發光材料、有機發光元件及化合物的制作方法
【專利摘要】本發明的通式(1)所表示的化合物可以用作發光材料。R1、R3及R5表示氰基，或R1、R2、R4及R5表示氰基。剩余的R1～R6表示下述通式(4)等所表示的基。
【專利說明】
發光材料、有機發光元件及化合物
技術領域
[0001] 本發明設及一種可W用作發光材料的化合物與使用其的有機發光元件。
【背景技術】
[0002] 業界正積極地進行提高有機電致發光元件(有機化元件)等有機發光元件的發光 效率的研究。尤其正對通過新開發構成有機電致發光元件的電子傳輸材料、電桐傳輸材料、 發光材料等并加 W組合而提高發光效率進行各種鉆研。例如，作為發光層的材料，已知有具 有巧挫基或二苯基氨基等取代氨基的化合物，其中，也發現具有氯基的化合物。例如在專利 文獻1中，記載有能夠使用下述式所表示的具有巧挫基(Cz)與氯基的化合物作為發光層的 主體材料。
[0003] [化1]
[0004]
[0005] L現巧化不乂獻」
[0006] [專利文獻]
[0007] 專利文獻1:日本專利特開2009-94486號公報

【發明內容】

[0008] [發明要解決的問題]
[0009] 在專利文獻1中，雖然具體地證明了各種化合物均可用作發光層的主體材料，但對 除此W外的用途尚未證實。發光材料(滲雜劑材料）由于所要求的性質或功能與主體材料不 同，所W對專利文獻1中所記載的化合物的作為發光材料的有用性尚未確證。
[0010] 因此，本
【發明人】等人對具有取代氨基與氯基的化合物群開始各種研究，為了從大 量類似的化合物中找出發光特性優異的化合物而反復研究。并且，為了導出可W用作發光 材料的化合物的通式，并使發光效率高的有機發光元件的構成普遍化而進行了努力研究。
[0011] [解決問題的技術手段]
[0012] 本
【發明人】等人進行了努力研究，結果發現，在具有取代氨基與氯基的化合物中，具 有特定結構的化合物具有作為發光材料的優異的性質。另外發現，在此種化合物群中，存在 可W用作延遲巧光材料的化合物，且明確出能夠廉價地提供發光效率高的有機發光元件。 本
【發明人】等人基于運些知識見解，提供W下的本發明作為解決所述課題的方法。
[0013] [ 1 ] -種發光材料，其包含下述通式(1)所表示的化合物，
[0014] [化2]
[001引通式（1)
[0016；
[0017][通式（1)中，Ri、R3及R嗦示氯基，或r1、R2、R 4及r5表示氯基，剩余的Ri~R6分別獨立 表示下述通式(2)~(8)的任一通式所表示的基]，
[001 引[化 3-1]
[0027][化 3-2][002引通式(6)
[0019] 誦古
[0020]
[0021]
[0022]
[0023]
[0024]
[0025]
[0026]
[0029；
[0030；
[0031；
[0032；
[0033；
[0034] [通式(2)~(8)中，L"~Lis表示單鍵、或者經取代或未經取代的亞芳基，*表示與 通式（1)中的苯環的鍵結部位;R11 ~R2D、R"~R28、R"~R38、R3a、R 3b、R"~R48、R4a、R51~R58、R6l ~R68、R"~R78分別獨立表示氨原子或取代基;Rii與護、護與rU、r13與Ri\Ri 4與Ris、Ri6與R"、 R"與 R"、r18 與 R"、R"與 rW、R2i 與 R22、R22 與 R23、R23 與 R24、R24 與 R25、R25 與 R26、R26 與 R"、R"與 R28、 R"與 R32、R32 與 R33、R33 與 R34、R35 與 R36、R36 與 R37、R37 與 R38、R3a 與 R3b、R"與 r42、r42 與 r43、r43 與 R44、 於5 與 R46、R46 與 R"、R"與 R48、rSi 與 R52、R52 與 R53、R53 與 R54、R55 與 R56、R56 與 R57、R57 與 R58、rSi 與 R62、 R62 與 R63、R63 與 R64、R65 與 R66、R66 與 R67、R67 與 R68、R"與 R72、R72 與 R73、R73 與 rM、R75 與 R76、R76 與 R"、 R77與R78也可W分別相互鍵結而形成環狀結構]。
[0035] [2]根據[1]所述的發光材料，其特征在于:通式(1)的Ri、R3及R 5為氯基。
[0036] 口]根據山所述的發光材料，其特征在于:通式(1)的r1、R2、R4及R 5為氯基。
[0037] [4]根據[1]至[3]中任一項所述的發光材料，其特征在于:通式(2)~（8)的LU~ Lis為經取代或未經取代的亞苯基。
[0038] [5]根據[1]至[4]中任一項所述的發光材料，其特征在于:通式（1)的所述剩余的 Ri~R6均為通式(2)所表示的基。
[0039] [6]根據[1]至[4]中任一項所述的發光材料，其特征在于:通式（1)的所述剩余的 Ri~R6均為通式(3)所表示的基。
[0040] [7]根據[1]至[6]中任一項所述的發光材料，其特征在于：分子具有旋轉對稱結 構。
[0041] [引一種延遲巧光體，其包含所述通式（1)所表示的化合物。
[0042] [9]-種有機發光元件，其特征在于：包含根據[1]至[7]中任一項所述的發光材 料。
[0043] [10]根據[9]所述的有機發光元件，其特征在于發射延遲巧光。
[0044] [11]根據[9]或[10]所述的有機發光元件，其特征在于為有機電致發光元件。
[0045] [12]-種下述通式(r)所表示的化合物，
[0046] [化 4]
[0047]
[004引
[0049][通式（r)中，Ri'、R3'及R5'表示氯基，或r1'、R2'、R 4'及R5'表示氯基，剩余的Ri'~R6' 分別獨立表示下述通式(2'）~(8'）的任一通式所表示的基]，
[0化0][化 5-1]
[0051]通式（2')
[0057]通式（5')
[0化2
[0化3
[0化4
[0化5 [0化6
[0化引
[0化9]
[0060]
[0061]
[0062]
[0063]
[0064]
[00 化]
[0066] [通式(2'）~（8'）中，LU'~Lis'表示單鍵、或者經取代或未經取代的亞芳基，*表 示與通式（1)中的苯環的鍵結部位；Rii'~R2d'、R"'~R28'、R"'~R 38'、R3a'、R3b'、R"'~R48'、 於3'、351'~358'、361'~護8'、護1'~護8'分別獨立表示氨原子或取代基；311'與31 2'、312'與313'、 rU'與護'、護'與 Ris'、Ri6'與 R"'、R"'與 R"'、Ri8'與 R"'、R"'與 rW、R2i'與 R22'、R22'與 R23'、R23'與 護4'、護4'與護5'、護5'與326'、護6'與護 7'、護7'與328'、護1'與1^'、護2'與護 3'、護3'與334'、護5'與護6'、 R36' 與 R37'、R37' 與 R38'、R3a' 與 R3b'、R"' 與 R42'、R42' 與 R43'、R43' 與 R44'、R45' 與 R46'、R46' 與 R47'、R47' 與 於8'、護1'與護2'、護2'與353'、護 3'與354'、護5'與356'、護6'與3 57'、護7'與358'、護1'與362'、護2'與護 3'、 R63' 與 R64'、R65' 與 R66'、R66' 與 R67'、R67' 與 R68'、R"' 與 R72'、R72' 與 R73'、R73' 與 R74'、R75' 與 R76'、R76' 與 r77\r77'與rW也可W分別相互鍵結而形成環狀結構]。
[0067] [發明的效果]
[0068] 本發明的化合物可W用作發光材料。另外，在本發明的化合物中包含發射延遲巧 光的化合物。使用本發明的化合物作為發光材料的有機發光元件可W實現高發光效率。
【附圖說明】
[0069] 圖1是表示有機電致發光元件的層構成例的概略剖視圖。
[0070] 圖2是實施例1的化合物1的甲苯溶液的吸收發光光譜。
[0071] 圖3是具有僅實施例1的化合物1的薄膜的有機光致發光元件的吸收光譜。
[0072] 圖4是實施例1的化合物1的薄膜型有機光致發光元件的發光光譜。
[0073] 圖5是實施例1的化合物1與mCP的薄膜型有機光致發光元件的發光光譜。
[0074] 圖6是實施例1的化合物1的甲苯溶液的瞬態衰減曲線。
[0075] 圖7是實施例1的化合物1與mCP的薄膜型有機光致發光元件的瞬態衰減曲線。
[0076] 圖8是實施例2的化合物2的甲苯溶液的吸收發光光譜。
[0077] 圖9是實施例2的化合物2的薄膜型有機光致發光元件的吸收光譜。
[0078] 圖10是實施例2的化合物2的薄膜型有機光致發光元件的發光光譜。
[0079] 圖11是實施例2的化合物2與mCP的薄膜型有機光致發光元件的發光光譜。
[0080] 圖12是實施例2的化合物2與mCP的薄膜型有機光致發光元件的瞬態衰減曲線。
[0081] 圖13是使用了實施例3的化合物2的有機電致發光元件的發光光譜。
[0082] 圖14是表示使用了實施例3的化合物2的有機電致發光元件的電壓-電流密度-亮 度特性的曲線圖。
[0083] 圖15是表示使用了實施例3的化合物2的有機電致發光元件的亮度-外部量子效 率-功率效率特性的曲線圖。
【具體實施方式】
[0084] W下，對本發明的內容詳細地進行說明。W下所記載的構成要件的說明存在基于 本發明的代表性實施方式或具體例而完成的情況，但本發明并不限定于此種實施方式或具 體例。另外，在本說明書中，使用"~"表示的數值范圍是指包含"~"的前后所記載的數值作 為下限值及上限值的范圍。另外，在本發明中使用的化合物的分子內所存在的氨原子的同 位素種類并無特別限定，例如分子內的氨原子可W全部為1山也可W-部分或全部為?(気 D)。
[0085] [通式(1)所表示的化合物]
[0086] 本發明的發光材料的特征在于:包含下述通式(1)所表示的化合物。
[0087] [化6]
[0088] 誦古（1)
[0089
[0090J 通式（1)中，R\R。及R5表示氯基，或Ri、R2、R 4及R5表示氯基，剩余的Ri~R6分別獨立 表示下述通式(2)~(8)的任一通式所表示的基。即，當Ri、R3及R5為氯基時，剩余的R 2、R4及R6分別獨立為下述通式(2)~(8)所表示的任一基。另外，當r1、R2、R4及R 5為氯基時，剩余的R3、 R6分別獨立為下述通式(2)~(8)所表示的任一基。
[0091] 剩余的Ri~R6可W全部為通式(2)~（8)的任一通式所表示的基，也可W是互不相 同的通式所表示的基。
[0092] 在剩余的Ri~R6全部為通式(2)~(8)的任一通式所表示的情況下，優選剩余的Ri ~R6全部為具有相同結構的基。當剩余的Ri~R6全部為具有相同結構的基時，通式（1)所表 示的化合物會具有旋轉對稱結構。剩余的Ri~R6全部具有相同結構的化合物例如在用作滲 雜劑的情況等時有用。
[0093] 另一方面，剩余的Ri~R6的一部分或全部為不同結構的化合物也有用。此種化合物 例如在形成僅包含該化合物的層(凈膜)并用作發光層的情況等時有用。
[0094] [化 7-1]
[0095] 誦式（2)
[0103] [化 7-2][0104] 通式(6)
[009d
[0097
[00W
[0099 [010C [0101
[010;
[01 化；
[0106；
[0107；
[0108；
[0109；
[0110]通式(2)~(8)中，lU~Lis表示單鍵、或者經取代或未經取代的亞芳基，*表示與 通式（1)中的苯環的鍵結部位。當~Lis為亞芳基時，作為亞芳基，優選碳數6~18的亞芳 基。作為碳數6~18的亞芳基，可W列舉：亞苯基、亞聯苯基、亞萊基、亞苯并菲基 (tri地enylenylene)等，更優選的連結基為亞苯基，進而優選的連結基為1,4-亞苯基。關于 亞芳基具有取代基時的取代基的說明與優選范圍，可W參照下述Rii~RW等可W采取的取 代基的說明與優選范圍。另外，Li2~L"也優選為單鍵。
[01川 R11~R2°、R21~r28、r31~尺38、尺33、尺36心1~尺48、尺43、尺51~尺58、尺61~尺68、尺71~尺78分別獨 立表示氨原子或取代基。取代基的數量并無特別限制，Rii~RW、R2i~R28、R"~R 38、R3a、R3b、 R"~R48、R4a、R5i~R58、R 6i~R68、R"~R78全部也可W未經取代（即為氨原子）。于通式（2)~ (8)各式中，在R11 ~R2*\r21 ~R28、r31 ~338、333、尺31:心1~348心3、351~358、361~368、371~378中 的2個W上為取代基的情況下，多個取代基彼此可W相同也可W不同。
[om]作為r11~R2〇、R2i~R28、R"~護8、護3、護1\於1~3 48、於3、護1~護8、護1~護8、護1~護呵 W采取的取代基，例如可W列舉:徑基、面素原子、氯基、碳數1~20的烷基、碳數1~20的燒 氧基、碳數1~20的燒硫基、碳數1~20的烷基取代氨基、碳數2~20的酷基、碳數6~40的芳 基、碳數3~40的雜芳基、碳數2~10的締基、碳數2~10的烘基、碳數2~10的烷氧基幾基、碳 數1~10的烷基橫酷基、碳數1~10的面烷基、酷胺基、碳數2~10的烷基酷胺基、碳數3~20 的=烷基娃烷基、碳數4~20的=烷基娃烷基烷基、碳數5~20的=烷基娃烷基締基、碳數5 ~20的=烷基娃烷基烘基及硝基等。運些具體例中，可W進一步經取代基取代的基也可W 被取代。更優選的取代基為面素原子、氯基、碳數1~20的經取代或未經取代的烷基、碳數1 ~20的烷氧基、碳數6~40的經取代或未經取代的芳基、碳數3~40的經取代或未經取代的 雜芳基、碳數1~20的二烷基取代氨基。進而優選的取代基為氣原子、氯原子、氯基、碳數1~ 10的經取代或未經取代的烷基、碳數1~10的經取代或未經取代的烷氧基、碳數6~15的經 取代或未經取代的芳基、碳數3~12的經取代或未經取代的雜芳基。
[011引 r11 與 ru、r12 與 ru、r13 與 ri\r14 與 r15、r16 與 R"、R"與 r"、r18 與 R"、R"與 R2°、R2i 與 R22、 ^22 1^1^23 |^j^25 |^j^26 j^26 |^j^27 j^27 |^j^28 j^31 |^j^32 j^32 |^j^33 j^33 |^j^34 民3日 |^r36 R36 與 R37、R37 與 R38、R3a 與 R3b、R"與 R42、R42 與 R43、R43 與 rM、R45 與 R46、R46 與 R47、R47 與 R48、rS1 與 R52、 民日2^^民日3 民日^民日4 民日日_^民日6 民日6_^民日7 R日日8 民61^民的民民的民的_^民64 民6日_^民66 民66勺r67 R67與R68、R71與R72、R72與R 73、R73與R74、R75與R76、R 76與R77、R77與R78也可W相互鍵結而形成環狀 結構。環狀結構可W是芳香環也可W是脂肪環，另外，可W包含雜原子，進而環狀結構也可 W是2環W上的縮合環。作為此處所說的雜原子，優選選自由氮原子、氧原子及硫原子所組 成的群中的雜原子。作為所形成的環狀結構的例，可W列舉:苯環、糞環、化晚環、晤嗦環、喀 晚環、化嗦環、化咯環、咪挫環、化挫環、=挫環、咪挫嘟環、惡挫環、異惡挫環、嚷挫環、異嚷 挫環、環己二締環、環己締環、環戊締環、環庚=締環、環庚二締環、環庚締環等。
[0114] R11~R2°、R21~r28、r31~尺38、尺33、尺36心1~尺48、尺43、尺51~尺58、尺61~尺68、尺71~尺78也優選 分別獨立為所述通式(2)~(8)的任一通式所表示的基。另外，護3及RSb優選經取代或未經取 代的烷基，更優選碳數1~6的經取代或未經取代的烷基。在通式(2)~(8)存在取代基的情 況下，其取代基如果是通式(2)，則優選RU~R"的任一個，如果是通式(3)，則優選R22~R"的 任一個，如果是通式(4)，則優選R32~R37、R3a、R3b的任一個，更優選護3及R 3b的至少任一個。如 果是通式巧），則優選R42~R47的任一個，如果是通式(6)，則優選R52~R 57的任一個，如果是通 式(7)，則優選R62~R67的任一個，如果是通式(8)，則優選R72~R 77的任一個。
[0115] 作為通式（1)所表示的化合物的優選例，可W列舉Ri、R3及R5為氯基、或r1、R2、R 4及 R5為氯基且剩余的Ri~R6全部為通式(2)或(3)所表示的基的化合物。
[0116] W下，例示通式（1)所表示的化合物的具體例。但是，本發明中可W使用的通式（1) 所表示的化合物不應受運些具體例作限定性解釋。
[0117] 「化引
[011 引
[0119] 關于通式（1)所表示的化合物的分子量，例如在意圖通過蒸鍛法將包含通式（1)所 表示的化合物的有機層制膜并加 W利用的情況下，優選1500W下，更優選1200W下，進而優 選1000W下，進而更優選800W下。分子量的下限值為通式（1)所表示的最小化合物的分子 量。
[0120] 通式（1)所表示的化合物無論分子量如何，均可W利用涂布法進行成膜。如果使用 涂布法，則即便為分子量相對大的化合物也可W成膜。
[0121] 也可W考慮應用本發明而將分子內包含多個通式（1)所表示的結構的化合物用作 發光材料。
[0122] 例如，考慮將通過預先使聚合性基存在于通式（1)所表示的結構中并使該聚合性 基聚合而獲得的聚合物用作發光材料。具體而言，考慮準備在通式（1)的護、護、於、護的任一 者中包含聚合性官能基的單體，使其均聚合、或與其他單體一起共聚合，由此獲得具有重復 單元的聚合物，并將該聚合物用作發光材料。或者，也考慮通過使具有通式（1)所表示的結 構的化合物彼此反應而獲得二聚物或=聚物，并將運些用作發光材料。
[0123] 作為具有包含通式（1)所表示的結構的重復單元的聚合物的例，可W列舉包含下 述通式(9)或（10)所表示的結構的聚合物。
[0124] [化9]
[0125
[0126] 通式(9)或（10)中，Q表示包含通式（1)所表示的結構的基，Li及L2表示連結基。連結 基的碳數優選0~20,更優選1~15,進而優選2~10。連結基優選具有-Xii-Lii-所表示的結 構的基。此處，Xii表示氧原子或硫原子，優選氧原子。Lii表示連結基，優選經取代或未經取 代的燒撐、或者經取代或未經取代的亞芳基，更優選碳數1~10的經取代或未經取代的燒 撐、或者經取代或未經取代的亞苯基。
[0127] 通式(9)或（10)中，RW1、rW2、r1w及rIM分別獨立表示取代基。優選碳數1~6的經取 代或未經取代的烷基、碳數1~6的經取代或未經取代的烷氧基、面素原子，更優選碳數1~3 的未經取代的烷基、碳數1~3的未經取代的烷氧基、氣原子、氯原子，進而優選碳數1~3的 未經取代的烷基、碳數1~3的未經取代的烷氧基。
[0128] Li及L2所表示的連結基可W鍵結于構成Q的通式（1)的結構的32、護、於、1?6的任一 個、通式(2)的結構的Rii~rW的任一個、通式(3)的結構的護1~R28的任一個、通式(4)的結構 的R"~R38、R3a、R3b的任一個、通式(5)的結構的R"~R 48、R4a的任一個、通式(6)的結構的R51 ~R58的任一個、通式(7)的結構的rSi~R68的任一個、通式(8)的結構的護1~R 78的任一個。也 可W對1個Q連結2個W上連結基而形成交聯結構或網狀結構。
[0129] 作為重復單元的具體結構例，可W列舉下述式(11)~（14)所表示的結構。
[0130] [化 10]
[013
[0132] 具有包含運些式（11)~（14)的重復單元的聚合物可W通過預先于通式（1)的結構 的32、護、於、護的任一者中導入徑基，將其作為連結子使下述化合物反應而導入聚合性基， 并使該聚合性基進行聚合而合成。
[0133] [化 11]
[0134]
[0135] 分子內包含通式（1)所表示的結構的聚合物可W是僅包含具有通式（1)所表示的 結構的重復單元的聚合物，也可W是包含具有其W外的結構的重復單元的聚合物。另外，聚 合物中所包含的具有通式（1)所表示的結構的重復單元可W為單獨一種，也可W是兩種W 上。作為不具有通式(1)所表示的結構的重復單元，可W列舉由通常的共聚合中所使用的單 體所衍生的重復單元。例如可W列舉由乙締、苯乙締等具有乙締性不飽和鍵的單體所衍生 的重復單元。
[0136] [通式(r)所表示的化合物]
[0137] 下述通式(1'）所表示的化合物為新穎化合物。
[013引[化 12]
[0139]通式(1')
[0140；
[0141 ]通式（1')中，Ri'、R3'及R5'表示氯基，或Ri'、R2'、R 4'及R5'表示氯基，剩余的Ri'~R6'分 別獨立表示下述通式(2/ )~(8/ )的任一通式所表示的基。
[0142][化 13-1]
[01創通式(2')
[0144]
[0145]
[0146]
[0147]
[014 引
[0149]
[0150]
[0151] [化 13-2]
[01對通式（6')
[0153；
[0154：
[01 巧；
[0156；
[0157：
[0158] 通式(2'）~(8'）中，LU'~Lis'表示單鍵、或者經取代或未經取代的亞芳基，*表示 與通式（1)中的苯環的鍵結部位。Rll'~RW、R21'~R28'、R"'~R38'、R 3a'、R3b'、R"'~R48'、R4a'、 r5i'~r58'、rsi'~R68'、R"'~R78'分別獨立表示氨原子或取代基。Rii'與r1 2'、r12'與rU'、r13'與 護'、護'與1?15'、1?16'與護'、護'與1?18'、1?1 8'與1?"'、1?"'與1?2°'、護1'與護2'、護2'與1? 23'、護3'與護4'、 R24' 與 R25'、R25' 與 R26'、R26' 與 R"'、R27' 與 R28'、R31' 與 R32'、R32' 與 R33'、R33' 與 R34'、R35' 與 R36'、R36' 與 護7'、護7'與338'、護3'與336'、於1'與於 2'、於2'與於3'、於3'與於4'、於 5'與346'、於6'與於7'、於7'與於 8'、 r5i'與 r52'、r52'與 r53'、r53'與 r54'、r55'與 r56'、r56'與 r57'、r57'與 r58'、rsi'與 R62'、R62'與 R63'、R63'與 護4'、護5'與366'、護6'與367'、護 7'與368'、護1'與護2'、護2'與373'、護 3'與374'、護5'與376'、護6'與護 7'、 R77'與rW也可W分別相互鍵結而形成環狀結構。
[0159] 關于通式（1，）中的Ri'~r6'與通式(2，）~(8，）中的L"'~L"'、*、Rii'~r2〇'、r21'~ 護8'、護1'~護8'、護3'、護6'、於1'~於8'、於3'、護1'~護 8'、護1'~護8'、護1'~護8'的說明與優選的范 圍，可W參照通式(1)所表示的化合物的說明。
[0160] [通式(r)所表示的化合物的合成方法]
[0161] 通式（r)所表示的化合物可W通過將已知的反應組合而進行合成。例如，通式 (1'）的Ri'、R3'、R5'為氯基、R2'、R4'、R 6'為通式(4'）所表示的基且Lis'為1,4-亞苯基的化合物 可W通過使W下兩種化合物反應而進行合成。
[0162] [化 14]
[0163
[0164] 關于所述反應式中的Rw~R3"、R3a、R3b的說明，可W參照通式Q'）中的對應的記 載。X表示面素原子，可W列舉氣原子、氯原子、漠原子、艦原子，優選氯原子、漠原子、艦原 子，進而優選漠原子。
[0165] 所述反應是應用公知的反應，可W適當選擇使用公知的反應條件。關于所述反應 的詳細內容，可W參考下述合成例。另外，通式（r)所表示的化合物也可W通過將其他公知 的合成反應組合而合成。
[0166] [有機發光元件]
[0167] 本發明的通式（1)所表示的化合物可W用作有機發光元件的發光材料。因此，本發 明的通式（1)所表示的化合物可W在有機發光元件的發光層中有效地用作發光材料。在通 式（1)所表示的化合物中，包含發射延遲巧光的延遲巧光材料(延遲巧光體）。即，本發明也 提供具有通式(1)所表示的結構的延遲巧光體的發明、使用通式（1)所表示的化合物作為延 遲巧光體的發明、及使用通式（1)所表示的化合物而發出延遲巧光的方法的發明。使用了此 種化合物作為發光材料的有機發光元件具有發射延遲巧光、且發光效率高的特征。如果W 有機電致發光元件為例說明其原理，則如下所述。
[0168] 在有機電致發光元件中，從正負兩電極向發光材料注入載子，產生激發狀態的發 光材料，使其發光。通常，在載子注入型有機電致發光元件的情況下，所生成的激子中，被激 發成激發單重態的激子為25 %，剩余75 %被激發成激發=重態。因此，利用來自激發=重態 的發光即憐光的情況下，能量的利用效率高。然而，激發=重態由于壽命長，所W產生激發 狀態的飽和或因與激發=重態的激子的相互作用所引起的能量失活，通常大多情況下憐光 的量子產率不高。另一方面，延遲巧光材料通過系間竄越等而能量向激發=重態躍遷后，通 過=重態重態煙滅或熱能的吸收，反系間竄越至激發單重態而發射巧光。在有機電致發 光元件中，認為其中利用熱能的吸收的熱活化型延遲巧光材料尤其有用。在有機電致發光 元件中利用延遲巧光材料的情況下，激發單重態的激子如通常般發射巧光。另一方面，激發 =重態的激子吸收裝置所發出的熱，向激發單重態進行系間竄越而發射巧光。此時，由于是 來自激發單重態的發光，所W是與巧光相同波長的發光，但因從激發=重態向激發單重態 的反系間竄越，而所產生的光的壽命(發光壽命)比普通的巧光或憐光更長，因此，W比運些 延遲的巧光的形式被觀察到。可W將其定義為延遲巧光。如果使用此種熱活化型激子移動 機制，則通過在載子注入后經過熱能的吸收，可W將通常僅生成25 %的激發單重態的化合 物的比率提高至25% W上。如果使用在低于100°C的低溫下也發出強巧光及延遲巧光的化 合物，則利用裝置的熱而充分地產生從激發=重態向激發單重態的系間竄越而發射延遲巧 光，所W可W飛躍性地提高發光效率。
[0169] 另外，本發明的通式（1)所表示的化合物在作為發光層進行成膜時，有對該膜形成 面表現出良好的配向性的傾向。如果對化合物的膜形成面的配向性優異，則存在化合物所 發出的光的行進方向一致，容易提高從發光層的光提取效率的優點。
[0170] 通過使用本發明的通式（1)所表示的化合物作為發光層的發光材料，可W提供有 機光致發光元件(有機化元件)或有機電致發光元件(有機化元件)等優異的有機發光元件。 此時，本發明的通式（1)所表示的化合物也可W具有作為所謂輔助滲雜劑而輔助發光層中 所含有的其他發光材料的發光的功能。即，發光層中所含有的本發明的通式（1)所表示的化 合物也可W具有發光層中所含有的主體材料的最低激發單重態能級與發光層中所含有的 其他發光材料的最低激發單重態能級之間的最低激發單重態能級。
[0171] 有機光致發光元件具有在基板上至少形成有發光層的構造。另外，有機電致發光 元件具有至少形成陽極、陰極、及陽極與陰極之間的有機層的構造。有機層至少包含發光 層，可W僅包含發光層，也可W除了發光層W外還具有1層W上的有機層。作為此種其他有 機層，可W列舉:電桐傳輸層、電桐注入層、電子阻擋層、電桐阻擋層、電子注入層、電子傳輸 層、激子阻擋層等。電桐傳輸層也可W是具有電桐注入功能的電桐注入傳輸層，電子傳輸層 也可W是具有電子注入功能的電子注入傳輸層。將具體的有機電致發光元件的結構例示于 圖1。圖1中，1表示基板，2表示陽極，3表示電桐注入層，4表示電桐傳輸層，5表示發光層，6表 示電子傳輸層，7表示陰極。
[0172] W下，對有機電致發光元件的各構件及各層進行說明。另外，基板與發光層的說明 也適用于有機光致發光元件的基板與發光層。
[0173] (基板）
[0174] 本發明的有機電致發光元件優選被基板所支撐。關于該基板，并無特別限制，只要 為一直W來于有機電致發光元件中所慣用的基板即可，例如可W使用包含玻璃、透明塑料、 石英、娃等的基板。
[0175] (陽極）
[0176] 作為有機電致發光元件中的陽極，可W優選地使用將功函數大(4eVW上)的金屬、 合金、導電性化合物及運些的混合物作為電極材料的陽極。作為此種電極材料的具體例，可 W列舉:Au等金屬、Cul、銅錫氧化物（IT0)、Sn化、ZnO等導電性透明材料。另外，也可W使用 IDIXO(In2〇3-化0)等非晶質且能夠制作透明導電膜的材料。陽極可W通過蒸鍛或瓣鍛等方 法使運些電極材料形成薄膜，并通過光刻法而形成所需形狀的圖案，或在不太需要圖案精 度的情況下（100皿W上左右），也可W在所述電極材料的蒸鍛或瓣鍛時介隔所需形狀的掩 膜來形成圖案。或者，在使用如有機導電性化合物般可W涂布的材料的情況下，也可W使用 印刷方式、涂布方式等濕式成膜法。在從該陽極提取發光的情況下，較理想為使透過率大于 10%，另外，作為陽極的薄片電阻優選幾百Q/QW下。此外，膜厚雖然也取決于材料，但通 常是在10~lOOOnm、優選10~200nm的范圍內選擇。
[0177] (陰極）
[0178] 另一方面，作為陰極，可W使用將功函數小(4eVW下）的金屬(稱為電子注入性金 屬）、合金、導電性化合物及運些的混合物作為電極材料的陰極。作為此種電極材料的具體 例，可W列舉:鋼、鋼-鐘合金、儀、裡、儀/銅混合物、儀/銀混合物、儀/侶混合物、儀/銅混合 物、侶/氧化侶(Ab化)混合物、銅、裡/侶混合物、稀±金屬等。運些中，就電子注入性及對氧 化等的耐久性的方面而言，優選電子注入性金屬與功函數的值更大而穩定的金屬即第二金 屬的混合物、例如儀/銀混合物、儀/侶混合物、儀/銅混合物、侶/氧化侶(A12化)混合物、裡/ 侶混合物、侶等。陰極可w通過利用蒸鍛或瓣鍛等方法使運些電極材料形成薄膜而制作。另 夕h作為陰極的薄片電阻優選幾百Q/QW下，膜厚通常是在lOnm~扣m、優選50~200nm的 范圍內選擇。另外，為了使所發出的光透過，只要有機電致發光元件的陽極或陰極的任一極 為透明或半透明，則發光亮度會提高而適合。
[0179] 另外，通過將陽極的說明中所列舉的導電性透明材料用于陰極，可W制作透明或 半透明的陰極，通過應用該陰極，可W制作陽極與陰極兩者具有透過性的元件。
[0180] (發光層）
[0181] 發光層是在通過從陽極及陰極分別注入的電桐及電子再結合而產生激子后，進行 發光的層，可W將發光材料單獨用于發光層中，優選包含發光材料與主體材料。作為發光材 料，可W使用選自通式（1)所表示的本發明的化合物群中的一種或兩種W上。為了使本發明 的有機電致發光元件及有機光致發光元件表現出高發光效率，重要的是將發光材料中所產 生的單重態激子及=重態激子封閉在發光材料中。因此，優選在發光層中除了發光材料W 外還使用主體材料。作為主體材料，可W使用激發單重態能量、激發=重態能量的至少任一 者具有高于本發明的發光材料的值的有機化合物。其結果為，可W將本發明的發光材料中 所產生的單重態激子及=重態激子封閉在本發明的發光材料的分子中，從而可W充分地提 升其發光效率。但是，由于也存在即便無法充分地封閉單重態激子及=重態激子也可W獲 得高發光效率的情況，所W只要為可W實現高發光效率的主體材料，則可W無特別限制地 用在本發明中。在本發明的有機發光元件或有機電致發光元件中，發光是由發光層中所含 有的本發明的發光材料所產生。該發光包括巧光發光及延遲巧光發光兩者。其中，也可W使 發光的一部分或局部地存在來自主體材料的發光。
[0182] 在使用主體材料的情況下，作為發光材料的本發明的化合物在發光層中所含有的 量優選0.1重量％ W上，更優選1重量％ W上，另外，優選50重量％ W下，更優選20重量％ W 下，進而優選10重量下。
[0183] 作為發光層中的主體材料，優選具有電桐傳輸能力、電子傳輸能力，且防止發光的 長波長化，并且具有高玻璃轉移溫度的有機化合物。
[0184] (注入層）
[0185] 注入層是為了降低驅動電壓或提高發光亮度而設置在電極與有機層間的層，有電 桐注入層與電子注入層，也可W使其存在于陽極與發光層或電桐傳輸層之間、及陰極與發 光層或電子傳輸層之間。注入層可W根據需要而設置。
[0186] (阻擋層）
[0187] 阻擋層是可W阻擋存在于發光層中的電荷（電子或者電桐)及/或激子向發光層外 擴散的層。電子阻擋層可W配置在發光層及電桐傳輸層之間，阻擋電子朝電桐傳輸層移動 而通過發光層。同樣地，電桐阻擋層可W配置在發光層及電子傳輸層之間，阻擋電桐朝電子 傳輸層移動而通過發光層。另外，阻擋層可W用于阻擋激子擴散至發光層的外側。即，電子 阻擋層、電桐阻擋層也可W分別兼具作為激子阻擋層的功能。本說明書中所說的電子阻擋 層或激子阻擋層是W如下含義使用:包含由一層而具有電子阻擋層及激子阻擋層的功能的 層。
[0188] (電桐阻擋層）
[0189] 電桐阻擋層廣義上具有電子傳輸層的功能。電桐阻擋層具有傳輸電子并且阻擋電 桐到達電子傳輸層的作用，由此可w提高發光層中的電子與電桐的再結合機率。作為電桐 阻擋層的材料，根據需要可W使用下述電子傳輸層的材料。
[0190] (電子阻擋層）
[0191] 電子阻擋層廣義上具有傳輸電桐的功能。電子阻擋層具有傳輸電桐并且阻擋電子 到達電桐傳輸層的作用，由此可W提高發光層中的電子與電桐進行再結合的機率。
[0192] (激子阻擋層）
[0193] 激子阻擋層是用W阻擋通過電桐與電子在發光層內再結合而產生的激子擴散至 電荷傳輸層的層，可W通過插入本層而將激子有效率地封閉在發光層內，從而可W提高元 件的發光效率。激子阻擋層可W與發光層鄰接而插入至陽極側、陰極側的任一側，也可W同 時插入兩側。即，于在陽極側具有激子阻擋層的情況下，可W在電桐傳輸層與發光層之間與 發光層鄰接而插入該層，在插入至陰極側的情況下，可W在發光層與陰極之間與發光層鄰 接而插入該層。另外，在陽極、與和發光層的陽極側鄰接的激子阻擋層之間可W具有電桐注 入層或電子阻擋層等，在陰極、與和發光層的陰極側鄰接的激子阻擋層之間可W具有電子 注入層、電子傳輸層、電桐阻擋層等。在配置阻擋層的情況下，優選用作阻擋層的材料的激 發單重態能量及激發=重態能量的至少任一者高于發光材料的激發單重態能量及激發= 重態能量。
[0194] (電桐傳輸層）
[0195] 電桐傳輸層包含具有傳輸電桐的功能的電桐傳輸材料，電桐傳輸層可W設置單層 或多個層。
[0196] 作為電桐傳輸材料，是具有電桐的注入或傳輸、電子的障壁性的任一功能的材料， 可W是有機物、無機物的任一種。作為可W使用的公知的電桐傳輸材料，例如可W列舉 挫衍生物、惡二挫衍生物、咪挫衍生物、巧挫衍生物、嗎I噪巧挫衍生物、多芳基燒控衍生物、 化挫嘟衍生物及化挫酬衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代查耳酬衍生物、惡 挫衍生物、苯乙締基蔥衍生物、萊酬衍生物、腺衍生物、巧衍生物、娃氮燒衍生物、苯胺系共 聚物、W及導電性高分子低聚物、尤其是嚷吩低聚物等，優選使用化嘟化合物、芳香族=級 胺化合物及苯乙締基胺化合物，更優選使用芳香族=級胺化合物。
[0197] (電子傳輸層）
[0198] 電子傳輸層包含具有傳輸電子的功能的材料，電子傳輸層可W設置單層或多個 層。
[0199] 作為電子傳輸材料(也存在兼作電桐阻擋材料的情況），只要具有將從陰極注入的 電子傳導至發光層的功能即可。作為可W使用的電子傳輸層，例如可W列舉:硝基取代萊衍 生物、二苯基釀衍生物、嚷喃二氧化物衍生物、碳二酷亞胺、亞萊基甲燒衍生物、蔥釀二甲燒 及蔥酬衍生物、惡二挫衍生物等。進而，在所述惡二挫衍生物中，將惡二挫環的氧原子取代 為硫原子而成的嚷二挫衍生物、具有作為拉電子基而已知的哇惡嘟環的哇惡嘟衍生物也可 W用作電子傳輸材料。此外也可W使用將運些材料導入至高分子鏈中、或將運些材料作為 高分子的主鏈的高分子材料。
[0200] 當制作有機電致發光元件時，將通式（1)所表示的化合物不僅可W用于發光層，也 可W用于發光層W外的層中。此時，發光層中所使用的通式（1)所表示的化合物、與發光層 W外的層中所使用的通式（1)所表示的化合物可W相同也可W不同。例如，也可W在所述注 入層、阻擋層、電桐阻擋層、電子阻擋層、激子阻擋層、電桐傳輸層、電子傳輸層等中使用通 式（1)所表示的化合物。運些層的制膜方法并無特別限定，可W通過干式制程、濕式制程的 任一制程來制作。
[0201] W下，具體地例示可W用于有機電致發光元件的優選材料。其中，本發明中可W使 用的材料不受W下的例示化合物作限定性解釋。另外，即便為作為具有特定功能的材料而 例示的化合物，也可W轉用作具有其他功能的材料。另外，W下的例示化合物的結構式中的 R、Ri~化0分別獨立表示氨原子或取代基。n表示3~5的整數。
[0202] 首先，列舉也可W用作發光層的主體材料的優選化合物。
[0203] 「化 151
[0204]
[0205] [化 16]















[0247
[0248] 通過所述方法制作的有機電致發光元件是通過在所獲得的元件的陽極與陰極之 間施加電場而發光。此時，如果是利用激發單重態能量的發光，則與該能級對應的波長的光 是作為巧光發光及延遲巧光發光而被確認到。另外，如果是利用激發=重態能量的發光，貝U 與該能級對應的波長是作為憐光而被確認到。通常的巧光由于巧光壽命短于延遲巧光發 光，所W發光壽命可W由巧光與延遲巧光加 W區別。
[0249] 另一方面，關于憐光，對于如本發明的化合物般的通常的有機化合物而言，由于激 發=重態能量不穩定而被轉換為熱等，壽命短而立即失活，所W在室溫下幾乎無法觀測到。 為了測定通常的有機化合物的激發=重態能量，能夠通過觀測極低溫度條件下的發光而進 行測定。
[0250] 本發明的有機電致發光元件在單一元件、包含呈陣列狀配置的結構的元件、將陽 極與陰極呈X-Y矩陣狀配置的結構的任一結構中均可W應用。根據本發明，通過使發光層中 含有通式（1)所表示的化合物，可W獲得發光效率經大幅改善的有機發光元件。本發明的有 機電致發光元件等有機發光元件可W進一步應用于各種用途。例如可W使用本發明的有機 電致發光元件來制造有機電致發光顯示設備，關于詳細內容，可W參照時任靜±、安達千波 矢、村田英幸共著的"有機化顯示器"（化m公司）。另外，尤其本發明的有機電致發光元件也 可W應用于大需求的有機電致發光照明或背光。
[0251] [實施例]
[0252] W下列舉合成例及實施例而更具體地說明本發明的特征。W下所示的材料、處理 內容、處理順序等只要不脫離本發明的主旨，則可W適當進行變更。因此，本發明的范圍不 應受如下所示的具體例作限定性解釋。另外，發光特性的評價是使用高效（High Pe;rf ormance )紫外可見近紅外分光亮度計（巧金埃爾默（PerkinElmer)公司制造： Lambda950)、巧光分光亮度計（堀場制作所公司制造:Fluo;roMax-4)、絕對化量子產率測定 裝置(浜松光子公司制造:C11347)、電源電表（吉時利公司制造:2400系列）、半導體參數分 析器(安捷倫科技公司制造:E5273A)、光功率計測定裝置(美國理波公司制造：1930〇、光學 分光器(海洋光學公司制造:USB2000)、分光發射計(拓普康公司制造:SR-3)及快速照相機 (s化eak camera)(浜松光子股份有限公司制造的C4334型）而進行。另外，分子配向的測定 是使用楠圓偏光計(J.A.Woollam公司制造的M-2000)而進行。用于光學模型的構筑、使光學 模型與實測值的均方誤差最小化的配適等是使用作為楠圓偏光法數據分析用軟件的 WASE32(J.A.Woollam公司制造)而進行。用于評價配向性程度的序參數S是W下式定義。
[0 巧 3][數1]
[0 巧 4]
[0255] 0為基板的法線方向與分子所成的角度的平均值，kD、ke分別為相對于基板于水平 方向及法線方向具有躍遷偶極的分子的消光系數。
[0256] [合成例1]化合物1的合成
[0257] (1-1)中間物1的合成步驟 [0巧引[化34]
[0 巧9]
[0260]將1，3,5-S 漠-2,4,6-S 氣苯(0.738g，2mmol)、2-{4-(9H-巧挫基-9-基）苯基-1- 基}-4,4,5,5-四甲基-l，3,2-二氧雜棚雜環戊燒(0.52g，1.4mmol)、四氨巧喃(55ml)、四（ミ 苯基麟)鈕(Pd (PPh3)4:0.30g，0.26mmo 1)、及2M的K2C〇3aq(15ml)添加至200mlS 口燒瓶中并 進行脫氣。將經脫氣的溶液在氮氣流下升溫至66°C，進而歷時12小時滴加使1，4-{4-(9H-巧 挫基-9-基)苯基-1-基} -4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧雜棚雜環戊燒（1.70g，4.6mmol)溶解 在四氨巧喃20ml中而成的溶液，一邊將溫度保持為66°C，一邊攬拌6天。使該反應溶液恢復 到室溫后，使用蒸發器將四氨巧喃從反應溶液中去除，獲得沉淀物。對該沉淀物進行濾取 后，利用水洗凈，并進行真空干燥。將所獲得的固體物添加至經加熱的二氯甲燒200ml中而 制成溶液，將該溶液過濾后進行濃縮。向所獲得的濃縮物中添加正己燒而析出白色粉末，對 所析出的白色粉末（中間物1)進行濾取。通過W上的步驟，W產量683mg(0.80mmol)、產率 40 %獲得了中間物1的1，3，5-( 4-( 9H-巧挫基-9-基)苯基-1 -基)-2，4，6-S氣苯。
[0%1 ] 1h-NMR( 500MHz，CDC13): S = 7.33 (t，J = 7.4Hz，細；A巧），7.46 (dt，Jortho = 7.細Z， 1。6*3=1.0化，細;4巧），7.55((1，1 = 8.2化，細;4巧），7.76((1，1 = 8.4化，6山4巧），7.84((1，1 = 8.2Hz，細;A巧），8.17(d，J = 7.細z，細;A巧）.l9F-NMR巧00MHz，CDCl3):S = -115.32.
[0262] (1-2)化合物1的合成步驟 [02創[化3引
[0264
[0265] 在氮氣流下，將中間物l[(l，3,5-(4-(9H-巧挫基-9-基)苯基-1-基)-2,4,6-S氣 苯](0.86g，1 .Ommol)、氯化鐘（0.85g，13mmol)添加至200mlS口燒瓶中，添加二甲基亞諷 70ml并在160°C下加熱攬拌1小時。向經放置冷卻的反應溶液中添加二氯甲燒450ml與水 800ml，進行分液。其中于水層中添加二氯甲燒450ml進行萃取，將所獲得的有機層與先前的 分液中獲得的有機層合并。利用水500ml與飽和鹽水500ml將該有機層洗凈后，利用無水硫 酸儀使其干燥，使用蒸發器將溶劑去除。使所獲得的殘渣在二氯甲燒/正己燒的混合溶劑中 進行再結晶，W澄色固體(化合物1)的形式W產量719mg(0.82mmol)、產率82%獲得了 1，3， 5-( 4-( 9H-巧挫基-9-基)苯基-1 -基)-2，4，6-S氯基苯。
[0%6] 1h-醒R(500MHz，CDCb): 5 = 7.35(dt，Jortho = 6.8Hz，Jmeta = 0.7Hz，6H; A巧），7.48 (dt，J〇rth〇 = 7.7Hz，Jmeta=1.2Hz，6H;ArS)，7.60(d，J = 8.3Hz，6H;A^)，7.91-7.97(m，12H; Arg)，8.17 (d，J = 7.8Hz，6H; ArH).理論計算值（Anal. Calcd f or)C42此4F4N2: C，86.28; H， 4.14;N，9.58%.實驗值(Found):C，86.35;H，4.11;N，9.29%.
[0267] (合成例2)化合物2的合成
[0268] (2-1)中間物2的合成步驟
[0269] [化 36]
[0270]
[0271] 將i，3,5-S 漠-2,4,6-S 氣苯(0.738g，2mmol)、2-{4-(二苯基氨基）苯基-1-基}- 4,4,5,5-四甲基-1，3,2-二氧雜棚雜環戊燒(0.25邑，0.7111111〇1)、四氨巧喃（551111)、口(1。口113)4 (0.30g，0.26mmol)、2M的K2C〇3aq(15ml)添加至200mlS 口燒瓶中并進行脫氣。將經脫氣的溶 液在氮氣流下升溫至66°C，進而歷時12小時滴加使1，4-{4-(二苯基氨基)苯基-1-基}-4,4， 5，5-四甲基-1，3，2-二氧雜棚雜環戊燒(2. Og，5.4mmo 1)溶解在20ml的四氨巧喃中而成的溶 液，一邊將溫度保持為66°C，一邊攬拌4天。使該反應溶液恢復到室溫后，使用蒸發器將四氨 巧喃從反應溶液中去除，獲得沉淀物。對該沉淀物進行濾取后，利用水洗凈，并進行真空干 燥。將所獲得的固體物添加至經加熱的二氯甲燒25ml中而制成溶液，將該溶液過濾后進行 濃縮。向所獲得的濃縮物中添加正己燒而析出白色粉末，對所析出的白色粉末（中間物2)進 行濾取，并利用甲醇洗凈。通過W上的步驟，W產量577mg(0.67mmol)、產率34%獲得了中間 物2的1，3,5-(4-(二苯基氨基)苯基-1-基)-2,4,6-S氣苯。
[0272] 1h-NMR( 500MHz，CDC13): S = 7.05 (t，J = 7.3Hz，細；A巧），7.13 (dd，Jortho = 8.細z， Jmeta 二 2 . OHz , 6H ; Arg) , 7.1 5 ( td , Jortho 二 7.5Hz , Jmeta 二 1 . IHz , 1 2H ; Arg) , 7.28 ( dt , Jortho 二 7. OHz，Jmeta = 1.5Hz，12H; A巧），7. ：M (d，J = 8.甜z，6H; A巧）."F-NMR( 500MHz，CDCl3): s =- 117.09.
[0273] (2-2)化合物2的合成步驟
[0巧「八 Q71
[out
[0276] 在氮氣流下，將1,3,5-(4-(二苯基氨基）苯基-1-基）-2,4，6-S氣苯（0.86g， 1 .Ommol)、氯化鐘（1.02g，16mmol)添加至200mlS口燒瓶中，添加二甲基亞諷60ml并在160 °C下加熱攬拌80分鐘。向經放置冷卻的反應溶液中添加二氯甲燒450ml與水450ml，進行分 液。其中利用水500ml與飽和鹽水500ml將有機層洗凈后，利用無水硫酸儀使其干燥，利用蒸 發將溶劑去除。使所獲得的殘渣在二氯甲燒/正己燒的混合溶劑中進行再結晶，W澄色固體 (化合物2)的形式W產量875mg(0.99mmol)、產率99%獲得了1，3,5-(4-(二苯基氨基)苯基- 1-基)-2,4,6-S氯基苯。
[0277] iH-NMR(500MHz，CDCl3):S = 7.11-7.14(m，12H;A^)，7.21(d，J = 7.6Hz，12H;A^)， 7.32(t，J = 7.9Hz，12H;A巧），7.41(d，J = 8.7Hz，細;A巧）.理論計算值(Anal.Calcdfor) C63H42N6:C，85.69;H，4.79;N，9.52%.實驗值(Found):C，85.44;H，4.74;N，9.42%.
[027引（比較合成例1)比較化合物1的合成
[0279] 將依據合成例1的合成法而獲得的中間物1作為比較化合物1。
[0280] (比較合成例2)比較化合物2的合成
[0281] 將依據合成例2的合成法而獲得的中間物2作為比較化合物2。
[0282] (實施例1)使用了化合物1的有機光致發光元件的制作與評價
[0283] 在氣氣環境的手套箱中制備化合物1的甲苯溶液。
[0284] 另外，在石英基板上通過真空蒸鍛法在真空度4Xl〇-咕aW下的條件下W50nm的厚 度形成化合物1的薄膜，制成了有機光致發光元件。
[0285] 不同于此，在石英基板上通過真空蒸鍛法在真空度4Xl〇-4PaW下的條件下從不同 蒸鍛源蒸鍛化合物1與mCP，W50nm的厚度形成化合物1的濃度為6.0重量％的薄膜，制成了 有機光致發光元件。
[0286] 對具有僅化合物1的薄膜的有機光致發光元件通過楠圓偏光分光法測定配向性， 結果分子相對于化合物1的膜形成面的配向角為16.8°。
[0287] 另外，對運些使用了化合物1的樣品測定了基于337nm激發光的發光光譜。將甲苯 溶液的吸收發光光譜示于圖2。將具有僅化合物1的薄膜的有機光致發光元件的吸收光譜示 于圖3,將發光光譜示于圖4。另外，將具有化合物1與mCP的薄膜的有機光致發光元件的發光 光譜示于圖5。
[0288] 在甲苯溶液中，最大發光波長為487nm，光致發光量子效率于空氣中為67.0 %，脫 氣后為89.3%。在具有僅化合物1的薄膜的有機光致發光元件中，最大發光波長為519nm，光 致發光量子效率為85%。在具有化合物1與mCP的薄膜的有機光致發光元件中，最大發光波 長為493nm，光致發光量子效率為90%。
[0289] 另外，將對化合物1的甲苯溶液測定瞬態衰減曲線的結果示于圖6。該瞬態衰減曲 線是表示測定對化合物照射激發光而發光強度逐漸失活的過程的發光壽命測定結果。對于 通常的單成分的發光（巧光或憐光)而言，發光強度W單一指數函數的形式衰減。運意味著 在曲線圖的縱軸為半log的情況下，呈線性衰減。在圖6所示的化合物1的瞬態衰減曲線中， 雖然在觀測初期觀測到此種線性成分(巧光），但在數y秒后出現偏離直線性的成分。其為延 遲成分的發光，與初期的成分相加的信號成為在向時間側延伸的平緩曲線。通過如此般測 定發光壽命，確認到化合物1是除了巧光成分W外還包含延遲成分的發光體。空氣中的甲苯 溶液的發光壽命T為7.53ns。另外，在脫氣后的甲苯溶液的瞬態衰減曲線中，可W觀測到兩 種巧光(實時巧光、延遲巧光），實時巧光的發光壽命T1為13.7ns，延遲巧光的發光壽命T2為 7.7化3。
[0290] 此外，對具有化合物1與mCP的薄膜的有機光致發光元件在3001(、2001(、1001(、51(的 各溫度下測定了瞬態衰減曲線。將其結果示于圖7。根據圖7,確認到其是伴隨著溫度上升而 延遲巧光成分增加的熱活性型延遲巧光。
[0291] (實施例2)使用化合物2的有機光致發光元件的制作與評價
[0292] 變更使用化合物2代替化合物1的方面，制作了化合物2的甲苯溶液、具有僅化合物 1的薄膜的有機光致發光元件、及具有化合物2與mCP的薄膜的有機光致發光元件。
[0293] 對具有僅化合物2的薄膜的有機光致發光元件通過楠圓偏光分光法測定配向性， 結果分子相對于化合物2的膜形成面的配向角為20.4°。
[0294] 另外，對運些使用了化合物2的樣品測定基于337nm激發光的發光光譜。將甲苯溶 液的吸收發光光譜示于圖8。將具有僅化合物2的薄膜的有機光致發光元件的吸收光譜示于 圖9,將發光光譜示于圖10。另外，將具有化合物2與mCP的薄膜的有機光致發光元件的發光 光譜示于圖11。
[OWS]在甲苯溶液中，最大發光波長為506nm，光致發光量子效率于空氣中為76.5 %，脫 氣后為81.5%。在具有僅化合物2的薄膜的有機光致發光元件中，最大發光波長為626nm，光 致發光量子效率為49%。另外，具有化合物2與mCP的薄膜的有機光致發光元件的光致發光 量子效率為100 %。
[0296] 另外，對化合物2的甲苯溶液測定瞬態衰減曲線，結果空氣中的發光壽命T為 4.175113，脫氣后的發光壽命11為5.41化3。
[0297] 此外，對具有化合物2與mCP的薄膜的有機光致發光元件分別在300K、200K、100K、 5K的各溫度下測定了瞬態衰減曲線。將其結果示于圖12。根據圖12,確認到其是伴隨著溫度 上升而延遲巧光成分增加的熱活性型延遲巧光。
[0298] (比較例1)使用比較化合物1的有機光致發光元件的制作與評價
[0299] 變更使用比較化合物1代替化合物1的方面，制作了比較化合物1的二氯甲燒溶液、 及具有僅比較化合物1的薄膜的有機光致發光元件。
[0300] 經脫氣的二氯甲燒溶液的發光波長峰值為363nm，發光量子產率為48%。發光壽命 T為4.795ns，未觀測到延遲成分。純凈薄膜的發光波長峰值為381nm，發光量子產率為30%。 發光壽命為4.99化S，未觀測到延遲成分。
[0301] (比較例2)使用比較化合物2的有機光致發光元件的制作與評價
[0302] 變更使用比較化合物2代替化合物1的方面，制作了比較化合物2的二氯甲燒溶液、 及具有僅比較化合物2的薄膜的有機光致發光元件。
[0303] 經脫氣的甲苯溶液的發光波長峰值為395nm，發光量子產率為41 %。發光壽命T為 0.91ns，未觀測到延遲成分。純凈薄膜的發光波長峰值為393nm，發光量子產率為25%。發光 壽命為0.80化S，未觀測到延遲成分。
[0304] (實施例3)使用了化合物2的有機電致發光元件的制作與評價
[0305] 在形成有膜厚100皿的包含銅錫氧化物(IT0)的陽極的玻璃基板上，通過真空蒸鍛 法在真空度4 X l(T4Pa下積層各薄膜。首先，在IT0上WlOnm的厚度形成HATCN 巧exaaza1:;riphenyleneHexaca;rboni1:;rile，六氮雜苯并菲六臘），于其上W30nm的厚度形 成Tr i sPCZ。接著，從不同蒸鍛源將化合物2與mCBP共蒸鍛，形成了 30nm厚度的層作為發光 層。此時，化合物2的濃度是設為6重量％。接著，WlOnm的厚度形成T2T，于其上W30nm、40nm 或50皿的厚度形成了BP^P2。進而將氣化裡化iF)真空蒸鍛0.8皿，然后WlOO皿的厚度蒸鍛 侶(A1)，由此形成陰極。通過W上的步驟，制作BP^P2的厚度不同的巧巾有機電致發光元件。
[0306] 將所制作的有機電致發光元件的發光光譜示于圖13,將電壓-電流密度-亮度特性 示于圖14，將亮度-外部量子效率-功率效率特性示于圖15。使用化合物2作為發光材料的有 機電致發光元件達成了 14.6%的高外部量子效率。如果使用發光量子效率為100%的巧光 材料來嘗試制作取得了平衡的理想的有機電致發光元件，則只要光提取效率為20~30%， 巧光發光的外部量子效率便成為5~7.5%。該值通常被視為使用巧光材料的有機電致發光 元件的外部量子效率的理論極限值。就實現超出理論極限值的高外部量子效率的觀點而 言，使用化合物2的本發明的有機電致發光元件極為優異。
[0307] [化38]
[030引
[0309] [產業上的可利用性]
[0310] 本發明的化合物可W用作發光材料。因此，本發明的化合物可W有效地用作有機 電致發光元件等有機發光元件用發光材料。在本發明的化合物中，由于也包含發射延遲巧 光的化合物，所W也可W提供一種發光效率高的有機發光元件。因此，本發明的產業上的可 利用性高。
[031。[符號的說明]
[0312] 1 基板
[0313] 2 陽極
[0314] 3電桐注入層
[0315] 4電桐傳輸層
[0316] 5發光層
[0317] 6電子傳輸層
[0318] 7 陰極
【主權項】
1. 一種發光材料，其包含下述通式(1)所表不的化合物， [化1] 通式(1)[通式（1)中，R1、!?3及R5表示氰基，或R1、!? 2、!?4及R5表示氰基，剩余的R1~R6分別獨立表示 下述通式(2)~(8)的任一通式所表示的基]， [化 2-1][通式⑵~（8)中，L12~L18表示單鍵、或者經取代或未經取代的亞芳基，*表示與通式 (1)中的苯環的鍵結部位;R11 ~R2Q、R21 ~R28、R31 ~R38、R3a、R3b、R41~R48、R 4a、R51~R58、R61~ R68、R71~R78分別獨立表示氫原子或取代基;R11與R 12、R12與R13、R13與R14、R 14與R15、R16與R17、 Κ17-^Κ18^18-^Κ19^19-^Κ 20^21-^Κ22^22-^Κ2\Κ 23-^Κ2\Κ24-^Κ2\Κ25-^Κ 2\Κ26-^Κ27^27-^Κ2\ R31 與 R32、R32 與 R33、R33 與 R34、R35 與 R36、R36 與 R37、R37 與 1?38、1^與1?3|\1?41與1?42、1? 42與1?43、1?43與1?44、 R45 與 R46、R46 與 R47、R47 與 R48、R51 與 R52、R52 與 R53、R53 與 R54、R55 與 R56、R56 與 R57、R57 與 R58、R61 與 R62、 R62 與 R63、R63 與 R64、R65 與 R66、R66 與 R67、R67 與 R68、R71 與 R72、R72 與 R73、R73 與 R74、R75 與 R76、R76 與 R77、 R77與R78也可以分別相互鍵結而形成環狀結構]。2. 根據權利要求1所述的發光材料，其特征在于:通式(1)的R1、R3及R5為氰基。3. 根據權利要求1所述的發光材料，其特征在于:通式(1)的R\R2、R4及R5為氰基。4. 根據權利要求1至3中任一項所述的發光材料，其特征在于:通式(2)~(8)的L12~L18 為經取代或未經取代的亞苯基。5. 根據權利要求1至4中任一項所述的發光材料，其特征在于:通式（1)的所述剩余的R1 ~R6均為通式(2)所表示的基。6. 根據權利要求1至4中任一項所述的發光材料，其特征在于:通式（1)的所述剩余的R1 ~R6均為通式(3)所表示的基。7. 根據權利要求1至6中任一項所述的發光材料，其特征在于:分子具有旋轉對稱結構。8. -種延遲熒光體，其包含下述通式（1)所表示的化合物， [化3] 通式(1) [通式（1)中，R1、!?3及R5表示氰基，或R1、!? 2、!?4及R5表示氰基，剩余的R1~R6分別獨立表示 下述通式(2)~(8)的任一通式所表示的基]，[化 4-1] 通式(2)[通式⑵~（8)中，L12~L18表示單鍵、或者經取代或未經取代的亞芳基，*表示與通式 (1)中的苯環的鍵結部位;R11 ~R2Q、R21 ~R28、R31 ~R38、R3a、R3b、R41~R48、R 4a、R51~R58、R61~ R68、R71~R78分別獨立表示氫原子或取代基;R11與R 12、R12與R13、R13與R14、R 14與R15、R16與R17、 Κ17-^Κ18^18-^Κ19^19-^Κ 20^21-^Κ22^22-^Κ2\Κ 23-^Κ2\Κ24-^Κ2\Κ25-^Κ 2\Κ26-^Κ27^27-^Κ2\ R31 與 R32、R32 與 R33、R33 與 R34、R35 與 R36、R36 與 R37、R37 與 1?38、1^與1?3|\1?41與1?42、1? 42與1?43、1?43與1?44、 R45 與 R46、R46 與 R47、R47 與 R48、R51 與 R52、R52 與 R53、R53 與 R54、R55 與 R56、R56 與 R57、R57 與 R58、R61 與 R62、 R62 與 R63、R63 與 R64、R65 與 R66、R66 與 R67、R67 與 R68、R71 與 R72、R72 與 R73、R73 與 R74、R75 與 R76、R76 與 R77、 R77與R78也可以分別相互鍵結而形成環狀結構]。9. 一種有機發光元件，其特征在于:包含根據權利要求1至7中任一項所述的發光材料。10. 根據權利要求9所述的有機發光元件，其特征在于發射延遲熒光。11. 根據權利要求9或10所述的有機發光元件，其特征在于:其為有機電致發光元件。12. -種下述通式(V )所表示的化合物， [化5][通式（V )中，Rff及#表示氰基，或R'R W及#表示氰基，剩余的#~#分別 獨立表示下述通式(2')~(8')的任一通式所表示的基]， [化 6-1] 通式(2')[通式（2'）~（8'）中，L12'~L18'表示單鍵、或者經取代或未經取代的亞芳基，*表示與 通式（1)中的苯環的鍵結部位;R11'~R2Q'、R21'~R 28'、R31'~R38'、R3a'、R3b'、R 41'~R48'、R4a'、R51' ~R 58'、R61'~R68'、R71'~R78'分別獨立表示氫原子或取代基;R 11'與R12'、R12'與R13'、R13'與R 14'、 R14'與R15'、R16'與R17'、R 17'與R18'、R18'與R19'、R19'與R 2()'、R21'與R22'、R22'與R23'、R 23'與R24'、R24'與 R25'、R25、R26'、R26、R 27'、R27、R28'、R31、R32\R 32、R33'、R33、R34'、R35、R 36'、R36、R37'、 R37，igR38' NR3a，igR3b，NR41，igR 42' ,R42，igR43' ,R43，igR44' ,R45，igR46' ,R46，igR47' ,R47，igR48' ,R51，igr52'、r52、r53\r53、r54'、r 55、r56'、r56、r57'、r57、r 58'、r61、r62\r62、r63'、r 63、r64'、 R65'與 R66'、R66'與 R67'、R67'與 R68'、R71'與 R72'、R72'與 R73'、R73'與 R74'、R75'與 R76'、R76'與 R77'、R77'與 R78'也可以分別相互鍵結而形成環狀結構]。
【文檔編號】H01L51/50GK106062126SQ201580010956
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2015年2月25日
【發明人】種田將嗣, 志津功將, 田中啟之, 野田大貴, 中野谷, 中野谷一, 安達千波矢
【申請人】九州有機光材股份有限公司