制造板級電磁干擾（emi）屏蔽的框架的折疊方法
【專利摘要】這里公開了制造用于電磁（EMI）屏蔽設備的框架的方法。示例性方法一般地包括形成框架，該框架至少具有第一框架部分、第二框架部分和公共側壁，該公共側壁至少包括由第一和第二框架部分共享且連接第一和第二框架部分的部分。第二框架部分被從布置在第一框架部分的所占區域內的狀態重定位到處于第一框架部分的所占區域之外。另一示例性實施方式包括具有第一和第二框架部分的框架。第二框架部分的尺寸足以嵌合在由第一框架部分限定的內部區域內。第一和第二框架部分至少共享公共側壁的具有將第二框架部分連接到第一框架部分的可彎曲的樞軸部分的部分。
【專利說明】制造板級電磁干擾(EMI)屏蔽的框架的折疊方法
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請是2011年I月31日提交的美國專利申請號13/017967的PCT國際申請并且要求其優先權。通過引用將上述申請的整個公開并入這里。
【技術領域】
[0003]本公開一般地涉及適合于屏蔽印刷電路板上的組件的電磁干擾(EMI) /射頻干擾(RFI)的屏蔽。
【背景技術】
[0004]本章節提供了與本公開相關的背景信息，其不必是現有技術。
[0005]電子設備常常在電子設備的一部分中生成會輻射到電子設備的另一部分并且與其發生干擾的電磁信號。該電磁干擾(EMI)能夠引起重要信號的劣化或完全損失，從而使得電子設備效率低下或不能工作。為了減少EMI的不利影響，在電子電路的兩部分之間插入導電(并且有時導磁)材料以吸收和/或反射EMI能量。該屏蔽部可以采取墻或完全包圍的形式并且可以布置在電子電路的生成電磁信號的部分周圍和/或可以布置在電子電路的容易受到電磁信號影響的部分周圍。例如，印刷電路板(PCB)的電子電路或組件常常利用屏蔽部來包圍以將EMI局限在其源之內，并且隔絕與EMI源相鄰的其它器件。
[0006]如這里使用的，術語電磁干擾(EMI)應被視為通常包括并且表示電磁干擾(EMI)和射頻干擾(RFI)發射，并且術語“電磁”應被視為通常包括并且表示來自外部源和內部源的電磁和射頻。因此，術語屏蔽(如這里使用的)通常包括并且表示EMI屏蔽和RFI屏蔽，例如從而防止(或至少減少)EMI和RFI進入或離開其中布置有電子設備的外殼或其它包圍體。

【發明內容】

[0007]本部分提供公開的一般性概括，并且不是其全部范圍或全部特征的完全公開。
[0008]這里公開了用于EMI屏蔽設備的框架和制造這樣的框架的方法的示例性實施方式。本公開的其它方面涉及一種EMI屏蔽設備，其包括這樣的框架以及可附接到該框架的蓋或蓋子，其中，EMI屏蔽設備可以用于為基板上的一個或多個組件提供電磁干擾(EMI)屏蔽。本公開的進一步的方面涉及提供EMI屏蔽的方法。
[0009]在示例實施方式中，方法一般地包括:形成框架，該框架至少具有第一框架部分、第二框架部分和公共側壁，該公共側壁的至少一部分由第一和第二框架部分共享并且連接第一和第二框架部分。第二框架部分被從布置在第一框架部分的所占區域(footprint)內的狀態重定位到第一框架部分的所占區域之外。
[0010]另一示例性實施方式包括為基板上的一個或多個組件提供電磁干擾(EMI)屏蔽的方法。在該示例中，該方法一般地包括形成材料件，該材料件具有第一框架部分、初始位于第一框架部分的所占區域內的第二框架部分以及由第一和第二框架部分共享的并且連接第一和第二框架部分的公共側壁部分。第二框架部分被重定位到第一框架部分的所占區域之外。該方法還包括將至少一個蓋附接到第一和第二框架部分中的至少一個。
[0011]另一示例性實施方式包括用于EMI屏蔽設備的框架，該EMI屏蔽設備為基板上的一個或多個組件提供EMI屏蔽。在該示例性實施方式中，框架一般地包括第一和第二框架部分。第一框架部分具有至少部分地圍繞第一框架部分的內部區域的多個側壁。第二框架部分的尺寸足以嵌合在由第一框架部分限定的內部區域內。第二框架部分具有多個側壁。第一和第二框架部分至少共享公共側壁的具有將第二框架部分連接到第一框架部分的可彎曲的樞軸部分的一部分，
[0012]根據這里提供的描述，應用性的其它方面將變得明顯。本
【發明內容】
中的描述和具體示例僅是示出性的并且不意在限制本公開的范圍。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]這里描述的附圖僅用于示出所選擇的實施方式并且不是所有可能的實施形式，并且不意在限制本公開的范圍。
[0014]圖1是由扁平材料制造的具有第一和第二框架部分的傳統框架的透視圖；
[0015]圖2是圖1中所示的傳統框架的一部分的放大圖；
[0016]圖3是用于形成圖1中所示的傳統框架的扁平材料的輪廓的平面圖；
[0017]圖4是根據本公開的示例性實施方式的用于EMI屏蔽的框架的透視圖；
[0018]圖5示出了根據本公開的示例性實施方式的用于形成用于EMI屏蔽的框架的方法;
[0019]圖6是可以用于形成圖5中所示的框架的扁平材料的輪廓的透視圖；
[0020]圖7是根據圖5中所示的方法形成的具有公共側壁的框架的透視圖；
[0021]圖8是圖7中所示的框架的一部分的放大圖；
[0022]圖9是根據本公開的另一示例性實施方式的具有用于套筒式折疊到框架的輪廓的扁平材料的透視圖；
[0023]圖10是從具有圖9中所示的輪廓的扁平材料制成的框架的透視圖；
[0024]圖11是圖10中所示的框架的另一透視圖；
[0025]圖12是根據圖5中所示的方法形成的另一示例性框架的透視圖；
[0026]圖13是圖12中所示的框架的上平面視圖；
[0027]圖14是圖12中所示的框架的左立面圖；
[0028]圖15是圖12中所示的框架的右立面圖；
[0029]圖16是圖12中所示的框架的后立面圖；
[0030]圖17是圖12中所示的框架的前立面圖；
[0031]圖18是根據本公開的另一示例性實施方式的用于形成另一框架的扁平材料的輪廓的透視圖；
[0032]圖19是由具有圖18中所示的輪廓的扁平材料制成的框架的透視圖；
[0033]圖20是根據本公開的示例性實施方式的EMI屏蔽設備的框架和蓋的分解透視圖；
[0034]圖21是蓋附接到框架的圖20中所示的EMI屏蔽設備的切開視圖；以及[0035]圖22是根據本公開的另一示例性實施方式的EMI屏蔽設備的框架和兩個蓋的分解透視圖。
[0036]在附圖中，對應的附圖標記表示對應的部分。
【具體實施方式】
[0037]現在將參考附圖更完全地描述示例性實施方式。
[0038]圖1至圖3是制造用于EMI屏蔽設備的框架的傳統方法的代表圖。更具體地，圖3示出了可以形成(例如，折疊、彎曲等等)以制造圖1和圖2中所示的傳統框架12的扁平材料10。在該傳統方法中，材料10包括用于第一框架部分14和第二框架部分16的輪廓，其中，第二框架部分16完全地布置在由第一框架部分12限定的所占區域、內部區域或周界之外。
[0039]在了解了用于制造框架的傳統方法具有相對較低的材料利用率之后，本發明的發明人開發并且在這里公開了新的制造框架的方法，其增加了材料利用率(例如，最多達75%等等)并且降低了生成的廢棄材料的量。因此，本發明人的方法允許減少制造框架所需的材料的量及其相關成本。通過使用第一框架部分的內區域或所占區域之內的材料(其在傳統的制造框架的方法中通常被廢棄)用于一個或多個其它框架部分。例如，發明人在一個示例性實施方式中已經對于57.3毫米X30mmX 1.5mm框架能夠實現45.8%的材料節省。
[0040]根據本公開的一個方面，方法的各實施方式用于制造用于提供一個或多個組件的EMI屏蔽的電磁(EMI)屏蔽設備的框架。該方法包括形成框架，該框架至少具有第一框架部分以及初始布置在第一框架部分的所占區域內的至少第二框架部分，公共側壁的至少一部分由第一框架部分與第二框架部分共享并且連接第一框架部分和第二框架部分。在各種方法實施方式中，第二框架部分被從其在第一框架部分的所占區域內的初始位置重定位到第一框架部分的所占區域外的第二位置。在示例性實施方式中，形成框架的方法可以包括將公共側壁形成為具有可彎曲的樞軸部分，該可彎曲的樞軸部分將第二框架部分連接到第一框架部分，其中，樞軸部分能夠彎曲以允許第二框架部分重定位在第一框架部分的所占區域外。
[0041]根據本公開的另一方面，提供了用于提供基板上的一個或多個組件的EMI屏蔽的電磁(EMI)屏蔽設備的框架的各種實施方式。例如，框架的示例性實施方式包括第一框架部分和第二框架部分。第一框架部分具有多個側壁，該多個側壁至少部分地圍繞第一框架部分的內部區域。第二框架部分的尺寸足以嵌合在第一框架部分的內區域內。第二框架部分也具有多個側壁。第一和第二框架部分共享公共側壁的具有連接第一和第二框架部分的可彎曲樞軸部分的至少一部分。下面描述框架的示例性實施方式及其相關方法。
[0042]現在參考附圖，圖4示出了用于實施本公開的一個或多個方面的電磁(BO)屏蔽設備的框架400的示例性實施方式。如圖4中所示，框架400包括第一框架部分410，其具有至少部分地圍繞第一框架部分的內部區域420的多個側壁412、414和416。
[0043]框架400進一步包括第二框架部分430，其尺寸足以嵌合在第一框架部分410的內部區域420內。第二框架部分430也具有多個側壁432、434和436，其具有高度h，該高度h可以與側壁412、414和416的高度H相同或不同。
[0044]第一和第二框架部分410、430共享具有連接第一和第二框架部分410、430的至少一個可彎曲的樞軸部分428的公共側壁418的至少一部分。可彎曲的樞軸部分428允許第二框架部分430從初始的處于第一框架部分410的內部區域420內的第一位置重定位到最終的位于第一框架部分410的所占區域之外的第二位置。樞軸部分428在大致直的構造與彎曲的構造之間彎曲，并且可以根據下面描述的方法來形成。
[0045]圖5至圖8示出了利用級進沖壓技術制造用于電磁(EMI)屏蔽設備的框架500的方法的示例性實施方式。如圖5中所示，該方法一般地包括在往復沖壓機中的級進沖壓模的操作臺562處的多個操作對進給或送入的金屬材料502的帶的級進沖壓而形成框架500。形成框架500的方法通常包括在單個材料件502中沖壓用于框架500的部分輪廓，該框架500包括限定第一框架部分510和第二框架部分530的多個外圍壁。利用沖壓機的每次沖壓，該方法反復地沖壓用于第一框架部分510和第二框架部分530的部分輪廓，如位置564至574處所示。框架的輪廓在之后的模操作臺576至582中進一步形成。級進模的最終操作臺584進行切割操作，其將完成的框架500與承載的金屬材料502的幅材分離。
[0046]參考圖6,不出了第一框架部分510和第二框架部分530的輪廓以進一步不出用于形成框架500的上述方法。用于形成框架500的方法包括形成第一框架部分510，其具有用于至少部分地圍繞第一框架部分510的內部區域520的多個側壁512、514和516。因此，內部區域520由用于多個側壁512、514和516的輪廓至少部分地限定。用于形成框架500的方法進一步包括形成第二框架部分530，其具有布置在第一框架部分510的內部區域520的所占區域。如這里使用，所占區域被限定為給定框架部分的形狀和/或輪廓所占據的空間。形成框架500的方法包括形成第二框架部分530 (或其輪廓)，其具有多個側壁532、534和536以及內部區域540。
[0047]形成方法包括形成公共側壁518的至少一部分，該至少一部分由第一框架部分510和第二框架部分530共享并且連接第一框架部分510和第二框架部分530。公共側壁518的該部分允許第二框架部分530重定位到第一框架部分510的所占區域(或內部區域520)之外。具體地，形成框架500的方法優選地包括形成公共側壁518，其包括將第二框架部分530連接到第一框架部分510的可彎曲的樞軸部分528。樞軸部分528能夠彎曲以允許第二框架部分530重定位到第一框架部分510的所占區域之外(在下面描述)。
[0048]往回參考圖5，形成框架500的方法可以包括沖壓包括可彎曲的樞軸部分528的公共側壁518的輪廓。可彎曲的樞軸部分528能夠在其中第二框架部分530布置在第一框架部分510的所占區域內(位置574處)的大致直的構造與其中第二框架部分530重定位到第一框架部分510的所占區域之外(位置580處)的彎曲構造之間彎曲。應注意的是，形成方法可以包括通過以遞進步驟折疊、彎曲而移動、通過旋轉而形成等等，其中，第二框架部分530被彎曲到第二框架部分530彎曲到第一彎曲構造(在位置580至584處示出)之前的中間位置(位置576至578處)。因此，用于形成框架500的方法包括在折疊之前在布置在第一框架部分510的所占區域內的第一初始位置中形成第二框架部分530，并且然后通過將第二框架部分530從初始第一位置(574處)折疊、旋轉、利用旋轉來形成等等到第一框架部分510的所占區域之外的第二位置(580處)來移動第二框架部分530。
[0049]參考圖7和圖8,該不例形成方法包括將輪廓相對于第一框架部分510的上表面504以大約90度的角度彎曲以形成公共側壁518。該方法進一步包括相對于公共側壁518以大約90度形成或彎曲可彎曲的樞軸部分528。因此，可彎曲的樞軸部分528被從大致直的構造(如圖6中所示)彎曲到圖7和圖8中所示的彎曲構造，從而第二框架部分530被相對于第一框架部分從初始位置旋轉大約180度(如圖5中的位置574至580所示)。可彎曲的樞軸部分538的該彎曲使得第一框架部分510和第二框架部分530以共面的方式大致對齊。
[0050]往回參考圖5，該方法進一步包括彎曲或折疊第二框架部分530的輪廓的至少一部分522以形成側壁532、534和536 (圖7中示出)。第二框架部分530的側壁532、534和536形成為相對于第二框架部分530的上表面504成大約90度的角度。
[0051]形成框架500的方法因此包括在套筒式折疊處理中以大致向外約180度的角度形成或折疊框架輪廓的第二框架部分530，從而形成布置在第一框架部分510的所占區域之外的第二框架部分530。形成方法包括形成框架輪廓以形成大致垂直于框架500的上表面504的折疊側壁512、514、516、532和536。該方法進一步包括進行沖壓以移除將框架500連接到金屬材料502的承載幅材的剩余材料。
[0052]參考圖9至圖11，該方法的示例性實施方式可以進一步包括形成其所占區域布置在第二框架部分530的第二內部區域540內的第三框架部分550以及第二公共側壁538，其至少一部分由第二框架部分530和第三框架部分550共享并且連接第二框架部分530和第三框架部分550。該示例方法可以進一步包括形成第四框架部分560，其具有布置在第三框架部分550的內部區域552內的所占區域，并且還形成第三公共側壁558，其至少一部分由第三框架部分550與第四框架部分560共享并且連接第三框架部分550與第四框架部分560。在這樣的示例性實施方式中，第四框架部分560被移動到第三框架部分550的所占區域之外。
[0053]如圖10和圖11中所示，也可以形成第五框架部分561并且將其移動到第四框架部分560的所占區域之外。以該方式，形成框架的方法可以包括用于將內部框架部分移動到第一框架部分510、第二框架部分530、第三框架部分550等等的所占區域之外的套筒式折疊處理。應注意的是，第二框架部分530的側壁可以具有高度h，該高度h可以與第一框架部分510的側壁的高度H相同或不同。
[0054]在本公開的另一方面中，提供了用于BO屏蔽設備的框架的各種實施方式。參考圖12至圖17,不出了用于實施本公開的一個或多個方面的電磁(EMI)屏蔽設備的框架600的不例性實施方式。用于電磁(EMI)屏蔽設備的框架600包括第一框架部分610,其具有至少部分地圍繞第一框架部分610的內部區域620的多個側壁612、614和616。內部區域620至少部分地由多個側壁612、614和616限定。
[0055]框架600包括第二框架部分630，其尺寸足以嵌合在由第一框架部分610限定的內部區域620內。在該示例中，第二框架部分630具有尺寸足以嵌合在第一框架部分610的內部區域620內的所占區域。第二框架部分630具有多個側壁632、634和636。第一和第二框架部分610、630共享具有將第二框架部分630連接到第一框架部分610的可彎曲樞軸部分628的公共側壁618的至少一部分。
[0056]進一步參考圖12，可彎曲的樞軸部分628能夠在大致直的構造與彎曲構造之間彎曲。第二框架部分630的尺寸足以在可彎曲的樞軸部分628處于大致直的構造時嵌合在內部區域620內。當可彎曲的樞軸部分628處于彎曲構造(如圖12中所示)時，第二框架部分630被布置在第一框架部分610的所占區域之外。并且，第一框架部分610和第二框架部分630以共面方式大致對齊。第一框架部分610的多個側壁包括至少部分地圍繞由第一框架部分610部分地包圍的大致矩形內部區域620的至少三個側壁部分612、614和616。第二框架部分630的多個側壁包括部分地圍繞第二矩形區域640的至少三個側壁部分632、634和636。側壁部分612、614、616、632、634和636形成為相對于框架600的上表面604成大約90度的角。替選實施方式可以包括具有不同數目的側壁(例如，多于三個等等)和/或不同形狀(例如，非矩形等等)的框架部分。
[0057]參考圖18和圖19，示出了用于電磁(EMI)屏蔽設備的框架700的另一示例性實施方式。如圖18中所示，存在第一框架部分710，其具有用于至少部分地圍繞第一框架部分710的內部區域720的多個側壁的輪廓。內部區域720的至少一部分至少部分地由多個側壁(例如，圖19中所示的壁714和716等等)的輪廓限定。在該示例性實施方式中，第一框架部分710進一步包括至少部分地由從上表面704延伸的幅材(web) 724和一個或多個側壁(例如，壁712和714等等)限定的第二內部區域722。
[0058]框架700包括第二框架部分730，其尺寸足以嵌合在由第一框架部分710限定的內部區域720內。在該示例中，第二框架部分730的所占區域的尺寸足以嵌合在第一框架部分710的內部區域720內。第二框架部分730具有多個側壁732、734和736。
[0059]第一和第二框架部分710、730共享具有將第二框架部分730連接到第一框架部分710的可彎曲的樞軸部分728的公共側壁718的至少一部分。第二框架部分730的側壁732,734和736具有高度h，其可以與第一框架部分710的側壁712、714和716的高度H不同(或相同)。圖18中所示的框架700的輪廓進一步包括從第一框架部分710延伸的第三框架部分750，其輪廓形成為提供第三框架部分750的多個側壁752、754和756。
[0060]在本公開的另一方面中，提供了與為基板上的一個或多個組件提供電磁干擾(EMI)屏蔽相關的方法。參考圖20至圖22，為一個或多個組件提供電磁干擾(EMI)屏蔽的示例性方法包括形成框架800，其具有第一框架部分810和布置在第一框架部分810的所占區域內的第二框架部分830。公共側壁818由第一和第二框架部分810、830共享并且連接第一和第二框架部分810、830。第二框架部分830移動到第一框架部分810的所占區域之外。
[0061]該用于提供電磁干擾(EMI)屏蔽的示例方法進一步包括將至少一個蓋890附接到框架800。當至少一個蓋890附接到框架800時，蓋890、第一框架部分810和第二框架部分830協作地限定從共享的公共側壁818延伸并且位于其相對側上的第一和第二 EMI屏蔽隔間844、846。公共側壁818可以形成為包括可彎曲的樞軸部分828。
[0062]如圖21中所示，該用于提供電磁干擾(EMI)屏蔽的示例方法可以進一步包括相對于基板894 (例如，印刷電路板等等)定位框架800和附接的蓋890。例如，框架800可以機械地附接(例如，焊接等等)到基板894。因此，EMI屏蔽設備可以因此為基板894上的處于EMI屏蔽隔間844、846內的一個或多個電氣組件896提供EMI屏蔽。
[0063]蓋890能夠可移除地附接到框架800。如圖20和21中所示，框架的側壁812、814、816、832、834和836中的一個或多個包括用于容納蓋90的對應的向內延伸的凹陷888的一個或多個開口 886。在該特定實施方式中，框架的側壁812、814、816、832、834和836中的一個或多個包括至少兩個圓形開口 886。替選實施方式可以在框架側壁中包括多于兩個或少于兩個的開口 886 (并且在一些情況下，沒有開口)，并且/或者包括沒有完全穿過側壁的開口。此外，框架的每個側壁不需要包括與框架800的其它側壁相同數目的開口 886。
[0064]蓋890包括從蓋890的頂部向下延伸的邊緣部分889。邊緣部分889包括被構造為接合地容納在框架的側壁中的開口 886中的棘爪、凸起、凹陷等等888。在該實施方式中，蓋890能夠在蓋的邊緣部分中的每個上具有多于兩個或少于兩個的凹陷888(并且，在一些情況下沒有凹陷)，并且每個蓋邊緣部分889不需要包括與蓋的其它邊緣部分889相同數目的凹陷888。隨著凹陷888在框架的對應側壁上滑動以接合開口 886時，蓋的邊緣部分889可以向外彎曲和/或框架的側壁812、814、816、832、834和836可以向內彎曲。以該示例性方式，蓋890能夠因此借助于凹陷888接合在框架的側壁812、814、816、832、834和836中的開口 886內而可釋放地固定到框架800。即，相應地，提供了具有蓋890的EMI屏蔽設備，該蓋890可以容易地從框架800移除，例如從而允許接觸蓋890下面的組件。蓋890可以隨后重新附接到框架800，或者可以將新的蓋組裝到框架800。因此，本公開的各種實施方式能夠通過提供能夠在需要或想要進行維修工作時容易地打開的屏蔽部件而有助于避免與焊接的屏蔽部件相關的進入問題。
[0065]圖22示出了 EMI屏蔽設備的替選示例性實施方式，其中，兩個蓋890、892附接到框架800。在這樣的實施方式中，用于提供電磁干擾(EMI)屏蔽的方法可以包括將第一蓋890附接到第一框架部分810，從而第一蓋890和第一框架部分892協作地至少限定第一EMI屏蔽隔間844。第二蓋892可以附接到第二框架部分830，從而第二蓋892和第二框架部分830協作地至少限定第二 EMI屏蔽隔間846。第一 EMI屏蔽隔間844可以利用布置在兩個EMI屏蔽隔間844、846之間的共享的公共側壁818而與第二 EMI屏蔽隔間846分離。如圖21中所示并且如上面所描述的，附接有蓋890、892的框架800可以進一步與電氣組件896和基板894 (例如，印刷電路板等等)組合地使用。例如，附接有蓋890、892的框架800可以機械地附接到基板894。
[0066]繼續參考圖22，框架的側壁812、814、816、832、834和836中的一個或多個包括用于容納能夠可移除地附接到框架800的第一蓋890和第二蓋892的對應的凹陷888的一個或多個開口 886。第一蓋890和第二蓋892包括從蓋的頂部向下延伸的邊緣部分889。邊緣部分889包括被構造為接合地容納在框架的側壁中的開口 886中的棘爪、突起或凹陷888。在該示例性實施方式中，第一蓋890和第二蓋892能夠在每個邊緣部分889上具有多于兩個或少于兩個的凹陷888(并且，在一些情況下，沒有凹陷)，并且每個邊緣部分889不需要包括與其它邊緣部分889相同數目的凹陷888。當凹陷888在框架的側壁上滑動以接合開口886時，第一和第二蓋890、892的邊緣部分889可以向外彎曲和/或框架的側壁812、814、816、832、834和836可以向內彎曲。以該示例性方式，第一蓋890和第二蓋892可以因此借助于凹陷888接合在開口 886內而可釋放地固定到框架800。
[0067]現在將提供可以根據本公開制造用于EMI屏蔽設備的框架的示例性材料。示例性材料包括冷軋鋼、鎳銀合金、銅鎳合金、不銹鋼、鍍錫的冷軋鋼、鍍錫的銅合金、碳鋼、黃銅、銅、鋁、銅鈹合金、磷青銅、鋼、其合金、或者任何適當的導電材料和/或磁性材料。在一個示例性實施方式中，用于EMI屏蔽設備的框架由厚度大約為20毫米的鎳銀合金板形成。這里提到的材料和尺寸僅用于示例性說明的目的，因為用于EMI屏蔽設備的框架可以根據例如具體應用(例如，將被屏蔽的部件、在整個裝置內的空間因素、EMI屏蔽和散熱要求以及其它因素)而由不同的材料構成和/或具有不同尺寸。[0068]數字尺度和數值在這里被提到僅用于示例性說明的目的。提到的具體尺度和數值不限制本公開的范圍。
[0069]諸如“內部”、“外部”、“在下方”、“在下面”、“下面”、“在上面”、“上面”等這樣的空
間相對術語可以在這里用于方便說明，從而描述如在圖中所例示的一個元件或部件相對于另外的元件或部件的關系。除了在圖中所描繪的取向之外，空間相對術語還可以用來涵蓋處于使用或操作中的裝置的不同的取向。例如，如果在圖中的裝置被翻轉，則描述為“在其它元件或部件下面”或者“在其它元件或部件下方”的元件將取向為“在其它元件或部件上面”。因此，示例性術語“在下面”可以涵蓋“在上面”和“在下面”兩種取向。裝置可以不同地取向(轉動90度或者處于其它取向)，并且這里使用的空間相對描述符相應地進行理解。
[0070]這里使用的術語是僅用于描述具體示例性的實施方式的目的并且不是限制性的。如在這里使用的，單數形式(“a”或“an”)和所述(“the”)可以包括復數形式，除非明確指出不能。術語“包括”、“包含”和“具有”是包含性的并且因此確定列舉特征、整體、步驟、操作、元件、和/或部件的存在，但是不排除一個或更多個其它的特征、整體、步驟、操作、元件、部件、和/或其組合的存在或添加。這里描述的方法步驟、處理和操作不應理解為必須按照討論或例示的特定順序執行，除非特別確定了執行的順序。還應該理解的是，可以采用另外的或可選的步驟。
[0071]當元件或層被稱為“在另一個元件或層上”、“與另一個元件或層接合”、“連接到另一個元件或層”、“耦接到另一個元件或層”時，它可以直接地在另一個元件或層上、直接地與另一個元件或層接合、直接地連接到或耦接到另一個元件或層，或者可以存在中間元件或中間層。相反，當元件或層被稱為“直接地在另一個元件或層上”、“直接地與另一個元件或層接合”、“直接地連接到另一個元件或層”、“直接地耦接到另一個元件或層”時，不存在中間元件或中間層。用來描述元件之間的關系的其它詞語應該以相同的方式來理解(例如，
“在......之間”與“直接地在......之間”，“與......相鄰”與“直接地與......相鄰”
等)。如在這里所使用的，術語“和/或”包括相關聯的列舉項中的一個或更多個的任意組合和所有組合。
[0072]雖然這里可以使用術語第一、第二、第三等來描述多個元件、部件、區域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區域、層和/或部分不應該被這些術語所限制。這些術語可以僅用來將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個區域、層或部分區分。這里使用的諸如“第一”、“第二”這樣的術語以及其它數值術語不暗示順序或次序，除非文中清楚地指明。因此，在沒有脫離示例性實施方式的教導的情況下，下面討論的第一元件、部件、區域、層或部分可以稱為第二元件、部件、區域、層或部分。
[0073]提供示例性的實施方式，從而該公開將是全面的，并且充分地向本領域技術人員表達本發明的范圍。提出了大量的具體內容，諸如具體部件、裝置和方法的示例，從而提供了對本公開的實施方式的全面理解。對于本領域技術人員而言，明顯的是，具體內容不是必須采用的，示例性的實施方式可以以很多不同的形式來具體體現，并且也不應該理解為限制本公開的范圍。在一些實施方式中，沒有詳細地描述公知處理、公知裝置結構和公知技術。
[0074]這里關于給定參數的具體值和具體數值范圍的公開不排除其它值和數值范圍可以用于這里公開的一個或更多個示例。而且，設想的是，這里陳述的關于具體參數的任何兩個具體值可以限定可適用于該給定參數的數值范圍的端點。關于給定參數的第一值和第二值的公開可以被理解為公開了在該第一值和該第二值之間的任何值都可以用于該給定參數。相似地，設想的是，關于參數的兩個或更多個數值范圍(無論所述范圍是嵌套的、重疊的或截然不同的)的公開包含可利用公開的范圍的端點要求保護的數值范圍的所有組合。
[0075]為了示例說明和描述的目的，已經提供了實施方式的前面的描述。該描述并不是詳盡的或者要限制本發明。【具體實施方式】的各個元件或特征一般不限制為那一具體的實施方式，但是，當合適時，各個元件或特征是可互換的，并且可以在選擇的實施方式中使用，即使沒有具體地示出或描述。它們可以以很多方式變化。如此的變化不應被認為脫離本發明，并且所有這些變型都包括在本發明的范圍中。
【權利要求】
1.一種制造用于電磁(EMI)屏蔽設備的框架的方法，該電磁(EMI)屏蔽設備用于為基板上的一個或多個組件提供EMI屏蔽,所述方法包括: 形成框架，所述框架至少具有第一框架部分、第二框架部分和公共側壁，所述公共側壁至少包括由所述第一框架部分和所述第二框架部分共享并且連接所述第一框架部分和所述第二框架部分的部分，其中，所述第二框架部分被從布置在所述第一框架部分的所占區域內的狀態重定位到所述第一框架部分的所占區域之外。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，形成框架的步驟包括: 將所述第二框架部分形成為具有布置在所述第一框架部分的所占區域內的第一初始位置；以及 然后將所述第二框架部分從所述第一框架部分的所占區域內的所述第一初始位置折疊、彎曲或通過旋轉而形成到其中所述第二框架部分處于所述第一框架部分的所占區域之外的第二位置。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，形成框架的步驟包括將所述第一框架部分形成為包括多個側壁，所述多個側壁限定所占區域并且至少部分地圍繞所述第一框架部分的內部區域，所述第二 框架部分在所述第二框架部分被重定位到所述第一框架部分的所占區域之外之前初始布置在所述內部區域中。
4.根據權利要求3所述的方法，其中: 所述內部區域至少部分地由所述第一框架部分的所述多個側壁限定；并且/或者形成框架的步驟包括將所述第二框架部分形成為具有布置在所述第一框架部分的所述內部區域內的所占區域。
5.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中，形成框架的步驟包括將所述公共側壁形成為具有可彎曲的樞軸部分，所述可彎曲的樞軸部分將所述第二框架部分連接到所述第一框架部分，所述可彎曲的樞軸部分能夠彎曲以允許所述第二框架部分被重定位到所述第一框架部分的所占區域之外。
6.根據權利要求5所述的方法，其中: 所述可彎曲的樞軸部分能夠在其中所述第二框架部分被布置在所述第一框架部分的所占區域內的大致直的構造與其中所述第二框架部分被重定位到所述第一框架部分的所占區域之外的彎曲構造之間彎曲；并且/或者 形成框架的步驟包括彎曲所述可彎曲的樞軸部分并且將所述第二框架部分相對于所述第一框架部分旋轉大約180度，使得所述第一框架部分和所述第二框架部分以共面的方式大致對齊。
7.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中: 形成框架的步驟包括將所述公共側壁的至少一部分相對于所述第一框架部分和所述第二框架部分的上表面折疊大約90度，使得所述第一框架部分和所述第二框架部分利用將所述第二框架部分連接到所述第一框架部分的可彎曲的樞軸部分共享所述公共側壁；并且/或者 形成框架的步驟包括在單個材料件中沖壓用于所述第一框架部分和所述第二框架部分的輪廓，并且然后將所沖壓的材料件折疊。
8.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中，形成框架的步驟包括形成第三框架部分，所述第三框架部分具有布置在所述第二框架部分的內部區域內的所占區域，并且第二公共側壁的至少一部分由所述第二框架部分和所述第三框架部分共享并且連接所述第二框架部分和所述第三框架部分，其中，所述第三框架部分被重定位使得所述第三框架部分的所占區域位于所述第二框架部分的所述內部區域之外。
9.根據權利要求8所述的方法，其中，形成框架的步驟包括套筒式折疊處理，所述套筒式折疊處理用于將內部框架部分重定位到至少所述第一框架部分的所占區域之外。
10.一種與為基板上的一個或多個組件提供電磁干擾(EMI)屏蔽相關的方法,所述方法包括: 形成材料件，所述材料件具有第一框架部分和初始布置在所述第一框架部分的所占區域內的第二框架部分，并且公共側壁部分由所述第一框架部分和所述第二框架部分共享并且連接所述第一框架部分和所述第二框架部分，其中，所述第二框架部分被重定位到所述第一框架部分的所占區域之外；以及 將至少一個蓋附接到所述第一框架部分和所述第二框架部分中的至少一個。
11.根據權利要求10所述的方法，其中，將至少一個蓋附接到所述第一框架部分和所述第二框架部分中的至少一個的步驟包括將蓋附接到所述第一框架部分和所述第二框架部分，使得所述蓋和所述第一框架部分和所述第二框架部分協作地限定從共享的公共側壁部分延伸的第一 EMI屏蔽隔間和第二 EMI屏蔽隔間。
12.根據權利要求1 0或11所述的方法，所述方法進一步包括相對于基板定位所述第一框架部分和所述第二框架部分以及附接到所述第一框架部分和所述第二框架部分的蓋以為所述基板上的一個或多個組件提供EMI屏蔽。
13.根據權利要求10、11或12所述的方法，其中，將至少一個蓋附接到所述第一框架部分和所述第二框架部分中的至少一個的步驟包括: 將第一蓋附接到所述第一框架部分，使得所述第一蓋、所述第一框架部分和共享的公共側壁部分協作地限定至少第一 EMI屏蔽隔間；以及 將第二蓋附接到第二框架部分，使得所述第二蓋、所述第二框架部分和共享的公共側壁部分協作地限定至少第二 EMI屏蔽隔間。
14.一種用于電磁(EMI)屏蔽設備的框架,所述電磁(EMI)屏蔽設備用于為基板上的一個或多個組件提供EMI屏蔽,所述框架包括: 第一框架部分，所述第一框架部分具有多個側壁，所述多個側壁至少部分地圍繞所述第一框架部分的內部區域； 第二框架部分，所述第二框架部分的尺寸足以嵌合在由所述第一框架部分限定的所述內部區域內，所述第二框架部分具有多個側壁， 其中，所述第一框架部分和所述第二框架部分至少共享公共側壁的具有將所述第二框架部分連接到所述第一框架部分的可彎曲的樞軸部分的部分。
15.根據權利要求14所述的框架，其中，所述第二框架部分具有尺寸足以嵌合在所述第一框架的所述內部區域內的所占區域。
16.根據權利要求14或15所述的框架，其中: 所述可彎曲的樞軸部分能夠在大致直的構造與彎曲構造之間彎曲； 所述第二框架部分的尺寸足以在所述可彎曲的樞軸部分處于所述大致直的構造中時嵌合在所述內部區域內；并且 當所述可彎曲的樞軸部分處于所述彎曲構造中時，所述第二框架部分被布置在所述第一框架部分的所占區域之外，使得所述第一框架部分和所述第二框架部分以共面方式大致對齊。
17.根據權利要求14、15或16所述的框架，其中: 所述第一框架部分的所述多個側壁包括至少部分地圍繞由所述第一框架部分部分地包圍的大致矩形的內部區域的至少三個側壁部分； 所述第二框架部分的所述多個側壁包括至少三個側壁部分；并且 所述第二框架部分的尺寸足以嵌合在所述第一框架部分的所述大致矩形的內部區域內。
18.—種EMI屏蔽設備，所述EMI屏蔽設備包括權利要求14、15、16或17所述的框架以及至少一個蓋，所述至少一個蓋附接到所述框架，使得所述蓋與所述框架協作地限定至少一個EMI屏蔽隔間。
19.一種EMI屏蔽設備，所述EMI屏蔽設備包括權利要求14、15、16或17所述的框架，并且所述EMI屏蔽設備進一步包括: 第一蓋，所述第一蓋附接到所述第一框架部分，使得所述第一蓋與所述第一框架部分協作地限定至少第一 EMI屏蔽隔間；以及 第二蓋，所述第二蓋附接到所述第二框架部分，使得所述第二蓋與所述第二框架部分協作地限定至少第二 EMI屏蔽隔間，所述第二 EMI屏蔽隔間由共享的公共側壁部分與所述第一 EMI屏蔽隔間分離。
20.一種電氣裝置，所述電氣裝置包括印刷電路板和權利要求14、15、16、17、18或19所述的框架，其中，所述框架機械地附接到所述印刷電路板。
【文檔編號】H05K9/00GK103444277SQ201180066511
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2011年12月17日 優先權日:2011年1月31日
【發明者】伊戈爾·維諾庫爾, G·R·英格利史, Z·M·科魯斯 申請人:萊爾德技術股份有限公司