具有增大的屏蔽件下空間的板級電磁干擾emi屏蔽件的制作方法
【專利摘要】具有增大的屏蔽件下空間的板級電磁干擾EMI屏蔽件。根據各個方面，公開具有用于屏蔽件下的一個或更多個部件的增大的屏蔽件下空間和較大的部件間距的EMI屏蔽件的示例性實施方式。在示例性實施方式中，屏蔽件通常包括沿著蓋的內表面的一個或更多個凹進部。介電材料在至少該一個或更多個凹進部內沿著蓋的內表面。一個或更多個凹進部可以為屏蔽件下的一個或更多個部件提供增大的屏蔽件下空間和較大的間距。當一個或更多個部件在屏蔽件下時，介電材料可以阻止屏蔽件的一個或更多個凹進部直接接觸一個或更多個部件和阻止使一個或更多個部件電短路。還公開了與制造EMI屏蔽件有關的方法以及與為基板上的一個或更多個部件提供屏蔽有關的方法的示例性實施方式。
【專利說明】
具有増大的屏蔽件下空間的板級電磁干擾EMI屏蔽件
技術領域
[0001]本公開總體上涉及具有增大的屏蔽件下空間的板級EMI屏蔽件。
【背景技術】
[0002]本節提供了與本公開有關的背景信息，該背景信息不一定是現有技術。
[0003 ]電子設備操作時常見的問題是設備的電子電路內產生電磁輻射。這種輻射可能導致電磁干擾(EMI)或射頻干擾(RFI)，這可能干擾一定距離內的其他電子設備的操作。在沒有充分屏蔽的情況下，EMI/RFI干擾可能引起重要信號的衰減或完全丟失，從而致使電子設備低效或無法操作。
[0004]減輕EMI/RFI影響的常見解決方案是借助使用能夠吸收和/或反射和/或重定向EMI能量的屏蔽件。這些屏蔽件典型地用于使EMI/RFI位于其源內，并且用于隔離EMI/RFI源附近的其他設備。
[0005]這里所使用的術語“EMI”應當被認為通常包括并指EMI發射和RFI發射，并且術語“電磁的”應當被認為通常包括并指來自外源和內源的電磁和射頻。因此，(這里所使用的)術語屏蔽廣泛地包括并指諸如通過吸收、反射、阻擋和/或重定向能量或其某一組合等來減輕(或限制)EMI和/或RFI，使得EMI和/或RFI例如對于政府合規和/或對于電子部件系統的內部功能不再干擾。

【發明內容】

[0006]本節提供了公開的簡要綜述，并且不是其全范圍或其所有特征的綜合公開。
[0007]根據各種方面，公開了具有用于屏蔽件下的一個或更多個部件的增大的屏蔽件下空間和/或更大的部件間距的EMI屏蔽件的示例性實施方式。在示例性實施方式中，該屏蔽件通常包括沿著屏蔽件的內表面的一個或更多個凹進部。介電材料在至少一個或更多個凹進部內沿著屏蔽件的內表面。一個或更多個凹進部可以為屏蔽件下的一個或更多個部件提供增大的屏蔽件下空間和較大的間距。當一個或更多個部件在屏蔽件下時，介電材料可以阻止屏蔽件的一個或更多個凹進部直接接觸一個或更多個部件和阻止使一個或更多個部件電短路。
[0008]所述介電材料可以包括介電涂層，該介電涂層在至少所述一個或更多個凹進部內沿著所述屏蔽件的所述內表面，使得當所述一個或更多個部件在所述屏蔽件下時，所述介電涂層防止所述一個或更多個凹進部直接接觸一個或更多個部件和防止使一個或更多個部件電短路。所述屏蔽件可以包括沿著所述屏蔽件的所述內表面的一個或更多個非凹進部。所述介電涂層可以沿著所述屏蔽件的所述一個或更多個非凹進部中的至少一個。
[0009]所述屏蔽件可以包括蓋和一個或更多個側壁，該一個或更多個側壁從所述蓋下垂且被構造為用于總體上圍繞所述基板上的所述一個或更多個部件安裝到所述基板。所述一個或更多個凹進部可以沿著所述蓋的內表面和/或所述一個或更多個側壁中的至少一個的內表面。所述一個或更多個凹進部可以沿著所述蓋的所述內表面。所述蓋在所述一個或更多個凹進部處的厚度可以小于所述蓋沿著所述蓋的周邊的厚度，從而為所述一個或更多個凹進部下方的部件提供增大的空間和較大的間距。所述一個或更多個凹進部可以包括由所述蓋的較厚部分分開的多個不連貫的凹處(pocket)。所述屏蔽件可以包括內壁，該內壁在所述多個不連貫的凹處中的至少兩個之間。所述內壁、所述蓋以及所述一個或更多個側壁合作限定多個獨立的EMI屏蔽隔室，使得所述基板上的不同部件能被定位在不同的隔室中，并且借助EMI屏蔽隔室阻止EMI進入到各EMI屏蔽隔室中和/或從各EMI屏蔽隔室出去，來提供EMI屏蔽。所述蓋和所述一個或更多個側壁可以由單件導電材料一體形成以具有整體或單件構造。
[0010]所述屏蔽件可以包括蓋和一個或更多個側壁，該一個或更多個側壁從所述蓋下垂且被構造為用于總體上圍繞所述基板上的所述一個或更多個部件安裝到所述基板。所述一個或更多個凹進部可以包括沿著所述蓋的內表面和/或所述一個或更多個側壁中的至少一個的內表面蝕刻的一個或多個凹處。
[0011]所述一個或更多個凹進部可以具有通過去除制造所述屏蔽件的材料的一部分而限定的減小的厚度，使得所述減小的厚度為所述一個或更多個凹進部下方的部件提供增大的空間和/或較大的間距。
[0012]還公開了與制造EMI屏蔽件有關的方法的示例性實施方式。在示例性實施方式中，一種方法通常包括以下步驟:沿著具有一個或更多個凹進部的屏蔽件的內表面設置介電材料，使得所述介電材料在至少所述一個或更多個凹進部內。
[0013]還公開了與為基板上的一個或更多個部件提供屏蔽件有關的方法的示例性實施方式。在示例性實施方式中，一種方法通常包括以下步驟:將屏蔽件安裝到基板，使得一個或更多個部件布置在沿著所述屏蔽件的內表面的一個或更多個凹進部下方。介電材料在至少所述一個或更多個凹進部內。
[0014]還公開了用于沿著EMI屏蔽件的部分設置介電材料的示例性方法。在示例性實施方式中，一種方法通常包括以下步驟:沿著EMI屏蔽件的一部分設置可紫外(UV)固化介電材料；以及通過暴露于UV來使該介電材料固化。所述UV固化的介電材料可以阻止所述EMI屏蔽件的一部分直接接觸一個或更多個部件和阻止使一個或更多個部件電短路。
[0015]進一步的應用領域根據這里所提供的描述將變得明顯。該綜述中的描述和具體示例僅是用于例示的目的，并且不旨在限制本公開的范圍。
【附圖說明】
[0016]這里所描述的附圖僅用于例示所選實施方式而不是所有可能的實施，并且不旨在限制本公開的范圍。
[0017]圖1是根據示例性實施方式的具有增大的屏蔽件下空間的EMI屏蔽件的立體底面圖，其中，屏蔽件包括凹處或腔、沿著凹處的介電材料以及凹處之間的內壁或分隔件；
[0018]圖2是圖1中所示的EMI屏蔽件的在內壁或分隔件附接(例如，焊接等)到屏蔽件的在凹處之間的內表面之前的、分解上部立體圖；
[0019]圖3是圖1中所示的EMI屏蔽件的頂視圖，其中包括可以用于EMI屏蔽件的以毫米(英寸)為單位的示例尺寸；
[0020]圖4是圖1中所示的EMI屏蔽件的側視圖，其中包括可以用于EMI屏蔽件的以毫米(英寸)為單位的示例尺寸；
[0021 ]圖5是圖1中所示的EMI屏蔽件的端視圖；
[0022]圖6是沿著圖3中的線B-B截取的EMI屏蔽件的截面圖，其中包括可以用于EMI屏蔽件的以毫米(英寸)為單位的示例尺寸；
[0023]圖7例示了圖6中EMI屏蔽件的畫圓圈并標出A的部分，其中包括可以用于EMI屏蔽件的以毫米(英寸)為單位的示例尺寸；
[0024]圖8是圖1中所示的內壁或分隔件的在附接到屏蔽件的內表面之前的立體圖；
[0025]圖9是圖8中所示的內壁或分隔件的側視圖；
[0026]圖10是圖8中所示的內壁或分隔件的頂視圖，其中包括可以用于內壁或分隔件的以毫米(英寸)為單位的示例尺寸；
[0027]圖11是圖8中所示的內壁或分隔件的端視圖，其中包括可以用于內壁或分隔件的以毫米(英寸)為單位的示例尺寸；
[0028]圖12是示出了定位在印刷電路板(PCB)上的EMI屏蔽件的示例性實施方式的立體圖；
[0029]圖13是圖12中所示的EMI屏蔽件的立體截面圖，并且示出了屏蔽件下的PCB部件；
[0030]圖14例示了圖13中EMI屏蔽件和PCB的畫圓圈的部分，并且示出了位于EMI屏蔽件中的凹處內的PCB部件的頂部，因而，凹處增大屏蔽件下的空間，并為PCB部件提供較大的間距；
[0031]圖15是根據另一個示例性實施方式的具有增大的屏蔽件下空間的EMI屏蔽件的立體底面圖，其中，介電材料沿著凹處并在凹處內，并且介電材料在內壁或分隔件下面的凹處外部和凹處之間；
[0032]圖16是根據另一個示例性實施方式的具有增大的屏蔽件下空間的EMI屏蔽件的立體底面圖，示出了屏蔽件沿著凹處或在凹處內沒有任何介電材料并且在凹處之間沒有任何內壁或分隔件；以及
[0033]圖17是根據另一個示例性實施方式的EMI屏蔽件的立體底面圖，其中，介電材料沿著屏蔽件的蓋和側壁，但屏蔽件不包括內部布置介電材料的腔的任何凹處。
【具體實施方式】
[0034]現在將參照附圖更充分地描述示例實施方式。
[0035]這里所公開的是具有用于屏蔽件下的部件的增大的屏蔽件下空間和較大的間距的電磁(EMI)屏蔽件、屏蔽裝置或組件的示例性實施方式。在示例性實施方式中，EMI屏蔽件包括一個或更多個側壁和蓋。蓋的內表面和/或一個或更多個側壁中的至少一個的內表面可以包括一個或更多個凹進或多個凹進部(例如，凹處或腔等)。一個或更多個凹進部可以增大屏蔽件下空間并為屏蔽件下的部件提供較大的間距。例如，一個或更多個凹處或腔可以被蝕刻、壓花(emboss)、加工、鍛造等到屏蔽件的內表面中，或者可以沿著屏蔽件的內表面被蝕刻、壓花、加工、鍛造等。在示例性實施方式中，蓋包括相鄰或并排的兩個不連貫的凹處。兩個凹處彼此隔開，內壁或分隔件在兩個凹處中間。
[0036]介電材料(例如，介電涂層、電絕緣等)設置在屏蔽件的凹進部內和/或沿著屏蔽件的凹進部設置，以提供與屏蔽件下的部件的電隔離。介電材料還可以沿著屏蔽件的其它部分設置。例如，介電材料可以沿著屏蔽件的蓋和/或側壁的一個或更多個非凹進部設置。介電材料充當部件與上面具有介電材料的屏蔽件的部分之間的介質，以防止部件與制造屏蔽件的導電材料之間的直接接觸。由此，介電材料阻止或防止上面具有介電材料的屏蔽件的部分使在蓋下方容納的部件電短路。通過示例，介電涂層可以例如經由噴墨處理、打印噴嘴或其他合適的處理而淀積或分配在至少凹進部內。然后，介電涂層可以用紫外光等固化。在示例性實施方式中，介電涂層可以用Imm探頭頂端直徑(probe tip diameter)和100克重量在1000伏特提供大于4千兆歐姆的電阻。介電涂層可以能夠承受或經受住諸如至少260攝氏度的溫度(例如，300攝氏度、350攝氏度等)等的無鉛回流溫度。介電涂層可以包括聚合物的混合物，以丙烯酸酯聚合物作為主要組分，連同其他組分尿烷、聚酯和聚乙烯聚合物、光引發劑以及其他添加劑等。介電涂層在一些實施方式中可以僅沿著凹進部布置。在其他實施方式中，介電涂層還可以沿著凹進部以及在凹進部外部布置。例如，介電涂層可以沿著屏蔽件蓋和/或側壁的一個或更多個非凹進部布置。
[0037]參照附圖，圖1例示了根據本公開的方面的EMI屏蔽件100的示例性實施方式。EMI屏蔽件100包括蓋104(廣泛地，頂部或上表面)和從蓋104下垂(例如，附接到、一體連接等)的側壁108。側壁108被構造為總體上圍繞基板上的一個或更多個部件安裝到基板(例如，印刷電路板(PCB)等)，使得一個或更多個部件在屏蔽件100下和/或在由側壁108和蓋104合作限定的內部內或屏蔽外殼內。當屏蔽件100安裝(例如，焊接等)在基板上時，屏蔽件100可操作用于屏蔽在由側壁108和蓋104合作限定的內部內或屏蔽外殼內的一個或更多個部件。
[0038]蓋104包括內表面112(圖1)和外表面116(圖2)。如圖1和圖7所示，蓋的內表面112包括兩個不連貫的凹處或腔120(廣泛地，凹進部或凹進)。在該示例中，凹處120并排但用凹處120之間的間隔彼此隔開。凹處120可以通過從蓋104去除材料來形成，以從而減小凹處120的位置處的材料厚度。例如，圖7示出了凹處120因為材料的厚度從大約0.15mm(+/-
0.015mm)減小到大約0.08mm(+/-0.013mm)而具有0.07mm的深度。因此，蓋104根據位置而包括不同的厚度。例如，蓋104在凹處120之間的中間或中心部分處和沿著與側壁108相鄰的周邊邊緣具有大約0.15_的厚度。蓋104沿著凹處120具有0.08_的減小的厚度。
[0039]通過示例，凹處120可以通過蝕刻(例如，化學蝕刻、激光蝕刻等)一片、條、件或塊導電材料(例如，金屬、金屬合金等)來構建。或者，例如，凹處120可以經由諸如壓花、加工、鍛造等的另一個處理來構建。凹處120可以在用屏蔽件100的扁平樣式型材沖壓材料之前或之后構建。屏蔽件100的扁平樣式型材可以包括蓋104、側壁108以及安裝腳140。凹處120可以在折疊或彎曲沖壓后的材料以定位通常垂直于蓋104的側壁108之前或之后構建或形成在沖壓后的材料中。僅通過示例，示例性實施方式包括在沖壓金屬之前蝕刻到基板或扁平金屬中的凹處120。在該示例中，蝕刻處理可以包括將掩模應用于基板，然后僅去除將形成凹處的位置處的掩模，以從而將蝕刻的基板的區域露出。掩模可以例如經由激光燒蝕或對感光掩模的化學溶解來去除。然后可以引入蝕刻化學制品(例如，氯化鐵等)，以溶解所露出的金屬，并且在基板或扁平金屬中形成凹處。然后從基板去除剩余的掩模。另選的實施方式可以包括在其他位置(例如，在屏蔽件的側壁中等)處和/或經由諸如壓花、加工、鍛造等不同的方法或處理形成的一個或更多個凹處。因此，本公開的方面不限于用于構建或形成凹處的任一具體處理。
[0040]如圖1所示，介電材料124(例如，介電涂層、電絕緣等)設置在凹處120內和/或沿著凹處120設置。介電材料124被構造為提供與屏蔽件100下的部件的電隔離。介電材料124充當部件與蓋104之間的介質，以防止部件與制造蓋104的導電材料之間的直接接觸。由此，介電材料124阻止或防止蓋104使蓋104下方所容納的部件電短路。
[0041 ]通過示例，介電材料124可以包括經由噴墨處理、打印噴嘴等淀積或分布在至少凹處120內的介電涂層。另選地，介電涂層可以經由諸如移印、柔性版印刷、粉末涂覆等的其他處理來涂敷。介電涂層可以用紫外光來固化、熱固化等。在示例性實施方式中，介電涂層可以用Imm探頭頂端直徑和100克重在1000伏特提供大于4千兆歐姆的電阻。介電涂層可以能夠承受或經受住諸如260攝氏度或更高的溫度等的無鉛回流溫度。
[0042]在一些實施方式中，介電材料124可以包括一個或更多個填充物和/或添加物，以實現各種所期望的結果。例如，介電涂層可以包括導熱填充物，使得介電涂層還導熱并且可操作為熱接口材料。可以添加的其他填充物的示例包括顏料、增塑劑、加工助劑、阻燃劑、增量劑、增黏劑等。
[0043]如圖1、圖6以及圖7所示，屏蔽件100包括內壁、分隔件或隔離件128，其沿著蓋104的兩個凹處120之間的間隔或部分布置。圖2和圖8至圖10示出了附接(例如，焊接等)到屏蔽件100之前的內壁128。通過示例，內壁128可以在沒有任何凹處或沒有減小厚度等的位置處焊接(例如，激光焊接、電阻焊接等)到屏蔽件的蓋104的內表面。
[0044]內壁128因為內壁128與屏蔽件的蓋104和側壁108合作以限定兩個獨立的EMI屏蔽隔室而改善EMI隔離。當EMI屏蔽件100安裝(例如，粘合附接、焊接到焊盤等)到基板(例如，印刷電路板等)時，基板上的部件可以位于不同的隔室中，使得部件憑借阻止EMI進入各EMI屏蔽隔室和/或從EMI屏蔽隔室出去的EMI屏蔽隔室來提供EMI屏蔽。在其他示例性實施方式中，EMI屏蔽件可以不包括或者可以沒有內壁、分隔件或隔離件，使得EMI屏蔽件的側壁和蓋通常限定單個內空間或隔室。
[0045]如圖1和圖3所示，針對內壁128具有七個焊點132。在該示例中，焊點132包括具有小于Imm(例如，0.4mm等)的直徑的圓形區域。另選實施方式可以被不同地構造，諸如不同的內壁的附接法、不同的焊點(例如，非圓形焊點或區域、更大或更小的焊點或區域等)和/或與蓋一體的內壁等。
[0046]如圖1所示，介電材料124僅沿著凹處120布置。在其他實施方式中，介電材料還可以布置在凹處120外部。
[0047]如圖4和圖5所示，側壁108的下緣部包括安裝腳140。內壁128還包括安裝腳144。安裝腳140、144可以形成有雉堞(castelIat1n)(例如，有交替的缺口和突起等的形式)。安裝腳140、144優選地被構造為提供用于將側壁108和內壁128分別連接到基板(諸如如圖13和圖14所示上面具有部件252的PCB 248)的結構。例如，安裝腳140、144提供用于焊接到基板的區域。在這種實施方式中，缺口允許焊料圍繞用于將屏蔽件100固定到基板的突起流動。在其他實施方式中，安裝腳140、144可以嵌入到基板中的對應開口中以將屏蔽件100固定到基板。在更進一步的實施方式中，屏蔽件可以不包括沿著其下緣部的任何隔開的安裝腳。反而，屏蔽件可以包括各具有總體上連續的下緣部的側壁。另外，還可以采用除了焊接之外的另選手段來將屏蔽件100固定到基板。
[0048]雖然圖1至圖3例示了具有矩形形狀的屏蔽件100，但其他示例性實施方式也可以包括具有不同的構造(例如，圓形、三角形、不規則、其他非矩形形狀等)的屏蔽件。圖1還示出了并排且具有相同矩形形狀(例如，由四個側壁部等限定的)的兩個凹處120。其他示例性實施方式可以被不同地構造，諸如具有多于或少于兩個凹處(例如，單個凹處、三個凹處等)、具有彼此不同形狀的凹處、具有非矩形形狀(例如，圓形、三角形、不規則、其他非矩形形狀等)的凹處、和/或其他位置處(例如，側壁中等)的凹處。
[0049]圖3、圖4、圖6、圖7、圖10以及圖11提供了可以用于該示例性實施方式中的屏蔽件100的以毫米(英寸)為單位的示例尺寸。例如，屏蔽件100可以如圖3所示具有大約30_的長度和大約18mm的寬度。屏蔽件100可以小于大約一毫米(mm)高。例如，屏蔽件100的外部總高度可以如圖4所示為大約0.87mm。介電涂層可以僅沿著凹處120布置和/或與屏蔽件的側壁108隔開大約0.25毫米(mm)或更多。介電涂層可以具有大約15微米的厚度。介電涂層的表面可以位于屏蔽件100的內部表面下方大約50微米。如圖7所示，凹處可以為大約0.07mm深，并且屏蔽件的側壁和蓋104沒有凹處120的部分可以為大約0.15mm厚。如圖10和圖11所示，內壁128可以具有大約16.5mm的長度、大約0.15mm(+/-0.015mm)的厚度、大約0.72mm的高度以及大約1.2mm的寬度。該申請和附圖中所設置的尺寸僅用于例示的目的，這是因為其他示例性實施方式可以具有不同的構造，諸如不同的大小(例如，更大或更小)和/或不同的形狀(例如，非矩形等)等。
[°°50]圖12、圖13以及圖14例示了具有屏蔽件200下的增大的屏蔽件下空間和/或更大的部件間距的板級屏蔽件(BLS)200的示例性實施方式。屏蔽件200包括蓋204、側壁208以及內壁228ο蓋204包括內部可以定位介電材料的凹處或腔220(廣泛地，凹進或凹進部)。如圖13和圖14例示，BLS 200安裝(例如:安放、附接、焊接等)到印刷電路板(PCB) 248 (廣泛地，基板)，使得PCB部件252(圖13)在屏蔽件200下方。圖14示出了隨著PCB部件252的頂部延伸在蓋204與側壁208相鄰的部分上方而由凹處220提供的附加屏蔽件下間距。
[0051]圖15例示了具有屏蔽件300下的增大的屏蔽件下空間和/或更大的部件間距的屏蔽件300的另一個示例性實施方式。屏蔽件300包括蓋304、側壁308以及內壁328。內壁328可以在焊點332處焊接到蓋304。蓋304包括凹處或腔320(廣泛地，凹進或凹進部)。介電材料324(例如，介電涂層、電絕緣等)設置在凹處320(廣泛地，凹進或凹進部)內和/或沿著凹處320(廣泛地，凹處或凹進部)設置。介電材料324還可以布置在凹處320外部，例如，沿著凹處320之間的蓋304等。
[0052]圖16例示了具有屏蔽件400下的增大的屏蔽件下空間和/或更大的部件間距的屏蔽件400的示例性實施方式。屏蔽件400包括蓋404和側壁408。蓋404包括凹處或腔420(廣泛地，凹進或凹進部)。雖然圖16中未示出，但介電材料也可以沿著凹處420定位和/或位于凹處420內。圖16中示出了沒有任何內壁的屏蔽件400，但其他實施方式可以例如在凹處420之間等包括一個或更多個內壁、分隔件或隔離件。
[0053]圖17例示了屏蔽件500的另一個示例性實施方式。屏蔽件500包括蓋504和側壁508。介電材料524(例如，介電涂層、電絕緣等)沿著屏蔽件的蓋504和側壁508的部分設置。在該示例中，屏蔽件500不包括內部布置介電材料524的任何凹進部、凹處或腔。反而，介電材料524沿著屏蔽件蓋504和/或側壁508的內表面(例如，非凹進部等)設置。
[0054]這里所公開的屏蔽件(例如，100、200、300、400、500等)可以由寬范圍的導電材料形成。例如，蓋(例如，104、204、304、404等)和側壁(例如，108、208、308、408等)可以由其他合適的導電材料中的金屬或金屬合金(諸如冷乳鋼(例如，鍍錫冷乳鋼等)、金屬片、不銹鋼、銅合金(例如，鍍錫銅合金等)、鎳銀合金(例如，鎳銀合金770等)、銅鎳合金、碳鋼、黃銅、紫銅、鋁、銅鈹合金、磷青銅、鋼及其合金等)形成。屏蔽件的側壁和/或蓋還可以由涂覆有導電材料的塑料材料形成。在一個示例性實施方式中，屏蔽件的側壁和蓋由具有大約0.15毫米厚度的鎳銀合金形成。這里所提供的材料和尺寸僅用于例示的目的，這是因為屏蔽件可以由不同的材料制造和/或例如根據具體應用(諸如要屏蔽件的電部件、整個電子設備內的空間考慮、EMI屏蔽和散熱需要以及其他因素等)而具有不同的尺寸。
[0055]這里所公開的屏蔽件(例如，100、200、300,400、500等)可以以各種方式設置有一個或更多個不同的介電材料。在一些示例性實施方式中，以下打印和UV固化處理可以被使用以將介電材料設置到屏蔽件(包括具有和不具有任何凹進部的屏蔽件)。例如，打印和UV固化處理可以被使用以沿著屏蔽件(例如，圖17中所示的屏蔽件500等)不包括任何凹進部、凹處或腔的蓋和/或側壁設置介電材料。在該示例中，介電材料可以沿著屏蔽件的蓋和/或側壁的內表面(例如，非凹進部等)設置。或者，例如，打印和UV固化處理可以被使用以沿著或在沿著屏蔽件的蓋和/或側壁的內表面的至少一個或更多個凹進部、凹處或腔內設置介電材料。因此，本公開的方面不應僅限于具有一個或更多個凹進部、凹處或腔的屏蔽件。這是因為一些示例性實施方式包括上面具有介電材料的屏蔽件，而屏蔽件不包括任何凹進部、凹處或腔，而其他實施方式包括上面具有介電材料的屏蔽件，但屏蔽件包括凹進部、凹處或腔。
[0056]在該示例性處理中，首先將零件沿使得要打印的表面(例如，屏蔽件的蓋和/或一個或更多個側壁的內表面等)面向上方的方位放置到夾具中。然后，將夾具放置到打印機中。啟動打印程序。丙烯酸酯聚合物流體通過液滴從打印噴嘴落到零件上來分配。利用壓電材料在灌注有丙烯酸酯聚合物流體的室中改變形狀而產生的壓力脈沖，液滴經由從打印噴嘴壓出。在打印流體落到零件上之后，打印機在打印處理循環期間借助紫外(UV)光敏作用和聚合作用將流體固化成固體。硬化過程基本是瞬間的，并且UV波長在該示例中在350至400納米范圍內。
[0057]與物理按壓或施加到屏蔽件上的模切聚酰亞胺標簽的傳統絕緣處理相比，本示例性打印和UV固化處理可以提供一個或更多個以下益處或優點:(I)簡化了處理且更好地符合基板輪廓，并且改善對基板的粘合力，特別是在改變輪廓上；(2)介電材料比典型的聚酰亞胺模切標簽薄；(3)將介電材料粘附到基板不向零件施加壓力；以及(4)可以經由軟件變化進行介電幾何結構的變化，而不需要改變工具。
[0058]與熱油墨相比，本示例性打印和UV固化處理可以提供一個或更多個以下益處或優點:(I)打印和UV固化處理沒有溶劑，由此減少或消除揮發性有機化合物(VOC)的排放；(2)不需要熱量來固化油墨，從而允許改善能耗；以及(3)因為沒有蒸發溶劑，所以邊緣清晰度更好，由此允許構建更小的細節。
[0059]根據各種方面，公開了具有用于屏蔽件下的一個或更多個部件的增大的屏蔽件下空間和/或更大的部件間距的EMI屏蔽件的示例性實施方式。在示例性實施方式中，屏蔽件通常包括沿著屏蔽件的內表面的一個或更多個凹進部。該一個或更多個凹進部可以沿著屏蔽件的蓋的內表面或上表面和/或沿著至少一個屏蔽件的一個或更多個側壁的內表面。介電材料在至少一個或更多個凹進部內沿著屏蔽件的內表面。介電材料還可以沿著屏蔽件的一個或更多個非凹進部。一個或更多個凹進部可以為屏蔽件下的一個或更多個部件提供增大的屏蔽件下空間和/或較大的間距。當一個或更多個部件在屏蔽件下時，介電材料可以阻止一個或更多個凹進部直接接觸一個或更多個部件和阻止使一個或更多個部件電短路。
[0060]在示例性實施方式中，介電涂層可以在蓋的一個或更多個凹進部內沿著蓋的內表面。介電涂層可以(例如，經由噴墨處理、打印噴頭、其他合適的處理等)淀積或分配，然后用紫外光固化。一個或更多個凹進部可以包括蝕刻、壓花、加工、鍛造等到蓋中的一個或更多個凹處或腔。蓋在一個或更多個凹進部處的厚度可以小于蓋沿著蓋的周邊的厚度。一個或更多個凹進部可以具有通過去除制造蓋的材料的一部分而限定的減小的厚度。一個或更多個凹進部可以包括彼此隔開并經由蓋的較厚部分分開的兩個不連貫的凹處。
[0061]—個或更多個側壁可以從蓋下垂且被構造為用于總體上圍繞基板上的一個或更多個部件安裝到基板。內壁可以在兩個不連貫的凹處之間。內壁、蓋以及一個或更多個側壁可以合作限定多個獨立的EMI屏蔽隔室，使得基板上的不同部件可位于不同的隔室中，并且借助EMI屏蔽隔室阻止EMI進入到各EMI屏蔽隔室中和/或從各EMI屏蔽隔室出去來提供EMI屏蔽。屏蔽件的蓋和一個或更多個側壁可以由單件導電材料一體形成以具有整體或單件構造。
[0062]還公開了與制造EMI屏蔽件有關的方法的示例性實施方式。在示例性實施方式中，一種方法通常包括以下步驟:沿著具有一個或更多個凹進部的屏蔽件的內表面設置介電材料，使得介電材料在至少一個或更多個凹進部內。一個或更多個凹進部可以為屏蔽件下的一個或更多個部件提供增大的屏蔽件下空間和/或較大的間距。當一個或更多個部件在屏蔽件下時，介電材料可以阻止屏蔽件的一個或更多個凹進部直接接觸一個或更多個部件并阻止使一個或更多個部件電短路。
[0063]方法可以包括以下步驟:從屏蔽件去除材料，以沿著屏蔽件的內表面構建一個或更多個凹進部。介電材料可以通過在至少一個或更多個凹進部內沿著屏蔽件的內表面涂覆介電材料來設置。介電材料可以在至少一個或更多個凹進部內沿著屏蔽件的內表面淀積或分配，然后介電材料可以用紫外光固化。
[0064]方法可以包括以下步驟:將扁平樣式局部型材沖壓成一件材料，因而，扁平樣式局部型材包括屏蔽件的蓋和一個或更多個側壁，然后在沖壓后的一件材料中構建一個或更多個凹進部。方法還可以包括以下步驟:例如通過彎曲、折疊或拉拔限定一個或更多個側壁的、沖壓后的一件材料的部分，在沖壓后的一件材料中構建一個或更多個凹進部之前或之后對沖壓后的一件材料成型。方法可以另外包括以下步驟:將內壁焊接到蓋的內表面。屏蔽件的內壁、蓋以及一個或更多個側壁可以合作限定多個獨立的EMI屏蔽件隔室，使得基板上的不同部件可位于不同的隔室中，并且借助EMI屏蔽隔室阻止EMI進入到各EMI屏蔽隔室中和/或從各EMI屏蔽隔室出去來提供EMI屏蔽。同樣地，方法可以包括以下步驟:由單件導電材料一體形成屏蔽件的蓋和一個或更多個側壁，使得蓋和一個或更多個側壁具有整體或單件構造。方法可以包括以下步驟:從屏蔽件去除材料，這減小屏蔽件的厚度并在一個或更多個凹進部處提供多達80%的材料厚度減小。
[0065]還公開了與為基板上的一個或更多個部件提供屏蔽有關的方法的示例性實施方式。在示例性實施方式中，一種方法通常包括以下步驟:將屏蔽件安裝到基板，使得一個或更多個部件布置在沿著屏蔽件的內表面的一個或更多個凹進部下方。介電材料在至少一個或更多個凹進部內。一個或更多個凹進部為屏蔽件下的一個或更多個部件提供增大的屏蔽件下空間和/或較大的間距。介電材料阻止屏蔽件的一個或更多個凹進部直接接觸屏蔽件下的一個或更多個部件并阻止使屏蔽件下的一個或更多個部件電短路。
[0066]在示例性實施方式中，EMI屏蔽件包括蓋、頂部或上表面以及一個或更多個側壁。一個或更多個側壁可以包括單個側壁，可以包括彼此分離或獨立的多個側壁，或者可以包括作為單件EMI屏蔽件的一體零件的多個側壁等。
[0067]在示例性實施方式中，EMI屏蔽件的蓋或上表面和一個或更多個側壁可以由單件導電材料一體形成(例如，沖壓、彎曲、折疊等)以具有整體構造。屏蔽件的蓋或上表面可以與側壁一體形成，使得側壁相對于蓋或上表面向下垂。在其他示例性實施方式中，EMI屏蔽件的蓋或上表面可以單獨且不與側壁一體制造。在一些實施方式中，EMI屏蔽件可以包括內部屏蔽件的蓋或頂蓋可從側壁去除并可再次附接到側壁的雙片屏蔽件。
[0068]在一些示例性實施方式中，EMI屏蔽件可以包括附接到EMI屏蔽件和/或與EMI屏蔽件一體形成的一個或更多個內壁、分隔件或隔離件。在這種實施方式中，屏蔽件的蓋、側壁以及內壁可以合作限定多個獨立的EMI屏蔽件隔室。當EMI屏蔽件安裝(例如，粘合附接、焊接到焊盤等)到基板(例如，印刷電路板等)時，基板上的部件可以位于不同的隔室中，使得部件借助EMI屏蔽隔室阻止EMI進入到各EMI屏蔽件隔室中和/或從各EMI屏蔽隔室出去來提供EMI屏蔽。在其他示例性實施方式中，EMI屏蔽件可以不包括或者可以沒有內壁、分隔件或隔離件，使得EMI屏蔽件的側壁和蓋通常限定單個內部空間或隔室。
[0069]在一些示例性實施方式中，EMI屏蔽件的蓋或上表面可以包括通常扁平的、平面的和/或中心的拾取表面，該拾取表面被構造為在用拾取放置設備(例如，真空拾取放置設備等)處理EMI屏蔽件時使用。拾取表面可以被構造為用作可以在例如屏蔽件的制造和/或屏蔽件安裝到PCB期間由用于處理的拾取放置設備抓住或者施加吸取的拾取區域。拾取表面的中心位置可以考慮到處理期間屏蔽件的平衡操縱。在其他示例性實施方式中，EMI屏蔽件可以例如在中心處和/或沿著除了位于中心的拾取表面之外或代替位于中心的拾取表面用作拾取表面的側邊具有標簽。
[0070]在一些示例性實施方式中，EMI屏蔽件的蓋或上表面可以包括一個或更多個孔隙或孔，這可以促進屏蔽件內部的焊料回流加熱和/或使屏蔽件下的部件的冷卻能夠進行和/或允許屏蔽件下面的部件的目檢。在這些示例性實施方式中的一些中，孔可以足夠小，以阻止干擾EMI的通過。孔的具體數量、大小、形狀、方位等可以根據例如具體應用(例如，更靈敏電路可能需要使用更小直徑孔的電子靈敏性等)而不同。仍然在其他示例性實施方式中，屏蔽件可以包括不具有任何這種孔的蓋或上表面。
[0071]這里所公開的示例性實施方式可以提供優于一些現有板級EMI屏蔽件的一個或更多個(但不必是任一或全部)以下優點。例如，這里所公開的示例性實施方式與標準制造的屏蔽件相比，可以提供類似或更大的屏蔽件下的部件間距。其他途徑包括焊接到BLS框的薄箔頂部。這里所公開的示例性實施方式與內部箔焊接到框架的傳統BLS相比，允許更少的焊接和零件處理。但是箔由于大量的焊接點而難以處理、對齊并焊接到框架。其他途徑使用粘合蓋代替箔。但是粘合劑可能分層并產生處理問題或EMI泄漏問題。這里所公開的示例性實施方式還具有優秀的耐濕性、耐鹽浸性以及耐鹽霧試驗性。在這里所公開的一些示例性實施方式中，高精度(例如，小于0.05mm XY大小公差等)地執行薄規格精確金屬沖壓。凹處或腔可以構建在薄規格金屬(例如，具有大約0.15mm厚度的金屬片等)中。例如，凹處或腔可以通過(例如，經由蝕刻、加工等)去除材料，使得對于內部凹處構建有多達80 %的材料厚度減小來構建。凹處或腔為添加物(諸如熱接口材料、介電材料、電絕緣、其組合等)提供更大的PCB部件間距并還容納增大的空間。凹進部、凹處或腔可以基于將位于屏蔽件下的獨立部件的高度和位置，以各種深度放置和/或放置在不同的位置處。用于構建這里所公開的EMI屏蔽件的處理可以提供匹配高容量電子制造的特征和/或允許規模和經濟性匹配高容量電子制造。
[0072]這里所公開的示例性實施方式包括一個或更多個凹進部(例如，凹處或腔等)，該一個或更多個凹進部提供增大的屏蔽件下空間和/或屏蔽件下更大的部件間距，使得可以使用更低的型材或更短的屏蔽件。這能夠使得隨著裝到更緊空間需求的多功能部件的增加而更細長且更輕的電子設備越來越小型化。因此，這里所公開的示例性實施方式可以考慮到更密集電子組件的減小或最小化后的整體電路組件堆積高度、具有改善的美觀和品牌形象的更薄的設備、具有多功能特性的其他材料的BLS集成以及更多經濟電子部件大小的容納。
[0073]提供示例實施方式，使得本公開透徹，并將范圍充分傳達給本領域技術人員。闡述大量的具體細節(諸如具體部件、設備以及方法的示例)，以提供本公開的實施方式的透徹理解。對本領域技術人員顯而易見的是，不必采用具體細節，示例實施方式可以以許多不同形式來實施，且示例實施方式不應解釋為限制公開的范圍。在一些示例實施方式中，不詳細描述公知的處理、公知的設備結構以及公知的技術。另外，可以憑借本公開的一個或更多個示例性實施方式實現的優點和改進僅是為了例示的目的而提供的，并且不限制本公開的范圍，這是因為這里所公開的示例性實施方式可以提供所有上述優點和改進或都不提供，并且仍然落在本公開的范圍內。
[0074]這里所公開的具體尺寸、具體材料和/或具體形狀實質上是示例，并且不限制本公開的范圍。這里公開的給定參數的具體值和值的具體范圍不排除可以在這里所公開的一個或更多個示例中有用的其他值和值的范圍。而且，預想，這里所描述的具體參數的任意兩個具體值可以限定可適合于給定參數的值的范圍的端點(即，給定參數的第一值和第二值的公開可以解釋為公開第一值與第二值之間的任意值還可以用于給定參數)。例如，如果參數X在這里被例示為具有值A且還被例示為具有值Z，則預想，參數X可以具有從大約A至大約Z的值的范圍。類似地，預想用于參數的兩個或更多個范圍的值的公開(這種范圍是否嵌入、交疊或清楚)使用所公開范圍的端點來將可能要求的值的范圍的所有可能組合包含在內。例如，如果參數X在這里例示為具有1-10或2-9或3-8范圍內的值，則還預想，參數X可以具有包括 1-9、1-8、1-3、1-2、2-10、2-8、2-3、3-10 以及 3-9 的值的其他范圍。
[0075]這里所使用的術語僅是用于描述具體示例實施方式的目的，并且不旨在限制。如這里所使用的，單數形式“一個”以及“所述”可以旨在也包括復數形式，除非上下文明確指示。術語“包括”、“包含”以及“具有”可兼用，因此指定所描述特征、整數、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或更多個其他特征、整數、步驟、操作、元件、部件和/或其群組的存在或添加。這里所描述的方法步驟、處理以及操作不被解釋為必須要求按所討論或例示的具體順序執行，除非被特別識別為執行順序。還要理解的是，可以采用另外或另選的步驟。
[0076]當元件或層被提及在另一個元件或層“上”或“嚙合到”、“連接到”或“耦合到”另一個元件或層時，該元件或層可以直接在另一個元件或層上或可以直接嚙合、連接或耦合到另一個元件或層，或者可存在介入元件或層。與此相反，當元件被提及直接在另一個元件或層“上”或“直接嚙合到”、“直接連接到”或“直接耦合到”另一個元件或層時，可以不存在介入元件或層。用于描述元件之間的關系的其他詞匯應以同樣的樣式來解釋(例如，“在……之間”對“直接在……之間”、“相鄰”對“直接相鄰”等)。如這里所使用的，術語“和/或”包括一個或更多個關聯的列出項的任一和所有組合。
[0077]術語“大約”在應用于數值時指示計算或測量允許數值的某一輕微的不精確(與數值的精確具有某一近似值;大約或相當接近于數值;差不多)。如果“大約”所提供的不精確由于某一原因而在本領域中不以該通常意義來理解，那么這里所使用的“大約”至少指示可能由測量或使用這種參數的通常方法引起的變化。例如，術語“通常”、“大約”以及“大致”在這里可以用于意味著在制造公差范圍內。例如，公差對于設置到三個小數位的尺寸(X.XXX)可以是+/-0.1mm，公差對于設置到兩個小數位的尺寸(X.XX)可以是+/-0.2mm，并且公差對于設置到一個小數位的尺寸(X.X)可以是+/-0.4mm。角公差對于設置到一個小數位的角尺寸(X.X°)可以是+/-1.0度，并且對于設置為沒有任何小數位的角尺寸(X°)可以是+/-3.0度。不論是否由術語“大約”修改，權利要求都包括數量的等同物。
[0078]雖然術語第一、第二、第三等在這里可以用于描述各種元件、部件、區域、層和/或部分，但這些元件、部件、區域、層和/或部分不應受這些術語限制。這些術語可以僅用于區分一個元件、部件、區域、層或部分與另一個區域、層或部分。諸如“第一”、“第二”以及其他數字術語等術語在使用時不暗示次序或順序，除非由上下文明確指示。由此，下面所討論的第一元件、部件、區域、層或部分可以在不偏離示例實施方式的示教的情況下，被稱為第二元件、部件、區域、層或部分。
[0079]為了便于描述，諸如“內部的”、“外部的”、“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”等的空間相關術語在這里可以用于描述如附圖中所例示的一個元件或特征與另一個元件或特征的關系。空間相關術語可以旨在除了附圖中所描繪的方位之外還包含設備使用或操作時的不同方位。例如，如果翻轉附圖中的設備，那么被描述為在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件將被定向為在其他元件或特征“上方”。由此，示例術語“在……下方”可以包含在上方和在下方這兩者的方位。設備以其他方式被定向(旋轉90度或在其他方位)，并且相應地解釋這里所使用的空間相關描述符。
[0080]對實施方式的上述說明是為了例示和說明的目的而提供的。并非旨在對本公開進行窮盡，或者限制。【具體實施方式】的獨立元件、所預期或所描述的用途或特征通常不限于該【具體實施方式】，而在適用情況下可互換，并且可用于所選實施方式中(即使沒有具體示出或描述)。實施方式還可以以許多方式來改變。這種變型例不被認為偏離公開，并且所有這種修改例旨在包括在公開的范圍內。
[0081]相關申請的交叉引用
[0082]本專利申請要求2015年I月30日提交的美國第62/109725號臨時專利申請和2015年4月27日提交的美國第14/696974號非臨時專利申請的權益和優先權。此處以引證的方式將上述申請的整個公開并入。
【主權項】
1.一種適于在為基板上的一個或更多個部件提供電磁干擾EMI屏蔽時使用的屏蔽件，該屏蔽件包括: 一個或更多個凹進部，該一個或更多個凹進部沿著所述屏蔽件的內表面，因而所述一個或更多個凹進部為所述屏蔽件下的一個或更多個部件提供增大的屏蔽件下空間和/或較大的間距;和 介電材料，該介電材料在至少所述一個或更多個凹進部內沿著所述屏蔽件的所述內表面，因而當一個或更多個部件在所述屏蔽件下時，所述介電材料阻止所述一個或更多個凹進部直接接觸所述一個或更多個部件和阻止使所述一個或更多個部件電短路。2.根據權利要求1所述的屏蔽件，其中，所述介電材料包括介電涂層，該介電涂層在至少所述一個或更多個凹進部內沿著所述屏蔽件的所述內表面，使得當一個或更多個部件在所述屏蔽件下時，所述介電涂層防止所述一個或更多個凹進部直接接觸所述一個或更多個部件和防止使所述一個或更多個部件電短路。3.根據權利要求2所述的屏蔽件，其中， 所述屏蔽件包括沿著所述屏蔽件的所述內表面的一個或更多個非凹進部;并且 所述介電涂層沿著所述屏蔽件的所述一個或更多個非凹進部中的至少一個。4.根據權利要求1所述的屏蔽件，其中， 所述屏蔽件包括蓋和一個或更多個側壁，該一個或更多個側壁從所述蓋下垂且被構造為用于圍繞所述基板上的所述一個或更多個部件安裝到所述基板;并且 所述一個或更多個凹進部沿著所述蓋的內表面和/或所述一個或更多個側壁中的至少一個的內表面。5.根據權利要求4所述的屏蔽件，其中， 所述一個或更多個凹進部沿著所述蓋的所述內表面;并且 所述蓋在所述一個或更多個凹進部處的厚度小于所述蓋沿著所述蓋的周邊的厚度，從而為所述一個或更多個凹進部下方的部件提供增大的空間和較大的間距。6.根據權利要求4所述的屏蔽件，其中，所述一個或更多個凹進部包括由所述蓋的較厚部分分開的多個不連貫的凹處。7.根據權利要求6所述的屏蔽件，所述屏蔽件還包括: 內壁，該內壁在所述多個不連貫的凹處中的至少兩個之間； 其中，所述內壁、所述蓋以及所述一個或更多個側壁合作限定多個獨立的EMI屏蔽隔室，使得所述基板上的不同部件能被定位在不同的EMI屏蔽隔室中并且借助所述EMI屏蔽隔室阻止EMI進入到各EMI屏蔽隔室中和/或從各EMI屏蔽隔室出去來提供EMI屏蔽。8.根據權利要求4所述的屏蔽件，其中，所述蓋和所述一個或更多個側壁由單件導電材料一體形成以具有整體或單件構造。9.根據權利要求1所述的屏蔽件，其中， 所述屏蔽件包括蓋和一個或更多個側壁，該一個或更多個側壁從所述蓋下垂且被構造為用于圍繞所述基板上的所述一個或更多個部件安裝到所述基板;并且 所述一個或更多個凹進部包括沿著所述蓋的內表面和/或所述一個或更多個側壁中的至少一個的內表面蝕刻的一個或更多個凹處。10.根據權利要求1至9中任一項所述的屏蔽件，其中，所述一個或更多個凹進部具有通過去除制造所述屏蔽件的材料的一部分而限定的減小的厚度，使得所述減小的厚度為所述一個或更多個凹進部下方的部件提供增大的空間和/或較大的間距。11.一種制造包括具有內表面的蓋的電磁干擾EMI屏蔽件的方法，該方法包括以下步驟:沿著具有一個或更多個凹進部的所述屏蔽件的內表面設置介電材料，使得所述介電材料在至少所述一個或更多個凹進部內，因而所述一個或更多個凹進部為所述屏蔽件下的一個或更多個部件提供增大的屏蔽件下空間和/或較大的間距，并且因而當所述一個或更多個部件在所述屏蔽件下時，所述介電材料阻止所述屏蔽件的所述一個或更多個凹進部直接接觸所述一個或更多個部件和阻止使所述一個或更多個部件電短路。12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述方法包括以下步驟:從所述屏蔽件去除材料，以沿著所述屏蔽件的所述內表面構建所述一個或更多個凹進部。13.根據權利要求12所述的方法，其中，去除材料的步驟包括蝕刻所述屏蔽件，以構建所述一個或更多個凹進部。14.根據權利要求11所述的方法，其中，設置介電材料的步驟包括在至少所述一個或更多個凹進部內沿著所述屏蔽件的所述內表面設置介電涂層，使得當所述一個或更多個部件在所述屏蔽件下時，所述介電涂層防止所述一個或更多個凹進部直接接觸所述一個或更多個部件和防止使所述一個或更多個部件電短路。15.根據權利要求11所述的方法，其中，設置介電材料的步驟包括在至少所述一個或更多個凹進部內沿著所述屏蔽件的所述內表面淀積介電材料，然后用紫外光固化所述介電材料。16.根據權利要求11所述的方法，所述方法還包括以下步驟: 將扁平樣式局部型材沖壓成一件材料，因而所述扁平樣式局部型材包括所述屏蔽件的蓋和一個或更多個側壁； 在沖壓后的所述一件材料中構建所述一個或更多個凹進部；以及 通過彎曲、折疊或拉拔限定所述一個或更多個側壁的、沖壓后的所述一件材料的部分，在構建所述一個或更多個凹進部之前或之后對沖壓后的所述一件材料成型。17.根據權利要求11所述的方法，其中， 所述屏蔽件包括蓋和從所述蓋下垂的一個或更多個側壁； 所述一個或更多個凹進部沿著所述蓋的內表面和/或所述一個或更多個側壁中的至少一個的內表面;并且 所述方法還包括以下步驟:將內壁焊接到所述蓋的所述內表面，其中，所述屏蔽件的所述內壁、所述蓋以及一個或更多個側壁合作限定多個獨立的EMI屏蔽隔室，使得基板上的不同部件能被定位在不同的EMI屏蔽隔室中并且借助所述EMI屏蔽隔室阻止EMI進入到各EMI屏蔽隔室中和/或從各EMI屏蔽隔室出去來提供EMI屏蔽。18.根據權利要求11至17中任一項所述的方法，所述方法還包括以下步驟:從所述屏蔽件去除材料，以構建所述一個或更多個凹進部，因而材料去除的步驟減小所述屏蔽件的厚度并在所述一個或更多個凹進部處提供多達80 %的材料厚度減小。19.一種與為基板上的一個或更多個部件提供屏蔽有關的方法，該方法包括以下步驟:將屏蔽件安裝到所述基板，使得所述一個或更多個部件布置在沿著所述屏蔽件的內表面的一個或更多個凹進部下方，其中，介電材料在至少所述一個或更多個凹進部內沿著所述屏蔽件的所述內表面，因而所述一個或更多個凹進部為所述屏蔽件下的所述一個或更多個部件提供增大的屏蔽件下空間和/或較大的間距，并且因而所述介電材料阻止所述屏蔽件的所述一個或更多個凹進部直接接觸所述屏蔽件下的所述一個或更多個部件和阻止使所述屏蔽件下的所述一個或更多個部件電短路。20.—種方法，該方法包括以下步驟:沿著電磁干擾EMI屏蔽件的一部分設置可紫外UV固化介電材料；以及通過暴露于UV來使所述可紫外UV固化介電材料固化，因而UV固化后的介電材料阻止所述EMI屏蔽件的所述一部分直接接觸一個或更多個部件和阻止使一個或更多個部件電短路。21.根據權利要求20所述的方法，其中， 設置所述可UV固化介電材料的步驟包括將丙烯酸酯聚合物流體從噴嘴分配到所述EMI屏蔽件的所述一部分上;并且 固化所述可UV固化介電材料的步驟包括借助UV光敏作用和聚合作用將所述丙烯酸酯聚合物流體固化成固體。22.根據權利要求20所述的方法，其中， 設置所述可UV固化介電材料的步驟包括將丙烯酸酯聚合物流體從打印噴嘴分配到所述EMI屏蔽件的所述一部分上，其中，利用壓電材料在灌注有丙烯酸酯聚合物流體的室中改變形狀而產生的壓力脈沖，所述丙烯酸酯聚合物流體從所述打印噴嘴壓出;并且 固化所述可UV固化介電材料的步驟包括在打印處理循環期間借助UV光敏作用和聚合作用將所述丙稀酸酯聚合物流體固化成固體，其中，UV波長在350至400納米范圍內。23.根據權利要求20所述的方法，其中，所述屏蔽件的所述一部分包括沿著所述屏蔽件的內表面的一個或更多個凹進部，使得UV固化后的介電材料在所述屏蔽件的至少所述一個或更多個凹進部內，因而當一個或更多個部件在所述屏蔽件下時，所述UV固化后的介電材料防止所述一個或更多個凹進部直接接觸所述一個或更多個部件和防止使所述一個或更多個部件電短路。24.根據權利要求20至23中任一項所述的方法，其中， 所述屏蔽件包括蓋和一個或更多個側壁，該一個或更多個側壁從所述蓋下垂且被構造為用于圍繞所述基板上的所述一個或更多個部件安裝到所述基板;并且 設置所述可UV固化介電材料的步驟包括沿著所述蓋的內表面和/或所述一個或更多個側壁中的至少一個的內表面設置所述可UV固化介電材料。
【文檔編號】H05K9/00GK105848459SQ201610068728
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年1月29日
【發明人】G·R·英格利史, 約瑟夫·C·博埃托, 菲利普·范哈斯特爾
【申請人】萊爾德電子材料（上海）有限公司