專利名稱：低成本微等離子金屬表面強化處理裝置的電源功率放大器的制作方法
技術領域：
本實用新型是對微等離子金屬表面強化處理裝置的電源功率放大器的改進。
背景技術：
現有微等離子金屬表面強化處理裝置采用的電源功率放大器一般都是采用可控硅、晶閘管作為功率放大器的控制元件，由于這些元件電參數的影響，使得這些電源功率放大器存在參數調節困難，電源品質差，無法適應高頻脈沖對金屬工件進行微等離子表面強化處理的要求。本申請人同時申請的“微等離子金屬表面強化處理裝置的電源功率放大器”雖然解決了以上問題，但它還存在成本較高的不足。

發明內容
本實用新型的目的是研制一種低成本微等離子金屬表面強化處理裝置的電源功率放大器，該電源功率放大器應具有產生的脈沖頻率高、電壓幅值高、成本低的特點。本實用新型包含處理裝置1，它還包含二個IGCT高頻開關管Kg、Kh，Kg的正極接直流電源+V1，Kg的負極接Kh的正極，Kh的正極接直流電源-V2，Kg的負極和Kh的正極都接微等離子金屬表面強化處理裝置1的金屬工件2，Kg、Kh的控制極g、h分別接控制脈沖信號源Vg、Vh，微等離子表面強化處理裝置1中的不銹鋼槽3接地。本實用新型可以實現1000赫以上的開關頻率和1000-2000V幅值的輸出電脈沖，它的參數可隨意調節、電源品質好，完全能夠適應微等離子金屬表面強化處理裝置對高頻脈沖電源的要求，而且它還具有成本低的優點。


圖1是具體實施方式
一的電路結構示意圖，圖2是具體實施方式
二的電路結構示意圖。
具體實施方式
一本實施方式由兩個IGCT高頻開關管Kg、Kh、處理裝置1組成，Kg、Kh選用5SHY35L4503型號，Kg的正極接直流電源+V1，Kg的負極接Kh的正極，Kh的負極接直流電源-V2，Kg的負極和Kh的正極都接微等離子金屬表面強化處理裝置1中的金屬工件2，Kg、Kh的控制極g、h分別接控制脈沖信號源Vg、Vh，微等離子表面強化處理裝置1的不銹鋼槽3接地。V1＝V2＝1000-2000V，其工作原理是當Kg的控制極g加脈沖信號源Vg時，Kg導通，+V1加在處理裝置1上，此時處理裝置1上的電壓VAB＝V1，此時Kh關閉。當Kh的控制極h加脈沖信號源Vh時，Kh導通，-V2加到處理裝置1上，此時處理裝置1上的電壓VAB＝-V2，此時Kg關閉。要求Kg、Kh的耐壓性能要高，即Kg、Kh應能承受V1+V2的電壓。
具體實施方式
二本實施方式與具體實施方式
一的不同點是它又增加了電阻R1、R2、電容C1、C2，R1與C1串聯連接后并聯在Kg的正極和負極上，R2與C2串聯連接后并聯在Kh的正極和負極上。其目的是用RC電路濾掉脈沖電源的尖峰。其它組成和連接關系與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
三本實施方式與具體實施方式
一、二的不同點是高頻開關管還可采用IGBT、GTO等類型的開關功率管，也能實現本實用新型的目的。
權利要求1.低成本微等離子金屬表面強化處理裝置的電源功率放大器，它包含處理裝置(1)，其特征在于它還包含二個IGCT高頻開關管Kg、Kh，Kg的正極接直流電源+V1，Kg的負極接Kh的正極，Kh的負極接直流電源-V2，Kg的負極和Kh的正極都接微等離子表面強化處理裝置(1)中的金屬工件(2)，Kg、Kh的控制極g、h分別接控制脈沖信號源Vg、Vh，微等離子金屬表面強化處理裝置(1)的不銹鋼槽(3)接地。
2.根據權利要求1所述的低成本微等離子金屬表面強化處理裝置的電源功率放大器，其特征在于它又增加了電阻R1、R2、電容C1、C2，R1與C1串聯連接后并聯在Kg的正極和負極上，R2與C2串聯連接后并聯在Kh的正極和負極上。
專利摘要低成本微等離子金屬表面強化處理裝置的電源功率放大器,它是對微等離子金屬表面強化處理裝置的電源功率放大器的改進。它包含處理裝置(1),它還包含二個IGCT高頻開關管K
文檔編號C23C8/06GK2518871SQ01279839
公開日2002年10月30日 申請日期2001年12月31日 優先權日2001年12月31日
發明者劉革, 張守濤, 羅晶, 杜秋麗 申請人:黑龍江省哈工大中俄科學技術合作有限公司