專利名稱：清潔片和使用該清潔片清潔基底處理設備的方法
技術領域：
本發明涉及用于清潔設備的片，更具體地涉及清潔片和清潔基底處理設備(substrate treatment device)的清潔方法，該基底處理設備易于受到外來物質，如半導體或平板顯示器生產設備和半導體或平板顯示器檢查設備的損害。
背景技術：
基底處理設備輸送彼此物理接觸的各種輸送系統和基底。在此過程期間，當外來物質粘附到基底或輸送系統時，能連續污染隨后的基底，使得必須在規定的時間間隔下中止操作設備并清潔設備。這帶來的問題是工作效率降低或需要更多勞動。為解決這些問題，已經提出包括輸送其上固定有粘合劑材料的基底，以清潔掉粘附到基底處理設備內部的外來物質的方法(日本專利申請公開)，和輸送板狀元件以除去粘附到基底背面的外來物質的方法(日本專利申請公開1999-87458)。
發明公開包括如下操作的方法是克服上述問題的有效方法輸送其上固定有粘合劑材料的基底，以清潔掉粘附到基底處理設備內部的外來物質。然而，根據此方法，由于粘合劑材料用作清潔層，可能的情況是粘合劑材料可以牢固地粘合到設備的接觸區域，因而不能剝離接觸區域，使得不能確定地輸送基底。當設備的卡盤臺包括真空吸入機構時，此問題是特別顯著的。
另外，包括輸送板狀元件以除去外來物質的方法可進行輸送而沒有任何麻煩，但不利的在于除去效率差，除去效率是重要的。
而且，需要用于這些外來物質脫除的清潔片由清潔層形成，該清潔層在在基底處理設備中的輸送部位上不引起污染。需要給予要粘著到清潔層上的分隔物相似的考慮。換言之，通常布置清潔片使得將分隔物粘著到清潔層的表面，以保護清潔層的表面或改進其可操縱性。作為此分隔物，通常使用聚酯膜等，從釋放性觀點來看已經采用硅氧烷、蠟等釋放處理該聚酯膜等。
然而，當在使用期間將上述分隔物剝離清潔層時，釋放處理物如硅氧烷和蠟移動到清潔層。當將此清潔片輸送入基底處理設備以嘗試除去外來物質時，上述被轉移的釋放處理物粘附到設備中的輸送部位等，不利地污染設備。
因此，迄今為止已經進行實踐以使用由聚烯烴系樹脂形成的清潔層表面保護膜代替上述分隔物。即使沒有采用硅氧烷、蠟等釋放處理物，此類膜自身可顯示足夠的釋放性，因此可防止設備的污染。然而，在其中清潔片用于溫度為約80℃的設備的情況或類型情況下，產生的問題是由于如下原因仍然污染設備的內部在聚烯烴系樹脂成膜期間加入的各種添加劑移動到清潔層，然后被氣化或與設備中的剩余氣體反應。
第一和第二發明的目的是提供清潔片，其可以確定地通過基底處理設備被輸送以簡單和確定地除去粘附到其上的外來物質。
此外，參考上述生產具有清潔功能的輸送元件的方法，在其中將清潔片粘著到輸送元件如基底以生產清潔元件的情況下，當將尺寸大于輸送元件的清潔片粘著到輸送元件上，然后沿輸送元件的輪廓切割(以下稱為“直接切割工藝”)時，在片切割期間從清潔層等產生碎片然后該碎片不利地粘附到清潔元件和設備。此外，在其中將已經預先加工成元件形式的清潔標簽片(label sheet)粘著到輸送元件以生產清潔元件(以下稱為“預切割工藝”)的情況下，與直接切割工藝相比可以抑制在標簽加工期間的碎片產生，但清潔層的粘合劑在標簽切割期間從切割部分突出，使得可能出現的情況是粘合劑可粘接到標簽末端。另外，在其中使用聚合-固化粘合劑作為粘合劑的情況下，當在片切割之后進行固化時，由于氧氣的抑制在切口末端的粘合劑經受不良固化，可能在基底處理設備中引起接觸部位上的污染。
此外，在其中沖壓標簽片的情況下，以連續長度的分隔物形式連續制備清潔標簽及通常的粘合劑位于其間。然而，在此情況下，當使用在給予活化能時，聚合和固化的粘合劑作為清潔層的情況下，當被給予活化能時該粘合劑聚合物和固化，清潔層經受硬化和收縮，引起標簽自身容易從分隔物剝離。當在分隔物和粘合劑之間的剝脫粘合力(peel adhesion)小時，清潔標簽可以從分隔物剝離。此外，當用于保持標簽的分隔物的釋放層不穩定時，釋放層的剝脫粘合力在貯存期間可變化或釋放層的組分可移動到粘合層的表面，劣化標簽的粘合性能。在最差的情況下，在清潔元件的使用期間標簽可從輸送元件剝離，在設備中引起誤差。
此外，在片沖壓之前進行固化的情況下，特別是在其中硅氧烷釋放劑用作清潔層表面保護的釋放膜的情況下，該硅氧烷組分可移動到清潔層的表面。
在這些狀況下，第三發明的目的是提供具有清潔功能的標簽片，該標簽片可以通過基底處理設備確定地被輸送以簡單和確定地除去粘附到設備的外來物質，而不引起預切割工藝中清潔標簽從分隔物剝離，并且標簽的耐老化穩定性和粘合性能優異。
此外，在這些狀況下，第四發明的目的是提供生產具有清潔功能的標簽片的方法，該方法允許通過基底處理設備確定地輸送基底，使得可能簡單和確定地除去粘附到設備內部的外來物質，既不引起片沖壓期間的不良沖壓也不引起預切割工藝中粘合劑的不良固化。
本發明的發明人廣泛研究了上述目的。結果是，發現當將輸送元件如含有清潔層的片和其上固定有片的基底被輸送入清潔設備的內部，以除去粘附其上的外來物質時，第一發明作為該清潔層保護用保護膜的使用，使得可以確定地防止由于分隔物在設備上的污染問題以及簡單和確定地剝脫外來物質，而不引起上述問題，其中第一發明是層壓為分隔物的、由硅氧烷系釋放劑釋放處理的保護膜，其中當從該清潔層剝離該分隔物時，按照聚二甲基硅氧烷計算，粘附到該清潔層的硅氧烷的量為0.005g/m2或更少，按照聚二甲基硅氧烷計算，在分隔物上涂敷的量為0.1g/m2或更少。因此，設計出本發明。
作為第二發明，發現層壓為分隔物的、由聚烯烴系樹脂形成的未處理保護膜作為上述用于保護清潔層的保護膜的使用，使得可以確定地防止由于分隔物在設備上的污染問題和簡單和確定地剝脫外來物質，而不引起上述問題，其中保護膜中引入的熱劣化抑制劑(heat deterioration inhibitor)和潤滑劑的總量小于0.01重量份，基于100重量份聚烯烴系樹脂。因此，設計出本發明。
作為第四發明，本發明的發明人進行廣泛研究以完成上述目的。結果是，發現用于生產具有清潔功能的標簽片的預切割方法的使用，使得可以生產具有清潔功能的標簽片，該標簽片可簡單和確定地除去外來物質而不引起上述問題，該標簽片包括由粘合劑形成的清潔層，當被給予活化能時該粘合劑經受聚合和固化，該預切割方法包括在清潔層粘合劑的聚合和固化之前，剝脫清潔層的第一釋放膜；在沒有氧氣基本影響的條件下將清潔層進行聚合和固化；由第二釋放膜保護該清潔層的表面；然后切割標簽。因此，設計出本發明。
換言之，本發明的第一實質涉及一種清潔片，該清潔片包括清潔層和在其至少一側上層壓為分隔物的、由硅氧烷系釋放劑釋放處理的保護膜，其特征在于當從清潔層剝離該分隔物時，按照聚二甲基硅氧烷計算，粘附到該清潔層的硅氧烷的量為0.005g/m2或更少(權利要求1)；一種清潔片，該清潔片包括清潔層和在其至少一側上層壓為分隔物的、由硅氧烷系釋放劑釋放處理的保護膜，其特征在于按照聚二甲基硅氧烷計算，使用由量為0.1g/m2或更少的硅氧烷涂敷的分隔物作為該分隔物(權利要求2)；一種清潔片，該清潔片包括清潔層和在其至少一側上層壓為分隔物的、由硅氧烷系釋放劑釋放處理的保護膜，其特征在于當從清潔層剝離該分隔物時，按照聚二甲基硅氧烷計算，粘附到該清潔層的硅氧烷的量為0.005g/m2或更少，在該清潔層另一側上提供通常粘合層(權利要求3)；一種清潔片，該清潔片包括清潔層和在其至少一側上層壓為分隔物的、由硅氧烷系釋放劑釋放處理的保護膜，其特征在于按照聚二甲基硅氧烷計算，使用由量為0.1g/m2或更少的硅氧烷涂敷的分隔物作為該分隔物，在該清潔層另一側上提供通常粘合層(權利要求4)；一種清潔片，該清潔片包括在襯墊(backing)至少一側上提供的清潔層和在其上層壓為分隔物的、由硅氧烷系釋放劑釋放處理的保護膜，其特征在于當從清潔層剝離該分隔物時，按照聚二甲基硅氧烷計算，粘附到該清潔層的硅氧烷的量為0.005g/m2或更少(權利要求5)；一種清潔片，該清潔片包括在襯墊至少一側上提供的清潔層和在其上層壓為分隔物的、由硅氧烷系釋放劑釋放處理的保護膜，其特征在于按照聚二甲基硅氧烷計算，使用由量為0.1g/m2或更少的硅氧烷涂敷的分隔物作為該分隔物(權利要求6)；一種清潔片，該清潔片包括在襯墊至少一側上提供的清潔層，在該襯墊另一側上提供的通常粘合層和至少在該清潔層表面上層壓為分隔物的、由硅氧烷系釋放劑釋放處理的保護膜，其特征在于當從清潔層剝離該分隔物時，按照聚二甲基硅氧烷計算，粘附到該清潔層的硅氧烷的量為0.005g/m2或更少(權利要求7)；一種清潔片，該清潔片包括在襯墊至少一側上提供的清潔層，在該襯墊另一側上提供的通常粘合層和至少在該清潔層表面上層壓為分隔物的、由硅氧烷系釋放劑釋放處理的保護膜，其特征在于按照聚二甲基硅氧烷計算，使用由量為0.1g/m2或更少的硅氧烷涂敷的分隔物作為該分隔物(權利要求8)等。
本發明的第二實質涉及一種清潔片，該清潔片包括在清潔層至少一側上層壓為分隔物的、由聚烯烴系樹脂形成的未處理保護膜，其特征在于在此保護膜中引入的熱劣化抑制劑和潤滑劑的總量小于0.01重量份，基于100重量份聚烯烴系樹脂(權利要求9)；一種清潔片，該清潔片包括在清潔層一側上層壓為分隔物的、由聚烯烴系樹脂形成的未處理保護膜和在該清潔層另一側上提供通常粘合層，其中保護膜的特征在于在此保護膜中引入的熱劣化抑制劑和潤滑劑的總量小于0.01重量份，基于100重量份聚烯烴系樹脂(權利要求10)；一種清潔片，該清潔片包括在襯墊至少一側上提供的清潔層和在該清潔層表面上層壓為分隔物的、由聚烯烴系樹脂形成的未處理保護膜，其特征在于在此保護膜中引入的熱劣化抑制劑和潤滑劑的總量小于0.01重量份，基于100重量份聚烯烴系樹脂(權利要求11)；一種清潔片，該清潔片包括在襯墊一個側面上提供的清潔層，在該襯墊側面上提供的通常粘合層和至少在該清潔層表面上層壓為分隔物的、由聚烯烴系樹脂形成的未處理保護膜，其特征在于在此保護膜中引入的熱劣化抑制劑和潤滑劑的總量小于0.01重量份，基于100重量份聚烯烴系樹脂(權利要求12)；根據權利要求9-12的清潔片，其中該保護膜沒有熱劣化抑制劑和潤滑劑(權利要求13)等。
本發明的第三實質涉及一種具有清潔功能的標簽片，該標簽片包括在襯墊一側上提供的清潔層，清潔層的表面由釋放膜保護，其中在連續長度的分隔物上彼此可剝脫地連續提供該襯墊的另一側，通常粘合層位于其間，其特征在于從該通常粘合層剝離該分隔物的所需的180°剝脫粘合力是0.05N/50mm或更大(權利要求16)；一種具有清潔功能的標簽片，該標簽片包括在襯墊一側上提供和及它的表面由釋放膜保護的清潔層，其中在連續長度的分隔物上彼此可剝脫地連續提供該襯墊的另一側，通常粘合層位于其間，其特征在于使用殘余粘合力(residual adhesion)百分比為85％或更大的分隔物作為該分隔物，由NITTO DENKO CORPORATION生產的No.31B帶測量該百分比(權利要求17)；權利要求16或17中描述的具有清潔功能的標簽片，其中(根據JIS K7127測試方法)該清潔層的拉伸模量是10Mpa或更大(權利要求18)；根據權利要求16或17的具有清潔功能的標簽片，包括具有清潔層的清潔片，清潔層由固化粘合劑形成，該固化粘合劑包含壓敏粘合劑聚合物、每分子含有一個或多個不飽和雙鍵的可聚合不飽和化合物和聚合引發劑(權利要求19)；根據權利要求16或17的具有清潔功能的標簽片，其中權利要求19中描述的壓敏粘合劑是包括(甲基)丙烯酸烷基酯作為主要單體的丙烯酸類聚合物(權利要求20)；根據權利要求16或17的具有清潔功能的標簽片，其中權利要求19中描述的聚合引發劑是光聚合引發劑，清潔層是光凝固(光固化)粘合層(權利要求21)等。
本發明的第四實質涉及一種具有清潔功能的標簽片的生產方法，該標簽片包括在襯墊一側上的清潔層，清潔層表面由釋放膜保護，該清潔層由粘合劑形成，當被給予活化能時該粘合劑經受聚合和固化，其中在分隔物上可剝脫地提供該襯墊的另一側面，通常粘合層位于期間，其特征在于從所獲得的標簽片的清潔層向硅晶片轉移的尺寸為0.2μm或更大的外來物質的量為20片/in2或更少(權利要求22)。
一種具有清潔功能的標簽片的生產方法，該標簽片包括在襯墊一側上及其表面由釋放膜保護的清潔層，該清潔層由粘合劑形成，當被給予活化能時該粘合劑經受聚合和固化，其中在分隔物上可剝脫地提供該襯墊的另一側面，通常粘合層位于其間，該方法包括在該清潔層的粘合劑的聚合和固化之前，剝脫清潔層的第一釋放膜，在沒有氧氣基本影響的條件下將清潔層進行聚合固化；由第二釋放膜保護清潔層的表面；然后將片沖壓成標簽形式(權利要求23)；權利要求23中描述的具有清潔功能的標簽片的生產方法，其中在清潔層的粘合劑的聚合固化反應之前保護清潔層表面的第一釋放膜是含有硅氧烷系釋放劑的膜(權利要求24)；權利要求22中描述的具有清潔功能的標簽片的生產方法，其中在片沖壓成標簽形式期間(根據JISK7127測試方法)清潔層的拉伸模量是10MPa或更大(權利要求25)；權利要求22中描述的具有清潔功能的標簽片的生產方法，其中清潔層是包括如下物質的固化粘合劑壓敏粘合劑聚合物、每分子含有一個或多個不飽和雙鍵的可聚合不飽和化合物和聚合引發劑(權利要求26)；權利要求26中描述的具有清潔功能的標簽片的生產方法，其中壓敏粘合劑聚合物是包括(甲基)丙烯酸和/或(甲基)丙烯酸烷基酯作為主要單體的丙烯酸類聚合物(權利要求27)；權利要求26中描述的具有清潔功能的標簽片的生產方法，其中聚合引發劑是光聚合引發劑，清潔層是光凝固粘合層(權利要求28)等。
附圖簡述

圖1是說明本發明具有清潔功能的標簽片的實施方案的平面圖。
圖2是沿圖1的a-a線取的剖視圖。
附圖標記如下1分隔物，A清潔標簽，2襯墊，3清潔層，4釋放膜，5通常粘合層本發明的第一清潔片包括由硅氧烷系釋放劑釋放處理的分隔物，該分隔物作為保護清潔層表面的保護膜。待層壓在該清潔層上的分隔物需要滿足如下要求當從該清潔層剝離該分隔物時，按照聚二甲基硅氧烷計算，粘附到該清潔層的硅氧烷的量為0.005g/m2，特別優選0.003g/m2。或者，該分隔物需要滿足的要求是按照聚二甲基硅氧烷計算，在該分隔物上硅氧烷的涂敷量為0.1g/m2或更少，特別優選0.07g/m2或更少。當粘附到清潔層的硅氧烷的量或分隔物上硅氧烷的涂敷量超過上述預定數值時，出現的問題是與清潔層最外表面接觸的釋放處理物的組分或者組分之一的硅氧烷，硅氧烷是一種組分，移動到清潔層的表面，污染清潔層，引起基底處理設備中接觸部位的二次污染。可以由如下方式進行硅氧烷量的測量使用熒光X射線測量儀器在30mm測量范圍內測量樣品表面的Si-Kα強度，然后按照聚二甲基硅氧烷計算測量值。轉換公式由如下公式(1)表示。
y＝0.00062x(1)y聚二甲基硅氧烷的量(g/m2)xSi-Kα的強度(kcps)并不特別限定要用于本發明的分隔物，只要粘附到清潔層的硅氧烷的量或分隔物上硅氧烷的涂敷量不超過上述的預定數值。例如，要用作釋放處理物的硅氧烷樹脂可以是溶劑類型、乳液類型、無溶劑類型等。或者，可以使用固化類型硅氧烷樹脂如縮合反應固化類型、加成反應固化類型、紫外固化類型和電子射線固化類型硅氧烷樹脂。除主要組分如聚二甲基硅氧烷以外，硅氧烷樹脂可進一步包括引入其中的各種添加劑如作為輕組分脫除添加劑的非功能硅氧烷或作為重組分脫除添加劑的硅氧烷樹脂。
要用作分隔物的材料并不特別限定但可以是由如下物質組成的塑料膜聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚氨酯、醋酸乙烯酯-乙烯基共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯等。
本發明的第二清潔片包括由聚烯烴系樹脂形成的，厚度通常常為25μm-100μm的分隔物，該分隔物作為清潔層表面保護的保護膜。聚烯烴系樹脂的例子包括聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物等。即使不由硅氧烷或蠟釋放處理，此類膜如聚醚顯示低臨界表面張力，因此可以預定具有關于清潔層表面的降低的剝脫粘合力。此外，由軟質聚氯乙烯形成的膜是不利，因為引入膜的大量增塑劑移動到清潔層表面，在基底處理設備中引起污染或從聚氯乙烯釋放的氯化氫在設備中引起污染。然而，聚烯烴系樹脂不引起這樣的問題。
通常通過將各種添加劑加入到上述聚烯烴系樹脂中，然后由成膜設備如擠出機和壓延機將聚烯烴系樹脂加工成膜形式，以制備這樣的清潔層表面保護膜。本發明的特征在于上述添加劑沒有熱劣化抑制劑和潤滑劑或者，如果有的話，兩種添加劑的總量限制到窄至小于0.01重量份的范圍，基于100重量份聚烯烴系樹脂。
熱劣化抑制劑的例子包括酚類熱劣化抑制劑、芳族胺系熱劣化抑制劑、有機硫系熱劣化抑制劑、有機磷系熱劣化抑制劑和金屬化合物系熱劣化抑制劑。當熱劣化抑制劑和潤滑劑的總量不小于0.01重量份時，基于100重量份聚烯烴系樹脂，這些添加劑移動到清潔層的表面，使得難以確定地在基底處理設備中防止污染。
此外，由于由上述聚烯烴系樹脂形成的保護膜在清潔層形成粘合劑的涂敷期間必須承受加熱和干燥步驟，作為成膜材料的聚烯烴系樹脂優選顯示80℃或更高的熱變形溫度(根據JIS K7207在0.45MPa的負荷下)。這樣的保護膜不經過釋放處理。
清潔層并不特別限于它的材料等。然而，優選使用由活化能源如紫外射線和熱量固化以具有三維網絡分子結構的材料，該分子結構提供降低的粘合力。例如，關于硅晶片(鏡表面)的180°剝脫粘合力是0.20N/10mm或更少，優選約0.010-0.10N/10mm。當此粘合力超過0.20N/10mm時，在輸送期間清潔層粘合到設備中的非清潔區域，可能引起輸送麻煩。
此外，在本發明中，可以將清潔片切割成標簽形式，標簽然后用作具有清潔功能的標簽片。在此情況下，不具體限制切割方法。然而，當清潔層的粘合劑沒有聚合和固化時，不利的在于清潔層的粘合層從片的切割截面突出或連接到切割截面或粘合劑絲(adhesive rope)或者被切割到不均勻的深度以得到粗糙切割截面，在最差情況下引起不良切割。此外，當在片的切割之后進行聚合固化反應時，由于氧氣的抑制可防止在切割截面上曝露的粘合劑聚合，伴隨地由粘合劑引起基底處理設備的污染。因此，優選在切割之前預先進行聚合固化反應。為此目的，優選清潔層的拉伸模量是10MPa或更大，優選10-2,000Mpa(根據JIS K7127)以防止發生由上述伴隨片切割的問題。通過預定拉伸模量到這樣的規定數值或更大，可以防止標簽切割期間粘合劑從清潔層的突出或不良切割，使得可以生產具有清潔功能的標簽片，該標簽片不引起由粘合劑的污染。當拉伸模量超過2,000Mpa時，從輸送系統除去粘附的外來物質的能力劣化。當拉伸模量小于此范圍時，在輸送期間上述采用切割的問題可發生或粘合劑可粘合到設備中要清潔的區域，可能在輸送中引起麻煩。
作為這種清潔層的具體例子，優選是包括如下物質的清潔層在壓敏粘合劑聚合物中引入的每分子含有一個或多個不飽和雙鍵的化合物。
此外，這種壓敏粘合劑聚合物的例子是包括選自丙烯酸、丙烯酸酯、甲基丙烯酸和甲基丙烯酸酯的(甲基)丙烯酸和/或(甲基)丙烯酸酯作為單體的丙烯酸類聚合物。通過使用每分子含有兩個或多個不飽和雙鍵的化合物作為可共聚單體以合成此丙烯酸類聚合物，或化學鍵合每分子含有不飽和雙鍵的化合物和由官能團之間反應合成的丙烯酸類聚合物，使得丙烯酸類聚合物分子包括引入其中的不飽和雙鍵，當給予聚合物活化能時也允許聚合物自身參與聚合固化反應。
要在此使用的每分子含有一個或多個不飽和雙鍵的化合物(以下稱為“可聚合不飽和化合物”)優選是重均分子量為10,000或更少的非揮發性低分子量化合物。優選此化合物的分子量為5,000或更少以在固化期間進行粘合層的有效三維網絡化。這樣可聚合化合物的例子包括苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、ε-己內酯(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、六(甲基)丙烯酸二季戊四醇酯、尿烷(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、低聚酯(甲基)丙烯酸酯等。在這些可聚合化合物中，使用一種或多種化合物。
此外，并不具體限制要引入粘合劑的聚合引發劑。可以使用任何已知的材料作為這樣的聚合引發劑。例如，如果使用熱量作為活化能源，可以使用熱聚合引發劑如過氧化苯甲酰和偶氮二異丁腈。如果使用光，可以使用光聚合引發劑如苯甲酰、苯偶姻乙基醚、二芐基、異丙基苯偶姻醚、二苯酮、米蚩酮氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、苯乙酮二乙基縮酮、芐基二甲基縮酮、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷和2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮。
清潔層的厚度并不具體限制但通常為約5-100μm。
本發明也提供包括在清潔層另一側或襯墊另一側上提供的通常粘合層的清潔片。在此情況下，在另一側上的清潔層并不具體限制它的材料等，只要它滿足粘著功能。可以使用通常的粘合劑(如丙烯酸類粘合劑、橡膠基粘合劑)。粘合層的厚度通常為約5-100μm。在其中將輸送元件如基底剝離這樣的粘合劑以在本發明再使用輸送元件如基底的情況下，這樣通常粘合劑的粘合力優選為約0.21-0.98N/10mm，特別約0.40-0.98N/10mm，按照關于硅晶片(鏡表面)的180°剝脫粘合力計算該粘合力，使得基底可以容易地再剝脫而不在清潔之后的輸送期間被剝脫。
不具體限制用于另一側上粘合層的分隔物。分隔物的例子包括由如下材料組成的塑料膜聚烯烴如聚乙烯，聚丙烯，聚丁烯，聚丁二烯和聚甲基戊烯、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚氨酯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯，它們已經由硅氧烷系釋放劑、長鏈烷基系釋放劑、氟系釋放劑、脂族酸酰胺系釋放劑、二氧化硅系釋放劑等釋放處理。分隔物的厚度通常為約10-100μm。
不具體限制用于清潔層的襯墊。襯墊的例子包括由如下物質組成的塑料膜聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、乙酰基纖維素、聚碳酸酯、聚丙烯、聚酰亞胺、聚酰胺、聚碳化二亞胺、尼龍膜等。襯墊膜的厚度通常為約10μm-100μm。
在本發明具有清潔功能的第三標簽片中，連續長度的分隔物必須具有的180°剝脫粘合力為0.05N/50mm或更大，優選0.1N/50mm或更大，特別地約0.1-0.5N/50mm以自身從通常粘合層剝離。或者，該分隔物的殘余粘合力百分比為85％或更大，優選90％或更大，特別地約90-110％，由NITTODENKO CORPORATION生產的No.31B帶(商品名聚酯粘合帶；基底聚酯；粘合劑丙烯酸類)測量該百分比。在普通狀態(23℃，50％RH)中使用拉伸測試機(在AS1635，FINAT-10，FS-147，PSTC-4中規定)，在180°角度和300mm/min速率下通過測定要求從清潔標簽剝離分隔物的力，進行分隔物剝脫粘合力的測量。在一些詳細情況中，將由NITTO DENKOCORPORATION生產的No.31B聚酯粘合帶粘著到JIS G4305中規定的冷軋不銹鋼板(SUS304)。然后在180°角度下在普通狀態(23℃，50％RH)中將剝脫粘合力測量為基本粘合力(F0)。隨后，使用19.6N(2kg)輥將上述聚酯粘合帶粘著到該分隔物。然后在49N(5kg)負荷下壓擠層壓材料。在24小時之后，然后剝脫粘合帶。然后將這樣剝脫的粘合帶粘著到上述不銹鋼板。然后與上述相同的方式測量剝脫粘合力以測定殘余粘合力(F)。從所獲得的基本粘合力(F0)和殘余粘合力(F)，然后使用如下公式(1)確定殘余粘合力百分比殘余粘合力百分比(％)＝(F/F0)×100(1)如果該分隔物的180°剝脫粘合力小于預定數值，在具有清潔功能的標簽片的生產之后將清潔標簽部分從連續長度的分隔物剝離，可能引起粘合劑粘合力的變化或粘合劑可被外來物質的污染。如果180°剝脫粘合力超過0.5N/50mm，當將標簽從分隔物剝離時發生重負荷剝脫，可能劣化加工性能。此外，如果殘余粘合力百分比小于預定數值，在標簽片的貯存期間將釋放層組分轉移到粘合劑，可能不利地劣化標簽的粘合性能或使關于分隔物的標簽剝脫粘合力不穩定。也是不利的在于當這樣的清潔標簽粘著到輸送元件時，由于由外來物質的污染發生不良粘著或具有清潔功能的輸送元件的抗老化穩定性劣化，清潔標簽已經粘著到該輸送元件。
在本發明中，并不在它的材料中具體限制連續長度的分隔物，只要其剝脫粘合力不小于上述預定數值，但該分隔物可以是由如下物質組成的塑料膜聚烯烴如聚乙烯，聚丙烯，聚丁烯，聚丁二烯和聚甲基戊烯、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚氨酯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯，它們已經由硅氧烷系釋放劑、長鏈烷基系釋放劑、氟系釋放劑、脂族酸酰胺系釋放劑、二氧化硅系釋放劑等釋放處理。
上述清潔層顯示關于硅晶片(鏡表面)的0.20N/10mm或更少，優選約0.01-0.1N/10mm的180°剝脫粘合力。當此粘合力超過0.20N/10mm時，在輸送期間清潔層與設備中要清潔的區域接觸，因而可能在輸送中引起麻煩。清潔層的厚度并不具體限制但通常為約5-100μm。要用于清潔層保護的釋放膜并不特別限制但可以是由如下物質組成的塑料膜聚烯烴如聚乙烯，聚丙烯，聚丁烯，聚丁二烯和聚甲基戊烯、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚氨酯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯，它們已經由硅氧烷系釋放劑、長鏈烷基系釋放劑、氟系釋放劑、脂族酸酰胺系釋放劑、二氧化硅系釋放劑等釋放處理。
對于本發明具有清潔功能的標簽片的制備，使用包括如下部分的清潔片上述在襯墊一側上提供的清潔層和在襯墊另一側上提供的通常粘合層。在另一側上的粘合層并不具體限制它的材料等，只要連續長度的分隔物顯示以上定義的數值或更大的值，但可以由通常粘合劑(如丙烯酸類粘合劑，橡膠基粘合劑)組成。在此方面，可以將清潔標簽從分隔物剝離，粘著到輸送元件如具有粘合層的各種元件，然后通過作為具有清潔功能的輸送元件的設備輸送，使得它與要清潔的部位接觸用于清潔。由于輸送元件的再使用要求將輸送元件從粘合層剝離，可以將該粘合層的粘合力預定到0.01-10.0N/10mm，特別地約0.05-5.0N/10mm的范圍，關于硅晶片(鏡表面)按照180°剝脫粘合力計算該粘合力，以容易將輸送元件再從粘合層剝離而不在清潔之后的輸送期間被剝脫。
進一步參照附圖描述本發明，但本發明并不限于此。
圖1是說明本發明具有清潔功能的標簽片的實施例的平面圖，其中多個清潔標簽彼此間隔地連續地提供在連續長度的分隔物1上。如圖2(沿圖1的a-a線取的剖視圖)所示，此標簽A包括在襯墊2一側上提供的清潔層3和釋放膜4，在襯墊2另一側上提供的通常粘合層5，可剝脫地提供在分隔物1上，粘合層5位于其間。
在操作中，將清潔標簽從分隔物剝離1，然后粘著到輸送元件如半導體晶片。然后將釋放膜4剝離清潔層3。然后可以將標簽片輸送入設備以清潔要清潔的部位。
在本發明具有清潔功能的第四標簽片的生產方法中，要求待從所獲得的標簽片的清潔層轉移到硅晶片，尺寸為0.2μm或更大的外來物質數目是每平方英寸20個或更少，特別地每平方英寸10個或更少。如果外來物質的轉移量超過每平方英寸20個，產生的問題是可以污染基底處理設備中的接觸部位。
在本發明中，并不具體限制第四標簽片的生產方法，只要外來物質的轉移量不大于上述的預定數值。然而特別地，優選進行包括如下操作的方法在該清潔層的粘合劑的聚合固化反應之前，剝脫清潔層的第一釋放膜，在沒有氧氣基本影響的條件下將清潔層進行聚合固化；由第二釋放膜保護清潔層的表面；然后將片沖壓成標簽形式。如果在片沖壓期間組成清潔片的粘合劑還沒有聚合和固化，不利的在于清潔層的粘合層從片的沖壓截面突出或連接到沖壓截面或粘合劑絲或被沖壓到不均勻的深度以得到粗糙沖壓截面，在最差情況下引起不良切割。此外，當在片的沖壓之后進行聚合固化反應時，由于氧氣的抑制會防止在切割截面上曝露的粘合劑聚合，伴隨地由粘合劑會引起基底處理設備的污染。
在本發明中，優選清潔層的拉伸模量是10MPa或更大，優選10-2,000Mpa(根據JIS K7127)以防止上述由片沖壓的問題的發生。通過預定拉伸模量到這樣的規定數值或更大，可以防止標簽沖壓期間粘合劑從清潔層的突出或不良沖壓，使得可以生產具有清潔功能的標簽片，在預切割工藝中該標簽片不引起由粘合劑的污染。當拉伸模量小于10MPa時，上述由片沖壓的問題可發生或者粘合劑可粘合到設備中要清潔的區域，可能在輸送中引起麻煩。相反地，當拉伸模量太大時，從輸送系統除去連接的外來物質的能力劣化。
在本發明中，要求在清潔層的聚合固化反應之前清潔層沒有第一釋放膜然后在基本沒有氧氣影響的條件下將清潔層進行聚合和固化。當在沒有第一釋放膜地情況下將清潔層進行聚合和固化時，與清潔層最外表面或其部分接觸的釋放劑的組分如硅氧烷移動到清潔層的表面，從而引起從清潔層的污染。此外，例如可以在真空環境(壓力約133Pa)中由活化能源的照射，完成在基本沒有氧氣影響下清潔層的聚合和固化。
此外，經過聚合和固化的清潔層由其表面上的第二釋放膜保護，然后將清潔層進行片沖壓以制備標簽形式。不具體限制用于保護清潔層表面的第一和第二釋放膜，只要在清潔片的生產或使用期間可以將它們從清潔層再剝離。然而，可以使用塑料膜作為以下所述的分隔物或可再釋放粘合片。第一和第二釋放膜可以相同或不同。然而，當第一釋放膜是段落(0010)中描述的含有硅氧烷系釋放劑的膜時，本發明的生產方法特別有效。
根據本發明生產具有清潔功能的標簽片的方法，將清潔片進行作為清潔層的固化粘合劑的固化，然后在分隔物以外的位置進行片沖壓以制備標簽形式，該清潔片包括在襯墊一側上提供的由上述具體粘合劑組成及其表面由釋放膜保護的清潔層，其中在分隔物上可剝脫地提供襯墊的另一側，通常粘合層位于其間。在此情況下，不具體限制沖壓工藝和加工的形式。然而，可以將清潔片根據以下所述輸送元件的形狀沖壓，然后擺脫不必須的片以形成標簽。或者，可以將不必須的片剝離標簽以外的部分，將增強部分與部分片保留未剝脫作為標簽周圍或片末端離開標簽的增強部分，以形成標簽。
本發明具有清潔功能的標簽片的生產方法，使用清潔片，該清潔片包括在襯墊一側上提供的上述具體清潔層，其中在分隔物上可剝脫地提供襯墊的另一側，通常粘合層位于其間。在另一側上的粘合層并不具體限制它的材料等，只要它滿足粘合劑性能但可以是通常的粘合劑(如丙烯酸類粘合劑，橡膠基粘合劑)。在此方面，可以將具有清潔功能的標簽剝離上述分隔物，粘著到輸送元件如具有粘合層的各種元件，然后通過作為具有清潔功能的輸送元件的設備輸送，使得它與要清潔的部位接觸用于清潔。在其中在清潔之后將基底剝離粘合層以再使用輸送元件如上述基底的情況下，不具體限制通常粘合層的粘合力。然而，如果通常粘合層的粘合力是0.01-10.0N/10mm，特別地約0.05-5.0N/10mm，關于硅晶片(鏡表面)按照180°剝脫粘合力計算該粘合力，可以特別有利地將基底容易再剝離粘合層而不在清潔之后的輸送期間被剝脫。
本發明具有清潔功能的標簽片的生產方法，將清潔片進行作為清潔層的固化粘合劑的固化，然后在分隔物以外的位置進行片沖壓以制備標簽形式，該清潔片包括在襯墊一側上提供的由上述具體粘合劑組成及其表面由釋放膜保護的清潔層，其中在分隔物上可剝脫地提供襯墊的另一側，通常粘合層位于其間。在此情況下，不具體限制沖壓工藝和加工的形式。然而，可以將清潔片根據以下所述輸送元件的形狀沖壓，然后擺脫不必須的片以形成標簽。或者，可以將不必須的片剝離標簽以外的部分，將增強部分與部分片保留未剝脫作為標簽周圍或片末端離開標簽的增強部分，以形成標簽。
本發明具有清潔功能的標簽片的生產方法，使用清潔片，該清潔片包括在襯墊一側上提供的上述具體清潔層，其中在分隔物上可剝脫地提供襯墊的另一側，通常粘合層位于其間。在另一側上的粘合層并不具體限制它的材料等，只要它滿足粘合劑性能但可以是通常的粘合劑(如丙烯酸類粘合劑，橡膠基粘合劑)。在此方面，可以將具有清潔功能的標簽從上述分隔物剝離，粘著到輸送元件如具有粘合層的各種元件，然后通過作為具有清潔功能的輸送元件的設備輸送，使得它與要清潔的部位接觸用于清潔。在其中在清潔之后將基底剝離粘合層以再使用輸送元件如上述基底的情況下，不具體限制通常粘合層的粘合力。然而，如果通常粘合層的粘合力是0.01-10.0N/10mm，特別地約0.05-5.0N/10mm，關于硅晶片(鏡表面)按照180°剝脫粘合力計算該粘合力，可以特別有利地將基底容易再剝離粘合層而不在清潔之后的輸送期間被剝脫。
不具體限制本發明中的分隔物只要可以從分隔物剝離清潔標簽，但分隔物可以是由如下物質組成的塑料膜聚烯烴如聚乙烯，聚丙烯，聚丁烯，聚丁二烯和聚甲基戊烯、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚氨酯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯，它們已經由硅氧烷系釋放劑、長鏈烷基系釋放劑、氟系釋放劑、脂族酸酰胺系釋放劑、二氧化硅系釋放劑等釋放處理。分隔物的厚度不具體限制但通常為約10-100μm。
標簽A的形狀不具體限制，依賴于標簽A粘著到的輸送元件如基底的形狀，可以是圓形、晶片形、火焰形、含有卡盤部分用突出物的形狀等，標簽A粘著到該輸送元件上。
粘著有清潔片或清潔標簽的輸送元件不具體限制，但可以是平板顯示器基底如半導體晶片、LCD和PDP、基底如CD和MR頭等。
實施例將在如下實施例中描述本發明，但本發明并不限于此。以下使用的術語“份”用于指示“重量份”。
實施例1-1將從由75份丙烯酸2-乙基己酯，20份丙烯酸甲酯和5份丙烯酸組成的單體混合物獲得的100份丙烯酸類聚合物(重均分子量700,000)與150份多官能氨基甲酸酯丙烯酸酯(商品名UV-1700B，由Nippon Synthetic IndustryCo.，Ltd生產)，3份多異氰酸酯化合物(商品名Colonate，由NipponPolyurethane Industry Co.，Ltd生產)和10份作為光聚合引發劑的芐基二甲基縮酮(商品名Irgacure 651，由Ciba Specialty Chemicals Co.，Ltd生產)均勻混合，以制備紫外固化粘合劑溶液。
單獨地，以上述相同的方式獲得粘合劑溶液，區別在于將沒有芐基二甲基縮酮的上述粘合劑涂敷到寬度為250mm和厚度為25μm的聚酯襯墊膜一側上到10μm的干厚度，以在其上提供通常粘合層。然后向通常粘合層的表面粘著厚度為38μm的聚酯基釋放膜，該釋放膜已經由硅氧烷系釋放劑釋放處理。隨后，將上述紫外固化粘合劑溶液涂敷到襯墊膜另一側到15μm的干厚度，以提供作為清潔層的粘合層。然后向粘合層的表面粘著作為分隔物A的保護膜，該保護膜已經由硅氧烷系釋放劑釋放處理。
然后在1,000mJ/cm2的完整劑量下，采用中心波長為365nm的紫外射線照射此片。
然后將分隔物A從清潔片A剝離，分隔物A用作清潔層的保護膜。然后測量粘附到清潔層表面的硅氧烷的量。對于測量，使用由RigakuCoraporation生產的熒光X射線測量儀器。在30mm區域內測量清潔層表面的Si-Kα強度。然后按照聚二甲基硅氧烷計算測量值。結果是，Si-Kα強度是4.2kcps，按照聚二甲基硅烷計算它是0.003g/m2。此外，在30mm區域內由熒光X射線測量儀器測量分隔物A的硅氧烷涂敷的量。結果是，Si-Kα強度是104kcps，按照聚二甲基硅烷計算它是0.064g/m2。
在紫外固化之后此清潔片A的粘合層的拉伸模量是55MPa。根據JISK7127測試方法測量拉伸模量。
此外，在10mm寬度內將清潔層側面上的粘合層粘著到硅晶片的鏡表面上，然后根據JIS Z0237測量清潔層側面上通常粘合層關于硅晶片(鏡表面)的180°剝脫粘合力，結果為0.008N/10mm。
此外，以上述相同的方式測量另一側面上通常粘合層關于硅晶片(鏡表面)的180°剝脫粘合力，結果為0.85N/10mm。
剝脫在此清潔片A的通常粘合層側面上的釋放膜。然后將清潔片A粘著到8英寸硅晶片的背側(鏡表面)上，以制備具有清潔功能的輸送清潔晶片A。
實施例1-2采用與實施例1-1相同的方式制備清潔片B，區別在于使用由硅氧烷系釋放劑釋放處理的分隔物B作為清潔層保護膜用分隔物。
然后將分隔物B從清潔片B剝離，分隔物B用作清潔層的保護膜。然后測量粘附到清潔層表面的硅氧烷的量。對于測量，采用與實施例1-1相同的方式測量Si-Kα強度。然后按照聚二甲基硅氧烷計算測量值。結果是，Si-Kα強度是0.6kcps，按照聚二甲基硅烷計算它是0.001g/m2。此外，以上述相同的方式測量分隔物B的硅氧烷涂敷的量。結果是，Si-Kα強度是69kcps，按照聚二甲基硅烷計算它是0.042g/m2。
此外，采用與實施例1-1相同的方式制備具有清潔功能的輸送清潔晶片B。
比較例1-1采用與實施例1-1相同的方式制備清潔片C，區別在于使用由硅氧烷系釋放劑釋放處理的分隔物C作為清潔層保護膜用分隔物。
然后將分隔物C從清潔片C剝離，分隔物C周作清潔層的保護膜。然后測量粘附到清潔層表面的硅氧烷的量。對于測量，采用與實施例1-1相同的方式測量Si-Kα強度。然后按照聚二甲基硅氧烷計算測量值。結果是，Si-Kα強度是9.8kcps，按照聚二甲基硅烷計算它是0.006g/m2。此外，以上述相同的方式測量分隔物B的硅氧烷涂敷的量。結果是，Si-Kα強度是214kcps，按照聚二甲基硅烷計算它是0.13g/m2。
此外，采用與實施例1-1相同的方式制備具有清潔功能的輸送清潔晶片C。
然后通過以如下方式輸送具有清潔功能的清潔片A-C，將實施例1-1和1-2和比較例1-1的上述清潔片A-C在半導體晶片上進行污染測試和在基底處理設備中的外來物質脫除測試。結果見表1-1。
<晶片污染的評價>
將清潔片的清潔層由手動輥粘著到8英寸硅晶片的整個鏡表面上，同時剝脫分隔物(保護膜)。其后，將清潔片從晶片剝離。由激光表面檢查設備計數粘附到鏡表面尺寸為0.2μm或更大的外來物質。
<外來物質脫除測試>
使用激光表面檢查設備，測量三個嶄新8英寸硅晶片的鏡表面上尺寸為0.2μm或更大的外來物質。然后將這些晶片輸送入具有靜電吸引機構的單獨基底處理設備，其鏡表面向下。然后由激光表面檢查設備測量這些晶片的鏡表面。在8英寸晶片尺寸中，結果分別是33,643、35,773和31,032。
隨后，將清潔層側面上的保護膜剝離所獲得的輸送清潔晶片A-C。然后在具有晶片級的上述基底處理設備上輸送這些晶片，外來物質已經粘附到該設備。結果是，可以輸送這些晶片而沒有任何麻煩。其后，將嶄新8英寸硅晶片輸送，其鏡表面向下，然后由激光外來物質檢查設備測量尺寸為0.2μm或更大的外來物質的出現。此操作進行五次。
表1-1

從上述結果中可知，實施例1-1和1-2的清潔片可防止硅氧烷系釋放劑的組分或其部分移動到清潔層的表面，該清潔片包括作為清潔層分隔物(保護膜)的由硅氧烷系釋放劑釋放處理的保護膜，其中當從該清潔層剝離該分隔物時，按照聚二甲基硅氧烷計算，粘附到該清潔層的硅氧烷的量為0.005g/m2或更少，或按照聚二甲基硅氧烷計算，該分隔物上硅氧烷的涂敷的量為0.1g/m2或更少。結果是，發現這些清潔晶片的使用使得可以急劇消除基底處理設備上的污染，提供除去外來物質的高能力。相反，發現比較例1-1的清潔片，它在本發明的范圍以外，顯示粘附到硅晶片的極大硅氧烷的量。結果是，這些清潔晶片的使用引起設備的后污染，劣化除去外來物質的能力和因此使其使用無效。
實施例2-1在200℃的擠出溫度和4m/min的接取速度(take-off speed)下，將100份由ASAHI CHEMICAL INDUSTRY CO.，LTD.生產的低密度聚乙烯樹脂通過平膜生產機[由SHI Modern Machinery，Ltd.生產]，在沒有熱劣化抑制劑和潤滑劑擠出以形成膜。因此，獲得厚度為100μm的清潔層表面保護膜A。
將從由75份丙烯酸2-乙基己酯，20份丙烯酸甲酯和5份丙烯酸組成的單體混合物獲得的100份丙烯酸類聚合物(重均分子量700,000)與50份聚乙二醇200二甲基丙烯酸酯(商品名Nk Ester 4G，由Shinnakamura Kagku K.K.生產)，50份氨基甲酸酯丙烯酸酯(商品名U-N-01，由Shinnakamura KagkuK.K.生產)，3份多異氰酸酯化合物(商品名Colonate L，由Nippon PolyurethaneIndustry Co.，Ltd生產)和3份作為光聚合引發劑的芐基二甲基縮酮(商品名Irgacure 651，由Ciba Specialty Chemicals Co.，Ltd生產)均勻混合，以制備紫外固化粘合劑溶液。單獨地，以上述相同的方式獲得粘合劑溶液，區別在于將沒有芐基二甲基縮酮的上述粘合劑涂敷到寬度為250mm和厚度為25μm的聚酯襯墊膜一側上到10μm的干厚度，以在其上提供通常粘合層。然后向通常粘合層的表面粘著厚度為38μm的聚酯基釋放膜。隨后，將上述紫外固化粘合劑溶液涂敷到襯墊膜另一側到40μm的干厚度，以提供作為清潔層的粘合層。然后向粘合層的表面粘著以上制備的保護膜A。
然后在2,000mJ/cm2的完整劑量下，采用中心波長為365nm的紫外射線照射此片。在紫外固化之后此清潔片A清潔層的粘合層的拉伸模量是55MPa。
根據JIS K7127測試方法測量拉伸模量。
此外，在10mm寬度內將清潔層側面上的粘合層粘著到硅晶片的鏡表面上，然后根據JIS Z0237測量清潔層側面上通常粘合層關于硅晶片(鏡表面)的180°剝脫粘合力，結果為0.029N/10mm。
此外，以上述相同的方式測量另一側面上通常粘合層關于硅晶片(鏡表面)的180°剝脫粘合力，結果為0.10N/10mm。
剝脫在此清潔片A的通常粘合層側面上的釋放膜。然后將清潔片A粘著到8英寸硅晶片的背側(鏡表面)上，以制備具有清潔功能的輸送清潔晶片A。
實施例2-2向100份由ASAHI CHEMICAL INDUSTRY CO.，LTD.生產的低密度聚乙烯樹脂中，加入0.009份脂族酸酯系潤滑劑。采用與實施例1相同的方式將混合物進行成膜，以獲得清潔層保護膜B。采用與實施例2-1相同的方式制備清潔片B和具有清潔功能的輸送清潔晶片B，區別在于清潔層表面保護膜B用作清潔層的分隔物。
比較例2-1向100份由ASAHI CHEMICAL INDUSTRY CO.，LTD.生產的低密度聚乙烯樹脂中，加入0.01份酚類熱劣化抑制劑和0.01份脂族酸酯系潤滑劑。采用與實施例2-1相同的方式將混合物進行成膜，以獲得清潔層保護膜C。采用與實施例2-1相同的方式制備清潔片C和具有清潔功能的輸送清潔晶片C，區別在于清潔層表面保護膜C用作清潔層的分隔物。
比較例2-2向100份由ASAHI CHEMICAL INDUSTRY CO.，LTD.生產的低密度聚乙烯樹脂中，加入0.1份酚類熱劣化抑制劑和0.1份脂族酸酯系潤滑劑。采用與實施例2-1相同的方式將混合物進行成膜，以獲得清潔層保護膜D。采用與實施例2-1相同的方式制備清潔片D和具有清潔功能的輸送清潔晶片D，區別在于清潔層表面保護膜D用作清潔層的分隔物。
比較例2-3硅氧烷處理過的，厚度為50μm的聚酯膜用作清潔層表面保護膜E。采用與實施例2-1相同的方式制備清潔片E和具有清潔功能的輸送清潔晶片E，區別在于清潔層表面保護膜E用作清潔層的分隔物。
然后檢驗實施例2-1和2-2和比較例2-1到2-3的上述清潔片A-E將分隔物(清潔層表面保護膜)從清潔層剝離所需的剝脫粘合力。然后通過以如下方式輸送具有清潔功能的清潔片A-E，將這些清潔片A-E在半導體晶片上進行污染測試和在基底處理設備中的外來物質脫除測試。結果見表2-1。
<晶片污染的評價>
將清潔片的清潔層由手動輥粘著到8英寸硅晶片的整個鏡表面上，同時剝脫分隔物(保護膜)。其后，將清潔片從晶片剝離。由激光表面檢查設備計數粘附到鏡表面的尺寸為0.2μm或更大的外來物質。
<外來物質脫除測試>
使用激光表面檢查設備，測量五個嶄新8英寸硅晶片的鏡表面上的尺寸為0.2μm或更大的外來物質。結果分別是10，8，3，5和11。然后將這些晶片輸送入具有靜電吸引機構的單獨基底處理設備，其鏡表面向下。然后由激光表面檢查設備測量這些晶片的鏡表面。在8英寸晶片尺寸中，結果分別是33,156，38,915，32,144，37,998和31,327。
隨后，將清潔層側面上的保護膜剝離所獲得的輸送清潔晶片A-E。然后在具有晶片級的上述基底處理設備上輸送這些晶片，外來物質已經粘附到該設備。結果是，可以輸送這些晶片而沒有任何麻煩。其后，將嶄新8英寸硅晶片輸送，其鏡表面向下，然后由激光外來物質檢查設備測量尺寸為0.2μm或更大的外來物質的出現。此操作進行五次。
表2-1

從上述結果中可知，實施例2-1和2-2的清潔片顯示關于清潔層表面有小至0.5N/50mm寬度并且可容易從清潔層剝離分隔物，而沒有任何缺陷如清潔層組合物的部分下落，該清潔片包括作為清潔層分隔物(保護膜)的清潔層保護膜，其中熱劣化抑制劑和潤滑劑的總量小于0.01份，基于100份聚乙烯基樹脂。進一步顯示由于粘附到硅晶片的外來物質數目小，清潔晶片的使用使得可以急劇消除基底處理設備上的污染，提供除去外來物質的高能力。相反，發現，關于上述兩種組分的總量在本發明的范圍以外的比較例2-1和2-2的清潔片，包括常規硅氧烷處理的聚酯膜的比較例2-3，顯示大量硅氧烷粘附到硅晶片上。結果是，這些清潔晶片的使用引起設備的后污染，損害除去外來物質的能力和因此使其使用無效。
實施例3-1將從由75份丙烯酸2-乙基己酯，20份丙烯酸甲酯和5份丙烯酸組成的單體混合物獲得的100份丙烯酸類聚合物(重均分子量700,000)與50份聚乙二醇200二甲基丙烯酸酯(商品名Nk Ester 4G，由Shinnakamura Kagku K.K.生產)，50份氨基甲酸酯丙烯酸酯(商品名U-N-01，由Shinnakamura KagkuK.K.生產)，3份多異氰酸酯化合物(商品名Colonate L，由Nippon PolyurethaneIndustry Co.，Ltd生產)和3份作為光聚合引發劑的芐基二甲基縮酮(商品名Irgacure 651，由Ciba Specialty Chemicals Co.，Ltd生產)均勻混合，以制備紫外固化粘合劑溶液A。
單獨地，向裝配有溫度計、攪拌器、氮氣吸入管和冷凝器的500ml三口燒瓶類型反應容器中加入3份丙烯酸2-乙基己酯，10份丙烯酸正丁酯，15份N，N-二甲基丙烯酰胺，作為聚合引發劑的0.15份2，2’-偶氮二異丁腈和100份乙酸乙酯使達到200g。然后攪拌反應混合物同時將氮氣引入其中，持續約1小時以由氮氣代替其中的空氣。其后，將反應容器的內部溫度升高到58℃，其中然后保持反應混合物約4小時以引起聚合。結果是，獲得粘合劑聚合物溶液。然后將100份粘合劑聚合物溶液與3份多異氰酸酯化合物(商品名Colonate L，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd生產)以獲得粘合劑溶液A。
將上述粘合劑溶液A涂敷到由連續長度聚酯膜(厚度38μm，寬度250mm)形成的分隔物A的釋放處理表面到15μm的干厚度，其中一側已由硅氧烷系釋放劑釋放處理。然后在粘合層上層壓連續長度的聚酯膜(厚度25μm，寬度250mm)。然后將紫外固化粘合劑溶液A涂敷成膜到40μm的干厚度，以作為清潔層的粘合層。然后向粘合層的表面粘著如上所述的相同釋放膜的釋放處理表面以獲得片。
然后在1,000mJ/cm2的完整劑量下，采用中心波長為365nm的紫外射線照射此片，以獲得含有紫外固化清潔層的清潔片A。
然后將在此清潔片A的粘合層側面上的作為層壓材料的粘合膜，而不是分隔物沖壓成直徑為200mm的圓。然后將不必須的粘合劑膜連續剝脫并除去以制備圖1所示本發明的具有清潔功能的標簽片A。進行具有清潔功能的標簽片A的沖壓而沒有任何粘合劑成絲或碎化的問題。在制備之后，觀察具有清潔功能的標簽片A。結果是，清潔標簽沒有從分隔物的剝離，清潔標簽被保持在分隔物中。此外，既沒有觀察到通常粘合劑從標簽的突出也沒有觀察到標簽由粘合劑的污染。此外，將標簽片A貯存1個月。然而，標簽沒有從分隔物剝脫，展示的情況是清潔片A顯示高耐老化穩定性。
測量具有清潔功能的標簽片A所需的將分隔物剝離清潔標簽的180°剝脫粘合力，為0.1N/50mm。在普通狀態(23℃，50％RH)中使用拉伸測試機(在AS1635，FINAT-10，FS-147，PSTC-4中規定)，在180°角度和300mm/min速率下通過測定從清潔標簽剝離分隔物所需的力量，進行分隔物剝脫粘合力的測量。
此外，使用由NITTO DENKO CORPORATION生產的No.31B帶(聚酯粘合帶)測量殘余粘合力百分比。在一些詳細情況中，將No.31B帶粘著到JIS G4305中規定的不銹鋼板(SUS304)。然后測量剝脫粘合力(基本粘合力)。基本粘合力是5.2N/20mm。隨后，使用19.6N(2kg)輥將分隔物A粘著No.31B帶的表面。然后在49N(5kg)負荷下壓擠層壓材料。在24小時之后，然后剝脫粘合帶。然后將這樣剝脫的粘合帶粘著到上述不銹鋼板上。然后與上述相同的方式測量剝脫粘合力以測定殘余粘合力。殘余粘合力是5.4N/20mm，殘余粘合力百分比是104％。
測量此紫外固化粘合劑A的拉伸模量(JIS K7127測試方法)。結果是，在1,000mJ/cm2的完整劑量下，采用中心波長為365nm的紫外射線照射之后它是49Mpa。
此通常粘合層關于硅晶片(鏡表面)的180°剝脫粘合力是0.25N/10mm。
使用標簽粘著劑(NEL-GR3000，由NITTO SEIKI INC.生產)將具有清潔功能的標簽片A粘著到8英寸硅晶片上，以制備具有清潔功能的輸送元件A。此時，將清潔標簽粘著到8英寸硅晶片的鏡表面。對25個片連續進行此操作。結果是，將片粘著到晶片而沒有任何問題。因此，制備具有清潔功能的輸送元件A用于具有清潔功能的輸送。
單獨地，使用激光表面檢查設備，測量四個嶄新8英寸硅片的鏡表面上的尺寸為0.2μm或更大的外來物質。第一片顯示5個外來物質，第二片顯示3個外來物質，第三片顯示5個外來物質。然后將這些晶片輸送入具有靜電吸引機構的單獨基底處理設備，其鏡表面向下。然后由激光表面檢查設備測量這些晶片鏡表面上的尺寸為0.2μm或更大的外來物質。在8英寸晶片尺寸中，第一，第二和第三片分別顯示29,845，32,194和30,036個外來物質。
隨后，將從所獲得的用于輸送的具有清潔功能的輸送元件A上剝離清潔側面上的釋放膜。然后在具有晶片級的上述基底處理設備上輸送這些晶片，29,845個外來物質已經粘附到該設備。結果是，可以輸送這些輸送元件而沒有任何麻煩。其后，將嶄新8英寸硅晶片輸送，其鏡表面向下，然后由激光外來物質檢查設備測量尺寸為0.2μm或更大的外來物質的出現。此操作進行五次。結果見表3-1。
實施例3-2采用與實施例3-1相同的方式制備具有清潔功能的標簽片B，區別在于使用由低密度聚乙烯形成的聚烯烴膜(厚度70μm，寬度250mm))作為用于具有清潔功能的標簽片的連續長度的分隔物。進行具有清潔功能的此標簽片B的沖壓而沒有任何粘合劑成絲或碎化的問題。在制備之后，觀察具有清潔功能的標簽片B。結果是，潔標簽沒有從分隔物的剝離，在分隔物中保持清潔標簽。此外，既沒有觀察到通常粘合劑從標簽的突出也沒有觀察到標簽由粘合劑的污染。此外，將標簽片B貯存1個月。然而，不發生標簽從分隔物的剝脫，展示的情況是清潔片B顯示高耐老化穩定性。
測量具有清潔功能的此標簽片B所需的將分隔物剝離清潔標簽的180°剝脫粘合力，其為0.15N/50mm。
此外，由No.31B帶測量分隔物B的殘余粘合力。殘余粘合力是4.7N/20mm，殘余粘合力百分比是90％。
使用標簽粘著劑(NEL-GR3000，由NITTO SEIKI INC.生產)將具有清潔功能的標簽片B粘著到8英寸硅晶片上，以制備具有清潔功能的輸送元件B。此時，將清潔標簽粘著到8英寸硅晶片的鏡表面。對25個片連續進行此操作。結果是，將片粘著到晶片而沒有任何問題。因此，制備具有清潔功能的輸送元件B用于具有清潔功能的輸送。
隨后，將清潔側面上的釋放膜剝離先前獲得的用于輸送的具有清潔功能的輸送元件B。然后在具有晶片級的上述基底處理設備上輸送這些晶片，32,194個外來物質已經粘附到該設備。結果是，可以輸送這些輸送元件而沒有任何麻煩。其后，將嶄新8英寸硅晶片輸送，其鏡表面向下，然后由激光外來物質檢查設備測量尺寸為0.2μm或更大的外來物質的出現。此操作進行五次。結果見表3-1。
比較例3-1采用與實施例3-1相同的方式制備具有清潔功能的標簽片C，區別在于使用由聚酯膜(厚度38μm，寬度250mm))作為用于具有清潔功能的標簽片的連續長度的分隔物。進行具有清潔功能的此標簽片C的沖壓而沒有任何粘合劑成絲或碎化的問題。
然而，當在制備之后觀察具有清潔功能的標簽片C時，觀察到幾乎所有的清潔標簽已經從分隔物剝離，展示的情況是不制備標簽片。
測量具有清潔功能的此標簽片C所需的將分隔物剝離清潔標簽的180°剝脫粘合力。結果是，在要測量的標簽中剝脫粘合力的分散較大。180°剝脫粘合力最大為0.03N/50mm。
此外，由No.31B帶測量分隔物B的殘余粘合力。殘余粘合力是4.0N/20mm，殘余粘合力百分比是77％。
使用標簽粘著劑(NEL-GR3000，由NITTO SEIKI INC.生產)將具有清潔功能的標簽片C粘著到8英寸硅晶片上，以制備具有清潔功能的輸送元件C。在此時，將清潔標簽粘著到8英寸硅晶片的鏡表面。對25個片連續進行此操作。結果是，粘著劑將清潔標簽完全從分隔物剝離，引起對晶片的經常不良粘著。甚至在粘著期間，可粘著到晶片的具有清潔功能的輸送元件C含有混入其中的空氣泡(浮物)，也不可能獲得良好的產品。因此，具有清潔功能的輸送元件C中止清潔基底處理設備內部。
表3-1

實施例4-1
將從由75份丙烯酸2-乙基己酯，20份丙烯酸甲酯和5份丙烯酸組成的單體混合物中獲得的100份丙烯酸類聚合物(重均分子量700,000)與50份聚乙二醇200二甲基丙烯酸酯(商品名Nk Ester 4G，由Shinnakamura Kagku K.K.生產)，50份氨基甲酸酯丙烯酸酯(商品名U-N-01，由Shinnakamura KagkuK.K.生產)，3份多異氰酸酯化合物(商品名Colonate L，由Nippon PolyurethaneIndustry Co.，Ltd生產)和3份作為光聚合引發劑的芐基二甲基縮酮(商品名Irgacure 651，由Ciba Specialty Chemicals Co.，Ltd生產)均勻混合，以制備紫外固化粘合劑溶液。
單獨地，以上述相同的方式制備通常粘合劑溶液，區別在于上述粘合劑沒有芐基二甲基縮酮。
將上述粘合劑溶液涂敷到由連續長度聚酯膜(厚度38μm，寬度250mm)形成的分隔物的釋放處理表面到10μm的干厚度，其中一側已由硅氧烷系釋放劑釋放處理。然后在粘合層上層壓連續長度的聚酯膜(厚度25μm，寬度250mm)。然后將紫外固化粘合劑溶液A涂敷到膜到40μm的干厚度，以作為清潔層的粘合層。在干燥之后，然后向粘合層的表面粘著由連續長度聚酯膜(厚度38μm，寬度250mm)形成的第一釋放膜的釋放處理表面以獲得片，其一側已由硅氧烷系釋放劑釋放處理。
剝脫此片清潔層上的第一釋放膜。然后在1,000mJ/cm2的完整劑量下在真空環境(133Pa)中，采用中心波長為365nm的紫外射線照射片。然后向清潔層的表面粘著厚度為50μm的聚烯烴膜(未處理的)作為第二釋放膜，以獲得含有紫外固化清潔層的清潔片。
然后將在此清潔片的粘合層側面上的作為層壓材料的粘合膜，而不是分隔物沖壓成直徑為200mm的圓。然后將不必須的粘合劑膜連續剝脫和除去以制備圖1所示本發明的清潔標簽片。進行此清潔片的沖壓而沒有任何粘合劑成絲或碎化的問題。在制備之后，觀察標簽片。結果是，既沒有觀察到通常粘合劑從標簽的突出也沒有觀察到標簽被粘合劑的污染。
此外，在固化之后，即在片沖壓期間此清潔片的粘合層的拉伸模量是49MPa。在此根據JIS K7127測試方法測量拉伸模量。
另外，剝脫此清潔標簽片的清潔層上的第二釋放膜。然后以清潔層接觸晶片的布置將清潔標簽片粘著到8英寸硅晶片。然后將標簽片剝離晶片。由激光類型外來物質測量儀器測量8英寸硅晶片的表面。結果是，尺寸為0.2μm或更大的外來物質數目是14個。
將清潔標簽剝離所獲得的具有清潔功能的標簽片的分隔物，然后由手動輥粘著到8英寸硅晶片的后表面(鏡表面)上，以制備具有清潔功能的輸送清潔晶片。通常粘合層關于硅晶片(鏡表面)的180°剝脫粘合力是2.5N/10mm。
使用具有清潔功能的標簽片，由標簽帶粘著劑(商品名NEL-GR3000，由NITTO SEIKI INC.生產)將標簽粘著到8英寸硅晶片的后表面(鏡表面)上。對25個片連續進行此操作。結果是，將片粘著到晶片而沒有任何問題，使得可以制備具有清潔功能的輸送清潔晶片。此外，在10mm寬度內將清潔層粘著到硅晶片的鏡表面，然后根據JIS Z0237測量關于硅晶片的180°剝脫粘合力，為0.018N/10mm。
單獨地，使用激光表面檢查設備，測量四個嶄新8英寸硅片的鏡表面上尺寸為0.2μm或更大的外來物質。第一片顯示6個外來物質，第二片顯示5個外來物質。然后將這些晶片輸送入具有靜電吸引機構的單獨基底處理設備，其鏡表面向下。然后由激光表面檢查設備測量這些晶片鏡表面尺寸為0.2μm或更大的外來物質。在8英寸晶片尺寸中，第一和第二片分別顯示33,456和36,091個外來物質。
隨后，從所獲得的輸送清潔晶片剝離清潔層側面上的第二釋放膜。然后在具有晶片級的上述基底處理設備上輸送清潔晶片，33,456個外來物質已經粘附到該設備。結果是，可以輸送清潔晶片而沒有任何麻煩。其后，將嶄新8英寸硅晶片輸送，其鏡表面向下，然后由激光外來物質檢查設備測量尺寸為0.2μm或更大的外來物質的出現。此操作進行五次。外來物質的脫除百分比見表4-1。
比較例4-1采用與實施例4-1相同的方式制備清潔片，區別在于在1,000mJ/cm2的完整劑量下在氣氛中，采用中心波長為365nm的紫外射線照射片及不將第一釋放膜從清潔層剝離。然后從此清潔標簽片的清潔層剝離第二釋放膜。然后在清潔層接觸晶片的布置中將清潔標簽片粘著到8英寸硅晶片。然后將清潔標簽片剝離晶片。然后由激光類型外來物質測量儀器測量8英寸硅晶片的表面。結果是，尺寸為0.2μm或更大的外來物質數目是6,264個。然后采用與實施例相同的方式從此清潔片獲得清潔晶片。
隨后，從所獲得的輸送清潔晶片剝離清潔層側面上的第二釋放膜。然后在具有晶片級的上述基底處理設備上輸送清潔晶片，26,091個外來物質已經粘附到該設備。結果是，可以輸送清潔晶片而沒有任何麻煩。其后，將嶄新8英寸硅晶片輸送，其鏡表面向下，然后由激光外來物質檢查設備測量尺寸為0.2μm或更大的外來物質的出現。此操作進行五次。外來物質的脫除百分比見表4-1。
比較例4-2采用與實施例4-1相同的方式制備清潔片，區別在于不用在1,000mJ/cm2的完整劑量下在氣氛中，采用中心波長為365nm的紫外射線照射片。然后采用與實施例4-1相同的方式由沖壓將此清潔片切割成直徑為200mm的圓，以制備具有清潔功能的標簽片。在此過程期間，清潔層還不固化，因此可作為緩沖材料。因此，由于沖壓不能進行到均勻的深度，發生更多的標簽不良沖壓。此外，觀察這樣制備的標簽。結果是，觀察到粘合劑從標簽的末端突出。另外，由于在沖壓期間顯現的粘合劑成絲，在標簽上觀察到更多的粘合劑染污。此外，粘合劑擴展和粘附到標簽末端的清潔層側面上的第二釋放膜。在1,000mJ/cm2的完整劑量下在氣氛中，采用中心波長為365nm的紫外射線照射這樣制備的標簽。然而，由于氧氣的抑制和殘留的粘合劑，在標簽末端的粘合劑不固化。因此，中止制備此標簽片的輸送清潔元件。
表4-1

工業實用性如上所述，在第一發明中，通過預定清潔片的清潔層表面保護膜(分隔物)，使得當從清潔層剝離清潔層表面保護膜時，粘附到該清潔層的硅氧烷的量或分隔物上硅氧烷的涂敷的量不大于規定的數值，該清潔片可應用于在基底處理設備中用于從輸送部位等脫除外來物質的工藝中，以防止設備中由于保護膜而引起的污染問題，并且獲得除去外來物質的高能力。
此外，在第二發明中，通過未經過釋放處理的，由聚烯烴系樹脂形成清潔片的清潔層表面保護膜(分隔物)，以及布置使得表面保護膜中引入的熱劣化抑制劑和潤滑劑的量不大于規定數值，該清潔片可應用于在基底處理設備中用于從輸送部位等脫除外來物質的工藝中，以防止設備中由于保護膜而引起的污染問題，并且獲得除去外來物質的高能力。
另外，在第三發明中，具有清潔功能的標簽片可提供不使清潔標簽從分隔物的剝脫的并顯示高耐老化穩定性的具有清潔功能的標簽片，以及可以確定地通過基底處理設備輸送的，以簡單和確定地除去粘附到設備內部的外來物質的清潔輸送元件。
此外，根據第四發明具有清潔功能的標簽片的生產方法，可以生產清潔標簽片，該清潔標簽片在片沖壓成標簽形式期間不經歷不良沖壓和不引起粘合劑的染污。同時，具有清潔功能的標簽片，可以確定地通過基底處理設備輸送該標簽片以簡單和確定地除去粘附到設備內部的外來物質。
權利要求
1.一種清潔片，包括清潔層；和包括聚烯烴樹脂、熱劣化抑制劑和潤滑劑的保護膜，保護膜在清潔層的至少一側上被提供為分隔物，以及保護膜不用釋放劑處理，其中熱劣化抑制劑和潤滑劑的總量小于0.01重量份，基于100重量份聚烯烴樹脂。
2.一種清潔片，包括清潔層；包括聚烯烴樹脂、熱劣化抑制劑和潤滑劑的保護膜，保護膜在清潔層一側上被提供為分隔物，以及保護膜不用釋放劑處理；和在清潔層另一側上提供的粘合層，其中熱劣化抑制劑和潤滑劑的總量小于0.01重量份，基于100重量份聚烯烴樹脂。
3.一種清潔片，包括襯墊；在襯墊至少一側上提供的清潔層；和包括聚烯烴樹脂、熱劣化抑制劑和潤滑劑的保護膜，保護膜在清潔層上被提供為分隔物，以及保護膜不用釋放劑處理，其中熱劣化抑制劑和潤滑劑的總量小于0.01重量份，基于100重量份聚烯烴樹脂。
4.一種清潔片，包括襯墊；在襯墊一側上提供的清潔層；在襯墊另一側上提供的粘合層；和包括聚烯烴樹脂、熱劣化抑制劑和潤滑劑的保護膜，保護膜至少在清潔層上被提供為分隔物，以及保護膜不用釋放劑處理，其中熱劣化抑制劑和潤滑劑的總量小于0.01重量份，基于100重量份聚烯烴樹脂。
5.根據權利要求1-4任意一項的清潔片，其中保護膜不包括熱劣化抑制劑和潤滑劑。
6.一種具有清潔功能的標簽片，包括襯墊；在襯墊一側上提供的清潔層；在清潔層上提供的釋放膜；分隔物；和在襯墊另一側上提供的和在分隔物上提供的粘合層，條件是分隔物能夠從粘合層剝離，其中至少一層粘合層被連續地彼此間隔地提供在分隔物上，從粘合層剝離分隔物所需的180°剝脫粘合力是0.05N/50mm或更大。
7.一種具有清潔功能的標簽片，包括襯墊；在襯墊一側上提供的清潔層；在清潔層上提供的釋放膜；分隔物；和在襯墊另一側上提供的和在分隔物上提供的粘合層，條件是分隔物能夠從粘合層剝離，其中至少一層粘合層被連續地彼此間隔地提供在分隔物上，分隔物是殘余粘合力百分比為85％或更大的分隔物，由MTTO DENKOCORPORATION生產的No.31B帶測量該百分比。
8.一種具有清潔功能的標簽片的生產方法，該方法包括在襯墊一側上提供清潔層，清潔層在其表面含有釋放膜，其中清潔層包括粘合劑，該粘合劑聚合和由活化能固化；和在能夠從粘合層剝離分隔物的條件下，在襯墊和分隔物之間提供粘合層，粘合層在襯墊的另一側；其中從清潔層向硅晶片轉移的尺寸為0.2μm或更大的外來物質的量為20個/in2或更少。
9.根據權利要求8的方法，包括在粘合劑的聚合和固化之前，從清潔層剝離第一釋放膜，在沒有氧氣基本影響的條件下將清潔層進行聚合和固化；在經歷聚合和固化之后由第二釋放膜保護清潔層的表面；和將由清潔層、襯墊、粘合劑和第二釋放膜所獲得的層壓材料沖壓成標簽形式。
10.根據權利要求9的方法，其中第一釋放膜是具有釋放劑的膜，該釋放劑包括硅氧烷。
全文摘要
一種清潔片，包括清潔層和采用包括硅氧烷的釋放劑處理的保護膜，保護膜在清潔層的至少一側上被提供為分隔物，其中當從清潔層剝離分隔物時，按照聚二甲基硅氧烷計算，粘附到清潔層的硅氧烷的量為0.005g/m
文檔編號C11D3/37GK1796528SQ20051012975
公開日2006年7月5日 申請日期2002年10月31日 優先權日2001年12月19日
發明者寺田好夫, 并河亮 申請人:日東電工株式會社