本(ben)發明涉(she)及印制電路板領域(yu)，具體而言，涉(she)及一(yi)種優(you)化鎳鉻合(he)金埋(mai)嵌(qian)電阻阻值均勻性的復(fu)合(he)添加劑(ji)，用于ni-cr合(he)金埋(mai)嵌(qian)電阻。

背景技術：

1、隨著電子技術的(de)(de)(de)高速發(fa)展，多功(gong)能的(de)(de)(de)電子設備要(yao)求逐步(bu)提(ti)高，在(zai)具備小(xiao)型(xing)化(hua)、輕量(liang)化(hua)的(de)(de)(de)同時(shi)保持高功(gong)率、高集成(cheng)度(du)的(de)(de)(de)特點，用(yong)于安裝(zhuang)元(yuan)(yuan)器件的(de)(de)(de)印制(zhi)電路(lu)(lu)板(ban)也要(yao)求線路(lu)(lu)更(geng)精細、更(geng)密集，同時(shi)也要(yao)求能給芯(xin)片等元(yuan)(yuan)器件預留更(geng)多的(de)(de)(de)貼裝(zhuang)空間，埋嵌電阻技術作為解決(jue)印制(zhi)電路(lu)(lu)板(ban)面(mian)積在(zai)有(you)限的(de)(de)(de)情(qing)況下還需實現(xian)輕、薄、小(xiao)、高集成(cheng)的(de)(de)(de)有(you)效解決(jue)方案之一，通過將電阻從板(ban)面(mian)貼裝(zhuang)轉(zhuan)為嵌入基板(ban)內部，可以釋放出用(yong)于封裝(zhuang)元(yuan)(yuan)器件的(de)(de)(de)表面(mian)積，進而(er)提(ti)高了(le)電子封裝(zhuang)密度(du)。

2、電(dian)(dian)(dian)鍍鎳鉻合(he)金(jin)(jin)具有較為長(chang)遠的(de)(de)研(yan)究(jiu)歷史(shi)，主(zhu)要(yao)(yao)由于其耐(nai)腐(fu)蝕，抗高(gao)溫氧化，電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)率高(gao)等等，能夠應用(yong)于苛(ke)刻(ke)的(de)(de)工作環境，被廣泛(fan)使(shi)用(yong)和研(yan)究(jiu)。然(ran)而，目(mu)前制(zhi)(zhi)備(bei)ni-cr合(he)金(jin)(jin)埋嵌電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)的(de)(de)方(fang)(fang)法主(zhu)要(yao)(yao)集中在(zai)(zai)磁控濺(jian)射法，蒸鍍法等，該方(fang)(fang)法需要(yao)(yao)復雜的(de)(de)操(cao)作設備(bei)，工作環境要(yao)(yao)求高(gao)，難以大(da)批量進行(xing)工業(ye)化生產，在(zai)(zai)利潤低薄的(de)(de)印制(zhi)(zhi)電(dian)(dian)(dian)路板制(zhi)(zhi)造行(xing)業(ye)顯然(ran)不具備(bei)競爭優勢。此(ci)外，濺(jian)射法制(zhi)(zhi)備(bei)的(de)(de)ni-cr合(he)金(jin)(jin)埋電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)材料經過蝕刻(ke)工藝后(hou)，電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)誤(wu)差通常高(gao)于15％，無法生產高(gao)精度電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)。綜上，現有ni-cr合(he)金(jin)(jin)埋嵌電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)存在(zai)(zai)制(zhi)(zhi)作方(fang)(fang)法成本高(gao)，設備(bei)復雜，制(zhi)(zhi)備(bei)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)材料，阻(zu)(zu)值均勻度低等問題。

技術實現思路

1、了解決現(xian)有技術(shu)的(de)不足，本發明提供一(yi)種優化鎳鉻(ge)合金(jin)埋(mai)嵌(qian)電阻(zu)阻(zu)值均勻(yun)性(xing)的(de)復合添加劑(ji)，主要包(bao)括整(zheng)平劑(ji)、光亮劑(ji)、潤濕劑(ji)和穩定劑(ji)，旨(zhi)在穩定鍍液(ye)成分、降低界面(mian)張力(li)、調(diao)整(zheng)鍍層應力(li)、改(gai)善鍍層性(xing)能(neng)和提高ni-cr合金(jin)埋(mai)嵌(qian)電阻(zu)的(de)阻(zu)值均勻(yun)性(xing)。

2、為實現本發明的目的，在此所提供的在硫酸鹽-氯化(hua)(hua)物電鍍(du)液體(ti)系下(xia)優化(hua)(hua)鎳鉻合金埋嵌電阻阻值(zhi)均勻性(xing)的電鍍(du)添加劑包括整(zheng)平(ping)劑濃(nong)度為15～20mg/l，光亮劑濃(nong)度為100～300mg/l，潤濕劑濃(nong)度為200～400mg/l，穩定劑濃(nong)度為10～20g/l。

3、進一步(bu)的，所述整平劑(ji)由(you)n,n-二(er)乙基丙炔胺組成。

4、進一(yi)步的，所述光亮劑(ji)由硫(liu)代硫(liu)酸鈉(na)或苯亞磺酸鈉(na)中的至少(shao)一(yi)種組成。

5、進一步(bu)的，所述潤濕劑由(you)聚乙二醇組成。

6、進一步的，所述穩(wen)定劑(ji)由溴化(hua)(hua)鈉或溴化(hua)(hua)鉀中的至(zhi)少一種組成。

7、進一步的，所述電鍍(du)ni-cr合金鍍(du)液的成分(fen)包括：10～30g/l硫酸(suan)(suan)鎳，60～150g/l氯化(hua)鉻，75～125g/l檸(ning)檬酸(suan)(suan)鈉，40～60g/l甲(jia)酸(suan)(suan)鈉，40～60g/l尿素，0.2～0.4g/l十二烷(wan)基(ji)硫酸(suan)(suan)鈉，40～60g/l硼酸(suan)(suan)，通過(guo)ph調節劑調整鍍(du)液ph為1～3。

8、進(jin)一(yi)步(bu)的，所述ph調節劑為質量分(fen)數為10％的氫氧化鈉和體積(ji)分(fen)數為20％的硫酸溶液。

9、進(jin)一步的，所述電鍍條件為：鍍液溫度20～40℃，鍍液ph為1～3，電流密度為6～12a/dm2。

10、根據本發明(ming)的技術(shu)方案(an)，具(ju)有以下有益(yi)效果：通過往電鍍(du)ni-cr合金鍍(du)液中加入添加劑(ji)(ji)，利用整平劑(ji)(ji)，光亮劑(ji)(ji)，潤濕(shi)劑(ji)(ji)和(he)穩定劑(ji)(ji)的協同作用，能(neng)夠(gou)達到降(jiang)低(di)鍍(du)層內應力，提高鍍(du)層耐腐蝕性和(he)致(zhi)密性，避免電鍍(du)過程(cheng)中六價鉻離子的生成，顯著改善(shan)降(jiang)低(di)ni-cr合金埋嵌電阻的阻值不(bu)均勻度。

1.一種(zhong)優化鎳鉻合金埋嵌電阻阻值(zhi)均勻(yun)性的(de)復合添(tian)加(jia)(jia)劑(ji)(ji)，該添(tian)加(jia)(jia)劑(ji)(ji)包括(kuo)的(de)物(wu)料(liao)及(ji)其組成為：

2.根據權(quan)利(li)要求1所(suo)述的一種優化鎳鉻合金(jin)埋(mai)嵌電阻阻值均勻(yun)性的復合添(tian)加劑(ji)，其特征(zheng)在于：所(suo)述整(zheng)平劑(ji)為(wei)n,n-二(er)乙基丙(bing)炔(gui)胺。

3.根據權(quan)利要求1所述的(de)(de)一種優化鎳鉻合金埋嵌電(dian)阻阻值均勻性的(de)(de)復合添加劑(ji)，其(qi)特征在(zai)于：所述光亮(liang)劑(ji)為硫代硫酸(suan)鈉或苯(ben)亞(ya)磺(huang)酸(suan)鈉中(zhong)的(de)(de)至少一種。

4.根據權利(li)要求1所述(shu)的(de)一種(zhong)優化鎳(nie)鉻合(he)金埋嵌電阻阻值均勻性(xing)的(de)復合(he)添(tian)加劑(ji)，其特征在于(yu)：所述(shu)潤濕(shi)劑(ji)為聚(ju)乙二醇(chun)。

5.根據權利要(yao)求1所述的一種(zhong)優(you)化鎳(nie)鉻合金埋嵌電阻阻值均勻(yun)性的復(fu)合添加劑，其特(te)征在于：穩定(ding)劑為(wei)溴化鈉或溴化鉀(jia)中的至少一種(zhong)。

6.根(gen)據權(quan)利要求1所述的一種優化鎳(nie)鉻合(he)金(jin)埋(mai)嵌電(dian)阻阻值(zhi)均勻(yun)性的復合(he)添(tian)加劑，其特征在(zai)于(yu)：所述ni-cr合(he)金(jin)埋(mai)嵌電(dian)阻電(dian)鍍(du)液的成分包括：10～30g/l硫酸鎳(nie)，60～150g/l氯化鉻，75～125g/l檸(ning)檬(meng)酸鈉(na)，40～60g/l甲酸鈉(na)，40～60g/l尿(niao)素，0.2～0.4g/l十二烷基硫酸鈉(na)，40～60g/l硼(peng)酸。

7.根據權利要求1所述(shu)的(de)一種優化鎳鉻合金埋嵌電阻(zu)阻(zu)值均勻性的(de)復合添加劑，其特征在于：所述(shu)電鍍(du)條件為(wei)：鍍(du)液溫(wen)度(du)20～40℃，鍍(du)液ph為(wei)1～3，電流密度(du)為(wei)6～12a/dm2。