本發明屬于鋁電解電容器用中高壓陽極高純鋁箔和腐蝕箔的制造領域，尤其是一種中高壓陽極用高純鋁箔表面綜合改性處理的方法。
背景技術：
：隨著電子整機體積的不斷縮小和高密度組裝化的發展，要求作為基礎元器件的中高壓鋁電解電容器具有高容量和小型化的特點，以滿足電子產品的發展需要。目前中高壓鋁電解電容器用陽極鋁箔一般通過電化學腐蝕的方法在陽極鋁箔表面生成大量的隧道孔以擴大其表面積，即提高電容器的比電容，以實現電容器的高容量和小型化目的。為了保證中高壓陽極電極箔具有所需要的纏繞性能，腐蝕后的電極箔還必須具有一定的拉伸強度和折彎性能，因此需要在腐蝕鋁箔的中間保持一定厚度的沒有被腐蝕的純鋁層。此外為了使腐蝕后的鋁箔綜合性能最優化，在腐蝕過程中，需要提高鋁箔表面蝕孔分布的均勻性、盡量避免并孔的發生以及發孔時降低鋁箔表面的自腐蝕現象。中高壓陽極用高純鋁箔腐蝕的工藝主要包括：腐蝕前預處理、發孔處理和擴孔處理。鋁箔發孔時，孔的形態和分布方式主要由鋁箔的表面狀態決定，而鋁箔的表面狀態主要由腐蝕前預處理方式決定。鋁箔表面預處理主要包括熱處理、酸、堿處理、陰極極化處理、氧化處理和沉積惰性金屬處理等。目前，國內外提高中高壓腐蝕鋁箔的電性能主要通過在中高壓鋁箔中加入ppm級的pb、sn、in等微量元素，通過退火熱處理工藝使這些微量元素在鋁箔表面發生富集，在鋁箔隨后的發孔時富集的微量元素將與鋁基體構成大量的腐蝕微電池，從而提高鋁箔腐蝕發孔的均勻性。該途徑的結果是雖然生成的隧道孔均勻性提高了，但同時由于腐蝕微電池的面密度過高，鋁箔的腐蝕減薄和隧道孔并孔也嚴重增加，前者使腐蝕鋁箔的比電容得到提高，而后者又將限制比電容的進一步提高和降低腐蝕鋁箔的機械性能。中國專利公開號為103774193a和103361692a公布了在中高壓電子鋁箔表面電沉積鋅、錫晶核的方法，來引導鋁箔的腐蝕發孔，具有提高鋁箔比電容的效果。但同時我們發現上述專利中沉積的錫、鋅晶核在誘導鋁箔發孔時缺乏持久性，分析原因是采用兩步法沉積錫、鋅晶核時，由于鋁箔表面仍然存在很薄的含水氧化膜，導致錫、鋅晶核在含水氧化膜上沉積出來，從而降低晶核與鋁箔基體的結合力。在鋁箔腐蝕發孔時由于大部分的錫、鋅晶核不是直接在鋁基體上沉積，晶核容易脫離基體而產生掛灰，降低持續引導鋁箔發孔的能力，導致鋁箔發孔均勻性下降，從而限制鋁箔比電容的進一步提高。中國專利公開號為103451713a公布了在中高壓電子鋁箔陽極氧化沉積鋅或錫晶核的腐蝕預處理方法，該方法仍然是在未完全溶解的陽極氧化膜上沉積鋅或錫晶核，由于陽極氧化膜的耐蝕性和致密性，使得鋅或錫晶核與鋁箔基體的結合力更低，從而限制比電容的提高。此外，中國專利公開號為104357886a和cn104733181a公布了在中高壓陽極用高純鋁箔表面化學和噴霧沉積彌散錫、鋅晶核的方法，該方法能夠先將鋁箔表面的含水膜部分溶解后再在鋁基體上直接沉積出錫、鋅晶核，能夠較明顯的提高晶核與基體的結合力。但由于化學溶解鋁箔表面含水膜并不能夠均勻、充分的溶解掉再沉積晶核，而是一邊溶解含水膜同時沉積出晶核，導致部分晶核能夠直接在鋁箔基體上沉積，而其它晶核仍將沉積在含水膜上，使得晶核引導鋁箔均勻的發孔并沒有達到最優，最終限制比電容的進一步提高。技術實現要素：本發明旨在提供一種中高壓陽極用高純鋁箔表面綜合改性處理的方法，該方法能夠提高鋁箔腐蝕發孔隧道孔分布的均勻性、降低鋁箔的自腐蝕減薄，因而可以進一步提高鋁箔的比電容和抗折彎性能。為了實現上述技術效果，本發明提供的技術方案是這樣的：一種中高壓陽極用高純鋁箔表面綜合改性處理的方法，包括下述步驟：步驟1：將高純鋁箔在堿性溶液中預處理；步驟2：將經過預處理的鋁箔采用陽極+陰極一步電流法進行處理；步驟3：高溫氧化。優選地，步驟1所述的堿性溶液是指：0.1～2mol/lna2co3+0.1～1.5mol/lna3po4+0.5～3mol/lnaoh+0.1～0.5mol/l緩蝕劑。優選地，所述的步驟1的處理溫度為60～95℃，處理時間為5～60s。優選地，所述的緩蝕劑為硫脲、明膠、苯并三氮唑、葡萄糖酸鈉中的一種或幾種。優選地，所述的步驟2具體為：將經過預處理的鋁箔在溶液中采用陽極+陰極一步電流法進行處理；其中，所述的溶液是指：0.1～1mol/l錫酸鈉+0.2～1mol/l氫氧化鈉+0.01～0.05mol/l酒石酸鉀鈉+0.1～5ml/l聚苯乙烯磺酸鈉。優選地，所述的步驟2的處理溫度為30～60℃。優選地，所述的陽極電流密度范圍為5～50ma/cm2，陰極電流密度范圍為10～40ma/cm2。優選地，所述的陽極處理時間為10～60s，陰極處理時間為10～60s。優選地，步驟3所述的高溫氧化的氧化溫度為100～400℃，氧化時間為10～100秒。優選地，所述的高純鋁箔是指：將經過成品再結晶退火處理后，形成{100}面織構占有率大于95％的，表面含微量fe、si、cu、zn、ga、mn元素并且不富集pb元素，al純度為99.99％的中高壓陽極用高純鋁箔。本發明與傳統方法相比，具有以下優點：1、將高純鋁箔在含緩蝕劑的堿性溶液中進行預處理的目的在于除去鋁箔表面經過成品再結晶退火后形成的致密氧化膜并形成新的含水膜。2.采用陽極+陰極一步電流法處理能夠均勻的完全除去鋁箔表面的含水膜并直接在鋁箔基體上沉積出錫晶核，避免錫晶核在鋁箔表面的含水膜上沉積，提高了錫晶核和鋁箔基體的結合力，增強了錫晶核持續引導鋁箔腐蝕發孔的能力。更具體地說，上述的陽極處理目的在于除去鋁箔表面含水膜；陰極處理目的在于直接在鋁箔基體上沉積出均勻彌散分布的sn晶核。3.將經過陽極+陰極一步電流法處理的鋁箔高溫氧化，獲得al2o3/sno2復合氧化膜和al-sn互擴散微區，sno2顆粒作為半導體不溶于酸溶液，有利于陽極電流集中在sno2顆粒上，使局部溶液酸性提高，導致sno2顆粒附近的al2o3膜溶解，從而誘導鋁箔均勻的腐蝕發孔。此外，al2o3/sno2復合氧化膜和al-sn互擴散微區誘導腐蝕發孔的作用將比錫晶核更加持久，從而進一步提高引導鋁箔腐蝕發孔的能力。4.在堿性預處理溶液中添加微量的緩蝕劑能夠大幅降低鋁箔預處理時的厚度減薄并能夠獲得更加平整的表面狀態。附圖說明圖1為鋁箔表面沉積彌散分布的sn晶核示意圖；圖2為鋁箔表面經過短時間高溫氧化處理時表面復合結構的轉變示意圖；圖3為鋁箔表面經過長時間高溫氧化時表面復合結構的轉變示意圖；圖4為經過綜合改性處理后的鋁箔表面的掃描電鏡圖。具體實施方式下面結合具體實施方式，對本發明的權利要求做進一步的詳細說明，但不構成對本發明的任何限制，任何在本發明權利要求保護范圍內所做的有限次修改，仍在本發明的權利要求保護范圍內。實施例1將al純度為99.99％，厚度為110μm，{100}面織構占有率大于95％的經過均勻化退火后表面含微量fe、si、cu、zn、ga、mn元素并且不富集pb元素這些電極電位比鋁高的中高壓陽極用高純鋁箔在溫度為80℃，含有1mol/l碳酸鈉+0.5mol/l十二水磷酸鈉+2mol/l氫氧化鈉+0.2mol/l硫脲溶液中進行預處理，預處理時間為10秒，以除去鋁箔表面經過退火后致密的氧化膜并在鋁箔表面形成新的含水膜。將含有含水膜的鋁箔，在溫度為30℃，溶液為0.5mol/l錫酸鈉+0.4mol/l氫氧化鈉+0.03mol/l酒石酸鉀鈉中處理，采用陽極電流密度為10ma/cm2，處理時間為30秒以除去鋁箔表面含水膜，之后立即采用陰極電流密度為10ma/cm2，處理時間為20秒在鋁箔基體上沉積出sn晶核。將上述制備al2o3/sno2復合氧化膜和al-sn互擴散微區的鋁箔進行發孔腐蝕，發孔溶液為0.8mol/l鹽酸+3.6mol/l硫酸+0.8mol/l的混合溶液，溫度為75℃；再進行擴孔腐蝕，擴孔溶液為0.07mol/l的硝酸溶液，溫度為70℃；后處理為硝酸溶液，清洗，烘干，最后根據行業標準進行520v化成。本實施例預處理鋁箔表面沉積彌散分布的sn晶核和進行高溫氧化處理時表面復合結構的轉變的示意圖詳見圖1-圖3：其中，圖1為采用一步法處理在鋁箔基體直接沉積出均勻彌散分布的sn晶核的示意圖；圖2為經過短時間高溫氧化后，sn晶核表層氧化生成sno2膜，同時與鋁基體接觸的sn晶核將與鋁箔發生互擴散，形成al-sn互擴散微區，鋁箔其它表面氧化生成al2o3氧化膜的示意圖；圖3為經過較長時間高溫氧化，sn晶核消失，形成sno2膜和al-sn互擴散微區，鋁箔其它表面形成較厚的al2o3氧化膜的示意圖；另外，本發明對進行表面進行了綜合改性處理的鋁箔做了掃描電鏡形貌圖，詳見圖4。實施例2將al純度為99.99％，厚度為110μm，{100}面織構占有率大于95％的經過均勻化退火后表面含微量fe、si、cu、zn、ga、mn元素并且不富集pb元素這些電極電位比鋁高的中高壓陽極用高純鋁箔在溫度為80℃，含有1mol/l碳酸鈉+0.5mol/l十二水磷酸鈉+2mol/l氫氧化鈉+0.2mol/l硫脲溶液中進行預處理，預處理時間為10秒，以除去鋁箔表面經過退火后致密的氧化膜并在鋁箔表面形成新的含水膜。將含有含水膜的鋁箔，在溫度為30℃，溶液為0.5mol/l錫酸鈉+0.4mol/l氫氧化鈉+0.03mol/l酒石酸鉀鈉+0.2mol/l硫脲中處理，采用陽極電流密度為30ma/cm2，處理時間為30秒以除去鋁箔表面含水膜，之后立即采用陰極電流密度為10ma/cm2，處理時間為20秒在鋁箔基體上沉積出sn晶核。將上述制備al2o3/sno2復合氧化膜和al-sn互擴散微區的鋁箔進行發孔腐蝕，發孔溶液為0.8mol/l鹽酸+3.6mol/l硫酸+0.8mol/l的混合溶液，溫度為75℃；再進行擴孔腐蝕，擴孔溶液為0.07mol/l的硝酸溶液，溫度為70℃；后處理為硝酸溶液，清洗，烘干，最后根據行業標準進行520v化成。實施例3將al純度為99.99％，厚度為110μm，{100}面織構占有率大于95％的經過均勻化退火后表面含微量fe、si、cu、zn、ga、mn元素并且不富集pb元素這些電極電位比鋁高的中高壓陽極用高純鋁箔在溫度為80℃，含有1mol/l碳酸鈉+0.5mol/l十二水磷酸鈉+2mol/l氫氧化鈉+0.2mol/l硫脲溶液中進行預處理，預處理時間為10秒，以除去鋁箔表面經過退火后致密的氧化膜并在鋁箔表面形成新的含水膜。將含有含水膜的鋁箔，在溫度為30℃，溶液為0.5mol/l錫酸鈉+0.4mol/l氫氧化鈉+0.03mol/l酒石酸鉀鈉中處理，采用陽極電流密度為30ma/cm2，處理時間為30秒以除去鋁箔表面含水膜，之后立即采用陰極電流密度為30ma/cm2，處理時間為20秒在鋁箔基體上沉積出sn晶核。將上述制備al2o3/sno2復合氧化膜和al-sn互擴散微區的鋁箔進行發孔腐蝕，發孔溶液為0.8mol/l鹽酸+3.6mol/l硫酸+0.8mol/l的混合溶液，溫度為75℃；再進行擴孔腐蝕，擴孔溶液為0.07mol/l的硝酸溶液，溫度為70℃；后處理為硝酸溶液，清洗，烘干，最后根據行業標準進行520v化成。實施例4：將al純度為99.99％，厚度為110μm，{100}面織構占有率大于95％的經過均勻化退火后表面含微量fe、si、cu、zn、ga、mn元素并且不富集pb元素這些電極電位比鋁高的中高壓陽極用高純鋁箔在溫度為80℃，含有1mol/l碳酸鈉+0.5mol/l十二水磷酸鈉+2mol/l氫氧化鈉+0.2mol/l硫脲溶液中進行預處理，預處理時間為10秒，以除去鋁箔表面經過退火后致密的氧化膜并在鋁箔表面形成新的含水膜。將含有含水膜的鋁箔，在溫度為30℃，溶液為0.5mol/l錫酸鈉+0.4mol/l氫氧化鈉+0.03mol/l酒石酸鉀鈉中處理，采用陽極電流密度為10ma/cm2，處理時間為30秒以除去鋁箔表面含水膜，之后立即采用陰極電流密度為10ma/cm2，處理時間為20秒在鋁箔基體上沉積出sn晶核。最后將經過一步法處理的鋁箔在300℃高溫氧化，氧化時間為30秒，在鋁箔基體上制備出均勻的al2o3/sno2復合氧化膜和al-sn互擴散微區。將上述制備al2o3/sno2復合氧化膜和al-sn互擴散微區的鋁箔進行發孔腐蝕，發孔溶液為0.8mol/l鹽酸+3.6mol/l硫酸+0.8mol/l的混合溶液，溫度為75℃；再進行擴孔腐蝕，擴孔溶液為0.07mol/l的硝酸溶液，溫度為70℃；后處理為硝酸溶液，清洗，烘干，最后根據行業標準進行520v化成。實施例5將al純度為99.99％，厚度為110μm，{100}面織構占有率大于95％的經過均勻化退火后表面含微量fe、si、cu、zn、ga、mn元素并且不富集pb元素這些電極電位比鋁高的中高壓陽極用高純鋁箔在溫度為80℃，含有1mol/l碳酸鈉+0.5mol/l十二水磷酸鈉+2mol/l氫氧化鈉+0.2mol/l葡萄糖酸鈉溶液中進行預處理，預處理時間為10秒，以除去鋁箔表面經過退火后致密的氧化膜并在鋁箔表面形成新的含水膜。將含有含水膜的鋁箔，在溫度為30℃，溶液為0.5mol/l錫酸鈉+0.4mol/l氫氧化鈉+0.03mol/l酒石酸鉀鈉中處理，采用陽極電流密度為10ma/cm2，處理時間為30秒以除去鋁箔表面含水膜，之后立即采用陰極電流密度為10ma/cm2，處理時間為20秒在鋁箔基體上沉積出sn晶核。最后將經過一步法處理的鋁箔在400℃高溫氧化，氧化時間為30秒，在鋁箔基體上制備出均勻的al2o3/sno2復合氧化膜和al-sn互擴散微區。將上述制備al2o3/sno2復合氧化膜和al-sn互擴散微區的鋁箔進行發孔腐蝕，發孔溶液為0.8mol/l鹽酸+3.6mol/l硫酸+0.8mol/l的混合溶液，溫度為75℃；再進行擴孔腐蝕，擴孔溶液為0.07mol/l的硝酸溶液，溫度為70℃；后處理為硝酸溶液，清洗，烘干，最后根據行業標準進行520v化成。實施例6：將al純度為99.99％，厚度為110μm，{100}面織構占有率大于95％的經過均勻化退火后表面含微量fe、si、cu、zn、ga、mn元素并且不富集pb元素這些電極電位比鋁高的中高壓陽極用高純鋁箔在溫度為80℃，含有1mol/l碳酸鈉+0.5mol/l十二水磷酸鈉+2mol/l氫氧化鈉+0.2mol/l葡萄糖酸鈉溶液中進行預處理，預處理時間為10秒，以除去鋁箔表面經過退火后致密的氧化膜并在鋁箔表面形成新的含水膜。將含有含水膜的鋁箔，在溫度為30℃，溶液為0.5mol/l錫酸鈉+0.4mol/l氫氧化鈉+0.03mol/l酒石酸鉀鈉+2ml/lpssa中處理，采用陽極電流密度為10ma/cm2，處理時間為30秒以除去鋁箔表面含水膜，之后立即采用陰極電流密度為10ma/cm2，處理時間為10秒在鋁箔基體上沉積出sn晶核。最后將經過一步法處理的鋁箔在400℃高溫氧化，氧化時間為30秒，在鋁箔基體上制備出均勻的al2o3/sno2復合氧化膜和al-sn互擴散微區。將上述制備al2o3/sno2復合氧化膜和al-sn互擴散微區的鋁箔進行發孔腐蝕，發孔溶液為0.8mol/l鹽酸+3.6mol/l硫酸+0.8mol/l的混合溶液，溫度為75℃；再進行擴孔腐蝕，擴孔溶液為0.07mol/l的硝酸溶液，溫度為70℃；后處理為硝酸溶液，清洗，烘干，最后根據行業標準進行520v化成。實施例7將al純度為99.99％，厚度為110μm，{100}面織構占有率大于95％的經過均勻化退火后表面含微量fe、si、cu、zn、ga、mn元素并且不富集pb元素這些電極電位比鋁高的中高壓陽極用高純鋁箔在溫度為80℃，含有1mol/l碳酸鈉+0.5mol/l十二水磷酸鈉+2mol/l氫氧化鈉+0.2mol/l葡萄糖酸鈉溶液中進行預處理，預處理時間為10秒，以除去鋁箔表面經過退火后致密的氧化膜并在鋁箔表面形成新的含水膜。將含有含水膜的鋁箔，在溫度為30℃，溶液為0.5mol/l錫酸鈉+0.4mol/l氫氧化鈉+0.03mol/l酒石酸鉀鈉+2ml/lpssa中處理，采用陽極電流密度為10ma/cm2，處理時間為30秒以除去鋁箔表面含水膜，之后立即采用陰極電流密度為10ma/cm2，處理時間為10秒在鋁箔基體上沉積出sn晶核。最后將經過一步法處理的鋁箔在400℃左右高溫氧化，氧化時間為60秒，在鋁箔基體上制備出均勻的al2o3/sno2復合氧化膜和al-sn互擴散微區。將上述制備al2o3/sno2復合氧化膜和al-sn互擴散微區的鋁箔進行發孔腐蝕，發孔溶液為0.8mol/l鹽酸+3.6mol/l硫酸+0.8mol/l的混合溶液，溫度為75℃；再進行擴孔腐蝕，擴孔溶液為0.07mol/l的硝酸溶液，溫度為70℃；后處理為硝酸溶液，清洗，烘干，最后根據行業標準進行520v化成。實施例8：將al純度為99.99％，厚度為110μm，{100}面織構占有率大于95％的經過均勻化退火后表面含微量fe、si、cu、zn、ga、mn元素并且不富集pb元素這些電極電位比鋁高的中高壓陽極用高純鋁箔在溫度為80℃，含有1mol/l碳酸鈉+0.5mol/l十二水磷酸鈉+2mol/l氫氧化鈉+0.2mol/l葡萄糖酸鈉溶液中進行預處理，預處理時間為10秒，以除去鋁箔表面經過退火后致密的氧化膜并在鋁箔表面形成新的含水膜。將含有含水膜的鋁箔，在溫度為30℃，溶液為1mol/l錫酸鈉+0.8mol/l氫氧化鈉+0.05mol/l酒石酸鉀鈉+5ml/lpssa中處理，采用陽極電流密度為10ma/cm2，處理時間為30秒以除去鋁箔表面含水膜，之后立即采用陰極電流密度為10ma/cm2，處理時間為10秒在鋁箔基體上沉積出sn晶核。最后將經過一步法處理的鋁箔在300℃左右高溫氧化，氧化時間為30秒，在鋁箔基體上制備出均勻的al2o3/sno2復合氧化膜和al-sn互擴散微區。將上述制備al2o3/sno2復合氧化膜和al-sn互擴散微區的鋁箔進行發孔腐蝕，發孔溶液為0.8mol/l鹽酸+3.6mol/l硫酸+0.8mol/l的混合溶液，溫度為75℃；再進行擴孔腐蝕，擴孔溶液為0.07mol/l的硝酸溶液，溫度為70℃；后處理為硝酸溶液，清洗，烘干，最后根據行業標準進行520v化成。實施例9：將al純度為99.99％，厚度為110μm，{100}面織構占有率大于95％的經過均勻化退火后表面含微量fe、si、cu、zn、ga、mn元素并且不富集pb元素這些電極電位比鋁高的中高壓陽極用高純鋁箔在溫度為80℃，含有1mol/l碳酸鈉+0.5mol/l十二水磷酸鈉+2mol/l氫氧化鈉+0.2mol/l葡萄糖酸鈉溶液中進行預處理，預處理時間為30秒，以除去鋁箔表面經過退火后致密的氧化膜并在鋁箔表面形成新的含水膜。將含有含水膜的鋁箔，在溫度為30℃，溶液為1mol/l錫酸鈉+0.8mol/l氫氧化鈉+0.05mol/l酒石酸鉀鈉+5ml/lpssa中處理，采用陽極電流密度為10ma/cm2，處理時間為30秒以除去鋁箔表面含水膜，之后立即采用陰極電流密度為10ma/cm2，處理時間為10秒在鋁箔基體上沉積出sn晶核。將上述制備al2o3/sno2復合氧化膜和al-sn互擴散微區的鋁箔進行發孔腐蝕，發孔溶液為0.8mol/l鹽酸+3.6mol/l硫酸+0.8mol/l的混合溶液，溫度為75℃；再進行擴孔腐蝕，擴孔溶液為0.07mol/l的硝酸溶液，溫度為70℃；后處理為硝酸溶液，清洗，烘干，最后根據行業標準進行520v化成。實施例10：將al純度為99.99％，厚度為110μm，{100}面織構占有率大于95％的經過均勻化退火后表面含微量fe、si、cu、zn、ga、mn元素并且不富集pb元素這些電極電位比鋁高的中高壓陽極用高純鋁箔在溫度為80℃，含有1mol/l碳酸鈉+0.5mol/l十二水磷酸鈉+2mol/l氫氧化鈉+0.2mol/l葡萄糖酸鈉溶液中進行預處理，預處理時間為30秒，以除去鋁箔表面經過退火后致密的氧化膜并在鋁箔表面形成新的含水膜。將含有含水膜的鋁箔，在溫度為30℃，溶液為1mol/l錫酸鈉+0.8mol/l氫氧化鈉+0.05mol/l酒石酸鉀鈉+5ml/lpssa中處理，采用陽極電流密度為10ma/cm2，處理時間為30秒以除去鋁箔表面含水膜，之后立即采用陰極電流密度為10ma/cm2，處理時間為10秒在鋁箔基體上沉積出sn晶核。最后將經過一步法處理的鋁箔在300℃左右高溫氧化，氧化時間為30秒，在鋁箔基體上制備出均勻的al2o3/sno2復合氧化膜和al-sn互擴散微區。將上述制備al2o3/sno2復合氧化膜和al-sn互擴散微區的鋁箔進行發孔腐蝕，發孔溶液為0.8mol/l鹽酸+3.6mol/l硫酸+0.8mol/l的混合溶液，溫度為75℃；再進行擴孔腐蝕，擴孔溶液為0.07mol/l的硝酸溶液，溫度為70℃；后處理為硝酸溶液，清洗，烘干，最后根據行業標準進行520v化成。實施例11：將al純度為99.99％，厚度為110μm，{100}面織構占有率大于95％的經過均勻化退火后表面含微量fe、si、cu、zn、ga、mn元素并且不富集pb元素這些電極電位比鋁高的中高壓陽極用高純鋁箔在溫度為80℃，含有1mol/l碳酸鈉+0.5mol/l十二水磷酸鈉+2mol/l氫氧化鈉+0.2mol/l葡萄糖酸鈉溶液中進行預處理，預處理時間為60秒，以除去鋁箔表面經過退火后致密的氧化膜并在鋁箔表面形成新的含水膜。將含有含水膜的鋁箔，在溫度為30℃，溶液為1mol/l錫酸鈉+0.8mol/l氫氧化鈉+0.05mol/l酒石酸鉀鈉+5ml/lpssa中處理，采用電流密度為50ma/cm2，處理時間為30秒以除去鋁箔表面含水膜，之后立即采用電流密度為40ma/cm2，處理時間為10秒在鋁箔基體上沉積出sn晶核。最后將經過一步法處理的鋁箔在300℃左右高溫氧化，氧化時間為30秒，在鋁箔基體上制備出均勻的al2o3/sno2復合氧化膜和al-sn互擴散微區。將上述制備al2o3/sno2復合氧化膜和al-sn互擴散微區的鋁箔進行發孔腐蝕，發孔溶液為0.8mol/l鹽酸+3.6mol/l硫酸+0.8mol/l的混合溶液，溫度為75℃；再進行擴孔腐蝕，擴孔溶液為0.07mol/l的硝酸溶液，溫度為70℃；后處理為硝酸溶液，清洗，烘干，最后根據行業標準進行520v化成。對比例1al純度為99.99％，厚度為120μm，{100}面織構占有率大于95％的表面富集微量鉛元素的高純鋁箔，采用傳統的混合酸預處理工藝，所用的預處理液為1mol/l鹽酸+3mol/l硫酸，溫度為80℃，將鋁箔在預處理液中直接浸泡120秒，進行發孔腐蝕，發孔溶液為0.8mol/l鹽酸+3.6mol/l硫酸+0.8mol/l的混合溶液，溫度為75℃；再進行擴孔腐蝕，擴孔溶液為0.07mol/l的硝酸溶液，溫度為70℃；后處理為硝酸溶液，清洗，烘干，最后根據行業標準進行520v化成。表1是對比例1和實施例1-11中采用本發明制備al2o3/sno2復合氧化膜的鋁箔進行發孔腐蝕，在陽極電解腐蝕和化成后，鋁箔的腐蝕減薄量、比電容和折彎次數，可以看到采用本發明制備al2o3/sno2復合氧化膜和al-sn互擴散微區的鋁箔，腐蝕減薄降低1-3μm，比電容提高6％左右，折彎次數提高17％左右。表1對比例1和實施例1-11的鋁箔腐蝕減薄量、比電容和折彎次數樣品腐蝕減薄量比電容(μf/cm2)折彎次數對比例5μm0.73919實施例11μm0.76724實施例22μm0.77322實施例31μm0.77423實施例41μm0.78723實施例53μm0.77421實施例63μm0.76522實施例72μm0.79926實施例83μm0.76523實施例91μm0.78723實施例102μm0.78323實施例113μm0.77322以上所述的僅為本發明的較佳實施例，凡在本發明的精神和原則范圍內所做的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發明的保護范圍內。當前第1頁12