用于制造多晶硅的裝置的制造方法
【專利摘要】本發明提供了一種使用化學氣相沉積(CVD)反應器用于制造多晶硅的裝置。所述用于制造多晶硅的裝置包括：反應室，其包括基底和反應器蓋；至少一對電極，其通過絕緣部件穿過所述基底安裝并與電源連接；至少一對絲極，其通過電極夾頭與該對電極耦合并且其上端彼此連接；以及蓋組件，其包括在所述基底上圍繞該對電極中每一個電極的上表面和側面的電極蓋，以及覆蓋所述電極蓋的上表面的蓋屏蔽物。
【專利說明】
用于制造多晶硅的裝置
技術領域
[0001]本發明涉及一種用于制造多晶硅的裝置，并且特別是，本發明涉及包括電極蓋的用于制造多晶硅的裝置。
【背景技術】
[0002]多晶硅或多結晶硅在半導體產業、太陽能發電產業等中是用作基本材料的成分。在用于制造多晶硅的方法中，已知使用化學氣相沉積(CVD)反應器的西門子沉淀法。
[0003]根據西門子沉淀法的用于制造多晶硅的裝置包括連接在基底上的反應器蓋、至少一對穿過基底安裝的電極、通過電極夾頭與電極親合的絲極，和連接一對絲極的上端的連接桿。該對電極與電源連接，并通過由絕緣材料制成的襯套和間隔環與基底絕緣。
[0004]從電源供給的電力通過電極、電極夾頭、絲極和連接桿，并再次經由絲極、電極夾頭、和電極輸入至電源。當施加電力時，硅材料的絲極導致溫度在1000 °C或以上的電阻熱，并且當硅烷材料氣體和氫氣在高壓的條件下被注入60小時至80小時時，硅以多晶的形式沉淀在絲極的表面上。
[0005]在這個過程中，電極通過例如水冷卻的方式來冷卻，但是電極接觸電極夾頭的上部溫度會升高到800°C或以上。因此，硅沉積在電極的上表面和間隔環上，其結果是，電極和基底之間的絕緣特性變差。此外，在絲極的下部產生由電極造成的熱損失。
[0006]在【背景技術】部分公開的上述信息僅用于增強對本發明背景的理解，因此其可能包含不構成在這個國家本技術領域中的普通技術人員已知的現有技術的信息。

【發明內容】

[0007]技術問題
[0008]本發明致力于提供一種用于制造多晶硅的裝置，其具有基底對電極保持絕緣特性的優點，使得不會在電極與間隔環上沉積硅，抑制了由于電極的絲極的熱損失，并降低維護成本。
[0009]技術方案
[0010]本發明示例性的實施方式提供了一種用于制造多晶硅的裝置，其包括:反應室，其包括基底和反應器蓋;至少一對電極，其通過絕緣部件穿過所述基底安裝并與電源連接;至少一對絲極，其通過電極夾頭與該對電極耦合(couple)并且其上端彼此連接；以及蓋組件，其包括在所述基底上圍繞該對電極中每一個電極的上表面和側面的電極蓋，以及覆蓋所述電極蓋的上表面的蓋屏蔽物(cover shield)。
[0011]所述電極可具有在其上表面上形成的與所述電極夾頭接合的凸起。所述電極蓋可以包括水平蓋和垂直蓋，所述水平蓋形成容納所述凸起的開口并且布置在所述電極的上表面上，所述垂直蓋在所述水平蓋的邊緣與所述水平蓋垂直連接。
[0012]所述水平蓋和所述垂直蓋可以分別構造，以使其能夠被單獨更換。所述電極蓋可以包括選自恪融氧化娃(S12)、氮化娃(Si3N4)、氧化鋁(Al2O3)、氧化錯(ZrO2)、氧化鎂(MgO)、和莫來石(3AI2O3.2Si02)中的任一種。
[0013]所述蓋屏蔽物可形成一個容納所述凸起的開口，并且具有直徑大于所述水平蓋的圓盤形。
[0014]所述蓋屏蔽物可以包括形成容納所述凸起的開口和覆蓋所述水平蓋的上表面的第一屏蔽物，以及與第一屏蔽物的邊緣連接以覆蓋所述垂直蓋的外表面的第二屏蔽物。所述第一屏蔽物和所述第二屏蔽物可以分別構造，以使其能夠是單獨可更換的。
[0015]所述蓋屏蔽物可以由包括石墨的基于碳的材料制成。只要所述蓋屏蔽物不影響多晶硅的沉積，所述蓋屏蔽物在多晶硅制造后可以換新或重復使用。
[0016]本發明的另一個示例性的實施方式提供了一種用于制造多晶硅的裝置，包括:反應室，其包括基底和反應器蓋；至少一對電極，其通過絕緣部件穿過基底安裝并與電源連接;至少一對絲極，其通過電極夾頭與該對電極耦合并且其上端彼此連接；以及電極蓋，所述電極蓋在所述基底上圍繞所述電極的上表面和側面，其中所述電極夾頭包括覆蓋所述電極蓋的上表面的下端。
[0017]所述電極可具有在其上表面上形成的與所述電極夾頭接合的凸起。所述電極蓋可以包括水平蓋和垂直蓋，所述水平蓋形成容納所述凸起的開口并且布置在所述電極的上表面上，所述垂直蓋在所述水平蓋的邊緣與所述水平蓋垂直連接。
[0018]所述水平蓋和所述垂直蓋可以分別構造，以使其能夠被單獨更換。所述電極蓋可以包括選自恪融氧化娃(S12)、氮化娃(Si3N4)、氧化鋁(Al2O3)、氧化錯(ZrO2)、氧化鎂(MgO)、和莫來石(3AI2O3.2Si02)中的任一種。
[0019]所述電極夾頭可以包括固定絲極的末端的夾頭部，和連接在所述夾頭部下方的屏蔽部。所述屏蔽部的直徑可以大于所述夾頭部的最大直徑，并且等于或大于所述電極蓋的直徑。
[0020]用于制造多晶硅的裝置可進一步包括輔助屏蔽物。所述輔助屏蔽物可以在所述屏蔽部的邊緣與所述屏蔽部垂直連接，以覆蓋所述垂直蓋的外表面。所述電極夾頭和所述輔助屏蔽物可以由包括石墨的基于碳的材料制成，并且所述輔助屏蔽物可以與所述屏蔽部可拆卸地組裝。
[0021]所述電極夾頭可以包括固定所述絲極的上端，和連接所述上端和下端的單斜側面。所述下端的直徑可以等于或大于所述電極蓋的直徑。
[0022]用于制造多晶硅的裝置可進一步包括輔助屏蔽物。所述輔助屏蔽物可以在所述下端的邊緣與所述下端垂直連接，以覆蓋所述垂直蓋的外表面。所述電極夾頭和所述輔助屏蔽物可以由包括石墨的基于碳的材料制成，并且所述輔助屏蔽物可以與所述下端可拆卸地組裝。
[0023]有益效果
[0024]根據本發明的示例性實施方式，由于因電極蓋而在制造多晶硅的過程中不在電極上以及間隔環的表面上沉積多晶硅，所以可以大大地保持基底對于電極的絕緣特性。另外，由于蓋屏蔽物或電極夾頭的下端覆蓋電極蓋的上表面，因此可以省略電極蓋的清潔操作，可大大地減少用于制造多晶硅的裝置的維護成本。
【附圖說明】
[0025]圖1是根據本發明的第一示例性實施方式的用于制造多晶硅的裝置的剖面圖。
[0026]圖2是圖1所示的用于制造多晶硅的裝置的局部放大圖。
[0027]圖3是圖2所示的蓋組件的分解示意圖。
[0028]圖4是根據本發明的第二示例性實施方式的用于制造多晶硅的裝置的局部放大圖。
[0029]圖5是根據本發明的第三示例性實施方式的用于制造多晶硅的裝置的局部放大圖。
[0030]圖6和圖7是根據本發明的第四示例性實施方式的用于制造多晶硅的裝置的局部放大圖。
[0031]圖8和圖9是根據本發明的第五示例性實施方式的用于制造多晶硅的裝置的局部放大圖。
[0032]圖10和圖11是根據本發明的第六示例性實施方式的用于制造多晶硅的裝置的局部放大圖。
[0033]圖12和圖13是根據本發明的第七示例性實施方式的用于制造多晶硅的裝置的局部放大圖。
【具體實施方式】
[0034]下文將參考附圖更充分地描述本發明，其中示出了本發明的示例性實施方式。正如本領域的技術人員所認知的，所描述的實施方式可以以各種不同的方式來修改，但都不脫離本發明的精神或范圍。
[0035]圖1是根據本發明的第一示例性實施方式的用于制造多晶硅的裝置的剖面圖，圖2是圖1所示的用于制造多晶硅的裝置的局部放大圖。
[0036]參考圖1和圖2，用于制造多晶硅100的裝置100由設置有可加熱硅絲的化學氣相沉積(CVD)反應器構造。具體而言，用于制造多晶硅的裝置100包括反應室1、至少一對電極
20、至少一對絲極30和多個蓋組件40。
[0037]反應室10由基底11(或者，底板)，和安裝在基底11上的反應器蓋12構造。反應器蓋12可以具有鐘形，以及可以由在其中有冷卻流體流動的雙壁結構形成。反應器蓋12用氣密性凸緣(未示出)組裝在基底11上。
[0038]在基底11中形成氣體入口 13和氣體出口 14。基于硅烷的材料氣體(如，三氯硅烷(SiHCl3))經由氣體入口 13流入反應室10中，而經歷CVD反應的氣體經由氣體出口 14被排放到反應室10外。進一步地，在基底11中形成多個用于安裝電極20的開口。
[0039]基底11和電極20均由金屬制成，因此電極20與絕緣部件50—起穿過基底11安裝以保持與基底11的絕緣性。絕緣部件50可以由襯套51和間隔環52構造。
[0040]襯套51可以由耐熱性樹脂(如四氟乙烯樹脂)制成，在基底11的開口中以圓筒狀環圍繞電極20。間隔環52可以由陶瓷制成，在基底11上以圓筒狀環圍繞電極20。襯套51和間隔環52分別在基底11的平面方向上以及在基底11的厚度方向上使電極20與基底11絕緣。
[0041]電極20可具有T形橫截面，其中凸緣21在間隔環52上形成，與電極夾頭60接合的凸起22可在電極20的上表面上形成。電極夾頭60固定絲極30的端部，并與電極20的凸起22耦合，以將絲極30固定至電極20。電極夾頭60由導電材料(如石墨)制成，以使電極20與絲極30電連接。
[0042]絲極30對分別安裝在電極20對中。絲極30對在反應室10中垂直于基底11放置，并通過固定在其上端的連接桿31彼此電連接。絲極30和連接桿31由硅制成。在反應室10中設置有多組由絲極30對與一根連接桿31構成的桿絲極35。
[0043]在圖1中，作為實例示出了兩組桿絲極35，但實際上，可以將多于兩組的桿絲極35放置在反應室10中。
[0044]電極20對連接到電源29，并且一組桿絲極35形成一個電路。因此，當電流經由電極20流入絲極30時，絲極30與連接桿31被電阻加熱到1000°C或以上的高溫，而當基于硅烷的材料氣體和氫氣在高壓條件下注入60小時或更長時間時，娃以多晶娃的形式沉積在加熱的絲極30與連接桿31的表面上。也就是說，多晶硅在絲極30和連接桿31的表面上形成。
[0045]電極20由例如水冷卻的方法來冷卻，以在制造多晶硅的過程中保持其溫度低于絲極30的溫度。為此，可以在電極20中形成循環冷卻水的通道(未示出)。
[0046]多個電極20中的每一個都安裝有蓋組件40，以在制造多晶硅的過程中覆蓋和保護電極20。蓋組件40位于基底11和電極夾頭60之間，并將電極夾頭60下方的電極20與反應室10的內部空間分隔開。
[0047]圖3是圖2所示的蓋組件的分解示意圖。參考圖2和圖3，蓋組件40是由在基底11上圍繞電極20的上表面與側面的電極蓋41，以及覆蓋電極蓋41的上表面的蓋屏蔽物45構造。
[0048]電極蓋41可以由形成容納凸起22的開口411并布置在電極20上表面上的水平蓋42，以及在水平蓋42的邊緣與水平蓋42垂直連接并圍繞電極20的凸緣21和間隔環52的圓筒狀垂直蓋43構造。
[0049]水平蓋42可以接觸電極20的上表面，或與電極20的上表面保持預定的距離，而垂直蓋43與電極20的凸緣21以及間隔環52保持預定的距離。在電極蓋41與電極20保持預定的距離的情況下，可降低熱傳導。
[0050]水平蓋42和垂直蓋43可以整體地構造或分別構造。在分離型的情況下，水平蓋42和垂直蓋43可拆卸地組裝，并且在用于制造多晶硅的裝置100的維修過程中可被單獨更換。在圖2和圖3中，圖示了分離型的電極蓋41作為實例。
[°°511電極蓋41由絕緣體形成，以保持基底11和電極20兩者的絕緣狀態。電極蓋41具有優良的絕緣性質，不影響多晶硅的純度，并需要在反應室1中于高溫(約1000 °C至1200 0C )下穩定，同時容易加工。
[0052]考慮到這樣的內容，電極蓋41可以包括熔融氧化硅(S12)、氮化硅(Si3N4)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鎂(MgO)、和莫來石(3A1203.2Si02)中的任一種。
[0053]在制造多晶硅的過程中，由于電極蓋41，多晶硅不會沉積在電極20上以及間隔環52的表面上，其結果是，可以高度保持電極20和基底11的絕緣性質。再者，在相關技術中，為了重復使用電極20，可以省略掉移除附在電極20上的多晶硅的過程(多晶硅蝕刻工藝)，因此可以防止在該過程中對于電極20可能造成的損害。
[0054]蓋屏蔽物45布置在電極蓋41上，以覆蓋電極蓋41的上表面。蓋屏蔽物45形成其中容納凸起22的開口 451，并可以形成為直徑大于電極蓋41的圓盤形。
[0055]由上述具有尚絕緣性和在尚溫下具有尚穩定性的材料制成的電極蓋41是相對昂貴的組件，并且當多晶硅由于周圍溫度而沉積在電極蓋41的表面上時，在使用后需要清潔電極蓋41的過程。即，電極蓋41不是消耗性的組件而是可重復使用的組件，但每一次都需要清潔操作才可重復使用，并且由于清潔而產生成本。
[0056]蓋屏蔽物45的成本比電極蓋41更低，并且蓋屏蔽物45是由不影響多晶硅純度的材料制成。例如，蓋屏蔽物45可以用包括石墨的基于碳的材料來形成。蓋屏蔽物45在電極蓋41上形成為具有大于電極蓋41直徑的圓盤形，且多晶硅沉積在蓋屏蔽物45而不是電極蓋41的表面上。
[0057]在當作消耗組件使用之后，用一個新的蓋屏蔽物45來更換蓋屏蔽物45，或者，只要其不影響多晶硅的沉積，蓋屏蔽物45可以使用多次。由于蓋屏蔽物45，可以省略電極蓋41的清潔過程，結果是，可以大大地減少用于制造多晶硅的裝置100的維護成本。
[0058]圖4是根據本發明的第二示例性實施方式的用于制造多晶硅的裝置的局部放大圖。
[0059]參考圖4，除了蓋屏蔽物45a是由第一屏蔽物46和第二蓋屏蔽物47構造之外，第二示例性實施方式的用于制造多晶硅的裝置是由與第一示例性實施方式相同的構造來形成的。與第一示例性實施方式中相同的部件使用相同的附圖標記。
[0060]第一屏蔽物46形成容納凸起22的開口，并覆蓋水平蓋42的上表面。第二屏蔽物47在第一屏蔽物46的邊緣與第一屏蔽物46垂直連接，以覆蓋垂直蓋43的外表面。第一屏蔽物46和第二屏蔽物47可以一體地構造。
[0061]第二屏蔽物47與基底11隔開放置，從而不與基底11傳導，并覆蓋很可能沉積多晶硅的垂直蓋43的上部。
[0062]圖5是根據本發明的第三示例性實施方式的用于制造多晶硅的裝置的局部放大圖。
[0063]參考圖5，除了第一屏蔽物46和第二屏蔽物47分別構造之外，第三示例性實施方式的用于制造多晶硅的裝置具有與前述第二示例性實施方式相同的構造。與第二示例性實施方式中相同的部件使用相同的附圖標記。
[0064]第一屏蔽物46和第二屏蔽物47可拆卸地組裝，并且可以在使用蓋屏蔽物45b后分別更換。在制造多晶硅的過程中，在第一屏蔽物46的表面上會比第二屏蔽物47沉積更多的多晶硅，因此在這種情況下，在使用蓋屏蔽物45b后僅更換第一屏蔽物46來與第二屏蔽物47組裝。
[0065]圖6和圖7是根據本發明的第四示例性實施方式的用于制造多晶硅的裝置的局部放大圖。
[0066]參考圖6和圖7，除了用于制造多晶硅的裝置具有電極夾頭60a覆蓋電極蓋41的上表面而無分開的蓋屏蔽物的結構以外，第四示例性實施方式的用于制造多晶硅的裝置是由與前述第一示例性實施方式相同的構造來形成的。與第一示例性實施方式中相同的部件使用相同的附圖標記。
[0067]電極夾頭60a包括一個覆蓋電極蓋41的上表面的下端61。也就是，電極夾頭60a的下端61的直徑等于或大于電極蓋41的直徑，以覆蓋電極蓋41的上表面。在第四示例性實施方式中，電極夾頭60a包括一個固定絲極30的端部的夾頭部62，以及連接在夾頭部62下方以覆蓋電極蓋41的上表面的屏蔽部63。
[0068]屏蔽部63具有比夾頭部62的最大直徑更大的直徑，并且其直徑等于或大于電極蓋41的直徑，以覆蓋電極蓋41的上表面。圖6圖示出的情況是，屏蔽部63的直徑等于電極蓋41的直徑，而圖7圖示出的情況是，屏蔽部63的直徑大于電極蓋41的直徑。
[0069]電極夾頭60a通常由包括石墨的基于碳的材料制成，并且在用于制造多晶硅的裝置100使用之后當成消耗組件來更換，或者只要電極夾頭60a不影響多晶硅的沉積就可以多次使用。因此，蓋屏蔽物并不制造成一個單獨的組件，而是屏蔽部63可以與電極夾頭60a—體地形成。與上述第一到第三示例性實施方式相比，第四示例性實施方式的構造可避免分別制造蓋屏蔽物所造成的不便。圖8和9是根據本發明的第五示例性實施方式的用于制造多晶硅的裝置的局部放大圖。
[0070]參考圖8和圖9，除了用于制造多晶硅的裝置進一步包括輔助屏蔽物70以外，第五示例性實施方式的用于制造多晶硅的裝置具有與上述第四示例性實施方式中同樣的構造。與第四示例性實施方式中相同的部件使用相同的附圖標記。
[0071]輔助屏蔽物70在電極夾頭60a的屏蔽部63的邊緣與屏蔽部63垂直連接，以覆蓋垂直蓋43的外表面。輔助屏蔽物70與屏蔽部63可拆卸地組裝，在這種情況下，輔助屏蔽物70可以單獨更換。輔助屏蔽物70可以如電極夾頭60b—樣由石墨制成。
[0072]輔助屏蔽物70與基底11隔開放置，從而不與基底11傳導，并覆蓋很可能沉積多晶硅的垂直蓋43的上部。
[0073]圖10和圖11是根據本發明的第六示例性實施方式的用于制造多晶硅的裝置的局部放大圖。
[0074]參考圖10和圖11，除了電極夾頭60c具有單斜面而不分夾頭部和屏蔽部以外，第六示例性實施方式的用于制造多晶硅的裝置具有與上述第四示例性實施方式中同樣的構造。與第四示例性實施方式中相同的部件使用相同的附圖標記。
[0075]電極夾頭60c包括固定絲極30的上端64;與電極20的凸起22耦合的下端61，以覆蓋電極蓋41的上表面;和連接上端64和下端61的單斜側面65。下端61的直徑大于上端64的直徑，并等于或大于電極蓋41的直徑，以覆蓋電極蓋41的上表面。
[0076]電極夾頭60c具有由除去錐體的一部分而形成的形狀，并且具有很容易加工的簡單形狀。圖10圖示出的情況是，電極夾頭60c的下端61的直徑等于電極蓋41的直徑。圖11圖示出的情況是，電極夾頭60c的下端61的直徑大于電極蓋41的直徑。
[0077]圖12和圖13是根據本發明的第七示例性實施方式的用于制造多晶硅的裝置的局部放大圖。
[0078]參考圖12和圖13，除了用于制造多晶硅的裝置進一步包括輔助屏蔽物70以外，第七示例性實施方式的用于制造多晶硅的裝置具有與上述第六示例性實施方式中同樣的構造。與第六示例性實施方式中相同的部件使用相同的附圖標記。
[0079]輔助屏蔽物70在電極夾頭60d的下端61的邊緣與電極夾頭60d垂直連接，以覆蓋垂直蓋43的外表面。輔助屏蔽物70與電極夾頭60d可拆卸地組裝，在這種情況下，輔助屏蔽物70可以單獨更換。輔助屏蔽物70可以如電極夾頭60d—樣由石墨制成。
[0080]輔助屏蔽物70與基底11隔開放置，從而不與基底11傳導，并覆蓋很可能沉積多晶硅的垂直蓋43的上部。
[0081]根據上述示例性的實施方式，在制造多晶硅的過程中，由于電極蓋41，多晶硅并不沉積在電極20上以及間隔環52的表面上，結果是，可高度保持電極20和基底11的絕緣性質。此外，蓋屏蔽物45、45a和45b或電極夾頭60a、60b、60c和60d的下端覆蓋電極蓋41的上表面，因此可以省略電極蓋41的清潔過程，結果是，可大大地減少用于制造多晶硅的裝置100的維護成本。
[0082]雖然本發明已經結合目前被認為是實際的示例性實施方式進行了描述，但是應當理解的是，本發明并不限定于所公開的實施方式，而是，相反地，本發明意圖涵蓋包括在所附的權利要求的精神和范圍內的各種修改和等同替代。
[0083]〈附圖標記說明〉
[0084]100:用于制造多晶硅的裝置
[0085]10:反應室
[0086]11:基底12:反應器蓋
[0087]20:電極30:絲極
[0088]40:蓋組件41:電極蓋
[0089]45、45a、45b:蓋屏蔽物 51:襯套
[0090]52:間隔環
[0091]60a、60b、60c、60d:電極夾頭
【主權項】
1.一種用于制造多晶硅的裝置，包括: 反應室，其包括基底和反應器蓋； 至少一對電極，其通過絕緣部件穿過所述基底安裝并與電源連接； 至少一對絲極，其通過電極夾頭與該對電極耦合并且其上端彼此連接；以及蓋組件，其包括在所述基底上圍繞該對電極中每一個電極的上表面和側面的電極蓋，以及覆蓋所述電極蓋的上表面的蓋屏蔽物。2.根據權利要求1所述的裝置，其中所述電極具有在其上表面上形成的與所述電極夾頭接合的凸起;并且所述電極蓋包括水平蓋和垂直蓋，所述水平蓋形成容納所述凸起的開口并且布置在所述電極的上表面上，所述垂直蓋在所述水平蓋的邊緣與所述水平蓋垂直連接。3.根據權利要求2所述的裝置，其中所述水平蓋和所述垂直蓋分別構造，以使其能夠被單獨更換。4.根據權利要求2所述的裝置，其中所述電極蓋包括選自熔融氧化硅(S12)、氮化硅(Si3N4)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鎂(MgO)和莫來石(3A1203.2Si02)中的任一種。5.根據權利要求2所述的裝置，其中所述蓋屏蔽物形成容納所述凸起的開口，并且具有直徑大于所述水平蓋的圓盤形。6.根據權利要求2所述的裝置，其中所述蓋屏蔽物包括形成容納所述凸起的開口并覆蓋所述水平蓋的上表面的第一屏蔽物，以及與所述第一屏蔽物的邊緣連接以覆蓋所述垂直蓋的外表面的第二屏蔽物。7.根據權利要求6所述的裝置，其中所述第一屏蔽物和所述第二屏蔽物分別構造，以使其能夠是單獨可更換的。8.根據權利要求5至權利要求7中任一項所述的裝置，其中所述蓋屏蔽物由包括石墨的基于碳的材料制成。9.根據權利要求8所述的裝置，其中只要所述蓋屏蔽物不影響多晶硅的沉積，所述蓋屏蔽物在多晶硅制造后換新或重復使用。10.—種用于制造多晶硅的裝置，其包括: 反應室，其包括基底和反應器蓋； 至少一對電極，其通過絕緣部件穿過所述基底安裝并與電源連接； 至少一對絲極，其通過電極夾頭與該對電極耦合并且其上端彼此連接；以及 電極蓋，其在所述基底上圍繞所述電極的上表面和側面， 其中所述電極夾頭包括覆蓋所述電極蓋的上表面的下端。11.根據權利要求10所述的裝置，其中所述電極具有在其上表面上形成的與所述電極夾頭接合的凸起，并且所述電極蓋包括水平蓋和垂直蓋，所述水平蓋形成容納所述凸起的開口并且布置在所述電極的上表面上，所述垂直蓋在所述水平蓋的邊緣與所述水平蓋垂直連接。12.根據權利要求11所述的裝置，其中所述水平蓋和所述垂直蓋分別構造，以使其能夠被單獨更換。13.根據權利要求11所述的裝置，其中所述電極蓋包括選自熔融氧化硅(Si02)、氮化硅(Si3N4)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鎂(MgO)和莫來石(3A1203.2Si02)中的任一種。14.根據權利要求10至13任一項所述的裝置，其中所述電極夾頭包括固定所述絲極的末端的夾頭部，和連接在所述夾頭部下方的屏蔽部;并且所述屏蔽部的直徑大于所述夾頭部的最大直徑并且等于或大于所述電極蓋的直徑。15.根據權利要求14所述的裝置，進一步包括輔助屏蔽物，該輔助屏蔽物在所述屏蔽部的邊緣與所述屏蔽部垂直連接，以覆蓋所述垂直蓋的外表面。16.根據權利要求15所述的裝置，其中所述電極夾頭和所述輔助屏蔽物由包括石墨的基于碳的材料制成;并且所述輔助屏蔽物與所述屏蔽部可拆卸地組裝。17.根據權利要求10至13任一項所述的裝置，其中所述電極夾頭包括固定所述絲極的上端，和連接所述上端和下端的單斜側面;并且所述下端的直徑等于或大于所述電極蓋的直徑。18.根據權利要求17所述的裝置，進一步包括輔助屏蔽物，該輔助屏蔽物在所述下端的邊緣與所述下端垂直連接，以覆蓋所述垂直蓋的外表面。19.根據權利要求18所述的裝置，其中所述電極夾頭和所述輔助屏蔽物由包括石墨的基于碳的材料制成;并且所述輔助屏蔽物與所述下端可拆卸地組裝。
【文檔編號】C01B33/04GK105848774SQ201480070732
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2014年11月19日
【發明人】樸奎學, 樸成殷, 樸濟城, 李熙東
【申請人】韓化石油化學株式會社