放大圖像；圖中:(a)對應于圖1中(a)位置，(b)對應于圖1中(b)位置，(C)對應于圖1中(C)位置，(d)對應于圖1中(d)位置，(e)對應于圖1中(e)位置。
[0026]圖3為膠粘劑填充后微互連通孔結構中貫穿孔的剖面結構示意圖；其中:1_基板，2-絕緣層，3-阻擋層，4-銅種子層，5-膠粘劑。
[0027]圖4為對比例I中利用FIB切割法制備的硅通孔上部位置處界面組織的透射電鏡樣品明場像；圖中:(a)樣品薄區整體形貌，(b)內壁界面層組織像，(C)Pt金屬保護層與Cu種子層界面放大像。
[0028]圖5為實施例1中硅通孔表面位置處界面組織的透射電鏡樣品明場像；圖中:(a)為通孔剖面左側表面組織，(b)為通孔剖面右側表面組織。
[0029]圖6為實施例2中硅通孔上部位置處界面組織的透射電鏡樣品明場像；圖中:(a)為通孔剖面左側壁上部組織，(b)為通孔剖面右側壁上部組織。
[0030]圖7為實施例3中硅通孔中部位置處界面組織的透射電鏡樣品明場像；圖中:(a)為通孔剖面左側壁中部組織，(b)為通孔剖面右側壁中部組織。

【具體實施方式】
[0031]下面結合附圖及實施例對本發明作進一步詳細的說明。
[0032]本發明方法針對帶有微互連通孔結構的晶圓或基板，通孔結構為中空型，即通孔結構包括基體、絕緣層、阻擋層和銅種子層，所述通孔結構的基材可以是硅通孔(TSV-Through Silicon Via)、玻璃通孔(TGV-Through Glass Via)、樹月旨通孔(TPV-Through Polymer Via),也可以是其他用于三維半導體封裝技術的不同材質基板的通孔結構。圖1所示為中空型硅通孔中盲孔的剖面結構掃描照片，圖2為對應于圖1中通孔的不同位置的放大圖像。
[0033]本發明方法利用凝固在通孔中的膠粘劑包裹通孔中的絕緣層、阻擋層和銅種子層等使之在研磨和減薄過程中起到保護作用防止孔壁破損和雜質侵入，再通過厚度測量精確定位并制備出通孔不同位置(如通孔表面、上部、中部、下部及底部)的透射電鏡平面樣品，進而對其各界面層進行精細表征。該方法具體步驟如下:
[0034](I)將膠粘劑溶于丙酮中，稀釋成一定濃度的溶液，膠粘劑與丙酮體積比為(0.05-0.6):1。
[0035](2)將帶有微互連通孔結構的大片晶圓或基板切割成所需尺寸的平面片狀試樣。
[0036](3)將切割好的試樣放入膠粘劑的丙酮溶液中浸泡；并用超聲波清洗器振蕩2-10min,使溶液充分填充進入通孔結構內部。
[0037](4)將超聲后的試樣取出在空氣中自然放置或采用加熱的方式，使通孔內的丙酮完全揮發留下膠粘劑在其中凝固，包裹通孔內壁的界面層組織；圖3所示為膠粘劑填充后微互連通孔結構中貫穿孔的部面結構圖，該填充前的通孔結構為中空型，由外至內依次為基體1、絕緣層2、阻擋層3、銅種子層4，利用膠粘劑5將中空的通孔填充滿以便制備電鏡樣品O
[0038](5)當所要觀察位置為通孔上表面時:無需對通孔表面研磨，可將兩片填充膠粘劑樣品的上表面對粘做成截面樣品，從兩側用細砂紙將樣品研磨至減薄所需厚度，制得離子減薄試樣(當所需觀察的通孔位置為通孔上表面時，也可不進行通孔填充過程，直接將兩個相同的微互連通孔結構試樣的上表面用膠粘劑的丙酮溶液粘接，做成截面樣品，從兩側用細砂紙將樣品研磨至減薄所需厚度，制得離子減薄試樣)；當所要觀察位置為通孔其他位置時(通孔上部、中部、下部或底部):首先將膠粘劑凝固后的平面樣品其下表面粘貼在玻璃片上，用螺旋測微器測量其初始厚度，并記錄初始厚度值；然后用細砂紙從上表面研磨樣品，研磨至所需觀察的通孔位置，研磨過程中不斷用螺旋測微器測量其剩余厚度并計算出研磨厚度，通過控制研磨厚度值，可精確定位通孔所要表征的孔深位置；再將樣品從玻璃片上取下，翻轉將樣品的上表面(研磨后的表面)粘在玻璃片上，用細砂紙從下表面將樣品研磨至離子減薄所需的厚度，制得離子減薄試樣。
[0039](6)將步驟(5)制得的離子減薄試樣放在離子減薄儀上對中進行標準減薄直至出孔，獲得對應通孔內壁界面層處大面積觀察薄區，用于透射電鏡內的顯微組織觀察表征。
[0040]實施例1
[0041](I) TSV通孔為盲孔，通孔的尺寸為:直徑30 μ m，深度160 μ m。
[0042](2)TSV表面位置的透射電鏡樣品制備，直接將兩個尺寸相當的樣品上表面對粘做成截面樣品；其中，膠粘劑是以α -氰基丙烯酸乙酯為主成分的502膠粘劑，且與丙酮體積比為1:20 ;用2000#砂紙將樣品磨至減薄所需的厚度，本實施例中厚度為30 μ m，然后使用Gatan691.HA200離子減薄儀進行減薄。
[0043](3)Gatan691.HA200離子減薄儀減薄時的技術參數:減薄電壓為5KV，減薄電流為5-30 μ A，減薄角度為5°，減薄時間隨樣品厚度變化而變化。
[0044](4)選擇JEM2100透射電鏡作為觀察設備，將材料置入透射電鏡內，抽取系統真空至2.5 X 10?,加速電壓升至200KV，從電子槍引出電子束流后進行形貌觀察，獲得的樣品界面結構照片如圖5所示，包括S12絕緣層、Ti阻擋層和Cu種子層的組織清晰可見。
[0045]實施例2
[0046](I) TSV通孔為盲孔，通孔的尺寸為:直徑30 μ m,深度160 μ m。
[0047](2) TSV上部位置(距通孔上表面距離為5 μ m)的透射電鏡樣品的制備，將大塊通孔結構基板用玻璃刀切割成4X4mm2小片狀放入丙酮稀釋的膠粘劑中，浸泡5分鐘。
[0048](3)用超聲波清洗器振蕩放在丙酮稀釋的膠粘劑中的樣品；其中，膠粘劑是以α -氰基丙烯酸乙酯為主成分的502膠粘劑，且與丙酮體積比為膠粘劑與丙酮體積比為10% ;將超聲好的樣品取出放置空氣中，使丙酮完全揮發后液體膠粘劑在硅通孔中凝固。
[0049](4)將樣品的表面粘在一定厚度的玻璃片上，用2000#砂紙將樣品磨至減薄所需的厚度，本實施例中厚度為3(^111，用121^-28(?離子減薄儀進行減薄，減薄的技術參數為:減薄電壓為5KV，減薄電流為0.5mA，減薄角度為15°，減薄時間隨樣品厚度變化而變化。
[0050](5)選擇JEM2100透射電鏡作為觀察設備，將材料置入透射電鏡內，抽取系統真空至2.5 X 10?,加速電壓升至200KV，從電子槍引出電子束流后進行形貌觀察，獲得的樣品界面結構照片如圖6所示，各層組織(包括納米厚度的Ti阻擋層)清晰可見。
[0051]實施例3
[0052](I) TSV通孔為盲孔，通孔的尺寸為:直徑50 μ m,深度100 μ m。
[0053](2) TSV中部位置(距通孔上表面距離為50μπι)的透射電鏡樣品的制備，將用玻璃刀切割成5X5mm2小片狀帶有硅通孔的樣品放入丙酮稀釋的膠粘劑中，浸泡10分鐘。
[0054](3)用超聲波清洗器振蕩放在丙酮稀釋的膠粘劑中的樣品(振蕩5min);其中，膠粘劑是以α -氰基丙烯酸乙酯為主成分的502膠粘劑，且膠粘劑與丙酮體積比為1:5;將超聲好的樣品取出放置空氣中，使丙酮完全揮發后液體膠粘劑在硅通孔中凝固。
[0055](4)將樣品下表面粘在一定厚度的玻璃片上，用2000#砂紙將樣品磨至所需觀察的底部位置處，然后將樣品上表面(打磨后的一面)粘在玻璃片上，用2000#砂紙將樣品磨至減薄所需的厚度，本實施例中厚度為20 μ m，用JZLB-280B離子減薄儀進行減薄，減薄的技術參數為:減薄電壓為5KV，減薄電流為0.5mA，減薄角度為15°，減薄時間隨樣品厚度變化而變化。
[0056](5)選擇JEM2100透射電鏡作為觀察設備，將材料置入透射電鏡內，抽取系統真空至2.5 X 10?,加速電壓升至200KV，從電子槍引出電子束流后進行形貌觀察，獲得的樣品界面結構照片如圖7所示，可實現各層組織的精細表征。
[0057]對比例I
[0058](I) TSV通孔為盲孔，通孔的尺寸為:直徑30 μ m,深度160 μ m。
[0059](2)用型號為Nova200聚焦離子束系統在通孔內壁表面沉積Pt金屬保護層,然后在距通孔頂部10 μ m處切割用于透射電鏡觀察用的薄膜樣品。
[0060](3)選擇JEM2100透射電鏡作為觀察設備，將材料置入透射電鏡內，抽取系統真空至2.5X10_5Pa，加速電壓升至200KV，從電子槍引出電子束流后進行形貌觀察。
[0061](4)TSV頂部位置透射電鏡樣品的明場像如圖4所示。樣品薄區尺寸在3微米X3微米左右(圖4a)，金屬保護層Pt與Cu種子層及S12絕緣層有明顯的分界面(圖4b)，但是在Cu種子層甚至S12絕緣層的上面有一層晶粒形貌與金屬層Pt相近的黑色顆粒狀組織(圖4c)，經電子能譜等分析確認其為一層Pt顆粒，來自于聚焦離子切割產生的污染，給界面組織的精確表征帶來了假象。
[0062]上述結果表明，本發明克服了聚焦離子束切割法制備通孔結構界面層透射電鏡樣品時設備昂貴、成本過高、操作工藝流程復雜、易引入污染等缺點，具有成本低廉、操作簡單、定位精確、可控性強的優勢，為通孔型微電子互連結構和半導體器件的透射電鏡組織觀察提供了一種切實可行的平面樣品制備方法。
[0063]上述實施例在以本發明技術方案為前提下進行實施，給出了詳細的實施方案和具體的操作過程，但本發明的保護范圍不限于上述的實施例，任何根據本發明的技術方案及其發明構思加以等同替換或改變的方法，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種微互連通孔結構透射電鏡樣品的制備方法，其特征在于:該方法首先在微互連通孔結構試樣的通孔中凝固膠粘劑，通過膠粘劑保護通孔基體上的各界面層組織，然后通過研磨的方式在所需觀察的通孔位置處制備離子減薄試樣，再利用離子減薄方法對準離子減薄試樣的通孔內區域進行減薄穿孔，獲得所需觀察的通孔位置的透射電鏡樣品，從而實現對其各界面層的組織結構表征。
2.根據權利要求1所述的微互連通孔結構透射電鏡樣品的制備方法，其特征在于:該方法具體包括如下步驟: (1)將膠粘劑溶于丙酮中，形成膠粘劑的丙酮溶液；其中:膠粘劑與丙酮體積比為(0.05-0.6):1 ； (2)將帶有微互連通孔結構的晶圓或基板切割成所需尺寸的平面片狀試樣； (3)將切割好的平面片狀試樣放入所述膠粘劑的丙酮溶液中浸泡，并用超聲波清洗器振蕩2-10min，使所述膠粘劑的丙酮溶液填充進入通孔內部； (4)將填充了膠粘劑的丙酮溶液后的試樣在空氣中自然放置或加熱，至通孔內溶液中的丙酮揮發，而膠粘劑在通孔內凝固并包裹通孔內壁的各界面層組織； (5)離子減薄試樣的制備:當所需觀察的通孔位置為通孔上表面時:將兩片相同的經步驟(4)處理后的試樣的上表面對粘，然后從試樣的下表面用細砂紙研磨，將兩片試樣研磨掉相同的厚度并達到離子減薄所需厚度，制得離子減薄試樣；當所需觀察的通孔位置為通孔的上部、中部、下部或底部時，分別從試樣的上表面和下表面用細砂底進行研磨，研磨到所需觀察位置達到離子減薄所需厚度時，制得離子減薄試樣； (6)將離子減薄試樣放在離子減薄儀上進行標準減薄直至出孔，獲得所需表征位置對應的透射電鏡樣品，用于透射電鏡內的顯微組織觀察表征。
3.根據權利要求1所述的微互連通孔結構透射電鏡樣品的制備方法，其特征在于:當所需觀察的通孔位置為通孔上表面時:將兩個相同的微互連通孔結構試樣的上表面用膠粘劑的丙酮溶液粘接，膠粘劑與丙酮體積比為(0.05-0.6):1 ;然后從兩個微互連通孔結構試樣的下表面進行研磨，研磨掉相同的厚度并使剩余厚度達到離子減薄所需厚度，制得離子減薄試樣。
4.根據權利要求2或3所述的微互連通孔結構透射電鏡樣品的制備方法，其特征在于:離子減薄試樣的制備過程中，用螺旋測微器測量研磨前試樣的初始厚度，通過螺旋測微器不斷測量其剩余厚度并計算出研磨厚度，通過控制研磨厚度值，精確定位通孔所要表征的孔深位置。
5.根據權利要求1-4任一所述的微互連通孔結構透射電鏡樣品的制備方法，其特征在于:所述微互連通孔結構試樣是指中空型的硅通孔結構試樣、玻璃通孔結構試樣、樹脂通孔結構試樣或其他用于三維半導體封裝技術的不同材質基板的通孔結構試樣；所述微互連通孔結構試樣由外至內依次為基體、絕緣層、阻擋層、銅種子層和通孔。
6.根據權利要求1所述的微互連通孔結構透射電鏡樣品的制備方法，其特征在于:所述通孔的形式為貫穿孔或未貫穿基板厚度的盲孔；所述通孔的直徑范圍為I~500 μ m。
7.根據權利要求1所述的微互連通孔結構透射電鏡樣品的制備方法，其特征在于:所述膠粘劑為液體狀膠粘劑。
8.根據權利要求2所述的微互連通孔結構透射電鏡樣品的制備方法，其特征在于:將膠粘劑的丙酮溶液向通孔中填充時使用自然流入法、振動輔助流入法、真空吸入法或壓力注入法實現填充。
9.根據權利要求8所述的微互連通孔結構透射電鏡樣品的制備方法，其特征在于:所述振動輔助流入 法為超聲波振動或機械振動。
【文檔編號】G01N1/28GK104075918SQ201310106068
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2013年3月29日 優先權日:2013年3月29日
【發明者】劉志權, 田飛飛, 李財富, 曹麗華 申請人:中國科學院金屬研究所