一種晶片拋光臺的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于晶體材料加工領域，尤其是制作較薄籽晶片時使用的拋光臺。
【背景技術】
[0002]隨著國內對半導體材料的需求日益增加，從事生長加工半導體材料的企業也逐漸增多，但是由于技術設備等條件的不足，達不到工藝產品的要求，尤其是生產薄片型籽晶時，隨著厚度變薄，晶片更易斷裂，使籽晶在單面打磨拋光后難以從加工臺下取下，更難以對其進行雙面拋光，無法滿足客戶需求。
【實用新型內容】
[0003]針對現有技術存在的問題，本實用新型的目的在于提供一種晶片拋光臺，該拋光臺可用于晶片的單面拋光和雙面拋光，加工厚度可以達到10um左右。
[0004]為實現上述目的，本實用新型一種晶片拋光臺，該拋光臺設置在加熱爐中，包括作為固定基礎的陶瓷盤，所述陶瓷盤上涂覆有蜂蠟層，所述蜂蠟層中內嵌有鏡頭紙，位于所述鏡頭紙上方的蜂蠟層上黏附有待拋光的晶片，其中，鏡頭紙的幅面尺寸大于所述晶片的幅面尺寸。
[0005]進一步，所述陶瓷盤上設置有多個所述鏡頭紙，每個鏡頭紙的上方設置有一個晶片。
[0006]進一步，所述晶片為圓形，在其圓形外沿上設置一條用于定位的直線邊。
[0007]進一步，所述鏡頭紙為直徑大于所述晶片的圓形，晶片與所述鏡頭紙同軸設置。
[0008]進一步，所述陶瓷盤的直徑為300mm或360mm ;所述蜂錯層的厚度為3_5um。
[0009]本實用新型的晶片拋光臺適用于單面和雙面拋光，在拋光后卸片時，連同鏡頭紙和晶片一同從陶瓷盤上取下，再去除晶片上的鏡頭紙，這樣可以降低晶片的破碎率，不易劃傷晶片，其成本低，工藝簡單，也便于操作。
【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型中晶片拋光臺的示意圖；
[0011]圖2為圖1的俯視圖。
【具體實施方式】
[0012]下面，參考附圖，對本實用新型進行更全面的說明，附圖中示出了本實用新型的示例性實施例。然而，本實用新型可以體現為多種不同形式，并不應理解為局限于這里敘述的示例性實施例。而是，提供這些實施例，從而使本實用新型全面和完整，并將本實用新型的范圍完全地傳達給本領域的普通技術人員。
[0013]為了易于說明，在這里可以使用諸如“上”、“下” “左” “右”等空間相對術語，用于說明圖中示出的一個元件或特征相對于另一個元件或特征的關系。應該理解的是，除了圖中示出的方位之外，空間術語意在于包括裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果圖中的裝置被倒置，被敘述為位于其他元件或特征“下”的元件將定位在其他元件或特征“上”。因此，示例性術語“下”可以包含上和下方位兩者。裝置可以以其他方式定位(旋轉90度或位于其他方位)，這里所用的空間相對說明可相應地解釋。
[0014]如圖1和圖2所示為本實用新型的晶片拋光臺，該拋光臺設置在加熱爐中，具體包括陶瓷盤1、蜂蠟層2、鏡頭紙3和待拋光的晶片4，以陶瓷盤I作為固定基礎，選用直徑為300mm或360mm的陶瓷盤1，陶瓷盤I上涂覆有蜂錯層2，蜂錯層的厚度為3_5um，蜂錯層2中內嵌有鏡頭紙3，位于鏡頭紙3上方的蜂蠟層2上黏附有待拋光的晶片4，其中，鏡頭紙3的幅面尺寸大于晶片4的幅面尺寸。從圖2中可以看出，在陶瓷盤I上設置有6個鏡頭紙3，在每個鏡頭紙3的上方設置有一個晶片4。晶片4為圓形，在其圓形的外沿上設置一條用于定位的直線邊41。鏡頭紙3為直徑大于晶片4的圓形鏡頭紙，晶片4與鏡頭紙3同軸設置。
[0015]裝片時，先在陶瓷盤上涂覆一層蜂蠟，在蜂蠟上鋪上裁好的鏡頭紙，鋪好后在鏡頭紙上再次涂覆一層蜂蠟，蜂蠟的厚度達到可以浸沒鏡頭紙即可，在鏡頭紙的上方，通過對準晶片上的直線邊和外沿，與鏡頭紙保證同軸安裝晶片。
【主權項】
1.一種晶片拋光臺，其特征在于，該拋光臺設置在加熱爐中，包括作為固定基礎的陶瓷盤，所述陶瓷盤上涂覆有蜂蠟層，所述蜂蠟層中內嵌有鏡頭紙，位于所述鏡頭紙上方的蜂蠟層上黏附有待拋光的晶片，其中，鏡頭紙的幅面尺寸大于所述晶片的幅面尺寸。
2.如權利要求1所述的晶片拋光臺，其特征在于，所述陶瓷盤上設置有多個所述鏡頭紙，每個鏡頭紙的上方設置有一個晶片。
3.如權利要求2所述的晶片拋光臺，其特征在于，所述晶片為圓形，在其圓形外沿上設置一條用于定位的直線邊。
4.如權利要求3所述的晶片拋光臺，其特征在于，所述鏡頭紙為直徑大于所述晶片的圓形，晶片與所述鏡頭紙同軸設置。
5.如權利要求4所述的晶片拋光臺，其特征在于，所述陶瓷盤的直徑為300mm或360mm ;所述蜂錯層的厚度為3_5um。
【專利摘要】本實用新型公開了一種晶片拋光臺，該拋光臺設置在加熱爐中，包括作為固定基礎的陶瓷盤，所述陶瓷盤上涂覆有蜂蠟層，所述蜂蠟層中內嵌有鏡頭紙，位于所述鏡頭紙上方的蜂蠟層上黏附有待拋光的晶片，其中，鏡頭紙的幅面尺寸大于所述晶片的幅面尺寸。適用于單面和雙面拋光，在拋光后卸片時，連同鏡頭紙和晶片一同從陶瓷盤上取下，再去除晶片上的鏡頭紙，這樣可以降低晶片的破碎率，不易劃傷晶片，其成本低，工藝簡單，也便于操作。
【IPC分類】B24B7-22, B24B29-02
【公開號】CN204525120
【申請號】CN201520005411
【發明人】李 東, 李百泉, 黃偉, 郭 東, 程英杰
【申請人】北京華進創威電子有限公司
【公開日】2015年8月5日
【申請日】2015年1月6日