本發明的實(shi)施方(fang)式(shi)涉及基板處理(li)裝(zhuang)置及半(ban)導體裝(zhuang)置的制造方(fang)法。

背景技術：

1、在基(ji)(ji)板(ban)(ban)的(de)表面(mian)(mian)形(xing)(xing)成多孔(kong)層(ceng)時，由于各種(zhong)原因有時不能良好地形(xing)(xing)成多孔(kong)層(ceng)。例如，在液(ye)體中(zhong)在基(ji)(ji)板(ban)(ban)表面(mian)(mian)形(xing)(xing)成多孔(kong)層(ceng)時，附著在基(ji)(ji)板(ban)(ban)表面(mian)(mian)的(de)氣(qi)泡有時會妨礙(ai)多孔(kong)層(ceng)的(de)形(xing)(xing)成。

技術實現思路

1、提供(gong)一種能夠在基板(ban)的(de)表(biao)面良好地形成多(duo)孔層的(de)基板(ban)處理裝置(zhi)及(ji)半導體裝置(zhi)的(de)制造方法(fa)。

2、根據一(yi)個實(shi)施方式，基(ji)(ji)板(ban)處(chu)理(li)(li)裝置具(ju)(ju)備(bei)收容基(ji)(ji)板(ban)處(chu)理(li)(li)液(ye)的(de)(de)處(chu)理(li)(li)槽。所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)裝置還(huan)具(ju)(ju)備(bei)在所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)處(chu)理(li)(li)槽內(nei)保持(chi)(chi)第(di)一(yi)基(ji)(ji)板(ban)的(de)(de)保持(chi)(chi)器。所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)裝置還(huan)具(ju)(ju)備(bei)在由(you)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)保持(chi)(chi)器保持(chi)(chi)的(de)(de)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)基(ji)(ji)板(ban)的(de)(de)第(di)一(yi)面形成多孔(kong)層的(de)(de)陽(yang)極及陰極。所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)裝置還(huan)具(ju)(ju)備(bei)將第(di)一(yi)氣(qi)泡(pao)供(gong)給到所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)基(ji)(ji)板(ban)處(chu)理(li)(li)液(ye)內(nei)，而向所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)基(ji)(ji)板(ban)的(de)(de)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)面供(gong)給所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)氣(qi)泡(pao)的(de)(de)氣(qi)泡(pao)供(gong)給部。

技術特征：

1.一種(zhong)基板(ban)處理(li)裝置(zhi)，具備：

2.根據權利要求1所述的基(ji)板處理裝(zhuang)置，其中(zhong)，

3.根(gen)據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

4.根據權利要求1所(suo)述的基板處理裝置，其(qi)中(zhong)，

5.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

6.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

7.根據權(quan)利要求6所述的基板處(chu)理裝(zhuang)置，其(qi)中，

8.根(gen)據權利要(yao)求6所述的基(ji)板(ban)處理裝置，其中，

9.根(gen)據(ju)權利要求1所(suo)述(shu)的基(ji)板處理(li)裝(zhuang)置(zhi)，其中，

10.根據(ju)權利要(yao)求1所述的(de)基板處理裝置(zhi)，其中，

11.根據權利要求(qiu)10所述的基板處理裝置，其中，

12.根(gen)據權利要(yao)求10所(suo)述的基板(ban)處理裝(zhuang)置(zhi)，其(qi)中，

13.根據(ju)權利要(yao)求(qiu)10所(suo)述的基板(ban)處理裝置，其(qi)中，

14.根(gen)據(ju)權利要求1所述的基板處理裝(zhuang)置，其中，

15.根據權利要求1所述的基板處理(li)裝(zhuang)置，其中，

16.一種半導體裝置的制造方法，包(bao)括以下處理：

17.根(gen)據權利要(yao)求16所述的半(ban)導體(ti)裝置的制造方法，其中，

18.根據權利要求16所述(shu)的半導(dao)體裝置的制造(zao)方法，其中(zhong)，

19.根(gen)據(ju)權利要(yao)求16所述的半導(dao)體裝置的制造方法(fa)，其中(zhong)，

20.根(gen)據(ju)權利要求19所述的半(ban)導體(ti)裝置的制造方法，其(qi)中，

技術總結
提供一種能夠在基板的表面良好地形成多孔層的基板處理裝置及半導體裝置的制造方法。根據一個實施方式，基板處理裝置具備收容基板處理液的處理槽。所述裝置還具備在所述處理槽內保持第一基板的保持器。所述裝置還具備在由所述保持器保持的所述第一基板的第一面形成多孔層的陽極及陰極。所述裝置還具備將第一氣泡供給到所述基板處理液內，而向所述第一基板的所述第一面供給所述第一氣泡的氣泡供給部。

技術研發人員：北川白馬
受保護的技術使用者：鎧俠股份有限公司
技術研發日：
技術公布日：2024/9/19