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一種一體化沉淀池的制作方法

文檔序號(hao):10779079閱讀:874來源:國知局
一種一體化沉淀池的制作方法
【專利摘要】本專利公開一種一體化沉淀池,該沉淀池由過濾層(1)、集水盤(2)、沉淀池Ⅲ(3)、沉淀池Ⅰ(4)、進水管(5)、沉淀池Ⅱ(6)、沉淀斜板Ⅰ(7)、出水管(8)、集泥井Ⅰ(9)、集泥井Ⅱ(10)、排泥管Ⅱ(11)、排泥管Ⅰ(12)、沉淀斜板Ⅱ(13)、穿孔曝氣盤(14)組成;集水盤(2)、沉淀池Ⅲ(3)、沉淀池Ⅰ(4)、進水管(5)、沉淀池Ⅱ(6)為同心圓結構;在沉淀池Ⅱ(6)底部設置沉淀斜板Ⅱ(13),集泥井Ⅱ(10)內安裝穿孔曝氣盤(14),集水盤(2)內裝填過濾層(1)。本專利的優點如下:(1)沉淀效率高,對于小顆粒、低密度的懸浮物有較高的去除效率;(2)清洗方便,不堵塞;(3)結構緊湊,節省用地。
【專利說明】
一種一體化沉淀池
技術領域
[0001]本發明專利屬于環境保護技術領域,具體涉及農業廢水、工業廢水、地表水、地下水的懸浮物處理,尤其適用于工廠化水產養殖循環水處理。
【背景技術】
[0002]沉淀池具有多種結構形式,其中,豎流式沉淀池占地面積小,沉淀效率高,在工農業廢水處理、地表水體凈化等領域得到了廣泛應用。但是,現有的豎流式沉淀池對水力負荷、懸浮物質的性質等均有一定要求,當水力負荷增加時,容易攪起集泥井中的底泥;當懸浮物粒徑小、密度小時,沉淀效率會受到較大影響。因此,通過改進豎流式沉淀池的結構,提高豎流式沉淀池的運行穩定性及運行效率具有迫切技術需求。

【發明內容】

[0003]本發明針對現有豎流式沉淀池的技術短板,提出一種一體化沉淀池。該沉淀池通過多環串聯的技術設計,大大提高了水體懸浮物的去除效率及去除穩定性。
[0004]本發明專利的技術方案如下:
[0005]—種一體化沉淀池,其特征在于:所述一種一體化沉淀池由過濾層(I )、集水盤(2)、沉淀池m (3 )、沉淀池I (4)、進水管(5 )、沉淀池Π (6 )、沉淀斜板I (7 )、出水管(8 )、集泥井1(9)、集泥井Π (10)、排泥管Π (11)、排泥管1(12)、沉淀斜板Π (13)、穿孔曝氣盤(14)組成;
[0006]集水盤(2 )、沉淀池ΙΠ (3)、沉淀池I (4)、進水管(5 )、沉淀池Π (6)為同心圓結構,進水管(5 )、沉淀池I (4)、沉淀池Π (6 )、沉淀池ΙΠ (3 )的頂部標高依次降低0.3-0.5米,集水盤
(2)和沉淀池ΙΠ(3)的頂部標高相同;沉淀池1(4)深2.0米,進水管(5)底部設置喇叭口,且進水管(5)底部標高高于沉淀池1(4)底部標高0.3米;集泥井1(9)傾角為45°,頂部標高與沉淀池I (4)底部標高相同;沉淀池Π (6)、沉淀池ΙΠ (3)的底部標高與集泥井I (9)的底部標高相同;
[0007]沉淀池Π (6)底部設置沉淀斜板Π (13),沉淀斜板Π (13)傾角為45°,沉淀斜板Π
(13)的斜板間距為0.1-0.4米,且沉淀斜板Π (13)最底部的斜板與沉淀池Π (6)底部相連;
[0008]沉淀池m (3)內設置沉淀斜板1(7),沉淀斜板I (7)的傾角為60°,間距為0.2_0.5米;
[0009]集泥井Π (10)內安裝穿孔曝氣盤(14),穿孔曝氣盤(14)由DN20mm的PVC管構成,且斜向下開孔徑為5-10mm的曝氣孔,開孔間距20-50mm;
[00?0]集水盤(2)內裝填過濾層(I),過濾層(I)厚度0.3-0.5米,由粒徑為1mm的爍石組成。
[0011]為便于排泥,集泥井1(9)和集泥井Π (10)底部分別埋設排泥管Π (12)和排泥管I
(11),排泥管Π(12)和排泥管I(Il)由DNlOOmm的管子構成。
[0012]為有利于過濾層(I)內填料的更換,可在填料裝填之前預先鋪設鋼絲網;為便于集水盤(2)底部出水的收集,可在集水盤(2)底部安裝出水管(8),出水管(8)數量為2-8個,管徑為 DNl 00mm。
[0013]本發明專利的主要優點如下:(1)、沉淀效率高,對于小顆粒、低密度的懸浮物有較高的去除效率;(2)、清洗方便,不堵塞;(3)、結構緊湊,節省用地。
【附圖說明】
[0014]圖1是該沉淀池的結構示意圖,圖2是A-A剖面示意圖,圖3是穿孔曝氣盤(14)的示意圖,圖中:
[0015]I—過濾層;2—集水盤;3—沉淀池ΙΠ; 4—沉淀池I; 5—進水管;6—沉淀池Π ; 7—沉淀斜板I; 8—出水管;9 一集泥井I; 1—集泥井Π ; 11-排泥管Π ; 12-排泥管I; 13-沉淀斜板Π; 14-穿孔曝氣盤。
【具體實施方式】
[0016]圖1是該沉淀池的結構示意圖,圖2是A-A剖面示意圖,圖3是穿孔曝氣盤(14)的示意圖。下面通過具體實施例對本發明進行具體描述,在此指出以下實施例只用于對本發明進行進一步說明,不能理解為對本發明保護范圍的限制,本領域的技術熟練人員可以根據上述
【發明內容】
對本發明作出一些非本質的改進和調整。
[0017]實施例1一種一體化沉淀池的構建
[0018](I) 一種一體化沉淀池可建設成半地下式、地上式或地下式結構。
[0019](2)集水盤(2)、沉淀池m (3);沉淀池I (4)、進水管(5)、沉淀池Π (6)為同心圓結構,進水管(5 )、沉淀池I (4)、沉淀池Π (6 )、沉淀池m (3)的頂部標高依次降低0.3-0.5米,集水盤(2)和沉淀池ΙΠ (3)的頂部標高相同;沉淀池I (4)深2.0米,進水管(5 )底部設置喇叭口,且進水管(5)底部標高高于沉淀池1(4)底部標高0.3米;集泥井1(9)傾角為45°,頂部標高與沉淀池1(4)底部標高相同;沉淀池Π (6)、沉淀池ΙΠ(3)的底部標高與集泥井1(9)的底部標高相同。
[0020](3)原水從進水管(5)頂部進入一體化沉淀池,向下流至進水管(5)底部的喇叭口,然后在沉淀池1(4)中折向上流,沉淀池1(4)直徑2.0-4.0米,在此過程中,密度大于水的懸浮物沉積于集泥井Π (10);初步沉淀的廢水經沉淀池I(4)頂部溢流至沉淀池Π (6),沉淀池Π (6 )直徑4.0-6.0米,并經過沉淀池Π (6)的底部折向上流經沉淀池ΙΠ (3 ),沉淀池ΙΠ (3 )直徑6.0-8.0米,在此過程中,進一步實現懸浮物的分離,并在集泥井Π (10)內收集沉淀的懸浮物;經過二次沉淀的廢水經沉淀池m(3)頂部溢流至集水盤(2),并經過過濾層(I)過濾處理后流出一體化沉淀池。
[0021 ] (3)為強化沉淀效率,在沉淀池Π (6)底部設置沉淀斜板Π (13),沉淀斜板Π (13)傾角為45°,沉淀斜板Π (13 )的斜板間距為0.1 -0.4米,且沉淀斜板Π (13 )最底部的斜板與沉淀池Π (6)底部相連。
[0022](4)為強化沉淀效率,在沉淀池ΙΠ (3 )內設置沉淀斜板I (7 ),沉淀斜板I (7 )的傾角為60°,間距為0.2-0.5米。
[0023](5)為防止沉淀斜板1(7)和沉淀斜板Π (13)發生堵塞,在集泥井Π (10)內安裝穿孔曝氣盤(14),穿孔曝氣盤(14)由DN20mm的PVC管構成,且斜向下開孔徑為5-10mm的曝氣孔,開孔間距20-50mm,并定期進行曝氣沖洗,沖洗后的泥水混合物經排泥管Π (11)排出。
[0024](6)為強化小顆粒懸浮物的去除效果,在集水盤(2)內裝填過濾層(I),過濾層(I)厚度0.3-0.5米,由粒徑為I Omm的爍石組成。
[0025](7)為便于排泥,集泥井1(9)和集泥井Π (10)底部分別埋設排泥管Π (12)和排泥管I (11 ),排泥管Π (12)和排泥管I (11)由DNlOOmm的管子構成。
[0026](8)為有利于過濾層(I)內填料的更換,可在填料裝填之前預先鋪設鋼絲網;為便于集水盤(2)底部出水的收集,可在集水盤(2)底部安裝出水管(8),出水管(8)數量為2-8個,管徑為DN10mm。
【主權項】
1.一種一體化沉淀池,其特征在于:所述一種一體化沉淀池由過濾層(I)、集水盤(2)、沉淀池m (3)、沉淀池1(4)、進水管(5)、沉淀池Π (6)、沉淀斜板I (7 )、出水管(8)、集泥井I(9)、集泥井Π( 10)、排泥管Π( 11)、排泥管1(12)、沉淀斜板Π( 13)、穿孔曝氣盤(14)組成; 集水盤(2)、沉淀池ΙΠ (3)、沉淀池I (4)、進水管(5)、沉淀池Π (6)為同心圓結構,進水管(5)、沉淀池I (4)、沉淀池Π (6)、沉淀池ΙΠ (3)的頂部標高依次降低0.3-0.5米,集水盤(2)和沉淀池ΙΠ(3)的頂部標高相同;沉淀池1(4)深2.0米,進水管(5)底部設置喇叭口,且進水管(5)底部標高高于沉淀池1(4)底部標高0.3米;集泥井1(9)傾角為45°,頂部標高與沉淀池I(4)底部標高相同;沉淀池Π (6)、沉淀池ΙΠ(3)的底部標高與集泥井1(9)的底部標高相同;沉淀池Π (6)底部設置沉淀斜板Π (13),沉淀斜板Π (13)傾角為45°,沉淀斜板Π (13)的斜板間距為0.1-0.4米,且沉淀斜板Π (13)最底部的斜板與沉淀池Π (6)底部相連; 沉淀池ΙΠ (3)內設置沉淀斜板I (7),沉淀斜板I (7 )的傾角為60°,間距為0.2-0.5米;集泥井Π (10)內安裝穿孔曝氣盤(14),穿孔曝氣盤(14)由DN20mm的PVC管構成,且斜向下開孔徑為5-10mm的曝氣孔,開孔間距20-50mm; 集水盤(2 )內裝填過濾層(I),過濾層(I)厚度0.3-0.5米,由粒徑為1mm的爍石組成。
【文檔編號】B01D36/04GK205461375SQ201620165965
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年3月4日
【發明人】于芳, 于慧, 王書敏
【申請人】重慶文理學院
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