專利名稱：閥及使用該閥的基底處理設備和方法
閥及使用該陶的基底處理設備和方法 相關申請的交叉引用[1〗本美國非臨時專利申請按照35 U,S,C. § 119要求2007年10月12日提 交的韓國專利申請No.lO-的優先權，在此通過引用將該韓國 專利申請的全部內容并入此處。技術領域[2〗這里所公開的本發明涉及具有處理溶液傳感器的閥，并且涉及使用 該閥的用于處理基底的設備和方法，更具體地說，涉及可以延長產品壽 命并提高處理效率的具有處理溶液傳感器的閥，并且具體涉及使用該閥 的用于處理基底的設備和方法。
背景技術：
[3〗諸如半導體存儲裝置或平板顯示裝置的電子裝置包括基底。基底可 以是硅片或者玻璃基底。多個導電層圖形形成于基底上，并且用于絕緣 的介電圖形在多個導電層圖形的每個之間形成。導電層圖形或介電圖形 通過進行諸如暴露、顯影、蝕刻和清洗的一系列處理而形成。[4] 一部分處理涉及使用注有處理溶液的處理池。根據處理需要可以設 置多個處理池。多個處理池可以注有用于完成相同處理的相同處理溶液， 或者可以注有用于進行不同處理的不同處理溶液。并且，處理池可以包 括注有清洗溶液的處理池，所述清洗溶液用于在基底已被處理之后清洗基底。[5〗當清洗溶液用作處理溶液以清洗基底時，需要確定清洗完成的時間 點以結束清洗處理。為了確定所述的完成時間點，可以使用與處理溶液 接觸的傳感器，并且傳感器暴露于清洗溶液中。然而，清洗溶液中可能 會包含酸性成分，從而傳感器可能因長時間地暴露于酸性成分中而被損 壞，進而降低其使用壽命。頁發明內容[6]本發明提供了一種具有處理溶液傳感器的閥，該閥具有延長的產品 壽命并提高了處理效率。[7]本發明還提供了采用了該閥的基底處理設備。[8]本發明進一步地提供了處理基底的方法，該方法可以應用于以上基 底處理設備。[9〗實施例包括具有處理溶液傳感器的閥。所述閥包括主體、進口、出 口、閘門和傳感器。所述主體中設有通道，基底的處理溶液流經所述通 道。所述進口與所述通道的一端相連，處理溶液通過所述進口流入所述 主體。所述出口與所述通道的另一端相連，處理溶液通過所述出口排放 至所述主體外。所述閘門用于在所述進口和通道相連的區域打開或關閉 所述通道。所述傳感器與主體接合以接觸流經所述通道的處理溶液并檢 測處理溶液的成分。[IO]在一些實施例中，所述傳感器可以測量處理溶液的比電阻。[ll]在其它的實施例中，處理溶液可以包括純水。這里，所述傳感器可 以檢測純水中所含有的氫氟酸的濃度。[12]在另外的實施例中，基底處理設備包括處理池、第一排放線路和第 一閥。所述處理池盛有處理溶液以用于通過處理溶液處理基底。所述第 一排放線路與所述處理池相連以用于排放處理溶液。所述第一閥安裝在 所述第一排放線路中。所述第一閥包括主體、進口、出口、閘門和傳感 器。所述主體中設有通道，處理溶液流經所述通道。所述進口與所述通 道的一端相連，處理溶液通過所述進口流入所述主體。所述出口與所述 通道的另一端相連，處理溶液通過所述出口排放至所述主體外。所述閘 門用于在所述進口和通道相連的區域打開或關閉所述通道。所述傳感器 與主體接合以接觸流經所述通道的處理溶液并檢測處理溶液的成分。[13]在一些實施例中，所述基底處理設備還包括與傳感器相連以根據檢 測結果控制處理的結束的控制器。[14]在其它的實施例中，所述基底處理設備可以進一步地包括與所述處 理池相連以排放處理溶液的第二排放線路，并且所述第二排放線路與第一排放線路接合。這里，所述處理池包括用于接收處理溶液的內池以及 包圍內池的外池，在所述內池中基底浸入到已接收的處理溶液中，所述 外池用于接收從內池溢出的處理溶液。在這種情況下，所述第一排放線 路可以與所述外池相連，所述第二排放線路可以與內池相連。這里，所 述基底處理設備還可以包括與外池相連以排放處理溶液的第三排放線 路，并且所述第三排放線路與所述第二排放線路接合。在另一些實施例中，處理基底的方法包括在盛有處理溶液的處理池 中進行基底的處理，打開與處理池相連的排放線路的通道，檢測從排放 線路排出的處理溶液的成分，以及根據檢測結果結束處理，其中打開通 道和檢測成分在相同的位置進行。在一些實施例中，所述處理可以是基底的清洗處理，并且處理溶液 可以包括純水。這里，成分的檢測可以包括測量處理溶液的比電阻，以 及還包括當比電阻大于基準值時結束處理。在其它的實施例中，成分的檢測可以包括測量處理溶液的比電阻，
檢測純水中所包含的氫氟酸的濃度，以及當所測得的比電阻大于基準值 時結束處理。


結合附圖可以進一步理解本發明的構思，并且附圖被并入并構成本 說明書的一部分。附圖示出了本發明構思的示例性實施例，并且與說明
書一起用于解釋本發明構思的原理。在附圖中圖l是根據實施例的閥的剖視圖；圖2是根據實施例的基底處理設備的透視圖；圖3是圖2中所示的子處理單元的結構視圖；圖4A和圖4B是表示圖3中子處理單元的處理過程的示圖；圖5是根據其它實施例的圖2中的子處理單元結構視圖；圖6A和圖6B是表示圖5中的子處理單元的處理過程的示圖；并且圖7是根據實施例的基底處理方法的流程圖。
具體實施方式
[26]以下將參照附圖詳細描述優選實施例。然而，本發明可以以不同的 形式實施而不局限于這里所提出的實施例。更確切地說，提供這些實施 例是為了使該公開內容詳盡和完整，并向本領域技術人員充分地表達本 發明的范圍。[27]圖l是根據實施例的閥的剖視圖。[28]參照圖1，該閥可包括主體l、進口2、出口3、通道4、閘門5和傳感 器6。主體l被構造為沿著其長度方向限定出空腔。進口2被限定在主體1 沿其長度方向的一端，出口3被限定在主體1的相對的一端。通道4通過主 體l的空腔結構被限定在主體l中，通道4連通進口2和出口3。主體l具有 安裝用于打開和關閉與通道4相通的進口2的閘門5。閘門5沿著主體1的長 度方向上升和下降，并通過向上移動使進口2密封。閘門5通過向下移動 打開進口2，在這種情況下，通道4從進口2沿著圍繞閘門5的周邊限定而 成。傳感器6與主體1結合，其端部6a穿過主體l并插入通道4中。[29]這種閥安裝于多種流體流過的通道中以控制流體的流動。流體通過 進口2進入，并且當閘門5打開通道時，流過通道4并通過出口3流出。當 流體流過通道4時就會流經傳感器6的端部6a。傳感器6在其端部6a接觸流 體并檢測流體的成分。可采用檢測流體的成分的多種方法中的任何一種。 例如，當流體包括酸性組分時，傳感器可測量流體的pH值，或者可根據 流體的電導率或電阻率的變化測量從酸性成份中離解的離子數量以確定 電導率或電阻率。同樣地，可測量流體的某一組分的粒子濃度或數目。[30]根據其中應用有閥的設備的類型，流體可是多種流體中的任何一種。 例如，當閥用于制造半導體基底的處理設備時，流體可以是在半導體基 底制造中所使用的處理溶液。處理溶液可以是氫氟酸、硫酸、磷酸或超 純水。[31]當閥設在基底處理設備中時，閥控制處理溶液的流動并且與閥接合 的傳感器6檢測處理溶液的成分。因此可掌握處理狀態，從而可選擇對處理狀態的恰當管理。同樣地，因為傳感器6與閥連接并一體地形成，所以 傳感器6易于安裝至基底處理設備，不需要另外的設備且可以節省成本。圖l所示的結構是作為示例所提供的實施例，除了上述實施例中的閥
之外，與閥連接的傳感器可以具有各種不同的結構。以下，將描述基底 處理設備的幾個示例性實施例。圖2是根據實施例的基底處理設備的透視圖。參照圖2，基底處理設備可包括裝載部IO、傳送單元20和處理單元30。 在裝載部10處裝載和卸載諸如半導體晶片的基底。在裝載部10處的晶片 被裝載在多個盒ll中以被同時處理。傳送單元20從裝載部10接收晶片并 將其傳送至處理單元30。傳送單元20具有設置在傳送單元20下部的用于 傳送晶片的自動傳送裝置(未示出)。處理單元30處理從傳送單元20傳送來的晶片。處理單元30包括多個 子處理單元。即，處理單元30包括第一子處理單元31、第二子處理單元 32和第三子處理單元33。處理單元30還可包括除第一至第三子處理單31、 32和33之外的子處理單元。同樣根據需要，處理單元30可以不具有第一 至第三子處理單元31、 32和33中的一部分。第一至第三子處理單元31、 32和33包括其中注有對晶片進行各種處 理的處理溶液的處理池。例如，這些處理可包括蝕刻、清洗和干燥。該 蝕刻、清洗和干燥處理可采用包括氫氟酸、硫酸、去離子水、異丙醇等 的各種處理溶液。分別注入第一至第三子處理單元31、 32和33的處理池中的處理溶液 可以是用于進行相同處理的相同處理溶液。可選擇地，分別注入第一至 第三子處理單元31、 32和33的處理池中的處理溶液可以是分別具有不同 成份的處理溶液。同樣地，分別注入第一至第三子處理單元31、 32和33 的處理池中的處理溶液可以分別是用于進行不同處理的不同處理溶液。以下，將描述第一至第三子處理單元31、 32和33中一個的結構。以 下的子處理單元結構可以與所有的第一至第三子處理單元3K 32和33的 結構相同，或者可以是與其部分不同。然而，即使有不同的結構，基本 的結構通常不會大大地偏離以下的結構。[39]圖3是圖2中所示的子處理單元的結構性視圖。[40]參照圖3，子處理單元可包括處理池IOO，支撐部120，排放嘴130， 排放線路140、 150和160，以及控制器200。處理池100具有盛放處理溶液 的空間，以在該空間內進行諸如半導體晶片的基底(S)的處理。[41]處理池100具體包括內池111和外池112。內池lll具有開放的頂部， 并且外池112包圍內池111的外圍。內池111盛有處理半導體基底(S)所需的 處理溶液，并且外池112用于盛放從內池111溢出的處理溶液。[42]用于在處理過程中支撐基底(S)的支撐部120安裝在內池111中。支撐 部120包括多個彼此平行設置的支撐桿121和與支撐桿121相連的連接板 122。每個支撐桿121在其縱向端部中限定出狹槽121a，基底(S)邊緣的一 部分插在狹槽121a中。大約形成有50個狹槽121a，從而支撐部120可以同 時支撐最多50個晶片(W)。[43]內池111具有安裝在其中的排放嘴130。排放嘴130與供給線路131相 連，并且供給線路131與外部處理溶液源相連。因此，處理溶液從所述外 部處理溶液源通過供給線路131傳送，并且從排放嘴130流入內池111。供 給線路131可以與提供一種處理溶液的一個外部處理溶液源相連。并且， 供給線路131可以與提供多種處理溶液的多個外部處理溶液源相連。當供 給線路131連接多個外部處理溶液源時，供給線路131可以向多個處理溶 液源形成分支，其中可以通過每條支線為每個處理階段同時或依次提供 一種或多種處理溶液源。[44]處理池100限定了第一至第三出口141、 151和161，并且第一至第三 出口141、 151和161分別與第一至第三排放線路140、 150和160相連。第 一出口141被限定在外池112的外部，并且第一閥145安裝在第一排放線路 140中。第二出口151被限定在內池111中，并且第二閥155安裝在第二排 放線路150中。第三出口161被限定在外池112中，并且第三閥165安裝在 第三排放線路160中。第一排放線路140和第三排放線路160與第二排放線 路150匯合。因此，處理溶液通過最終所匯合的第二排放線路150被排放 到外部。但是，第一排放線路140和第三排放線路160并非必須與第二排放線路150匯合，并且第一至第三排放線路140、 150和160可以獨立地分
開排放處理溶液。第一閥145具有與其接合并用于檢測處理溶液的成分的傳感器145a。 第一 閥145可以是上述實施例中所使用的閥。控制器200根據傳感器145a 所檢測到的結果控制處理設備的操作。圖4A和圖4B是表示圖3中子處理單元的處理過程的示圖。參照圖4A，處理溶液300注入內池111中，并且從內池lll溢出的處理 溶液300注入外池112中。基底(S)被放入內池111中并且由支撐部120支撐。 當基底(S)由支撐部120支撐時，基底(S)浸入在處理溶液300中并且進行處 理，在該處理過程中基底(S)與處理溶液300發生反應。例如，當該處理是 基底(S)的清洗處理時，向處理池100供應化學物質以去除各種異物和雜 質。然后，向基底(S)提供純水，從而純水沖洗基底(S)并去除基底(S)上的 化學物質。當進行以上處理時，第二閥155和第三閥165(不是第一閥145)被打開， 從而使第二排放線路150和第三排放線路160打開。因此，處理溶液300通 過第二排放線路150從內池111排放，并且已溢出的處理溶液300通過第三 排放線路160從外池112排放。參照圖4B，在利用純水進行沖洗處理的一段預定時間之后，第一閥 145被打開。于是，第一排放線路140被打開，并且處理溶液300通過第一 排放線路140排放。因為處理溶液300從外池112排放，所以當第一排放線 路140開放時，無論第三排放線路160(這是從外池的另一個排放路徑)是開 放的或密封的都無關緊要。但是，在本實施例中，當第一排放線路140打 開時，第三排放線路160是密封的。流經第一排放線路140的處理溶液300流經第一閥145，并于此處由傳 感器145a分析和檢測處理溶液300的成分。在檢測階段，分析用作處理溶 液300的純水中所包含的化學物質的量。如果分析結果表明化學物質的量 小于(或等于或低于)基準值，則確定已進行了充分的沖洗，并且該處理過 程結束。如果分析結果表明化學物質的量等于或高于(或超出)基準值，則 確定已進行的沖洗不充分，并且繼續沖洗處理。[51]如上所述，傳感器145a可以通過各種方法分析化學物質的量。例如， 當化學物質是氫氟酸時，氫氟酸是離解為離子的酸性處理溶液，并且電 導率隨著離子數量的增加而增大。因此，當純水中的化學物質的量大時，比電阻(specific resistance)減小，相反地，當純水中的化學物質的量小 時，比電阻增大。當比電阻值被測量并被認為高于比電阻基準值時，則 確定己進行了充分的用于去除化學物質的沖洗，并且結束該處理過程。[52]但是，因為諸如氫氟酸的化學物質具有腐蝕玻璃或石英的特性，所 以當傳感器145a連續地暴露于并與這種化學物質接觸時，可能被損壞， 因此降低了產品的使用壽命。所以，傳感器145a可以與化學物質接觸最 短的時間，該最短時間是進行分析所必需的。[53]根據本實施例，從外池112排放的處理溶液大部分通過第三排放線路 160排放，并且其中安裝有傳感器145a的第一排放線路140被打開只用于 檢測化學物質。于是，傳感器145a接觸化學物質的時間被最小化，從而 可以防止傳感器145a的損壞并且可以延長使用壽命。并且，因為傳感器 145a與第一閥145連接并一體化地形成，所以其安裝變得容易，不需要額 外的設備，并且可以節省成本。[54]圖5是根據本發明其它實施例的圖2中的子處理單元的結構性視圖。 在本實施例中，與以上實施例相同的元件釆用相同的附圖標記，并且不 對這種元件進行重述。[55]參照圖5，子處理單元包括處理池IOO，支撐部120，排放嘴130，排 放線路140和150，以及控制器200。處理池100包括內池111和外池112。 內池111具有安裝在其中的支撐部120以支撐基底(S)。并且，內池lll安裝 有排放嘴130。排放嘴130與用于從外部源頭接收基底(S)的處理溶液的供 給線路131相連。[56]處理池100限定了第一出口141和第二出口151，并且第一排放線路 140和第二排放線路150分別與第一出口 141和第二出口 151相連。第一出 口141被限定在外池112中，并且第一閥145安裝在第一排放線路140中。 第二出口151被限定在內池111中，并且第二閥155安裝在第二排放線路 150中。第一排放線路140與第二排放線路150匯合。[57]第一閥145具有與其接合并用于分析和檢測處理溶液的傳感器145a， 并且控制器200與傳感器145a相連。控制器200根據傳感器145a所檢測到 的結果控制基底處理設備的操作。圖6A和圖6B是表示圖5中子處理單元的處理過程的示圖。參照圖6A，處理溶液300被注入到內池111中。處理溶液300被供應以 僅僅注入到內池lll中而不從內池lll溢出。基底(S)安裝在支撐部120上， 并浸入處理溶液300中以進行處理。例如，如果處理過程是基底(S)的清洗 處理時，則向處理池100提供化學物質以去除基底(S)上的各種異物和雜 質。然后，向基底(S)提供純水并于此處純水沖洗基底(S)并去除基底(S) 上的化學物質。在進行處理的同時，第二閥155被打開以打開第二排放線 路150并且通過第二排放線路150從內池111排放處理溶液300。參照圖6B，在用純水進行一段預定時間的清洗之后，處理溶液300 從內池111溢出至外池112。而且，第一閥145被打開以打開第一排放線路 140，并且處理溶液通過第一排放線路140排放。在第一排放線路140中，處理溶液300流經第一閥145并且由傳感器 145a分析其組成成分。根據所檢測的結果，當確定已進行充分的沖洗時， 控制器200結束清洗處理。如果所檢測的結果表明已進行的沖洗不充分， 則控制器200繼續進行清洗處理。與上述實施例不同，在本實施例中，只有第一排放線路140形成為外 池112的排放通道。于是，在進行處理的同時，當處理溶液300從內池111 溢出至外池112時，所溢出的處理溶液300必須通過第一排放線路140排 放。在這種情況下，傳感器145a連續地暴露于處理溶液300，并且如果處 理溶液300包括諸如氫氟酸的化學物質，則傳感器145a易于損壞和使使用 壽命縮短。考慮到后者，除了安裝有傳感器145a的第一排放線路140之外， 如果不從外池112安裝單獨的排放線路，則使處理溶液300溢出至外池 112，同時進行處理溶液300的組分分析。因此，傳感器145a接觸化學物 質的時間被最小化，從而防止了傳感器145a的損壞并延長了使用壽命。 并且，因為傳感器145a與第一閥145接合并一體地形成，并且排放線路從外池112單獨地安裝，所以安裝變得容易，不需要額外的設備，并且可以 節省成本。[63]以下將描述可以應用于根據以上實施例的設備的基底處理方法。為 了適用于以上實施例并且便于描述，以下所述的方法將使用以上實施例 中所使用的附圖標記。但是，應當理解，以下用于處理基底的方法不限 于只是應用于上述實施例所述的設備，而是可以應用于各種類似的設備。[64]圖7是根據本發明實施例的基底處理方法的流程圖。[65]參照圖7，在第一操作步驟(S100)中，在處理池100中進行基底(S)的 處理。該處理可以包括諸如清洗或蝕刻的各種處理，并且通過在處理池 100中注入對應于各處理的處理溶液300和將基底(S)浸入處理池100中來進行。[66]在第二操作步驟(S200)中，與處理池100相連的排放線路140、 150和 160的通道被打開。因此，處理溶液300通過排放線路140、 150和160從處 理池100排放。[67]在第三操作步驟(S300)中，分析所排放出的處理溶液300的成分。在 該處理中，當使用含有氫氟酸的化學物質清洗基底(S)并且利用純水沖洗 基底(S)時，就檢測純水中殘留的氫氟酸的量。通過測量處理溶液300的比 電阻來檢測氫氟酸的量，并且檢測氫氟酸的量的傳感器145a與用于打開 相應排放線路140的通道的閥145接合。于是，相應排放線路140的通道的 開放與成分的分析在相同的位置完成。[68]在第四操作步驟(S400)中，將測得的比電阻值與基準值進行比較。如 果所測得的值小于基準值，則進行進一步的沖洗，如果所測得的值大于 基準值，則處理結束。[69]根據本發明的實施例，處理溶液與傳感器之間的接觸時間被最小化， 從而延長了產品壽命并提高了處理效率。[70]如上所述，根據本實施例，可以延長產品的使用壽命，并且可以提 高處理效率。但是，應當理解上述主題是示意性的而不是限制性的，并 且所附權利要求旨在覆蓋在本發明的實質和范圍內的所有修改、增加和 其它的實施例。因此，在法律所允許的最大程度上，本發明的范圍由以下權利要求及其等同原則所允許的最寬泛的解釋所確定，而不應該被上 述詳細的說明書所限定或限制。
權利要求
1.一種閥，其包括其中設有通道的主體，基底的處理溶液流經所述通道；與所述通道的一端相連的進口，所述處理溶液通過所述進口流入所述主體；與所述通道的另一端相連的出口，所述處理溶液通過所述出口排放至所述主體外；閘門，其用于在所述進口和所述通道相連的區域打開或關閉所述通道；以及與所述主體接合的傳感器，其與流經所述通道的所述處理溶液相接觸并檢測所述處理溶液的成分。
2. 根據權利要求1所述的閥，其中所述傳感器用于測量所述處理溶液 的比電阻。
3. 根據權利要求l所述的閥，其中所述處理溶液包括純水。
4. 根據權利要求3所述的閥，其中所述傳感器用于檢測所述純水中所 含有的氫氟酸的濃度。
5. 根據權利要求1所述的閥，其中所述傳感器包括穿過所述主體以與 流經所述通道的所述處理溶液相接觸的一端。
6. —種基底處理設備，其包括盛有處理溶液的處理池，其用于通過所述處理溶液處理基底； 與所述處理池相連的第一排放線路，其用于排放所述處理溶液；以及，安裝在所述第一排放線路中的第一閥，所述第一閥包括 其中設有通道的主體，所述處理溶液流經所述通道； 與所述通道的一端相連的進口，所述處理溶液通過所述進口流入所 述主體；與所述通道的另一端相連的出口 ，所述處理溶液通過所述出口排放 至所述主體外；閘門，其用于在所述進口和所述通道相連的區域打開或關閉所述通 道；以及與所述主體接合的傳感器，其與流經所述通道的所述處理溶液相接 觸并檢測所述處理溶液的成分。
7. 根據權利要求6所述的基底處理設備，其中所述傳感器用于測量所 述處理溶液的比電阻。
8. 根據權利要求6所述的基底處理設備，其中所述處理溶液包括純水。
9. 根據權利要求8所述的基底處理設備，其中所述傳感器用于檢測所 述純水中所含有的氫氟酸的濃度。
10. 根據權利要求6所述的基底處理設備，其中所述傳感器包括穿過所 述主體并與流經所述通道的所述處理溶液相接觸的一端。
11. 根據權利要求6所述的基底處理設備，還包括與所述傳感器相連 以根據所檢測的結果控制所述處理的結束的控制器。
12. 根據權利要求6所述的基底處理設備，還包括與所述處理池相連 以排放所述處理溶液的第二排放線路，并且所述第二排放線路與所述第 一排放線路接合。
13. 根據權利要求12所述的基底處理設備，其中所述處理池包括接收所述處理溶液的內池，并且在所述內池中基底被浸入已接收到 的處理溶液中；以及包圍內池的外池，其用于接收從所述內池溢出的所述處理溶液。
14. 根據權利要求13所述的基底處理設備，其中所述第一排放線路與所述外池相連，所述第二排放線路與所述內池相連。
15. 根據權利要求14所述的基底處理設備，還包括與所述外池相連以 排放所述處理溶液的第三排放線路，并且所述第三排放線路與所述第二 排放線路接合。
16. —種用于處理基底的方法，其包括 在盛有處理溶液的處理池中進行基底的處理； 打開與所述處理池相連的排放線路的通道； 檢測從所述排放線路排放的所述處理溶液的成分； 根據檢測結果結束所述處理；其中，所述的打開通道和檢測成分在相同的位置完成。
17. 根據權利要求16所述的方法，其中所述處理是所述基底的清洗處 理，并且所述處理溶液包括純水。
18. 根據權利要求17所述的方法，其中所述的檢測成分包括測量所述 處理溶液的比電阻。
19. 根據權利要求18所述的方法，其中所述的檢測成分除了測量處理溶液的比電阻之外，還包括檢測所述純水中所包含的氫氟酸的濃度。
20. 根據權利要求19所述的方法，其中當所測得的比電阻超出基準值 時結束所述處理。
全文摘要
提供了一種具有用于處理溶液的傳感器的閥，使用了該閥的基底處理設備，以及基底處理方法。所述閥包括主體、進口、出口、閘門和傳感器。所述主體中設有通道，用于基底的處理溶液流經所述通道。所述進口與所述通道的一端相連，處理溶液通過所述進口流入所述主體。所述出口與所述通道的另一端相連，處理溶液通過所述出口排放至所述主體外。所述閘門用于在所述進口和通道相連的區域打開或關閉所述通道。所述傳感器與主體配合以接觸流經所述通道的處理溶液并檢測處理溶液的成分。
文檔編號H01L21/00GK101408250SQ200810167470
公開日2009年4月15日 申請日期2008年10月13日 優先權日2007年10月12日
發明者秋永浩, 鄭惠善 申請人:細美事有限公司