一種低發射率及低吸收比熱控涂層的制備方法
【專利摘要】本發明涉及一種低發射率及低吸收比熱控涂層的制備方法。包括以下操作步驟：(1)按常規鋁合金浸蝕處理方法進行前處理；(2)將前處理天線陣面放入化學拋光溶液中化學拋光；(3)將拋光天線陣面按電壓——時間動態參數關系微調技術進行電化學氧化；(4)按常規熱純水封孔處理，得到具有高精度低發射率/低吸收比熱控涂層的鋁合金縫隙波導天線陣面；(5)按常規半球發射率和太陽低吸收比測試方法進行測試；測試結果是半球發射率εH為0.32±0.02，太陽吸收比αs為0.18±0.02；(6)本發明的高精度低發射率及低吸收比熱控涂層經總遭遇量為1.6×1020個/cm2的耐原子氧空間環境試驗后，外觀完好，不起泡、不起皮，不剝落，試驗前后半球發射率和太陽吸收比的變化小于0.02。
【專利說明】
-種低發射率及低吸收比熱控涂層的制備方法
技術領域
[0001] 本發明屬于航天星載有效載荷工程應用領域，具體設及一種空間熱控涂層制備方 法，特別設及一種W3A21侶合金材料經特殊加工工藝制成的多腔多層多縫隙復雜結構的縫 隙波導天線陣面，在其表面制備一種熱福射性能同時滿足高精度低發射率和低吸收比的空 間熱控涂層。主要應用于星載SAR天線子系統的空間熱控。
【背景技術】
[0002] 隨著衛星功能需求的發展，裂縫波導天線陣面表面熱控涂層向著精確控溫、長壽 命及高性能方向發展。目前，很多衛星的設計壽命達到8-10年，天線陣面熱控涂層不僅要滿 足熱福射性能指標，還應能夠承受冷熱交變、真空一電子、質子、空間原子氧等福照，具有優 異的空間穩定性。
[0003] 未添加熱控涂層的3A21侶合金常規加工表面太陽吸收比為0.20~0.4,半球發射 率在0.10W下，吸福比達到了2~3,在太陽垂直照射條件下，其表面溫度會迅速提高，為了 維持空間環境下天線表面及內部T/R穩定的工作溫度水平，天線陣面必須添加熱控涂層。一 種天線陣面采用集成化程度極高的一體化天線模塊先進設計方案，熱控涂層應具有低發 射、低吸收的熱控狀態，具體熱控設計指標為:發射率（巧)為0.32±0.02,太陽吸收比（as) 為0.18 ± 0.02，發射率和吸收比均為低值且精度高。
[0004] 目前，國內使用的有機白漆、0SR、柔性熱控涂層、侶合金陽極氧化等方法制備的熱 控涂層，只能滿足較低的太陽吸收比和較高的半球發射率；國內曾在某型號衛星上采用了 化學氧化的方法，開展了裂縫波導天線的熱控研制，得到的涂層半球發射率低，為0.12~ 0.13,但是太陽吸收比高，達到0.35~0.40,而不能同時達到低發射率和低吸收比熱控性能 要求。
[0005] 侶合金陽極氧化熱控涂層是利用電化學方法在基體表面原位生長的一層無機涂 層材料，與基體結合強度高，空間性能穩定，在我國多個衛星產品上研制的侶合金陽極氧化 熱控涂層太陽吸收比為0.30~0.40，半球發射率為0.6~0.7，與本天線陣面要求的指標存 在較大差別，國內從事衛星熱控涂層研究較早的幾家單位，雖然發射率能做到0.30，但吸收 比只能做到0.20W上，且兩個指標的精度只能達到±0.03。中科院上海有機化學研究所研 制的侶粉漆噴涂型熱控涂層，其熱福射性能指標和我們的較近，曾在風云二號衛星上有過 工程應用經驗，但經1000ESH(太陽當量小時）紫外福照后，漆的太陽吸收比變化可達30%， 對部件表面的溫度影響較大，同時，漆與基材的結合力較差，在發射之前就曾出現脫落，加 上復雜結構件更是難W施工。
[0006] 由于天線陣面特殊加工工藝特點及多腔多層多縫隙復雜結構形式，采用粘貼0SR、 真空鍛膜和包裹柔性熱控涂層等方法都很難實施，甚至不能滿足通訊功能，限制了熱控涂 層技術的使用，因此，開展裂縫波導天線陣面熱控涂層研制是實現天線陣面特定范圍溫度 控制需要解決的一個重要難題和關鍵任務。

【發明內容】

[0007] 為了解決侶合金裂縫波導天線的空間熱控難題，本發明提供一種低發射率及低吸 收比熱控涂層制備方法。
[0008] 制備低發射率及低吸收比熱控涂層的具體操作步驟如下：
[0009] (1)前處理
[0010] 將待處理侶合金縫隙波導天線陣面按常規侶合金浸蝕處理方法處理，得到前處理 天線陣面；
[0011] (2)化學拋光
[0012]將前處理天線陣面放入化學拋光溶液中拋光，拋光溫度120±10°C、時間20~50 秒，得到拋光天線陣面；
[0013] (3)電化學氧化
[0014]將拋光天線陣面按常規侶合金氧化溶液，在電壓一時間動態參數關系條件下，氧 化工藝條件是:硫酸化S04)180~200g/L、侶離子《15g/l、溫度17±rC、額定總電流18A、電 壓范圍5~8V、時間1300~900s;得到氧化天線陣面；
[001引 （4)封孔
[0016]對氧化天線陣面上的縫隙進行常規熱純水封孔處理，水的pH值為5.5~7、溫度95 ~10(TC、時間5分鐘;得到具有低發射率及低吸收比熱控涂層的侶合金縫隙波導天線陣面； [0017] (5)熱福射性能指標巧聯
[0018] 對具有低發射率及低吸收比熱控涂層的侶合金縫隙波導天線陣面按常規熱福射 性能指標測試方法進行測試;測試結果是低發射率及低吸收比熱控涂層的熱福射性能指標 半球發射率川為0.32±0.02,太陽吸收比as為0.18±0.02。
[0019] 進一步限定的技術方案如下：
[0020] 步驟(2)中的化學拋光溶液配方為按體積比憐酸化3P化)90%、硫酸化2S化)3%、硝 酸化 N03)7%。
[0021] 步驟(3)中電壓一時間動態參數關系：當起始電壓為5.7~6. IV、穩定電壓為6.6~ 7.0V時，為獲得半球發射率eh為0.32 ± 0.02，則氧化時間為1100~1240秒，電壓每增加 0.1 V，時間參數就相應縮短20~30秒。
[0022] 本發明的有益技術效果體現在W下方面：
[0023] 1.本發明采用了特種配方化學拋光前處理，達到材料表面整平和光亮的效果，使 太陽吸收比指標有效降到了 0.20 W下。
[0024] 由圖1可見，采用兩層3A21侶合金分別加工成內腔和外部結構形式，再經真空針焊 而成，天線正面有十多條500(長）X2(寬）X 12.8(深）的狹長凹形扼流槽，表面有近五十個 通向內腔的狹小縫隙，產品結構復雜，局限了熱控涂層的制備方法選擇，增加制備難度。
[0025] 參見圖2,3A21侶合金材料本身較常見，但由于產品結構特點，最后一道加工成型 采用真空針焊，在特定的針焊溫度和條件下，材料表面發生較大的狀態變化，和常規機加工 表面狀態差異大，使表面太陽吸收比指標增加顯著，運樣的材料表面狀態如果使用常規侶 合金酸洗或浸蝕方法，太陽吸收比指標介于0.25~0.40之間，根本不可能低于0.20，指標實 現難度大。在本發明中，采用了特種配方化學拋光前處理，材料表面達到整平和光亮的效 果，才實現太陽吸收比指標有效降到了 0.20 w下。
[0026] 2.由圖3可見，侶合金電化學氧化涂層的半球發射率與氧化膜厚呈一定的變化規 律，當膜層厚底低于5微米W下時，趨于膜厚增長階段，發射率上升快，處于氧化工藝不穩定 狀態，對應圖中低發射率0.32指標要求，理論上控制膜層厚度是可W的，但由于侶合金電化 學氧化是一個氧化膜生成和溶解同時進行的電解反應，反應本身就是動態的，在氧化膜生 成初始階段，反應更是不穩定，且目前國內外半球發射率測試精度也只能達到±0.02,所W 要求實現到0.32 ± 0.02的高精度指標難度更大，工程化應用更未曾實現過。
[0027] 3.由圖4可見，本發明中的3A21材料產品隨爐試片經熱控涂層制備方法后的表面 外觀，經測試，太陽吸收比和半球發射率完全達到指標要求，通過化學拋光方法既確保了吸 收比達到0.20W下，消除了真空針焊對表面狀態的影響，保證了太陽吸收比±0.02的精度 要求，按照氧化電壓一一時間動態參數關系，采用"時間動態參數微調技術"解決了〇.32± 0.02高精度低發射率指標難題。同時，本發明方法適用于侶合金表面高精度低吸收比和發 射率0.10~0.60之間的系列高精度熱控涂層的制備。
[00%] 4.通過本發明，獲得一組電壓一一時間動態參數關系參考對照表1，有效解決侶合 金縫隙波導天線陣面高精度低發射率低吸收比熱控涂層制備的批量工程化應用問題。
[0029 ]電壓一時間動態參數關系參考對照表1
[0030]
[0031] 氧化時間參數設定方法:氧化過程中，起始電壓非常短暫，很快升至穩定電壓，故 起始電壓對時間參數波動的影響較小，重點看穩定電壓值，當起始電壓相同時，穩定電壓每 增高0.1V，時間參數可減少約20秒(如果時間不變，半球發射率會增加約0.01 )，如果穩定電 壓相同時，根據起始電壓將時間參數作相應微調。
【附圖說明】
[0032] 圖1是待處理侶合金縫隙波導天線陣面局部結構示意圖；
[0033] 圖2是本發明中模擬產品特殊加工過程的陪爐試片表面狀態和侶合金常規加工表 面狀態對比圖；
[0034] 圖3是3A21電化學氧化熱控涂層半球發射率隨氧化膜厚變化關系圖；
[0035] 圖4是本發明中完全模擬產品實際加工狀態經熱控涂層制備的陪片的照片。
【具體實施方式】
[0036] 下面結合具體實施例，對本發明作進一步地描述。
[0037] W下實施例所用原料:濃硫酸化2S〇4)，濃硝酸化N03)，憐酸化3P化），氨氧化鋼NaOH， 碳酸鋼Na2C〇3，憐酸鋼Na3P〇4，均為市面在售常規化學試劑和商品。
[003引實施例1
[0039] 本實施例所用材料如下：
[0040] 堿蝕液配方:氨氧化鋼(化0H)18g/L、碳酸鋼(化2C〇3)35g/L、憐酸鋼(Na3P〇4)45g/L 和水1L。
[0041] 出光液按配方量取濃硝酸和濃硫酸，將硝酸緩慢的加入濃硫酸中并攬拌冷卻至室 溫，出光液配方為:HN03:出S〇4=l:l(V:V)。
[0042] 化學拋光液的體積百分含量分別為:憐酸化3PO4)90 % (V)，硫酸化2S化)3 % (V)，硝 酸化 N03)7%(V)。
[0043] 電化學氧化溶液配方:硫酸化2S化)185g/L、侶離子(Al3+)10g/L和水1L。
[0044] 待處理侶合金縫隙波導天線陣面結構見圖1，由圖1中右側圖顯示了天線陣面上縫 隙的正面分布情況，左側圖顯示了縫隙的深度。
[0045] 侶合金縫隙波導天線陣面的熱控涂層制備的具體操作步驟如下：
[0046] (1)前處理
[0047] 將待處理侶合金縫隙波導天線陣面背面需導電部位進行局部保護，確保運些部位 不會生成氧化膜；
[004引再按常規侶合金浸蝕處理方法處理，得到前處理天線陣面。
[0049] (2)化學拋光
[0050] 采用鐵合金專用工裝將前處理天線陣面和2件隨爐隨槽試片安裝牢固，并確保工 裝與前處理天線陣面和試片之間電接觸良好。
[0051] 將前處理天線陣面和隨爐隨槽試片同時放入66°C的堿蝕液中，時間25秒，取出，流 動水中充分清洗，內腔需反復傾覆清洗3~4次，最后再用去離子水清洗2次，得到堿蝕天線 陣面；
[0052] 將堿蝕天線陣面和隨爐隨槽試片同時放入126°C的化學拋光溶液中，時間40秒，取 出，流動水中充分清洗，內腔需反復傾覆清洗3~4次，最后再用去離子水清洗2次，得到拋光 天線陣面。
[0053] (3)電化學氧化
[0054] 將拋光天線陣面和隨爐隨槽試片同時置于上述配制的電化學氧化溶液中的陽極， 溶液溫度16.8°C，額定總電流18A，入槽后的起始電壓為5.9V，待電流導通升至18A并穩定 后，觀察并記錄穩定電壓為6.7V，查找時間一一電壓動態參數關系參考對照表中相同起始 電壓和穩定電壓，分別為序號3和序號7,推算動態時間參數應為1170s~1220s之間（見下 表），故時間參數設定為1180s，待氧化到1180s時，斷電，零件起槽，流動水中充分清洗，內腔 需反復傾覆清洗3~4次，最后再用去離子水清洗2次，得到氧化天線陣面。
[0055]電壓一時間動態參數關系參考對照表
[0057]該表為電壓一時間動態參數關系參考對照表1中序號3-5的部分。
[005引 （4)封孔
[0059] 對氧化天線陣面上的縫隙進行常規熱純水封孔處理，水的pH值為5.8、溫度95°C、 時間5分鐘;取出得到具有低發射率及低吸收比熱控涂層的侶合金縫隙波導天線陣面。由圖 2可見，具有低發射率及低吸收比熱控涂層的侶合金縫隙波導天線陣面的表面狀態（圖化） 與常規加工表面狀態（圖2a)對比，明顯可見本發明方法處理的表面狀態明顯光滑平順。
[0060] (5)熱福射性能指標測試
[0061] 由于侶合金縫隙波導天線陣面復雜結構特點，不具備在其表面直接進行半球發射 率和太陽吸收比測試的條件，故采用與侶合金縫隙波導天線陣面同牌號、同批次且完全模 擬其加工工藝流程的符合測試要求的陪爐試片下簡稱陪片)進行同槽熱控涂層的制備， 按常規熱福射性能指標測試方法測試陪片的半球發射率和太陽吸收比，并W此表征該天線 陣面表面熱福射性能指標，每件侶合金縫隙波導天線陣面隨2件陪片，具有低發射率及低吸 收比熱控涂層的陪片外觀情況見圖4。 「noA^I
[0063] 本實施例的2件陪片的半球發射率和太陽吸收比as測試結果見上表。
[0064] (6)涂層耐空間原子氧環境試驗
[0065] 對具有低發射率及低吸收比熱控涂層的侶合金縫隙波導天線陣面按常規涂層耐 空間原子氧環境試驗方法進行試驗;試驗結果是經總遭遇量為1.6X102MVcm2的耐原子氧 空間環境試驗，低發射率及低吸收比熱控涂層外觀完好，不起泡、不起皮，不剝落，試驗前后 半球發射率和太陽吸收比的變化小于0.02。
[0066] 實施例2:
[0067] 本實施例所用材料如下：
[006引堿蝕液配方:氨氧化鋼(化0H) 16g/L、碳酸鋼(化2C03) 36g/L、憐酸鋼(Na3P04) 44g/L 和水IL。
[0069] 出光液按配方量取濃硝酸和濃硫酸，將硝酸緩慢的加入濃硫酸中并攬拌冷卻至室 溫，出光液配方為:HN03:也S〇4=l:l(V:V)。
[0070] 化學拋光液的體積百分含量分別為:憐酸化3PO4)90 % (V)，硫酸化2SO4)3 % (V)，硝 酸化 N03)7%(V)。
[0071] 電化學氧化溶液配方:硫酸化2S〇4)188g/L、侶離子(Ap)12g/L和水1L。
[0072] 待處理侶合金縫隙波導天線陣面結構見圖1，由圖1中（a)、（b)可見待處理侶合金 縫隙波導天線陣面上的福射縫的情況。
[0073] 侶合金縫隙波導天線陣面的熱控涂層制備的具體操作步驟如下：
[0074] (1)前處理
[0075] 將待處理侶合金縫隙波導天線陣面背面需導電部位進行局部保護，確保運些部位 不會生成氧化膜；
[0076] 再按常規侶合金浸蝕處理方法處理，得到前處理天線陣面。
[0077] (2)化學拋光
[0078] 采用鐵合金專用工裝將前處理天線陣面和2件隨爐隨槽試片安裝牢固，并確保工 裝與前處理天線陣面和試片之間電接觸良好。
[0079] 將前處理天線陣面和隨爐隨槽試片同時放入65°C的堿蝕液中，時間30秒，取出，流 動水中充分清洗，內腔需反復傾覆清洗3~4次，最后再用去離子水清洗2次，得到堿蝕天線 陣面；
[0080] 將堿蝕天線陣面和隨爐隨槽試片同時放入12rC的化學拋光溶液中，時間50秒，取 出，流動水中充分清洗，內腔需反復傾覆清洗3~4次，最后再用去離子水清洗2次，得到拋光 天線陣面。
[0081] (3)電化學氧化
[0082] 將拋光天線陣面和隨爐隨槽試片同時置于上述配制的電化學氧化溶液中的陽極， 溶液溫度16.7°C，額定總電流18A，入槽后的起始電壓為5.8V，待電流導通升至18A并穩定 后，觀察并記錄穩定電壓為6.8V，查找時間一一電壓動態參數關系參考對照表中相同起始 電壓和穩定電壓，分別為序號2和序號6,推算動態時間參數應為1150s~1230s之間（見下 表），根據穩定電壓的影響要遠大于起始電壓的規律，故時間參數設定為1170s，待氧化到 1170s時，斷電，零件起槽，流動水中充分清洗，內腔需反復傾覆清洗3~4次，最后再用去離 子水清洗2次，得到氧化天線陣面。
[0083 ]電壓一時間動態參數關系參考對照表 rn〇R4i
[0085] 該表為電壓一時間動態參數關系參考對照表1中序號2-6的部分。
[0086] (4)封孔
[0087] 對氧化天線陣面上的縫隙進行常規熱純水封孔處理，水的pH值為5.8、溫度95°C、 時間5分鐘;取出得到具有低發射率及低吸收比熱控涂層的侶合金縫隙波導天線陣面。由圖 2可見，具有低發射率及低吸收比熱控涂層的侶合金縫隙波導天線陣面的表面狀態與常規 加工表面狀態對比，明顯可見本發明方法處理的表面狀態明顯光滑平順。
[0088] (5)熱福射性能指標測試
[0089]由于侶合金縫隙波導天線陣面復雜結構特點，不具備在其表面直接進行半球發射 率和太陽吸收比測試的條件，故采用與侶合金縫隙波導天線陣面同牌號、同批次且完全模 擬其加工工藝流程的符合測試要求的陪片進行同槽熱控涂層的制備，按常規熱福射性能指 標測試方法測試陪片的半球發射率和太陽吸收比，并W此表征該天線陣面表面熱福射性能 指標，每件侶合金縫隙波導天線陣面隨2件陪片。 「nnoni
[0091] 本實施例的2件陪片的半球發射率和太陽吸收比as測試結果見上表。
[0092] (6)涂層耐空間原子氧環境試驗
[0093] 對具有低發射率及低吸收比熱控涂層的侶合金縫隙波導天線陣面按常規涂層耐 空間原子氧環境試驗方法進行試驗;試驗結果是經總遭遇量為1.6X102MVcm2的耐原子氧 空間環境試驗，低發射率及低吸收比熱控涂層外觀完好，不起泡、不起皮，不剝落，試驗前后 半球發射率和太陽吸收比的變化小于0.02。
[0094] 實施例3:
[00M] 本實施例所用材料如下：
[0096] 堿蝕液配方:氨氧化鋼(化0H) 19g/L、碳酸鋼(化2C〇3) 38g/L、憐酸鋼(Na3P〇4) 47g/L 和水IL。
[0097] 出光液按配方量取濃硝酸和濃硫酸，將硝酸緩慢的加入濃硫酸中并攬拌冷卻至室 溫，出光液配方為:HN03:出S〇4=l:l(V:V)。
[0098] 化學拋光液的體積百分含量分別為:憐酸化3PO4)90 % (V)，硫酸化2S化)3 % (V)，硝 酸化 N03)7%(V)。
[0099] 電化學氧化溶液配方:硫酸化2S化)192g/L、侶離子(Al3+)llg/L和水1L。
[0100] 待處理侶合金縫隙波導天線陣面結構見圖1，由圖1中（a)、（b)可見待處理侶合金 縫隙波導天線陣面上的福射縫的情況。
[0101] 侶合金縫隙波導天線陣面的熱控涂層制備的具體操作步驟如下：
[0102] (1)前處理
[0103] 將待處理侶合金縫隙波導天線陣面背面需導電部位進行局部保護，確保運些部位 不會生成氧化膜；
[0104] 再按常規侶合金浸蝕處理方法處理，得到前處理天線陣面。
[0105] (2)化學拋光
[0106] 采用鐵合金專用工裝將前處理天線陣面和2件隨爐隨槽試片安裝牢固，并確保工 裝與前處理天線陣面和試片之間電接觸良好。
[0107] 將前處理天線陣面和隨爐隨槽試片同時放入68°C的堿蝕液中，時間25秒，取出，流 動水中充分清洗，內腔需反復傾覆清洗3~4次，最后再用去離子水清洗2次，得到堿蝕天線 陣面；
[0108] 將堿蝕天線陣面和隨爐隨槽試片同時放入122°C的化學拋光溶液中，時間50秒，取 出，流動水中充分清洗，內腔需反復傾覆清洗3~4次，最后再用去離子水清洗2次，得到拋光 天線陣面。
[0109] (3)電化學氧化
[0110] 將拋光天線陣面和隨爐隨槽試片同時置于上述配制的電化學氧化溶液中的陽極， 溶液溫度16.5 °C，額定總電流18A，入槽后的起始電壓為6.0V，待電流導通升至18A并穩定 后，觀察并記錄穩定電壓為7. IV，查找時間一一電壓動態參數關系參考對照表中相同起始 電壓和穩定電壓，分別為序號8，時間參數設定為1080s，待氧化到1080s時，斷電，零件起槽， 流動水中充分清洗，內腔需反復傾覆清洗3~4次，最后再用去離子水清洗2次，得到氧化天 線陣面。
[0111] 電壓一時間動態參數關系參考對照表
[0112]
[0113] 該表為電壓一時間動態參數關系參考對照表1中序號7-8的部分。
[0114] (4)封孔
[0115] 對氧化天線陣面上的縫隙進行熱純水封孔處理，水的pH值為5.9、溫度95 °C、時間5 分鐘；取出得到具有低發射率及低吸收比熱控涂層的侶合金縫隙波導天線陣面。由圖2可 見，具有低發射率及低吸收比熱控涂層的侶合金縫隙波導天線陣面的表面狀態與常規加工 表面狀態對比，明顯可見本發明方法處理的表面狀態明顯光滑平順。
[0116] (5)熱福射性能指標測試
[0117] 由于侶合金縫隙波導天線陣面復雜結構特點，不具備在其表面直接進行半球發射 率和太陽吸收比測試的條件，故采用與侶合金縫隙波導天線陣面同牌號、同批次且完全模 擬其加工工藝流程的符合測試要求的陪片進行同槽熱控涂層的制備，按常規熱福射性能指 標測試方法測試陪片的半球發射率和太陽吸收比，并W此表征該天線陣面表面熱福射性能 指標，每件侶合金縫隙波導天線陣面隨2件陪片。 「A4 4 〇1
[0119」本實施例的2件陪片的半球發射率和太舊吸收比as測試結果見上表。
[0120] (6)涂層耐空間原子氧環境試驗
[0121] 對具有低發射率及低吸收比熱控涂層的侶合金縫隙波導天線陣面按常規涂層耐 空間原子氧環境試驗方法進行試驗;試驗結果是經總遭遇量為1.6X102MVcm2的耐原子氧 空間環境試驗，低發射率及低吸收比熱控涂層外觀完好，不起泡、不起皮，不剝落，試驗前后 半球發射率和太陽吸收比的變化小于0.02。
【主權項】
1. 一種低發射率及低吸收比熱控涂層的制備方法，其特征在于： (1) 前處理 將待處理鋁合金縫隙波導天線陣面按常規鋁合金浸蝕處理方法處理，得到前處理天線 陣面； (2) 化學拋光 將前處理天線陣面放入化學拋光溶液中拋光，拋光溫度120± 10°C、時間20~50秒，得 到拋光天線陣面； (3) 電化學氧化 將拋光天線陣面按常規鋁合金氧化溶液，在電壓一時間動態參數關系條件下，氧化工 藝條件是:硫酸(H2S〇4) 180~200g/L、鋁離子彡15g/l、溫度17 ± 1°C、額定總電流18A、電壓范 圍5~8V、時間1300~900s;得到氧化天線陣面； (4) 封孔 對氧化天線陣面上的縫隙進行常規熱純水封孔處理，水的pH值為5.5~7、溫度95~100 °C、時間5分鐘;得到具有低發射率及低吸收比熱控涂層的鋁合金縫隙波導天線陣面； (5) 熱輻射性能指標測試 對具有低發射率及低吸收比熱控涂層的鋁合金縫隙波導天線陣面按常規熱輻射性能 指標測試方法進行測試;測試結果是低發射率及低吸收比熱控涂層的熱輻射性能指標半球 發射率εΗ為0.32±0.02,太陽吸收比~為0.18±0.02。2. 根據權利要求1所述的一種低發射率及低吸收比熱控涂層的制備方法，其特征在于： 步驟(2)中的化學拋光溶液配方為按體積比磷酸(Η 3Ρ〇4)90 %、硫酸(H2S〇4) 3 %、硝酸(ΗΝ〇3) 7%。3. 根據權利要求1所述的一種低發射率及低吸收比熱控涂層的制備方法，其特征在于 步驟(3)中電壓一時間動態參數關系： 當起始電壓為5.7~6 . IV、穩定電壓為6.6~7.0V時，為獲得半球發射率εΗ為0.32 土 0.02，則氧化時間為1100~1240秒，電壓每增加0.1 V，時間參數就相應縮短20~30秒。
【文檔編號】C25D11/18GK106048613SQ201610522383
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年7月1日
【發明人】盧海燕, 吳文煜, 左防震, 高波
【申請人】中國電子科技集團公司第三十八研究所