本發明(ming)屬于多(duo)光(guang)譜偽(wei)裝及紅外(wai)(wai)信標(biao)，具體(ti)涉及一種具備隱身和紅外(wai)(wai)信標(biao)功能的(de)蒙皮、制備方法和用途。

背景技術：

1、隨著無(wu)(wu)人(ren)機在(zai)(zai)戰場發揮越來越重(zhong)要(yao)的(de)作用，無(wu)(wu)人(ren)機反制措施也(ye)層出不窮，紅(hong)外(wai)探(tan)測預警，激(ji)光(guang)掃描(miao)定位，電磁波干擾通信的(de)聯合(he)措施大(da)大(da)提(ti)高(gao)了低空慢(man)速小型無(wu)(wu)人(ren)機在(zai)(zai)戰場的(de)生(sheng)存(cun)難度，同時解決激(ji)光(guang)隱身、紅(hong)外(wai)隱身和(he)無(wu)(wu)人(ren)機串聯識別(bie)的(de)問題(ti)，對提(ti)高(gao)低空慢(man)速小型無(wu)(wu)人(ren)機在(zai)(zai)戰場的(de)生(sheng)存(cun)率至關重(zhong)要(yao)。

2、由于激光(guang)制(zhi)(zhi)導(dao)具備(bei)高(gao)精(jing)度、高(gao)速(su)(su)度和高(gao)主(zhu)動(dong)性(xing)的(de)(de)特點(dian)，一旦(dan)被鎖定，則會暴(bao)露目標(biao)位置和運動(dong)軌跡，使得低空慢(man)速(su)(su)小型無(wu)人(ren)機(ji)進入“待摧毀”狀態(tai)，故實(shi)現(xian)低空慢(man)速(su)(su)小型無(wu)人(ren)機(ji)激光(guang)隱(yin)(yin)身為首要(yao)難題。目前常用(yong)的(de)(de)激光(guang)制(zhi)(zhi)導(dao)的(de)(de)波(bo)段(duan)有1.064μm、1.55μm和10.6μm，但(dan)由于激光(guang)制(zhi)(zhi)導(dao)技術向(xiang)著多模式協同(tong)制(zhi)(zhi)導(dao)發展，需要(yao)無(wu)人(ren)機(ji)同(tong)時實(shi)現(xian)多波(bo)段(duan)的(de)(de)激光(guang)隱(yin)(yin)身。激光(guang)隱(yin)(yin)身的(de)(de)核心是減少回波(bo)信號，這需要(yao)無(wu)人(ren)機(ji)實(shi)現(xian)在(zai)(zai)這幾個波(bo)段(duan)的(de)(de)高(gao)效(xiao)吸收(shou)，而普通的(de)(de)吸波(bo)涂層往往存在(zai)(zai)吸收(shou)效(xiao)率低，厚、重、穩定性(xing)差等諸多缺點(dian)，也有研究(jiu)者利用(yong)超構(gou)表面實(shi)現(xian)對電磁(ci)波(bo)的(de)(de)吸收(shou)，但(dan)是，目前這種吸波(bo)材料的(de)(de)加工制(zhi)(zhi)造難度大、成本高(gao)，不適合大規模生產(chan)。

3、對于低(di)(di)空(kong)慢速小型無人機，其機身(shen)溫(wen)度(du)(du)較(jiao)低(di)(di)，紅(hong)(hong)(hong)(hong)外信號較(jiao)弱(ruo)，全機身(shen)的(de)(de)(de)紅(hong)(hong)(hong)(hong)外隱(yin)(yin)(yin)(yin)身(shen)需求(qiu)低(di)(di)，但(dan)部(bu)分制(zhi)動部(bu)位仍然具(ju)有(you)較(jiao)高(gao)(gao)溫(wen)度(du)(du)，可以產生(sheng)明顯的(de)(de)(de)紅(hong)(hong)(hong)(hong)外信號。與(yu)激光隱(yin)(yin)(yin)(yin)身(shen)相反，紅(hong)(hong)(hong)(hong)外隱(yin)(yin)(yin)(yin)身(shen)需要(yao)目(mu)標(biao)物在雙大氣窗口波(bo)段（3-5μm,?8-14μm）低(di)(di)吸(xi)收(shou)率（發(fa)射率）。根據stefan-boltzmann定(ding)律，物體熱輻射強度(du)(du)與(yu)其表面(mian)發(fa)射率(ε)及(ji)其絕對溫(wen)度(du)(du)(t)的(de)(de)(de)四(si)次方成正比。與(yu)降低(di)(di)物體表面(mian)溫(wen)度(du)(du)相比，降低(di)(di)表面(mian)發(fa)射率是一種更有(you)效(xiao)、更方便的(de)(de)(de)紅(hong)(hong)(hong)(hong)外隱(yin)(yin)(yin)(yin)身(shen)策略。而10.6μm波(bo)長處激光隱(yin)(yin)(yin)(yin)身(shen)需要(yao)在該波(bo)段高(gao)(gao)吸(xi)收(shou)（高(gao)(gao)發(fa)射），這與(yu)紅(hong)(hong)(hong)(hong)外隱(yin)(yin)(yin)(yin)身(shen)的(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)是相矛盾的(de)(de)(de)。有(you)的(de)(de)(de)研究者通過引(yin)入窄帶吸(xi)收(shou)，實(shi)(shi)現激光隱(yin)(yin)(yin)(yin)身(shen)和紅(hong)(hong)(hong)(hong)外隱(yin)(yin)(yin)(yin)身(shen)的(de)(de)(de)兼顧，但(dan)這使(shi)得(de)其無法應(ying)對10.6um波(bo)長處的(de)(de)(de)可調諧制(zhi)導(dao)激光，也一定(ding)程度(du)(du)上降低(di)(di)了器(qi)件紅(hong)(hong)(hong)(hong)外隱(yin)(yin)(yin)(yin)身(shen)效(xiao)果，有(you)的(de)(de)(de)研究者通過主(zhu)動控制(zhi)相變材料(liao)相變從而實(shi)(shi)現紅(hong)(hong)(hong)(hong)外隱(yin)(yin)(yin)(yin)身(shen)與(yu)激光隱(yin)(yin)(yin)(yin)身(shen)功(gong)能(neng)的(de)(de)(de)切換，但(dan)可逆切換實(shi)(shi)現困難，且(qie)需要(yao)攜帶復雜的(de)(de)(de)控制(zhi)系統，也會損(sun)耗(hao)器(qi)件驅動能(neng)量。

4、在復雜的(de)(de)戰(zhan)場電磁環境下，往往電磁通(tong)訊(xun)手段(duan)會(hui)(hui)受到嚴重干擾甚至被切斷，無(wu)(wu)(wu)人機機群編(bian)隊將會(hui)(hui)因(yin)為無(wu)(wu)(wu)法(fa)識(shi)別敵我(wo)而陷入混亂。有研究者通(tong)過可見(jian)光通(tong)信識(shi)別，但(dan)這往往會(hui)(hui)暴露目標(biao)本身導致(zhi)被鎖定摧毀，且(qie)需要(yao)額外(wai)(wai)(wai)能(neng)量驅(qu)動(dong)信標(biao)的(de)(de)工作。而利(li)(li)用(yong)無(wu)(wu)(wu)人機本身產(chan)熱驅(qu)動(dong)長(chang)波(bo)紅(hong)(hong)外(wai)(wai)(wai)的(de)(de)信標(biao)，不(bu)僅(jin)實現了(le)可隱蔽性，提升了(le)能(neng)量利(li)(li)用(yong)率(lv)，此(ci)外(wai)(wai)(wai)長(chang)波(bo)紅(hong)(hong)外(wai)(wai)(wai)的(de)(de)低(di)干擾信號(hao)也(ye)提升了(le)識(shi)別的(de)(de)準確(que)性。而紅(hong)(hong)外(wai)(wai)(wai)信標(biao)編(bian)碼，不(bu)僅(jin)需要(yao)大(da)的(de)(de)輻射率(lv)調制(zhi)幅度，還需要(yao)多個輻射率(lv)梯度以獲得足夠的(de)(de)編(bian)碼位(wei)制(zhi)，且(qie)表面(mian)精細(xi)圖案化也(ye)存在較大(da)的(de)(de)困(kun)難。

技術實現思路

1、本(ben)發明(ming)要解決的技術問題是提供一(yi)種具(ju)備(bei)隱(yin)(yin)(yin)身和紅(hong)外(wai)信標(biao)功能(neng)的蒙(meng)皮、制備(bei)方(fang)法和用途，同時具(ju)備(bei)激光隱(yin)(yin)(yin)身、中紅(hong)外(wai)隱(yin)(yin)(yin)身以及紅(hong)外(wai)信標(biao)功能(neng)，且隱(yin)(yin)(yin)身效果好，識別能(neng)力強。

2、本發明(ming)實施例(li)提供一種具備(bei)隱身和紅外信標功能的(de)蒙皮，包括依次連(lian)接(jie)的(de)易失性相變(bian)材料層(ceng)(ceng)(ceng)、非易失性相變(bian)材料層(ceng)(ceng)(ceng)、介(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)以(yi)及(ji)金屬層(ceng)(ceng)(ceng)，，所述介(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)層(ceng)(ceng)(ceng)數至少為3層(ceng)(ceng)(ceng)，且(qie)相鄰介(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)折射率不同。

3、本技術的易失性相變材料層用于實現(xian)自適應中波(bo)紅外(wai)隱身；非易失性相變材料層用于調節(jie)蒙皮長波(bo)紅外(wai)發(fa)射率；介(jie)質層與相變材料層共同構成fp諧振(zhen)腔(qiang)，激(ji)(ji)發(fa)多(duo)級fp諧振(zhen)，通過諧振(zhen)激(ji)(ji)發(fa)，可(ke)實現(xian)紅外(wai)制導激(ji)(ji)光波(bo)段高吸收(shou)；金屬(shu)層為金屬(shu)反(fan)射層，通過歐姆損耗(hao)增(zeng)強對入射光的吸收(shou)。

4、在其中一個實(shi)施(shi)例中，所述(shu)介(jie)(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)包(bao)括依次連接的(de)低(di)折(zhe)(zhe)射(she)率(lv)(lv)介(jie)(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)ⅰ、高(gao)折(zhe)(zhe)射(she)率(lv)(lv)介(jie)(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、低(di)折(zhe)(zhe)射(she)率(lv)(lv)介(jie)(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)ⅱ（所述(shu)的(de)低(di)折(zhe)(zhe)射(she)率(lv)(lv)、高(gao)折(zhe)(zhe)射(she)率(lv)(lv)是指相(xiang)對(dui)的(de)概念，即低(di)折(zhe)(zhe)射(she)率(lv)(lv)介(jie)(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)折(zhe)(zhe)射(she)率(lv)(lv)低(di)于高(gao)折(zhe)(zhe)射(she)率(lv)(lv)介(jie)(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)折(zhe)(zhe)射(she)率(lv)(lv)），低(di)折(zhe)(zhe)射(she)率(lv)(lv)介(jie)(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)與高(gao)折(zhe)(zhe)射(she)率(lv)(lv)介(jie)(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)交替形成一維光子晶(jing)體(ti)，增(zeng)強特定(ding)吸(xi)收峰效(xiao)率(lv)(lv)，與非易失性(xing)相(xiang)變材料(liao)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)貼(tie)合的(de)為低(di)折(zhe)(zhe)射(she)率(lv)(lv)介(jie)(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，可減(jian)少介(jie)(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)與相(xiang)變材料(liao)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)耦(ou)合。

5、在其(qi)中一個實施例中，低(di)折射(she)率介質層的(de)材(cai)料(liao)為(wei)二氧(yang)化(hua)(hua)硅(gui)（二氧(yang)化(hua)(hua)硅(gui)可(ke)以激發材(cai)料(liao)本身具(ju)備(bei)的(de)聲(sheng)子諧振(zhen)，進一步提(ti)高(gao)制(zhi)導激光波(bo)段吸收率）、硫化(hua)(hua)鋅(xin)或(huo)氮化(hua)(hua)硅(gui)（優(you)選為(wei)二氧(yang)化(hua)(hua)硅(gui)），高(gao)折射(she)率介質層的(de)材(cai)料(liao)為(wei)硅(gui)或(huo)鍺。

6、在一個(ge)實施例中，所(suo)述易失性相(xiang)變(bian)材料層(ceng)為釩(fan)系相(xiang)變(bian)材料層(ceng)，其模(mo)式(shi)切換(huan)溫度為相(xiang)變(bian)溫度，當器件溫度超(chao)過該(gai)溫度，將(jiang)進入(ru)紅外隱身(shen)模(mo)式(shi)，也可(ke)以通(tong)過引入(ru)溫度感知(zhi)調控電路，將(jiang)其模(mo)式(shi)切換(huan)溫度降低到設定值，但不可(ke)超(chao)過相(xiang)變(bian)溫度。

7、在其中(zhong)(zhong)一(yi)個實施例中(zhong)(zhong)，所述非(fei)易(yi)失性相(xiang)(xiang)變(bian)材(cai)料(liao)(liao)層(ceng)為硫系(xi)相(xiang)(xiang)變(bian)材(cai)料(liao)(liao)層(ceng)，所需厚度(du)當使之在長(chang)紅外(wai)具(ju)備大發(fa)射率(lv)(lv)差異(yi)（發(fa)射率(lv)(lv)差異(yi)在40%以上即為大發(fa)射率(lv)(lv)差異(yi)），超過(guo)50nm。可通過(guo)激(ji)光直(zhi)寫(xie)控制晶(jing)態(tai)硫系(xi)相(xiang)(xiang)變(bian)材(cai)料(liao)(liao)在非(fei)易(yi)失性相(xiang)(xiang)變(bian)材(cai)料(liao)(liao)層(ceng)中(zhong)(zhong)的占比(bi)調(diao)控發(fa)射率(lv)(lv)，此外(wai)信(xin)(xin)標圖案即為激(ji)光直(zhi)寫(xie)圖案，本技術的紅外(wai)信(xin)(xin)標是通過(guo)增大晶(jing)態(tai)非(fei)易(yi)失性相(xiang)(xiang)變(bian)材(cai)料(liao)(liao)占空(kong)比(bi)，減小長(chang)波紅外(wai)發(fa)射率(lv)(lv)的高對比(bi)度(du)“暗信(xin)(xin)標”。

8、在其中(zhong)一個實施例中(zhong)，所述易(yi)失性相變(bian)材(cai)料(liao)(liao)層(ceng)的材(cai)料(liao)(liao)為(wei)二氧(yang)化(hua)釩(fan)(fan)(fan)或(huo)五(wu)氧(yang)化(hua)二釩(fan)(fan)(fan)（優選為(wei)二氧(yang)化(hua)釩(fan)(fan)(fan)），所述非(fei)易(yi)失性相變(bian)材(cai)料(liao)(liao)層(ceng)的材(cai)料(liao)(liao)為(wei)in3sbte2、ge2sb2te5或(huo)ge3sb2te6（優選為(wei)in3sbte2），所述金屬層(ceng)的材(cai)料(liao)(liao)為(wei)鎳(nie)或(huo)鉻(ge)。

9、在其中一個(ge)實施例中，所(suo)述高折射率(lv)介(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)厚(hou)度(du)小(xiao)(xiao)于(yu)低折射率(lv)介(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)ⅰ厚(hou)度(du)；低折射率(lv)介(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)ⅰ厚(hou)度(du)小(xiao)(xiao)于(yu)低折射率(lv)介(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)ⅱ厚(hou)度(du)；非易失性相(xiang)變材料層(ceng)(ceng)厚(hou)度(du)小(xiao)(xiao)于(yu)易失性相(xiang)變材料層(ceng)(ceng)厚(hou)度(du)，大于(yu)入射光趨膚深(shen)度(du)。

10、在其中一個實施(shi)例中，所(suo)述易失性相變材(cai)料層厚度為(wei)350~450nm，非易失性相變材(cai)料層厚度為(wei)50~100nm，低折(zhe)(zhe)(zhe)射率介質(zhi)層ⅰ厚度為(wei)1000~3000nm，高折(zhe)(zhe)(zhe)射率介質(zhi)層厚度為(wei)600~1800nm，低折(zhe)(zhe)(zhe)射率介質(zhi)層ⅱ厚度為(wei)1000~3000nm，金屬層的厚度不小于(yu)100nm。

11、在其中(zhong)一個實施例中(zhong)，所述易(yi)失(shi)性(xing)相變(bian)材料層(ceng)厚度(du)(du)為(wei)411nm，非易(yi)失(shi)性(xing)相變(bian)材料層(ceng)厚度(du)(du)為(wei)78nm，低折(zhe)射率(lv)介(jie)質層(ceng)ⅰ厚度(du)(du)為(wei)1263?nm，高折(zhe)射率(lv)介(jie)質層(ceng)厚度(du)(du)為(wei)1154nm，低折(zhe)射率(lv)介(jie)質層(ceng)ⅱ厚度(du)(du)為(wei)1914nm，金屬層(ceng)厚度(du)(du)為(wei)200nm。

12、在其(qi)中一個(ge)實施(shi)例中，還包(bao)括襯(chen)底，所述(shu)襯(chen)底的材料為si、sio2、氣凝(ning)膠、pmma、特氟龍或pi。

13、在其中一個實施例中，易失性(xing)相變(bian)(bian)材料(liao)層、非易失性(xing)相變(bian)(bian)材料(liao)層、介(jie)質層以及金屬層連為一體。

14、在其中一(yi)實施例(li)中，所述易失性相變材料(liao)層完(wan)全(quan)相變溫度(du)(du)為(wei)68℃，此為(wei)自適應模(mo)式切換(huan)溫度(du)(du)，可(ke)通過(guo)設置溫度(du)(du)傳感電路，降低(di)模(mo)式切換(huan)溫度(du)(du)。

15、在其(qi)中(zhong)一實施例中(zhong)，所述非易失性相變材料層(ceng)通過調控(kong)晶(jing)態相占空比調節(jie)其(qi)長波紅外發(fa)射(she)(she)率，且對(dui)不同發(fa)射(she)(she)率表面進行編碼，發(fa)射(she)(she)率階梯數(shu)為編碼位制。

16、在其中一實施例中，所述非易(yi)失性相變材料層通過連(lian)續光源激光直(zhi)寫(xie)寫(xie)入(ru)信(xin)標(biao)(biao)圖(tu)案(an)，通過短脈沖光源激光直(zhi)寫(xie)擦除信(xin)標(biao)(biao)圖(tu)案(an)。

17、本(ben)發明實施例提(ti)供一種所述(shu)的(de)具(ju)備(bei)隱身和紅外(wai)信標功能的(de)蒙皮(pi)的(de)制備(bei)方法(fa)(fa)(fa)，在金屬層(ceng)上采用(yong)電子束蒸鍍方法(fa)(fa)(fa)沉積介質層(ceng)，然后采用(yong)磁控(kong)濺(jian)射方法(fa)(fa)(fa)制備(bei)非易失性相(xiang)變材(cai)料(liao)層(ceng)，最后采用(yong)磁控(kong)濺(jian)射方法(fa)(fa)(fa)沉積易失性相(xiang)變材(cai)料(liao)層(ceng)。

18、本(ben)發明實(shi)施例(li)提供一種(zhong)所述的(de)具備隱身和紅外信標功能(neng)的(de)蒙皮(pi)的(de)用(yong)途(tu)，用(yong)于制備無人(ren)機(ji)、載(zai)人(ren)飛機(ji)、汽車(che)或船舶表面的(de)外皮(pi)材料(liao)。

19、本(ben)(ben)發明的(de)有(you)益效果是，本(ben)(ben)發明具備隱(yin)身和紅(hong)外(wai)信標功能的(de)蒙(meng)(meng)皮(pi)，較(jiao)為(wei)適(shi)合低(di)空慢速小型無人機，蒙(meng)(meng)皮(pi)從上到(dao)(dao)下層(ceng)疊依(yi)次為(wei)：易(yi)(yi)失性相變(bian)(bian)材(cai)(cai)料層(ceng)、非(fei)易(yi)(yi)失性相變(bian)(bian)材(cai)(cai)料層(ceng)、低(di)折(zhe)射率(lv)(lv)介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)層(ceng)、高折(zhe)射率(lv)(lv)介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)層(ceng)、低(di)折(zhe)射率(lv)(lv)介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)層(ceng)、底(di)層(ceng)高損(sun)耗的(de)金屬層(ceng)。易(yi)(yi)失性相變(bian)(bian)材(cai)(cai)料層(ceng)達到(dao)(dao)相變(bian)(bian)溫度由(you)絕(jue)緣態切換為(wei)金屬態，使得蒙(meng)(meng)皮(pi)在(zai)中波紅(hong)外(wai)（3-5um，8-14um）輻(fu)(fu)射率(lv)(lv)大大降低(di)，蒙(meng)(meng)皮(pi)由(you)激(ji)光(guang)隱(yin)身模式切換為(wei)紅(hong)外(wai)隱(yin)身模式。非(fei)易(yi)(yi)失性相變(bian)(bian)材(cai)(cai)料層(ceng)可通過(guo)連續光(guang)源激(ji)光(guang)直寫相變(bian)(bian)，由(you)介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)態變(bian)(bian)為(wei)金屬態，相變(bian)(bian)前后在(zai)長波紅(hong)外(wai)（8-14um）具有(you)大發射率(lv)(lv)差(cha)異，通過(guo)調(diao)節晶態相變(bian)(bian)材(cai)(cai)料占空比，可在(zai)大的(de)輻(fu)(fu)射率(lv)(lv)調(diao)制范圍內，得到(dao)(dao)具備不同(tong)輻(fu)(fu)射率(lv)(lv)狀態的(de)輻(fu)(fu)射階梯，從而實現位制編碼。本(ben)(ben)技術(shu)的(de)多層(ceng)膜系整體構成(cheng)一(yi)個fp腔，在(zai)制導(dao)激(ji)光(guang)波段激(ji)發多級fp諧振(zhen)，從而實現1.064μm、1.55μm和10.6μm波長紅(hong)外(wai)激(ji)光(guang)形成(cheng)同(tong)時(shi)、高效、寬角度吸收(shou)，此外(wai)二氧化硅本(ben)(ben)身激(ji)發的(de)聲子諧振(zhen)將進一(yi)步(bu)增強對制導(dao)激(ji)光(guang)的(de)吸收(shou)。

20、本發(fa)明將相(xiang)變材料(liao)(liao)引入(ru)到結構設計(ji)中(zhong)，通過易(yi)失性(xing)相(xiang)變材料(liao)(liao)相(xiang)變，可以(yi)實(shi)現(xian)(xian)自適應紅外(wai)隱(yin)身(shen)，使得蒙皮在(zai)過熱部位(wei)由激光隱(yin)身(shen)模式切換為紅外(wai)隱(yin)身(shen)模式；通過非(fei)易(yi)失性(xing)相(xiang)變材料(liao)(liao)相(xiang)變，可實(shi)現(xian)(xian)長波紅外(wai)大幅度發(fa)射(she)率調制，為直寫紅外(wai)信標提(ti)供了可能性(xing)。

21、與現有技術相(xiang)比，本發明通過多(duo)級(ji)fp諧(xie)(xie)振(zhen)與聲子(zi)諧(xie)(xie)振(zhen)，實現多(duo)波段(duan)制導(dao)激光(guang)（1.064μm、1.55和10.6μm）高效吸收(shou)；通過自適應中波紅外(wai)（3-5um，8-14um）隱身(shen)避免(mian)了(le)過熱部位(wei)導(dao)致目標(biao)暴(bao)露，同時在機身(shen)大部分部位(wei)仍(reng)保持激光(guang)隱身(shen)效果，且與主動相(xiang)變系統(tong)相(xiang)比拋棄了(le)繁瑣的控(kong)制系統(tong)，也(ye)減少了(le)能源損耗；通過激光(guang)直(zhi)寫長波紅外(wai)（8-14um）信標(biao)，提高無(wu)人機敵(di)我識別率，其可“寫入”和“擦(ca)除”的特(te)(te)點使(shi)得信標(biao)具備時效性、靈活性和特(te)(te)殊性。

22、本發明低(di)折射(she)率(lv)(lv)介(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)ⅱ大(da)于(yu)低(di)折射(she)率(lv)(lv)介(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)ⅰ，低(di)折射(she)率(lv)(lv)介(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)ⅰ大(da)于(yu)高(gao)折射(she)率(lv)(lv)介(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)，且(qie)兩者厚度(du)接近，這種膜系布(bu)局及厚度(du)設(she)置在相(xiang)位調控(kong)能力(li)上呈現(xian)出“金字塔”的特點(dian)(dian)（其中低(di)折射(she)率(lv)(lv)介(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)ⅱ大(da)于(yu)低(di)折射(she)率(lv)(lv)介(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)ⅰ為(wei)“金字塔重要特點(dian)(dian)），即從底層(ceng)(ceng)(ceng)往上對入射(she)光相(xiang)位改變作(zuo)用逐漸減小，與普(pu)通交替(ti)結構相(xiang)比，減少了膜系層(ceng)(ceng)(ceng)數，減小了膜系總(zong)厚度(du)，激勵諧(xie)振峰(feng)吸收效率(lv)(lv)更高(gao)且(qie)為(wei)寬(kuan)帶吸收。

23、本(ben)發(fa)明(ming)所展現的可直(zhi)寫信(xin)標(biao)為“暗信(xin)標(biao)”，即(ji)自(zi)身(shen)發(fa)射(she)率隨直(zhi)寫占空比增加而(er)降低，與周圍高(gao)(gao)發(fa)射(she)熱環境形成鮮明(ming)對(dui)比，而(er)普(pu)通信(xin)標(biao)原(yuan)理為提(ti)高(gao)(gao)自(zi)身(shen)熱發(fa)射(she)率，不(bu)僅對(dui)比度低，且存在高(gao)(gao)暴(bao)露風險(xian)。

24、本發明所(suo)展現的底(di)層的金(jin)屬(shu)層優選為高(gao)損耗金(jin)屬(shu)，與常(chang)見的金(jin)、銀和鉑金(jin)屬(shu)反射層相比(bi)，大大提高(gao)了底(di)層金(jin)屬(shu)熱(re)損耗，分擔(dan)了介質層熱(re)效應。

25、本(ben)發明所展現的(de)(de)易失(shi)(shi)性相(xiang)(xiang)變材(cai)料(liao)層(ceng)(ceng)位(wei)于(yu)非(fei)易失(shi)(shi)性相(xiang)(xiang)變材(cai)料(liao)層(ceng)(ceng)上方，而常見的(de)(de)雙層(ceng)(ceng)/多層(ceng)(ceng)相(xiang)(xiang)變材(cai)料(liao)疊(die)加模型易失(shi)(shi)性相(xiang)(xiang)變材(cai)料(liao)層(ceng)(ceng)往往位(wei)于(yu)中(zhong)間層(ceng)(ceng)或(huo)底(di)層(ceng)(ceng)，相(xiang)(xiang)比于(yu)常見排布方案(an)，本(ben)方案(an)避(bi)免了(le)(le)額外(wai)的(de)(de)相(xiang)(xiang)位(wei)引入，提高(gao)了(le)(le)紅(hong)外(wai)隱身(shen)(shen)模式(shi)反射率，而在近紅(hong)外(wai)波段(duan)(duan)將硫系相(xiang)(xiang)變材(cai)料(liao)置于(yu)中(zhong)間層(ceng)(ceng)，避(bi)免了(le)(le)其在該波段(duan)(duan)的(de)(de)類金(jin)屬鏡面效應，提高(gao)了(le)(le)近紅(hong)外(wai)波段(duan)(duan)激光隱身(shen)(shen)效率。

26、本發(fa)明(ming)的其他優(you)點將在隨(sui)后的具體實施方式部分結合(he)附圖(tu)及表格(ge)予(yu)以詳細說明(ming)。