一種輻射散熱膜的制備方法
【專利摘要】一種輻射散熱膜的制備方法，將四氯化錫與三氯化銻水溶液按照銻錫摩爾比為1:9至1:1.5的比例混合，霧化成氣溶膠，在載氣的引導下、在溫度為400℃至600℃的襯底表面形成摻雜銻的二氧化錫膜，在所述摻雜銻的二氧化錫膜中，銻的摩爾百分含量為10?40%。具體是將四氯化錫與三氯化銻水溶液的混合液放入超聲波霧化裝置中霧化成氣溶膠，所使用的超聲波頻率不低于1.7MHz。氣為空氣、氮氣或者氬氣。襯底為鋁襯底、鋁合金襯底、不銹鋼襯底或者玻璃襯底。本發明的輻射散熱膜的制備方法，所制備的輻射散熱膜輻射散熱效果好，而且環保。
【專利說明】
一種輻射散熱膜的制備方法
技術領域
[0001]本發明涉及輻射散熱技術領域，特別是涉及一種輻射散熱膜的制備方法。
【背景技術】
[0002]隨著電子產品性能的不斷提高及電子產品體積的不斷小型化，對電子產品的散熱性能要求也越來越高。輻射散熱膜是一種良好的散熱材料，在散熱性能的提高方面發揮著重要作用。
[0003]常見的輻射散熱膜的制備方式主要有涂料涂覆如碳化硅、氮化硅涂料涂層、陽極氧化如氧化鋁膜等工藝與材料。這些工藝與材料面臨界面熱阻高或環保壓力大的問題。
[0004]因此，針對現有技術不足，提供一種輻射散熱效果好、環保性良好的輻射散熱膜的制備方法以克服現有技術不足甚為必要。
【發明內容】
[0005]本發明的目的在于避免現有技術的不足之處而提供一種輻射散熱膜的制備方法，該輻射散熱膜的制備方法具有輻射散熱效果好、環保的特點。
[0006]本發明的上述目的通過如下技術手段實現。
提供一種輻射散熱膜的制備方法，將四氯化錫與三氯化銻水溶液按照銻錫摩爾比為1:9至1: 1.5的比例混合，再霧化成氣溶膠，在載氣的引導下、在溫度為400 0C至600 V的襯底表面形成摻雜銻的二氧化錫膜，在所述摻雜銻的二氧化錫膜中，銻的摩爾百分含量為10-40%。
[0007]上述的輻射散熱膜的制備方法，具體是將四氯化錫與三氯化銻水溶液的混合液放入超聲波霧化裝置中霧化成氣溶膠，所使用的超聲波頻率不低于1.7MHz。
[0008]上述載氣為空氣、氮氣或者氬氣。
[0009]上述襯底為鋁襯底、鋁合金襯底、不銹鋼襯底或者玻璃襯底。
[0010]優選的，上述摻雜銻的二氧化錫膜中，銻的摩爾百分含量為10%、15%、20%、25%、30%或者45%。
[0011]作為一種優選方式，上述的輻射散熱膜的制備方法，具體是在溫度為450°C的襯底表面形成摻雜銻的二氧化錫膜。
[0012]作為一種優選方式，上述的輻射散熱膜的制備方法，具體是在溫度為5000C的襯底表面形成摻雜銻的二氧化錫膜。
[0013]作為一種優選方式，上述的輻射散熱膜的制備方法，具體是在溫度為550V的襯底表面形成摻雜銻的二氧化錫膜。
[0014]作為一種優選方式，上述的輻射散熱膜的制備方法，具體是在溫度為600°C的襯底表面形成摻雜銻的二氧化錫膜。
[0015]本發明的輻射散熱膜的制備方法，將四氯化錫與三氯化銻水溶液按照銻錫摩爾比為1:9至1: 1.5的比例混合，霧化成氣溶膠，在載氣的引導下、在溫度為400 0C至600 V的襯底表面形成摻雜銻的二氧化錫膜，在所述摻雜銻的二氧化錫膜中，銻的摩爾百分含量為10-40%。本發明的輻射散熱膜的制備方法，在襯底沉積一層高摻雜的二氧化錫膜，將金屬的強度與高導熱率與高摻雜二氧化錫膜的高輻射散熱相結合，能夠提高封裝器件、散熱器件的散熱能力，不僅輻射散熱效果好，而且環保。
【具體實施方式】
[0016]結合以下實施例對本發明作進一步描述。
[0017]實施例1。
[0018]一種輻射散熱膜的制備方法，將四氯化錫與三氯化銻水溶液按照銻錫摩爾比為1:9至1: 1.5的比例混合，霧化成氣溶膠，在載氣的引導下、在溫度為400°(:至600 V的襯底表面形成摻雜銻的二氧化錫膜，在所述摻雜銻的二氧化錫膜中，銻的摩爾百分含量為10-40%，優選為 10%、15%、20%、25%、30% 或者 45%。
[0019]具體可將四氯化錫與三氯化銻水溶液的混合液放入超聲波霧化裝置中霧化成氣溶膠，所使用的超聲波頻率不低于1.7MHz。所使用的載氣為空氣、氮氣或者氬氣。所采用的襯底為鋁襯底、鋁合金襯底、不銹鋼襯底或者玻璃襯底。
[0020]該輻射散熱膜的制備方法，在襯底沉積一層高摻雜的二氧化錫膜，將金屬的強度與高導熱率與高摻雜二氧化錫膜的高輻射散熱相結合，能夠提高封裝器件、散熱器件的散熱能力，不僅輻射散熱效果好，而且環保。
[0021]實施例2。
[0022]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻與錫的摩爾比為1/9混合，放入超聲波霧化裝置中霧化成氣溶膠，在空氣載氣的引導下，在400°C的鋁襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)。實驗結果顯示，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.9-
0.95，具有良好的熱輻射特性。
[0023]實施例3。
[0024]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻與錫的摩爾比為1/9混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在空氣載氣的引導下，在450°C的鋁襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)。在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.9-0.95，具有良好的熱輻射特性。
[0025]實施例4。
[0026]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比1/9混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在空氣載氣的引導下，在5000C的鋁襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)。在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.8-0.85，具有良好的熱輻射特性。
[0027]實施例5。
[0028]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比1/9混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在空氣載氣的引導下，在5500C的鋁襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)。在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.8-0.85，具有良好的熱輻射特性。
[0029]實施例6。
[0030]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比1/9混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在氮氣載氣的引導下，在6000C的鋁襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)。在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.75-0.85，具有良好的熱輻射特性。
[0031]實施例7。
[0032]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比15/85混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在氮氣載氣的引導下，在400°C的鋁合金襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)。在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.9-0.95，具有良好的熱輻射特性。
[0033]實施例8。
[0034]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比15/85混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在氬氣載氣的引導下，在450°C的鋁合金襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜。在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.9-0.95，具有良好的熱輻射特性。
[0035]實施例9。
[0036]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比15/85混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在氮氣載氣的引導下，在500°C的鋁合金襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.8-0.85，具有良好的熱輻射特性。
[0037]實施例10。
[0038]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比15/85混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在氮氣載氣的引導下，在500 °C的不銹鋼襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.8-0.85，具有良好的熱輻射特性。
[0039]實施例11。
[0040]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比15/85混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在空氣載氣的引導下，在5500C的玻璃襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.8-0.85。
[0041]實施例12。
[0042]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比15/85混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在氮氣載氣的引導下，在600°C的鋁合金襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.75-0.85，具有良好的熱輻射特性。
[0043]實施例13。
[0044]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比20/80混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在氬氣載氣的引導下，在400 0C的不銹鋼襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.9-0.95，具有良好的熱輻射特性。
[0045]實施例14。
[0046]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比20/80混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在氬氣載氣的引導下，在450°C的玻璃襯底表面沉積，形成摻雜鋪的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.9-0.95，具有良好的熱輻射特性。
[0047]實施例15。
[0048]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比20/80混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在氮氣載氣的引導下，在500°C的玻璃襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.8-0.85，具有良好的熱輻射特性。
[0049]實施例16。
[0050]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比20/80混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在空氣載氣的引導下，在550 0C的不銹鋼襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.8-0.85，具有良好的熱輻射特性。
[0051]實施例17。
[0052]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比20/80混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在氬氣載氣的引導下，在600°C的玻璃襯底表面沉積，形成摻雜鋪的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.75-0.85，具有良好的熱輻射特性。
[0053]實施例18。
[0054]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比25/75混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在氬氣載氣的引導下，在400°C的鋁襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.9-0.95，具有良好的熱輻射特性。
[0055]實施例19。
[0056]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比25/75混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在氬氣的引導下，在450°C的不銹鋼襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.9-0.95，具有良好的熱輻射特性。
[0057]實施例20。
[0058]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比25/75混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在氮氣載氣的引導下，在5000C的鋁襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.8-0.85。
[0059]實施例21。
[0060]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比25/75混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在氬氣載氣的引導下，在550°C的鋁合金、不銹襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.8-0.85，具有良好的熱輻射特性。
[0061]實施例22。
[0062]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比25/75混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在氬氣載氣的引導下，在600°C的鋁襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.7-0.85，具有良好的熱輻射特性。
[0063]實施例23。
[0064]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比30/70混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在載氣(空氣或氮氣或氬氣)的引導下，在4000C的鋁(或鋁合金、不銹鋼、玻璃)襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.9-0.95，具有良好的熱輻射特性。
[0065]實施例24。
[0066]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比30/70混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在載氣(空氣或氮氣或氬氣)的引導下，在4500C的鋁(或鋁合金、不銹鋼、玻璃)襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.9-0.95，具有良好的熱輻射特性。
[0067]實施例25。
[0068]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比30/70混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在載氣(空氣或氮氣或氬氣)的引導下，在5000C的鋁(或鋁合金、不銹鋼、玻璃)襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.8-0.85，具有良好的熱輻射特性。
[0069]實施例26。
[0070]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比30/70混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在載氣(空氣或氮氣或氬氣)的引導下，在5500C的鋁(或鋁合金、不銹鋼、玻璃)襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.8-0.85，具有良好的熱輻射特性。
[0071]實施例27。
[0072]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比30/70混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在載氣(空氣或氮氣或氬氣)的引導下，在6000C的鋁(或鋁合金、不銹鋼、玻璃)襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.75-0.85，具有良好的熱輻射特性。
[0073]實施例28。
[0074]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比35/65混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在載氣(空氣或氮氣或氬氣)的引導下，在4000C的鋁(或鋁合金、不銹鋼、玻璃)襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.9-0.95，具有良好的熱輻射特性。
[0075]實施例29。
[0076]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比35/65混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在載氣(空氣或氮氣或氬氣)的引導下，在4500C的鋁(或鋁合金、不銹鋼、玻璃)襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.9-0.95，具有良好的熱輻射特性。
[0077]實施例30。
[0078]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比35/65混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在載氣(空氣或氮氣或氬氣)的引導下，在5000C的鋁(或鋁合金、不銹鋼、玻璃)襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.8-0.85，具有良好的熱輻射特性。
[0079]實施例31。
[0080]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比35/65混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在載氣(空氣或氮氣或氬氣)的引導下，在5500C的鋁(或鋁合金、不銹鋼、玻璃)襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.8-0.85，具有良好的熱輻射特性。
[0081]實施例32。
[0082]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比35/65混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在載氣(空氣或氮氣或氬氣)的引導下，在6000C的鋁(或鋁合金、不銹鋼、玻璃)襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.75-0.85，具有良好的熱輻射特性。
[0083]實施例33。
[0084]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比40/60混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在載氣(空氣或氮氣或氬氣)的引導下，在4000C的鋁(或鋁合金、不銹鋼、玻璃)襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.9-0.95，具有良好的熱輻射特性。
[0085]實施例34。
[0086]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比40/60混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在載氣(空氣或氮氣或氬氣)的引導下，在4500C的鋁(或鋁合金、不銹鋼、玻璃)襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.9-0.95，具有良好的熱輻射特性。
[0087]實施例35。
[0088]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比40/60混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在載氣(空氣或氮氣或氬氣)的引導下，在5000C的鋁(或鋁合金、不銹鋼、玻璃)襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.8-0.85，具有良好的熱輻射特性。
[0089]實施例36。
[0090]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比40/60混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在載氣(空氣或氮氣或氬氣)的引導下，在5500C的鋁(或鋁合金、不銹鋼、玻璃)襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.8-0.85，具有良好的熱輻射特性。
[0091]實施例37。
[0092]將四氯化錫與三氯化銻水溶液按銻/錫摩爾比40/60混合，放入超聲波霧化裝置中，霧化成氣溶膠，在載氣(空氣或氮氣或氬氣)的引導下，在6000C的鋁(或鋁合金、不銹鋼、玻璃)襯底表面沉積，形成摻雜銻的二氧化錫膜(簡稱ATO膜)，在8-12μπι的紅外波段，該膜的紅外輻射比達到0.75-0.85，具有良好的熱輻射特性。
[0093]大量實驗結果顯示，本發明的輻射散熱膜的制備方法，在襯底沉積一層高摻雜的二氧化錫膜，將金屬的強度與高導熱率與高摻雜二氧化錫膜的高輻射散熱相結合，能夠提高封裝器件、散熱器件的散熱能力，不僅輻射散熱效果好，而且環保。
[0094]最后應當說明的是，以上實施例僅用以說明本發明的技術方案而非對本發明保護范圍的限制，盡管參照較佳實施例對本發明作了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發明的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發明技術方案的實質和范圍。
【主權項】
1.一種輻射散熱膜的制備方法，其特征在于:將四氯化錫與三氯化銻水溶液按照銻錫摩爾比為1:9至1:1.5的比例混合，再霧化成氣溶膠，在載氣的引導下、在溫度為400°C至600°(:的襯底表面形成摻雜銻的二氧化錫膜，在所述摻雜銻的二氧化錫膜中，銻的摩爾百分含量為 10-40%。2.根據權利要求1所述的輻射散熱膜的制備方法，其特征在于:具體是將四氯化錫與三氯化銻水溶液的混合液放入超聲波霧化裝置中霧化成氣溶膠，所使用的超聲波頻率不低于1.7MHz ο3.根據權利要求1所述的輻射散熱膜的制備方法，其特征在于:所述載氣為空氣、氮氣或者氬氣。4.根據權利要求1所述的輻射散熱膜的制備方法，其特征在于:所述襯底為鋁襯底、鋁合金襯底、不銹鋼襯底或者玻璃襯底。5.根據權利要求1至4任意一項所述的輻射散熱膜的制備方法，其特征在于:所述摻雜銻的二氧化錫膜中，銻的摩爾百分含量為10%、15%、20%、25%、30%或者45%。6.根據權利要求1至4任意一項所述的輻射散熱膜的制備方法，其特征在于:具體是在溫度為450 0C的襯底表面形成摻雜銻的二氧化錫膜。7.根據權利要求1至4任意一項所述的輻射散熱膜的制備方法，其特征在于:具體是在溫度為500°C的襯底表面形成摻雜銻的二氧化錫膜。8.根據權利要求1至4任意一項所述的輻射散熱膜的制備方法，其特征在于:具體是在溫度為550°C的襯底表面形成摻雜銻的二氧化錫膜。9.根據權利要求1至4任意一項所述的輻射散熱膜的制備方法，其特征在于:具體是在溫度為600 0C的襯底表面形成摻雜銻的二氧化錫膜。
【文檔編號】C23C18/12GK105839081SQ201610212453
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年4月7日
【發明人】曾國勛, 溫斌斌, 丘曉娃, 甘翠萍, 劉仰喜
【申請人】廣東工業大學