專利名稱：多層布線基底及其制造方法
技術領域：
本發明涉及一種多層布線基底(即，多層電路板)和一種該多層布線基底的制造 方法，更具體地說，涉及一種加工準確度(即，工藝準確度或加工精度)高且熱釋放特性好 的多層布線基底及其制造方法。
背景技術：
通常，通過將銅線布線在由多種熱固性合成樹脂制成的板的一個表面或兩個表面 上，在該板上設置IC或電子元件，將上述元件固定，實現它們之間的電線相連并用絕緣體 進行涂覆來形成印刷電路板(PCB)。利用IC或電子元件在PCB上形成電子電路的問題之一是釋放由組件產生的過多 的熱。即，當將確定的電壓施加到電子元件時，電流流動，這樣因電阻損耗不可避免地產 生熱。在這種情況下，由某些電子元件產生的熱很少，以致于熱會自然地冷卻而不會在這些 電子元件的操作中造成問題。在某些其它的電子元件的情況下，即，加熱組件，它們在自然 冷卻方面具有局限性，產生如此多的熱使得這些組件的溫度持續升高，因此，這些元件因溫 度的持續升高而發生故障或被損壞。即，這樣的加熱劣化了電子產品的整體可靠性。因此，已經提出用于熱釋放(或散熱)或具有冷卻產生的熱的能力的多種基底結 構。近來，已經提出利用具有良好的熱傳輸特性的金屬構件的金屬芯PCB。金屬芯PCB 包括由鋁制成的金屬基底、形成在金屬基底上的聚合物絕緣層和形成在聚合物絕緣層上的 電線。盡管當與由塑性材料制成的普通的PCB相比時金屬芯PCB具有良好的熱釋放特性， 但是因其使用了具有相對高水平的導熱性的高價聚合物，導致其制造成本高昂。此外，隨著電子產品的趨勢朝著尺寸總體減小、更加纖薄、密度不斷增大以及被升 級為具有封裝形式的方向發展，正在改變原材料而且電路的層構造日益具有復雜的結構， 以在PCB上形成更精細的圖案并提高可靠性和設計密度。即，隨著電路復雜性增加以及高密度和小電路的要求的增加，雙面PCB或多層 PCB (MLB)已得到普遍應用。MLB還包括可布線層，以擴展布線區域。詳細來說，MLB包括內層和外層。薄芯 (thin core)用作內層的材料，并使用4層(通過預浸(pre-preg)附著兩個內層和兩個外 層)的MLB。根據包含在其中的電路的復雜性，MLB可被構造成具有六層、八層或十層或更多層。在內層和外層上形成如功率電路、接地電路和信號電路等內層電路和外層電路， 并且通過使用通孔(via hole)來連接內層和外層。
MLB的優勢在于可顯著增加布線密度，然而，制造工藝復雜。具體來說，難以精確地 調整用來連接內層電路和外層電路的通孔。因此，通孔的堆疊工藝降低了大規模生產率并 造成有缺陷的MLB。

發明內容
本發明的一方面提供一種具有良好的加工準確度(即，工藝準確度或加工精度) 且熱釋放特性好的多層布線基底及其制造方法。根據本發明的一方面，提供了一種多層布線基底，所述多層布線基底包括堆疊的 主體，包括絕緣構件、堆疊的第一金屬芯和第二金屬芯，所述絕緣構件設置在所述第一金屬 芯和所述第二金屬芯之間，所述堆疊的主體具有穿透所述第一金屬芯和所述第二金屬芯的 貫穿孔；第一絕緣層和第二絕緣層，分別形成在所述第一金屬芯和所述第二金屬芯的除所 述貫穿孔的內壁之外的外表面和內表面上；第一內層電路圖案、第一外層電路圖案、第二內 層電路圖案和第二外層電路圖案，所述第一內層電路圖案和所述第一外層電路圖案形成在 所述第一絕緣層上，所述第二內層電路圖案和所述第二外層電路圖案形成在所述第二絕緣 層上；第一通過電極和第二通過電極，所述第一通過電極電連接所述第一內層電路圖案和 所述第一外層電路圖案，所述第二通過電極，電連接所述第二內層電路圖案和所述第二外 層電路圖案；第三絕緣層，形成在所述貫穿孔的內壁上；貫穿電極，由填充在所述貫穿孔中 的導電材料制成，并電連接所述第一外層電路圖案和所述第二外層電路圖案。所述第一絕緣層和所述第二絕緣層可以是通過對第一金屬芯和第二金屬芯執行 陽極氧化工藝而形成的陽極氧化物膜。所述第三絕緣層可以是在對所述第一金屬芯和所述第二金屬芯執行陽極氧化工 藝時形成的陽極氧化物膜或塞墨。根據本發明的另一方面，提供了一種多層布線基底，所述多層布線基底包括堆疊 的主體，包括絕緣構件、堆疊的第一金屬芯和第二金屬芯，所述絕緣構件設置在所述第一金 屬芯和所述第二金屬芯之間，所述堆疊的主體具有穿透所述第一金屬芯和所述第二金屬芯 的貫穿孔；第一絕緣層和第二絕緣層，分別形成在所述第一金屬芯和所述第二金屬芯的除 所述貫穿孔的內壁之外的外表面上；第一外層電路圖案和第二外層電路圖案，分別形成在 所述第一絕緣層和所述第二絕緣層上；第三絕緣層，形成在所述貫穿孔的內壁上；貫穿電 極，由注入在所述貫穿孔中的導電材料制成，并電連接所述第一外層電路圖案和所述第二 外層電路圖案。所述第一絕緣層和所述第二絕緣層可以是通過對第一金屬芯和第二金屬芯執行 陽極氧化工藝而形成的陽極氧化物膜。所述第三絕緣層可以是在對所述第一金屬芯和所述第二金屬芯執行陽極氧化工 藝時形成的陽極氧化物膜或塞墨。根據本發明的另一方面，提供了一種用于制造多層布線基底的方法，所述用于制 造多層布線基底的方法包括以下步驟在第一金屬芯和第二金屬芯中形成通孔；在所述第 一金屬芯和所述第二金屬芯的除所述通孔的內壁之外的外表面和內表面上形成第一絕緣 層和第二絕緣層；在所述第一絕緣層上形成第一內層電路圖案和第一外層電路圖案，并在 所述第二絕緣層上形成第二內層電路圖案和第二外層電路圖案，形成電連接所述第一內層電路圖案和所述第一外層電路圖案的第一通過電極，并形成電連接所述第二內層電路圖案 和所述第二外層電路圖案的第二通過電極；堆疊中間設置有絕緣構件的所述第一金屬芯和 所述第二金屬芯；形成貫穿孔，使得所述貫穿孔穿透所述第一金屬芯和所述第二金屬芯； 在所述貫穿孔的內壁上形成第三絕緣層；形成電連接所述第一外層電路圖案和所述第二外 層電路圖案的貫穿電極。所述形成第一絕緣層和第二絕緣層的步驟可通過陽極氧化所述第一金屬芯和所 述第二金屬芯來執行。所述形成第三絕緣層的步驟可通過陽極氧化所述第一金屬芯和所述第二金屬芯 來執行。所述形成第三絕緣層的步驟可包括在所述貫穿孔中填充塞墨；在所述塞墨中再 形成貫穿孔。根據本發明的另一方面，提供了一種用于制造多層布線基底的方法，所述用于制 造多層布線基底的方法包括以下步驟堆疊中間設置有絕緣構件的第一金屬芯和第二金屬 芯；形成貫穿孔，使得所述貫穿孔穿透所述第一金屬芯和所述第二金屬芯；在所述第一金 屬芯和所述第二金屬芯的除所述貫穿孔的內壁之外的外表面上形成第一絕緣層和第二絕 緣層，并在所述貫穿孔的所述內壁上形成第三絕緣層；在所述第一絕緣層上形成第一外層 電路圖案，在所述第二絕緣層上形成第二外層電路圖案，并形成電連接所述第一外層電路 圖案和所述第二外層電路圖案的貫穿電極。所述形成第一絕緣層和第二絕緣層的步驟可通過陽極氧化所述第一金屬芯和所 述第二金屬芯來執行。所述形成第三絕緣層的步驟可通過陽極氧化所述第一金屬芯和所述第二金屬芯 來執行。所述形成第三絕緣層的步驟可包括在所述貫穿孔中填充塞墨；在所述塞墨中再 形成貫穿孔。


通過下面結合附圖詳細地描述，本發明的上述和其它方面、特點和其它優點將會 被更加清楚地理解，附圖中圖1是根據本發明的一個示例性實施例的多層布線基底的剖視圖；圖2是根據本發明的另一示例性實施例的多層布線基底的剖視圖；圖3a至圖3g是示出根據本發明的一個示例性實施例的用于制造多層布線基底的 方法的連續工藝的剖視圖；圖4a至圖4d是示出根據本發明的另一示例性實施例的用于制造多層布線基底的 方法的連續工藝的剖視圖。
具體實施例方式現在將參照附圖詳細地描述本發明的示例性實施例。然而，本發明可以以多種不 同的形式來實施，且不應該解釋為局限于在這里所闡述的實施例。相反，提供這些實施例使 得本公開將是徹底和完全的，并將本發明的范圍充分地傳達給本領域技術人員。在附圖中，為了清晰起見，會夸大形狀和尺寸，而且將始終使用相同的標號來表示相同或相似的組件。圖1是根據本發明示例性實施例的多層布線基底的剖視圖。參照圖1，根據本發明示例性實施例的多層布線基底200具有將第一金屬芯220和 第二金屬芯230堆疊并在第一金屬芯220和第二金屬芯230之間設置有絕緣構件210的結 構。為了解釋方便，堆疊在絕緣構件210上的金屬芯將被稱作第一金屬芯220，堆疊在 絕緣構件210下方的金屬芯將被稱作第二金屬芯230。第一金屬芯220和第二金屬芯230可由鋁(Al)、鎂(Mg)、鈦(Ti)、鋅(Zn)、鉭(Ta)、 鐵(Fe)、鎳(Ni)和它們的合金制成，但是不限于此。第一金屬芯220和第二金屬芯230可 由具有良好的熱傳輸特性的金屬制成，并可以是陽極氧化的(anodized)。第一絕緣層221形成在第一金屬芯220上，第一內層電路圖案223和第一外層電 路圖案222形成在第一絕緣層上。第一絕緣層221形成在第一金屬芯220的與絕緣構件 210接觸的內層上，也形成在第一金屬芯220的不與絕緣構件210接觸的外層上。通過第一通過電極(via electrode) 224來電連接第一外層電路圖案222和第一 內層電路圖案223。第二絕緣層231形成在第二金屬芯230的表面上，第二內層電路圖案233和第二 外層電路圖案232形成在第二絕緣層231上。第二絕緣層231形成在第二金屬芯230的與 絕緣構件210接觸的內層上，也形成在第二金屬芯230的不與絕緣構件210接觸的外層上。
通過第二通過電極234來電連接第二外層電路圖案232和第二內層電路圖案233。第一絕緣層221和第二絕緣層231可以是通過對第一金屬芯220和第二金屬芯 230執行陽極氧化而形成的陽極氧化膜，但不限于此。當第一金屬芯220和第二金屬芯230 由鋁制成時，第一絕緣層221和第二絕緣層231可以是鋁陽極氧化的絕緣膜Al2O3，該絕緣 膜具有約10W/mK至30W/mK的相對高的熱傳輸特性。當與普通的絕緣體相比時，陽極氧化絕緣膜具有良好的導熱性，并有助于使布線
基底更薄。第一內層電路圖案223、第二內層電路圖案233、第一外層電路圖案222和第二外 層電路圖案232可通過使用鍍覆工藝(無電鍍和電鍍)、金屬沉積或噴墨印刷法來形成。第 一內層電路圖案223、第二內層電路圖案233、第一外層電路圖案222和第二外層電路圖案 232可形成為具有初始設計的圖案，或可在形成導電膜之后通過圖案化工藝形成。通過穿透第一金屬芯220和第二金屬芯230的貫穿電極(throughelectrode) 240 來電連接形成在第一金屬芯220上的第一外層電路圖案222和形成在第二金屬芯230上 的第二外層電路圖案232。貫穿電極240形成了穿透第一金屬芯220和第二金屬芯230的 貫穿孔(through hole)，并可在形成第三絕緣層242之后通過通孔填充工藝(via fill process)來形成貫穿電極240。第三絕緣層242使貫穿電極240與第一金屬芯220和第二 金屬芯230電絕緣。第三絕緣層242可以是通過對第一金屬芯220和第二金屬芯230執行 陽極氧化而形成的陽極氧化膜。或者，第三絕緣層242可以是塞墨(plugging ink)。在本示例性實施例中，多層布線基底具有四層結構，如果堆疊兩個或更多的金屬 芯，則多層布線結構可具有四層或更多層的結構。根據本示例性實施例的多層布線基底200具有將兩個有良好的熱釋放特性的金屬芯堆疊的結構。因此，即使當將產生很多熱的元件安裝在其上時，也可以容易地釋放熱， 從而不會因另外的溫度增加而使電子元件發生故障或損壞。圖2是根據本發明的另一示例性實施例的多層布線基底的剖視圖。將描述與前面 的示例性實施例不同的元件，并省略對相同的元件的詳細描述。參照圖2，根據本發明的另一示例性實施例的多層布線基底100具有將第一金屬 芯120和第二金屬芯130堆疊并在第一金屬芯120和第二金屬芯130之間設置有絕緣構件 110的結構。第一絕緣層121形成在第一金屬芯120的不與絕緣構件110接觸的外表面上，第 二絕緣層131形成在第二金屬芯130的不與絕緣構件110接觸的外表面上。與根據本發明 前面的示例性實施例的多層布線基底200不同，第一絕緣層121沒有形成在第一金屬芯120 的與絕緣構件110接觸的內層上。第一金屬芯120包括形成在第一絕緣層上的第一外層電路圖案122，第二金屬芯 130包括形成在第二絕緣層131上的第二外層電路圖案132。通過穿透第一金屬芯120和第二金屬芯130的貫穿電極140來電連接第一外層電 路圖案122和第二外層電路圖案132。貫穿電極140形成了穿透第一金屬芯120和第二金 屬芯130的貫穿孔，并可在形成第三絕緣層141之后通過執行通孔填充工藝在貫穿孔中填 充導電材料來形成貫穿電極140。第三絕緣層141使貫穿電極140與第一金屬芯120和第二金屬芯130電絕緣。第 三絕緣層141可以是通過對第一金屬芯120和第二金屬芯130執行陽極氧化而形成的陽極 氧化膜。第三絕緣層141也可以是塞墨。根據本示例性實施例的多層布線基底100具有將兩個有良好的熱釋放特性的金 屬芯堆疊的結構。因此，即使當將產生過多的熱的元件安裝在其上時，也可以容易地釋放 熱，從而不會因溫度增加而使電子元件發生故障或損壞。因此，利用這些特性的優勢，可將 產生過多的熱的元件安裝在多層布線基底的第一外層電路圖案上，并且可將受熱易損壞的 元件安裝在第二外層電路圖案上。在本示例性實施例中，多層布線基底100具有堆疊的雙重金屬芯結構，但不限于 此，多層布線基底100可具有將兩個或更多金屬芯堆疊的結構。現在將參照圖3a至圖4d來描述根據本發明示例性實施例的用于制造多層布線基 底的方法。圖3a至圖3g是示出根據本發明的示例性實施例的用于制造多層布線基底的方法 的連續工藝的剖視圖。首先，如圖3a中所示，用于形成通過電極的通孔(h)分別形成在第一金屬芯220 和第二金屬芯230中。接下來，如圖3b中所示，分別在第一金屬芯220和第二金屬芯230上形成第一絕 緣層221和第二絕緣層231。可通過陽極氧化第一金屬芯220和第二金屬芯230來形成第 一絕緣層221和第二絕緣層231。然后，如圖3c所示，在形成于第一金屬芯220上的第一絕緣層221上形成第一內 層電路圖案223和第一外層電路圖案222。可通過使用鍍覆工藝(無電鍍或電鍍)、金屬沉積或噴墨印刷法來形成第一內層電路圖案223和第一外層電路圖案222。第一內層電路圖案223和第一外層電路圖案222 可形成為具有初始設計的圖案，或在形成導電膜之后通過圖案化工藝來形成第一內層電路 圖案223和第一外層電路圖案222。此后，加工通孔(h)來形成第一通過電極224，以電連接第一內層電路圖案223和 第一外層電路圖案222。不具體地限定通孔(h)的加工方法，而且可通過用導電材料來鍍或 填充通孔(h)以形成第一通過電極224。以與如上所述的方式相同的方式在形成于第二金屬芯230上的第二絕緣層231上 形成第二內層電路圖案233和第二外層電路圖案232。然后，加工通孔(h)來形成第二通過 電極234，以電連接第二內層電路圖案233和第二外層電路圖案232。此后，如圖3d所示，將第一金屬芯220和第二金屬芯230堆疊，并在第一金屬芯 220和第二金屬芯230之間設置絕緣構件210。半硬化狀態的絕緣構件可用作絕緣構件210， 例如，預浸料(pr印reg)等可用作絕緣構件210。隨后，如圖3e所示，形成穿透第一金屬芯220和第二金屬芯230的貫穿孔(H)。可 通過如CNC (計算機數控)鉆的機械鉆孔或通過使用激光器來形成貫穿孔(H)。激光器可包 括YAG激光器或CO2激光器。根據本示例性實施例的用于制造多層布線基底的方法的特點在于，形成了連接第 一金屬芯和第二金屬芯的外層電路的貫穿孔。因此，與貫穿孔形成在第一金屬芯和第二金 屬芯的每個上然后將第一金屬芯和第二金屬芯堆疊的方法相比，可以節約在貫穿孔對準工 藝中所花費的時間和招致的成本，并減少在堆疊第一金屬芯和第二金屬芯過程中貫穿孔沒 有精確地對應時產生未對準的可能性。接下來，如圖3f所示，用塞墨填充貫穿孔(H)。然后，如圖3g所示，加工填充貫穿 孔的塞墨以形成第三絕緣層242。此后，對貫穿孔(H)進行再加工以形成貫穿電極240，該 貫穿電極240電連接形成在第一金屬芯220上的第一外層電路圖案222和形成在第二金屬 芯230上的第二外層電路圖案232。第三絕緣層242使貫穿電極240與第一金屬芯220和 第二金屬芯230電絕緣。盡管未示出，但是可通過陽極氧化第一金屬芯220和第二金屬芯230來形成第三
絕緣層。雖然已經描述了制造具有四層結構的多層布線基底的方法，但是不限于此，可以 制造具有四層或更多層的多層布線基底。圖4a至圖4d是示出根據本發明的另一示例性實施例的用于制造多層布線基底的 方法的連續工藝的剖視圖。首先，如圖4a所示，將第一金屬芯120和第二金屬芯130堆疊，并在第一金屬芯 120和第二金屬芯130之間設置絕緣構件110。半硬化狀態的絕緣構件可用作絕緣構件110，例如，預浸料可用作絕緣構件110。接下來，如圖4b所示，形成穿透第一金屬芯120和第二金屬芯130的貫穿孔(H)。然后，如圖4c所示，在第一金屬芯120和第二金屬芯130的不與絕緣構件110接 觸的外層的每層上和貫穿孔(H)的內壁上形成絕緣層121、131和141。形成在第一金屬芯 120和第二金屬芯130的外層的每層上的第一絕緣層121和第二絕緣層131，可通過陽極氧 化第一金屬芯120和第二金屬芯130來形成。
在這種情況下，也可對貫穿孔(H)的內壁執行陽極氧化工藝來形成第三絕緣層 141。本發明的本示例性實施例的優點在于，可在第一金屬芯120、第二金屬芯130和貫 穿孔(H)的內壁上同時形成絕緣層121、131和141。盡管未示出，但是在將塞墨填充在貫穿孔(H)中之后，可通過使用塞墨的層來對 貫穿孔(H)進行再加工，以形成第三絕緣層141。此后，如圖4d所示，在形成于第一金屬芯120的外層上的第一絕緣層121上形成 第一外層電路圖案122，并在形成于第二金屬芯130的外層上的第二絕緣層131上形成第二 外層電路圖案132。隨后，加工貫穿孔(H)來形成電連接第一外層電路圖案和第二外層電路圖案的貫 穿電極140。不具體限定貫穿孔(H)的加工方法，并可通過用導電材料鍍層或填充貫穿孔 (H)來形成貫穿電極140。雖然已經描述了制造包括兩個堆疊的金屬芯的多層布線基底的工藝，但是不限于 此，可以用同樣的方式來制造具有兩個或更多金屬芯的多層布線基底。如上所述，根據本發明的示例性實施例的多層布線基底具有將兩個或更多有良好 的熱釋放特性的金屬芯堆疊的結構。因此，即使當將產生過多的熱的元件安裝在其上時，也 可以容易地釋放熱，從而不會因溫度增加而使電子元件發生故障或損壞。此外，通過在堆疊兩個或更多金屬芯之后形成貫穿孔的工藝可節約在貫穿孔對準 工藝中所花費的時間和招致的成本，并可以減少在堆疊第一金屬芯和第二金屬芯的過程中 貫穿孔沒有精確地對應時產生未對準的可能性。盡管已經結合示例性實施例示出和描述了本發明，但是本領域技術人員應該理 解，在不脫離由權利要求所限定的本發明的精神和范圍的情況下，可以進行修改和改變。
權利要求
1.一種多層布線基底，所述多層布線基底包括堆疊的主體，包括絕緣構件、堆疊的第一金屬芯和第二金屬芯，所述絕緣構件設置在所 述第一金屬芯和所述第二金屬芯之間，所述堆疊的主體具有穿透所述第一金屬芯和所述第 二金屬芯的貫穿孔；第一絕緣層和第二絕緣層，分別形成在所述第一金屬芯和所述第二金屬芯的除所述貫 穿孔的內壁之外的外表面和內表面上；第一內層電路圖案、第一外層電路圖案、第二內層電路圖案和第二外層電路圖案，所述 第一內層電路圖案和所述第一外層電路圖案形成在所述第一絕緣層上，所述第二內層電路 圖案和所述第二外層電路圖案形成在所述第二絕緣層上；第一通過電極和第二通過電極，所述第一通過電極電連接所述第一內層電路圖案和所 述第一外層電路圖案，所述第二通過電極電連接所述第二內層電路圖案和所述第二外層電 路圖案；第三絕緣層，形成在所述貫穿孔的內壁上；貫穿電極，由填充在所述貫穿孔中的導電材料制成，并電連接所述第一外層電路圖案 和所述第二外層電路圖案。
2.如權利要求1所述的多層布線基底，其中，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層是通 過對第一金屬芯和第二金屬芯執行陽極氧化工藝而形成的陽極氧化物膜。
3.如權利要求1所述的多層布線基底，其中，所述第三絕緣層是在對所述第一金屬芯 和所述第二金屬芯執行陽極氧化工藝時形成的陽極氧化物膜或塞墨。
4.一種多層布線基底，所述多層布線基底包括堆疊的主體，包括絕緣構件、堆疊的第一金屬芯和第二金屬芯，所述絕緣構件設置在所 述第一金屬芯和所述第二金屬芯之間，所述堆疊的主體具有穿透所述第一金屬芯和所述第 二金屬芯的貫穿孔；第一絕緣層和第二絕緣層，分別形成在所述第一金屬芯和所述第二金屬芯的除所述貫 穿孔的內壁之外的外表面上；第一外層電路圖案和第二外層電路圖案，分別形成在所述第一絕緣層和所述第二絕緣 層上；第三絕緣層，形成在所述貫穿孔的內壁上；貫穿電極，由注入在所述貫穿孔中的導電材料制成，并電連接所述第一外層電路圖案 和所述第二外層電路圖案。
5.如權利要求4所述的多層布線基底，其中，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層是通 過對第一金屬芯和第二金屬芯執行陽極氧化工藝而形成的陽極氧化物膜。
6.如權利要求4所述的多層布線基底，其中，所述第三絕緣層是在對所述第一金屬芯 和所述第二金屬芯執行陽極氧化工藝時形成的陽極氧化物膜或塞墨。
7.一種用于制造多層布線基底的方法，所述方法包括以下步驟在第一金屬芯和第二金屬芯中形成通孔；在所述第一金屬芯和所述第二金屬芯的除所述通孔的內壁之外的外表面和內表面上 形成第一絕緣層和第二絕緣層；在所述第一絕緣層上形成第一內層電路圖案和第一外層電路圖案，并在所述第二絕緣層上形成第二內層電路圖案和第二外層電路圖案，形成電連接所述第一內層電路圖案和所 述第一外層電路圖案的第一通過電極，并形成電連接所述第二內層電路圖案和所述第二外 層電路圖案的第二通過電極；堆疊中間設置有絕緣構件的所述第一金屬芯和所述第二金屬芯； 形成貫穿孔，使得所述貫穿孔穿透所述第一金屬芯和所述第二金屬芯； 在所述貫穿孔的內壁上形成第三絕緣層；形成電連接所述第一外層電路圖案和所述第二外層電路圖案的貫穿電極。
8.如權利要求7所述的用于制造多層布線基底的方法，其中，形成第一絕緣層和第二 絕緣層的步驟通過陽極氧化所述第一金屬芯和所述第二金屬芯來執行。
9.如權利要求7所述的用于制造多層布線基底的方法，其中，形成第三絕緣層的步驟 通過陽極氧化所述第一金屬芯和所述第二金屬芯來執行。
10.如權利要求7所述的用于制造多層布線基底的方法，其中，形成第三絕緣層的步驟 包括在所述貫穿孔中填充塞墨；在所述塞墨中再形成所述第三絕緣層。
11.一種用于制造多層布線基底的方法，所述方法包括以下步驟 堆疊中間設置有絕緣構件的第一金屬芯和第二金屬芯；形成貫穿孔，使得所述貫穿孔穿透所述第一金屬芯和所述第二金屬芯； 在所述第一金屬芯和所述第二金屬芯的除所述貫穿孔的內壁之外的外表面上形成第 一絕緣層和第二絕緣層，并在所述貫穿孔的所述內壁上形成第三絕緣層；在所述第一絕緣層上形成第一外層電路圖案，在所述第二絕緣層上形成第二外層電路 圖案，并形成電連接所述第一外層電路圖案和所述第二外層電路圖案的貫穿電極。
12.如權利要求11所述的用于制造多層布線基底的方法，其中，形成第一絕緣層和第 二絕緣層的步驟通過陽極氧化所述第一金屬芯和所述第二金屬芯來執行。
13.如權利要求11所述的用于制造多層布線基底的方法，其中，形成第三絕緣層的步 驟通過陽極氧化所述第一金屬芯和所述第二金屬芯來執行。
14.如權利要求11所述的用于制造多層布線基底的方法，其中，形成第三絕緣層的步 驟包括在所述貫穿孔中填充塞墨； 在所述塞墨中再形成所述第三絕緣層。
全文摘要
本發明提供一種多層布線基底和一種該多層布線基底的制造方法。所述多層布線基底包括堆疊的主體，包括絕緣構件、堆疊的第一、第二金屬芯，絕緣構件設置在第一、第二金屬芯之間，堆疊的主體具有穿透第一、第二金屬芯的貫穿孔；第一、第二絕緣層，分別形成在第一、第二金屬芯的除貫穿孔的內壁之外的外表面和內表面上；第一內、外層電路圖案形成在第一絕緣層上，第二內、外層電路圖案形成在第二絕緣層上；第一、第二通過電極，第一通過電極電連接第一內、外層電路圖案，第二通過電極電連接第二內、外層電路圖案；第三絕緣層，形成在貫穿孔的內壁上；貫穿電極，由填充在貫穿孔中的導電材料制成，并電連接第一外層電路圖案和第二外層電路圖案。
文檔編號H05K3/46GK101998755SQ20091025885
公開日2011年3月30日 申請日期2009年12月25日 優先權日2009年8月24日
發明者徐基浩, 李榮基, 林昶賢, 金泰勛, 金泰賢 申請人:三星電機株式會社