專利名稱：電路連接材料、使用其的薄膜狀電路連接材料、電路構件的連接構造及其制造方法
技術領域：
本發明涉及電路連接材料、使用該材料的薄膜狀電路連接材料、電路構件的連接 構造及其制造方法。
背景技術：
在液晶顯示用玻璃面板上，通過COG(Chip-On-Glass)構裝或COF(Chip-On-Flex) 構裝等而構裝液晶驅動用IC。在COG構裝中，使用包含導電粒子的電路連接材料而將液晶 驅動用IC直接接合于玻璃面板上。在COF構裝中，在具有金屬配線的可撓帶(Flexible Tape)上接合液晶驅動用IC，使用含有導電粒子的電路連接材料而將這些接合于玻璃面 板。然而，伴隨近年的液晶顯示的高精細化，作為液晶驅動用IC的電路電極的金凸塊 (gold bump)狹間距(pitch)化、狹面積化，所以存在像電路連接材料中的導電粒子流出于 相鄰的電路電極間，使短路產生的問題。另外，在相鄰的電路電極間導電粒子流出，則存在 像被捕捉于金凸塊與玻璃面板之間的電路連接材料中的導電粒子數減少，對向的電路電極 間的連接電阻上升而產生連接不良的問題。于是，作為解決這些問題的方法，開發以于電路連接材料的至少一面形成絕緣性 的粘著層，防止在COG構裝或COF構裝中的接合品質下降的方法(例如參照日本專利文獻 1)、或將導電粒子的整個表面以絕緣性的皮膜被覆的方法(例如參照日本專利文獻2)。日本專利文獻1 日本特開平8-279371號公報日本專利文獻2 日本特許第2794009號公報(圖2)

發明內容
然而，以于電路連接構件的一面形成絕緣性的粘著層的方法，在凸塊面積為低于 3000 μ m2，為了得到穩定的連接電阻而增加導電粒子數的情況，關于相鄰電路電極間的絕 緣性還有改良的余地。另外，以將導電粒子的整個表面以絕緣性的皮膜被覆的方法，有對向 的電路電極間的連接電阻上升，不能得到穩定的電阻的問題。因此，本發明的目的為提供可充分的減低對向的電路電極間的連接電阻，而且， 在相鄰的電路電極間可充分的提高絕緣性的電路連接材料、使用這些的薄膜狀電路連接材 料、電路構件的連接構造及其制造方法。為了解決上述的課題，本發明的電路連接材料是為了將于第一電路基板的主面上 形成多個第一電路電極的第一電路構件、和于第二電路基板的主面上形成多個第二電路電極的第二電路構件，以使第一及第二電路電極對向的狀態而連接的電路連接材料，含有粘 合劑組合物、及導電粒子的部分表面通過絕緣性微粒子而被覆的被覆粒子，絕緣性微粒子 的質量為導電粒子的質量的2/1000 26/1000。使此電路連接材料，存在于第一及第二電路構件之間，經由第一及第二電路構件 而加熱及加壓、固化處理，得到電路構件的連接構造、和于得到的電路構件的連接構造，對 向的電路電極間的連接電阻充分的被降低，同時充分地提高相鄰的電路電極間的絕緣性。在此，若絕緣性微粒子的質量低于導電粒子的質量的2/1000，則導電粒子變為不 能通過絕緣性微粒子而充分的被覆。因此，相鄰的電路電極間的絕緣性，亦即于電路基板 的面方向的絕緣性變為不充分。一方面，若絕緣性微粒子的質量超過導電粒子的質量的 26/1000，則絕緣性微粒子變為過剩的被覆導電粒子。因此，導電粒子即使連接對向的電路 電極相互間，亦增大電路基板的厚度方向的連接電阻。另外，本發明的電路連接材料是為了將于第一電路基板的主面上形成多個第一電 路電極的第一電路構件、和于第二電路基板的主面上形成多個第二電路電極的第二電路構 件，以使第一及第二電路電極對向的狀態而連接的電路連接材料，含有粘合劑組合物、及導 電粒子的部分表面通過絕緣性微粒子而被覆的被覆粒子，導電粒子為具有由高分子化合物 構成的核體，絕緣性微粒子的質量為核體質量的7/1000 86/1000。使此電路連接材料，存在于第一及第二電路構件之間，經由第一及第二電路構件 而加熱及加壓、固化處理，得到電路構件的連接構造、和于得到的電路構件的連接構造，對 向的電路電極間的連接電阻充分的被降低，同時充分地提高相鄰的電路電極間的絕緣性。在此，若絕緣性微粒子的質量低于核體的質量的7/1000，則導電粒子變為不能通 過絕緣性微粒子而充分的被被覆。因此，相鄰的電路電極間的絕緣性，亦即于電路基板的面 方向的絕緣性變為不充分。一方面，若絕緣性微粒子的質量超過核體的質量的86/1000，則 絕緣性微粒子變為過剩的被覆導電粒子。因此，導電粒子即使連接對向的電路電極相互間， 亦增大在電路基板的厚度方向上的連接電阻。另外，本發明的電路連接材料是為了將于第一電路基板的主面上形成多個第一電 路電極的第一電路構件、和于第二電路基板的主面上形成多個第二電路電極的第二電路構 件，以第一及第二電路電極對向的方式連接的電路連接材料，含有粘合劑組合物、及導電粒 子的部分表面通過絕緣性微粒子而被覆的被覆粒子，被覆粒子的比重為導電粒子的比重的 97/100 99/100。使此電路連接材料，存在于第一及第二電路構件之間，經由第一及第二電路構件 而加熱及加壓、固化處理，得到電路構件的連接構造、和于得到的電路構件的連接構造，對 向的電路電極間的連接電阻充分的被降低，同時充分地提高相鄰的電路電極間的絕緣性。在此，若被覆粒子的比重低于導電粒子的比重的97/100，則絕緣性微粒子變為過 剩的被覆導電粒子。因此，導電粒子即使連接對向的電路電極相互間，亦增大在電路基板的 厚度方向上的連接電阻。一方面，若被覆粒子的比重超過導電粒子的比重的99/100，則導電 粒子變為不能通過絕緣性微粒子而充分的被被覆。因此，相鄰的電路電極間的絕緣性，亦即 于電路基板的面方向的絕緣性變為不充分。另外，在被覆粒子中，優選導電粒子的表面的5 60%通過絕緣性微粒子而被被覆。
若被覆導電粒子的表面低于5%，則因為導電粒子變為不能通過絕緣性微粒子而 充分的被被覆，比起在表面5%以上被被覆的情況，相鄰電路電極間的絕緣性，亦即于電路 基板的面方向的絕緣性變為不充分。一方面，若導電粒子的表面超過60%而被被覆，則因為 絕緣性微粒子過剩的被覆導電粒子，所以導電粒子即使連接對向的電路電極間，比起在被 覆表面60%以下的情況，增大在電路基板的厚度方向上的連接電阻。另外，優選絕緣性微粒子的平均粒徑為導電粒子的平均粒徑的1/40 1/10。如絕緣性微粒子的平均粒徑在上述范圍內，比起在平均粒徑脫離了該范圍的情 況，導電粒子的表面變為容易通過多數的絕緣性微粒子而被覆，若使用如此的電路連接材 料而制造電路構件的連接構造，則可更提高相鄰的電路電極間的絕緣性，亦即于電路基板 的面方向的絕緣性。另外，優選絕緣性微粒子是由自由基聚合性物質的聚合物構成。在此情況，因為絕 緣性微粒子變為容易附著于導電粒子的表面，所以若使用如此的電路連接材料而制造電路 構件的連接構造，則可更提高相鄰的電路電極間的絕緣性，亦即在電路基板的面方向上的 絕緣性。另外，粘合劑組合物優選含有自由基聚合性物質、和由加熱而產生游離自由基的 固化劑。通過包含如此的粘合劑組合物的電路連接材料，第一及第二電路構件在加熱時容 易被連接。另外，上述電路連接材料優選還含有由苯氧基(phenoxy)樹脂構成的薄膜形成材 料。由此，能夠將電路連接材料加工至薄膜狀。另外，電路連接材料難以產生破裂、破碎、或 發粘等的問題，變為容易操作電路連接材料。另外，優選苯氧基樹脂在分子內含有衍生于多環芳香族化合物的分子構造。由此， 可得在粘著性、相溶性、耐熱性、機械強度等方面優良的電路連接材料。另外，多環芳香族化合物優選為芴(Fluorene)。另外，本發明的薄膜狀電路連接材料是將本發明的電路連接材料形成為薄膜狀而 成。由此，電路連接材料難以產生破裂、破碎、或發粘等的問題，變為容易操作電路連接材 料。另外，本發明的電路構件的連接構造是具備于第一電路基板的主面上形成多個 第一電路電極的第一電路構件、和于第二電路基板的主面上形成多個第二電路電極的第二 電路構件、設置于第一電路基板的主面與第二電路基板的主面之間并且在使第一及第二電 路電極相互對向的狀態連接第一及第二電路構件相互間的電路連接構件的電路構件的連 接構造；電路連接構件是由本發明的電路連接材料的固化物構成，第一電路電極與第二電 路電極為經由被覆粒子而被電連接。在如此的電路構件的連接構造中，可充分降低對向的電路電極間的連接電阻，同 時充分提高相鄰的電路電極間的絕緣性。另外，在施加50V的直流電壓于相鄰的電路電極間的情況，優選相鄰的電路電極 間的電阻值為IO9 Ω以上。如通過如此的電路構件的連接構造，因為在其動作時相鄰的電路電極間的絕緣 性，亦即在電路基板的面方向的絕緣性為非常高，所以變為能充分防止相鄰的電路電極間 的短路。
另外，第一及第二電路構件之中至少一方優選是IC芯片(chip)。另外，優選第一電路電極與第二電路電極之間的連接電阻為1 Ω以下。以如此的 電路構件的連接構造可充分降低對向的電路電極間的連接電阻，亦即電路基板的厚度方向 的連接電阻。另外，對于上述電路構件的連接構造，優選第一及第二電路電極中至少一方具有 以從由金、銀、錫、鉬族的金屬及銦錫氧化物構成的組中選擇至少一種而構成的電極表面層。另外，對于上述電路構件的連接構造，優選第一及第二電路構件中至少一方具有 以從由氮化硅、硅氧化合物及聚酰亞胺樹脂構成的組中選擇至少一種而構成的基板表面 層。由此，比起在基板表面層為不以上述材料構成的情況，更提高電路構件與電路連接構件 的粘著強度。另外，本發明的電路構件的連接構造的制造方法，具備于第一電路基板的主面上 形成多個第一電路電極的第一電路構件、和于第二電路基板的主面上形成多個第二電路電 極的第二電路構件之間，在使第一電路電極與第二電路電極對向的狀態，使本發明的電路 連接材料被夾持存在的工序；以及通過加熱及加壓電路連接材料而使其固化的工序。如使用此制造方法，可充分降低對向的電路電極間的連接電阻，而且，可得相鄰的 電路電極間的絕緣性充分地提高的電路構件的連接構造如通過本發明，可提供于COG構裝或COF構裝中，在對向的電路電極間可得穩定 的低電阻的電連接，而且，在相鄰電路電極間可抑制短路產生率的電路連接材料；使用此的 薄膜狀電路連接材料；電路構件的連接構造及其制造方法。另外，如通過本發明，可提供即使對于相鄰的電路電極間亦即凸塊間距離狹窄的 驅動用IC，連接可靠性也高的電路連接材料；使用此的薄膜狀電路連接材料；電路構件的 連接構造及其制造方法。


圖1是表示本發明的電路構件的連接構造的一實施方式的剖面圖。圖2是表示使用于本發明的電路連接材料的被覆粒子的一例的剖面圖。圖3是表示本發明的薄膜狀電路連接材料的一實施方式的剖面圖。圖4是表示本發明的電路構件的連接構造的制造方法的一工序的剖面圖。圖5是表示為了求出本發明的實施例1、2及比較例2的質量比A的校正曲線 (calibration curve)的曲圖6是表示為了求出本發明的實施例1、2及比較例2的質量比B的校正曲線的曲 線圖。圖7是表示為了求出本發明的實施例3的質量比A的校正曲線的曲線圖。圖8是表示為了求出本發明的實施例3的質量比B的校正曲線的曲線圖。圖9是對于本發明的實施例3的被覆粒子C，通過熱分解氣相層析法(gas chromatography)測定的結果而得到的裂解色譜圖(pyrogram)。圖中10 電路構件的連接構造，20 電路構件(第一電路構件)，21 電路基板(第 一電路基板)，2Ia 主面，22 電路電極(第一電路電極)，24，34 電極表面層，30 電路構件(第二電路構件)，31 電路基板(第二電路基板)，31a:主面，32:電路電極(第二電路電 極)，35 基板表面層，50 被覆粒子，51 導電粒子，51x 核體，51y 外層，51a 表面，52 絕 緣性微粒子，60 電路連接構件，61 薄膜狀電路連接材料。
具體實施例方式實施例以下，說明本發明的電路連接材料、使用該材料的薄膜狀電路連接材料、電路構件 的連接構造及其制造方法的實施方式。而且，在整個附圖中，對于同一要素使用同一符號， 省略重復的說明。〔第1實施方式〕(電路構件的連接構造)圖1是表示本發明的電路構件的連接構造(以下，稱為「連接構造」)的第1實施 方式的剖面圖。本實施方式的連接構造10具備相互對向的電路構件20(第一電路構件) 和電路構件30 (第二電路構件)，于電路構件20與電路構件30之間，設置連接這些的電路 連接構件60。電路構件20具備電路基板21 (第一電路基板)、和已形成于電路基板21的主面 21a上的多個電路電極22 (第一電路電極)。多個電路電極22例如配置為條紋狀。另一方 面，電路構件30具備電路基板31 (第二電路基板)、已形成于電路基板31的主面31a上 的多個電路電極32 (第二電路電極)。多個電路電極32亦例如配置為條紋狀。作為電路構件20、30的具體例，可舉出半導體芯片、電阻體芯片或電容芯片等的 芯片零件或印刷基板等的基板。作為連接構造10的連接形態，亦有IC芯片與芯片搭載基 板的連接、電氣電路相互的連接、于COG構裝或COF構裝的IC芯片與玻璃基板或與可撓帶 (Flexible Tape)的連接等。特別是，優選電路構件20、30之中至少一方為IC芯片。電路電極22由形成于電路基板21的主面2Ia上的電極部23、和形成于電極部23 上的電極表面層24構成；電路電極32，亦由形成于電路基板31的主面31a上的電極部33、 和形成于電極部33上的電極表面層34構成。在此，優選電極表面層24、34分別由金、銀、 錫、鉬族的金屬或者銦錫氧化物(ITO)或這些二種以上的組合構成。亦即，優選電路電極 22、32分別在電極部23、33上具有金、銀、錫、鉬族的金屬或者銦錫氧化物(ITO)或這些二種 以上的組合構成的電極表面層24、34。電路構件30于電路基板31及電路電極32上具有基板表面層35。在此，基板表 面層35優選以氮化硅、硅氧化合物或者聚酰亞胺樹脂或這些二種以上的組合而構成。亦 即，優選電路構件30具有以氮化硅、硅氧化合物或者聚酰亞胺樹脂或這些二種以上的組合 而構成的基板表面層35。基板表面層35覆蓋(coating)電路基板31及電路電極32、或附 著于電路基板31及電路電極32。通過該基板表面層35，提高電路構件30與電路連接構件 60的粘著強度。特別是，電路構件30或電路基板31為可撓帶(Flexible Tape)的情況，優選基板 表面層35由聚酰亞胺樹脂等的有機絕緣物質構成。另外，在電路基板31為玻璃基板的情 況，基板表面層35優選以氮化硅、硅氧化合物、聚酰亞胺樹脂或者硅酮樹脂或這些二種以上的組合而構成。電路連接構件60，設置于電路基板21的主面21a與電路基板31的主面31a之間， 以使電路電極22、32對向的狀態連接電路構件20、30相互間。另外，電路連接構件60具備 絕緣構件40和被覆粒子50。被覆粒子50用于電連接電路電極22和電路電極32，以導電 粒子51和被覆導電粒子51的表面51a的一部分的絕緣性微粒子52而構成。在本實施方 式中，絕緣性微粒子52的質量為導電粒子51的質量的2/1000 26/1000。如通過如此的連接構造10，對向的電路電極22、32間的連接電阻充分地降低而且 穩定化，同時相鄰的電路電極22、32間的絕緣性亦充分提高。若絕緣性微粒子52的質量低于導電粒子51的質量的2/1000，則導電粒子51變為 不能通過絕緣性微粒子52而充分被覆。因此，相鄰的電路電極22、32間的絕緣性，亦即于 電路基板21、31的面方向的絕緣性變為不充分。另一方面，若絕緣性微粒子52的質量超過 導電粒子51的質量的26/1000，則絕緣性微粒子52變為過剩的被覆導電粒子51。因此，導 電粒子51即使連接對向的電路電極22、32相互間，亦增大電路基板21、31的厚度方向的連 接電阻。若著眼于相鄰的電路電極22、32間的絕緣性，則在連接構造10中，在相鄰的電路 電極22、32間施加50V的直流電壓的情況下，優選相鄰的電路電極22、32間的電阻值為 IO9Ω以上。在如此的連接構造10中，因為在該動作時相鄰的電路電極22、32間的絕緣性， 亦即在電路基板21、31的面方向的絕緣性非常高，所以變為能充分地防止相鄰的電路電極 22、32間的短路。若著眼于相鄰的電路電極22、32間的連接電阻，則在連接構造10中，優選電路電 極22與電路電極32之間的連接電阻為1 Ω以下。在如此的連接構造10中，可充分降低對 向的電路電極22、32間的連接電阻，亦即電路基板21、31的厚度方向的連接電阻。另外，在被覆粒子50中，優選絕緣性微粒子52的平均粒徑Cli為導電粒子51的平 均粒徑d。的1/40 1/10。平均粒徑Cli及d。是對于10個以上各粒子分別測定以通過各種 顯微鏡而觀察的絕緣性微粒子52及導電粒子51的長徑，而得的測定值之平均值。另外，作 為用于觀察的顯微鏡，適于使用掃描型電子顯微鏡。如絕緣性微粒子52的平均粒徑Cli在上述范圍內，比平均粒徑Cli為于該范圍外的 情況，導電粒子51的表面51a變為容易通過多數的絕緣性微粒子52而覆蓋，在如此的連接 構造10中，可進一步提高相鄰的電路電極22、32間的絕緣性，亦即電路基板21、31的面方 向的絕緣性。作為導電粒子51，可舉出由Au、Ag、Ni、Cu、焊錫等構成的金屬粒子或由碳等構成 的粒子等。導電粒子51優選為熱熔融金屬粒子。在此情況，因為由連接電路電極22、32相 互間時的加熱及加壓而導電粒子51容易變形，因此導電粒子51與電路電極22、32的接觸 面積增加，連接可靠性提高。絕緣性微粒子52優選由自由基聚合性物質的聚合物構成。在此情況，因為絕緣性 微粒子52變為容易附著于導電粒子51的表面51a，在如此的連接構造10中，可進一步提高 相鄰的電路電極22、32間的絕緣性，亦即電路基板21、31的面方向的絕緣性。自由基聚合性物質為具有通過自由基而聚合的官能基的物質，作為如此的自由基 聚合性物質可舉出丙烯酸酯(acrylate)(亦包含對應的甲基丙烯酸酯(methacrylate)，以下相同)化合物，馬來酸酐縮亞胺(Maleimide)化合物等。自由基聚合性物質既可以以 單體或寡聚物的狀態使用，另外，也可以并用單體和寡聚物。作為丙烯酸酯化合物的具體例，可舉出丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丙 酯、丙烯酸異丁酯、乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯 (trimethylolpropane triacrylate)、四輕甲基甲燒四丙煉酸酉旨(tetramethylolmethane 切廿％巧1￡1切)、2-羥基1，3-二丙烯酰氧基丙烷、2，2-雙〔4-(丙烯酰氧基甲氧基)苯基〕 丙烷、2，2_雙〔4-(丙烯酰氧基聚乙氧基)苯基〕丙烷、二環戊烯基丙烯酸酯、三環癸烷基丙烯 酸酯、三(丙烯酰氧基乙基)異氰酸酯(tris-(aeryIoyloxyethyDisocyarumte)、丙烯 酸尿烷酯等，這些可單獨或混合2種以上而使用。另外，也可以依必要而使用對苯二酚 (hydroquinone)、甲基醚對苯二酚(methyl ether hydroquinone)類等聚合阻止劑，另 外，從使耐熱性提高的觀點來看，優選丙烯酸酯化合物具有從由二環戊烯基、三環癸烷基 (tricyclodecanyl)、及三嗪(triazine)環構成的組中選擇的至少1個取代基。馬來酸酐縮亞胺化合物為在分子中至少含有2個以上馬來酸酐縮亞胺基的化合 物，作為如此的馬來酸酐縮亞胺化合物，可舉出例如1-甲基-2，4-雙馬來酸酐縮亞胺苯、 N, N，-m-亞苯基雙馬來酸酐縮亞胺(phenylenebismaleimide)、N, N，-ρ-亞苯基雙馬來酸 酐縮亞胺(phenylene bismaleimide)、N, N，-間甲苯雙馬來酸酐縮亞胺、N, N，-4，4-二 亞苯基雙馬來酸酐縮亞胺(biphenylene bismaleimide)、N, N，-4，4-(3，3，-二甲基二亞 苯基)雙馬來酸酐縮亞胺、N，N’ -4，4-(3，3’ - 二甲基二苯基甲烷)雙馬來酸酐縮亞胺、N， N’ _4，4-(3，3’ - 二乙基二苯基甲烷)雙馬來酸酐縮亞胺、N，N’ _4，4-二苯基甲烷雙馬來酸 酐縮亞胺、N，N’ -4，4-二苯基丙烷雙馬來酸酐縮亞胺、N，N’ -3，3’ - 二苯基磺基雙馬來酸酐 縮亞胺(diphenyl sulfon bismaleimide)、N，N，-4，4-二苯醚雙馬來酸酐縮亞胺、2，2-雙 (4-(4-馬來酸酐縮亞胺苯氧基)苯基)丙烷、2，2_雙(3-s-丁基-4，8-(4-馬來酸酐縮亞胺 苯氧基)苯基)丙烷、1，1_雙(4-(4-馬來酸酐縮亞胺苯氧基)苯基)癸烷、4，4’ -環亞己 基(CyCloheXylidene)-| (1-(4_馬來酸酐縮亞胺苯氧基)-2_環己基苯、2，2_雙(4_(4_馬 來酸酐縮亞胺苯氧基)苯基)六氟丙烷等。這些可單獨或混合2種以上而使用。另外，如圖2所示，導電粒子51可以具有核體51x、和被覆核體51x的表面而形成 的外層51y。而且，圖2是表示被覆粒子的一例的剖面圖。也可以置換圖1的導電粒子51 至圖2的導電粒子51。核體51x由高分子化合物構成，作為該高分子化合物，適于使用聚苯乙烯、 聚二乙烯基苯(polydivinyl benzene)、聚丙烯酸酯、環氧樹脂、酚樹脂、苯并三聚氰胺 (benzoguanamine)樹脂等的各種塑料類、苯乙烯_ 丁二烯橡膠或硅酮橡膠等的各種橡膠類 等。另外，將這些作為主成分，亦可使用交聯劑、固化劑、老化防止劑等的各種添加劑。在此 情況，因為由連接電路電極22、32相互間時的加熱及加壓而導電粒子51容易變形，因此導 電粒子51與電路電極22、32的接觸面積增加，連接可靠性提高。在本實施方式中，絕緣性微粒子52的質量為核體51x的質量的7/1000 86/1000。若絕緣性微粒子52的質量低于核體51x的質量的7/1000，則導電粒子51變為不 能通過絕緣性微粒子52而充分的被被覆。因此，相鄰的電路電極22、32間的絕緣性，亦即 電路基板21、31的面方向的絕緣性變為不充分。一方面，若絕緣性微粒子52的質量超過核
12體51x的質量的86/1000，則絕緣性微粒子52變為過剩地被覆導電粒子51。因此，導電粒 子51即使連接對向的電路電極22、32相互間，也增大電路基板21、31的厚度方向的連接電 阻。另外，核體51x也可以由非導電性的玻璃、陶瓷、塑料等構成。即使為此情況，因為 由連接電路電極22、32相互間時的加熱及加壓而導電粒子51容易變形，因此導電粒子51 與電路電極22、32的接觸面積增加，連接可靠性提高。另外，優選導電粒子51在由非導電 性的玻璃、陶瓷、塑料等構成的核體51x表面上形成有由貴金屬類構成的外層51y。外層51y為了得到充分的可使用時間，優選不使用Ni、Cu等的過渡金屬類構成，而 是由Au、Ag、鉬族等的貴金屬類構成，更優選由Au構成。另外，導電粒子51也可以將由Ni 等的過渡金屬類構成的核體51x以由Au等的貴金屬類構成的外層51y被覆。貴金屬類的外層51y的厚度優選為100埃(Angstrom)以上。在此情況，在電路電 極22、32間可得良好的連接電阻。另外，在由Ni等的過渡金屬構成的核體51x的表面形 成貴金屬類的外層51y的情況，貴金屬類的外層51y的厚度優選為300埃以上。若貴金屬 類的外層51y的厚度低于300埃，則例如在混合分散導電粒子51時，在外層51y產生缺損 等。在產生此缺陷等的情況，產生基于氧化還原作用的游離自由基，有使電路連接材料的保 存性下降的疑慮。然后，因為對外層51y的厚度變厚而外層51y的效果逐漸飽和，所以外層 51y的厚度優選為1微米(micrometer)以下。而且，絕緣性微粒子52的質量相對于本發明的導電粒子51的質量的比(質量比 A)的值，及絕緣性微粒子52的質量相對于核體51x的質量的比(質量比B)的值，使用通 過熱分解氣相層析法而測定的值。熱分解氣相層析法，已知可使用于各種塑料或橡膠材料 的定性分析及那些共聚物或混合(blend)物的組成定量等(參照，寒川喜三郎、大栗直毅編 著、「熱分解氣相層析法入門」、P121 P176、技報堂出版公司)。本發明人等發現，作為測定質量比A及質量比B的值的方法，使用了熱分解氣相層 析法的結果，可得良好的定量性。因此，在本發明，質量比A及質量比B的值，使用通過熱分 解氣相層析法的校正曲線而求出的值。此時，被使用的校正曲線，并不限定于與導電粒子 51相同的材料、與核體51x相同的材料、或與絕緣性微粒子52相同的材料而作成的校正曲 線，也可以是代用同樣的種類的塑料類、橡膠類、自由基聚合系物質的聚合物而作成的校正 曲線。在質量比A及質量比B的值的測定中使用的熱分解氣相層析法的峰值(peak)，不 作特別限定，可使用來自導電粒子51、核體51x及絕緣性微粒子52的熱分解成分的峰值。 在這些熱分解成分之中，若使用構成塑料類、橡膠類、自由基聚合性物質的主單體的熱分解 成分的峰值，則由于質量比A及質量比B的值的定量性提高而是理想的。(電路連接材料)上述電路連接構件60，由電路連接材料的固化物構成。在此，對于電路連接材料進 行說明。此電路連接材料，含有被覆粒子及粘合劑組合物。另外，如后述，電路連接材料也 可以進一步含有薄膜形成材料、其它含有成分等。<被覆粒子>含于電路連接材料中的被覆粒子的構成與上述被覆粒子50構成相同。構成被覆 粒子50的導電粒子51，相對于粘合劑組合物100體積份優選添加0. 1 30體積份，其添加量依用途而運用。而且，為了防止基于過剩的導電粒子51的相鄰電路電極的短路等，優選 使導電粒子51添加0. 1 10體積份。<粘合劑組合物>粘合劑組合物優選含有自由基聚合性物質、和通過加熱而產生游離自由基的固化 劑。通過含有如此的粘合劑組合物的電路連接材料，電路構件20、30在加熱時容易被連接。作為自由基聚合性物質，可例示與被使用于絕緣性微粒子52的自由基聚合性物 質相同的物質。自由基聚合性物質可以以單體或寡聚物的狀態而使用，另外，也可以并用單 體或寡聚物。通過加熱而產生游離自由基的固化劑，為通過加熱分解而產生游離自由基的固化 劑，作為如此的固化劑，可舉出過氧化合物、偶氮系化合物等。如此的固化劑，通過目的連 接溫度、連接時間、可使用時間(pot life)等而適宜選定。其中，從能夠能提高反應性、使 可使用時間提高的觀點來看，優選半衰期10小時的溫度為40°C以上而且半衰期1分鐘的溫 度為180°C以下的有機過氧化物，更優選半衰期10小時的溫度為60°C以上而且半衰期1分 鐘的溫度為170°C以下的有機過氧化物。固化劑的配合量，在連接時間為10秒以下的情況，為了得到充分的反應率，相對 于自由基聚合性物質和根據需要而配合的薄膜形成材料的和100重量份，優選為0. 1 30 重量份、更優選為1 20重量份。固化劑的配合量在低于0. 1重量份的情況下，不能得到充分的反應率，存在變為 難以得到良好的粘著強度或小的連接電阻的傾向。若固化劑的配合量超過30重量份，則粘 合劑組合物的流動性下降、連接電阻上升、存在粘合劑組合物的可使用時間(pot life)變 短的傾向。更具體地說，作為通過加熱而產生游離自由基的固化劑，可舉出二酰基過氧化 物、過氧化二碳酸酯、過氧化酯、過氧化縮酮、二烷基過氧化物、氫過氧化物、硅烷基過氧化 物等。另外，由抑制電路電極22、32的腐蝕的觀點來看，固化劑優選為固化劑中含有的氯離 子或有機酸的濃度在5000ppm以下，而且更優選在加熱分解后產生的有機酸少的固化劑。 如此的固化劑，具體地說，選自過氧化酯、二烷基過氧化物、氫過氧化物、硅烷基過氧化物， 優選可得高反應性的過氧化酯。上述固化劑可適宜混合而使用。作為二酰基過氧化物，可舉出異丁基過氧化物、2，4-二氯苯甲酰過氧化物、3，5， 5-三甲基己酰基過氧化物、辛酰基過氧化物、月桂酰基過氧化物、硬脂酰基過氧化物、琥珀 酰基過氧化物(succinic peroxide)、苯甲酰基過氧化甲苯、苯甲酰基過氧化物。作為過氧化二碳酸酯，可舉出二-η-丙基過氧化二碳酸酯、二異丙基過氧化二 碳酸酯、雙(4-t-丁基環己基)過氧化二碳酸酯、二-2-乙氧基甲氧基過氧化二碳酸酯、二 (2-乙基己基過氧化)二碳酸酯、二甲氧基丁基過氧化二碳酸酯、二(3-甲基-3甲氧基丁基 過氧化)二碳酸酯等。作為過氧化酯，可舉出枯基過氧化新癸酸酯、1，1，3，3_四甲基丁基過氧化新癸 酸酯、1-環己基-1-甲基乙基過氧化新癸酸酯、t-己基過氧化新癸酸酯、t- 丁基過氧化丙 酸酯、1，1，3，3-四甲基丁基過氧化-2-乙基己酸酯、2，5-二甲基-2，5-二(2-乙基己酰基 過氧化)己烷、1-環己基-1-甲基乙基過氧化-2-乙基己酸酯、t-己基過氧化-2-乙基己 酸酯、t- 丁基過氧化-2-乙基己酸酯、t- 丁基過氧化異丁酸酯、1，1-雙(t- 丁基過氧化)環己烷、t-己基過氧化異丙基單碳酸鹽、t- 丁基過氧化_3，5，5-三甲基己酸酯、t- 丁基過 氧化月桂酸酯、2，5_ 二甲基-2，5_ 二(m-甲苯酰基過氧化)己烷、t-丁基過氧化異丙基單 碳酸酯、t- 丁基過氧化-2-乙基己基單碳酸酯、t-己基過氧化苯甲酸酯、t- 丁基過氧化乙
酸酯等。作為過氧化縮酮，可舉出1，1-雙(t-己基過氧化)-3，3，5_三甲基環己烷、1， 1-雙(t-己基過氧化)環己烷、1，1_雙(t-丁基過氧化)-3，3，5_三甲基環己烷、l，l-(t-丁 基過氧化)環十二烷、2，2-雙(t-丁基過氧化)癸烷等。作為二烷基過氧化物，可舉出α，α，_雙(t_ 丁基過氧化)二異丁基苯、二枯基 過氧化物、2，5_ 二甲基-2，5-二(t-丁基過氧化)己烷、t-丁基枯基過氧化物等。作為氫過氧化物，可舉出二異丙基苯氫過氧化物、枯烯氫過氧化物等。作為硅烷基過氧化物，可舉出t-丁基三甲基硅烷基過氧化物、雙(t-丁基)二甲 基硅烷基過氧化物、t-丁基三乙烯基硅烷基過氧化物、雙(t-丁基)二乙烯基硅烷基過氧化 物、三(t-丁基)乙烯基硅烷基過氧化物、t-丁基三烯丙基硅烷基過氧化物、雙(t-丁基) 二烯丙基硅烷基過氧化物、三(t-丁基)烯丙基硅烷基過氧化物。這些固化劑，可以單獨或混合2種以上而使用，也可以混合分解促進劑、抑制劑等 而使用。另外，將此固化劑以聚氨酯系、聚酯系的高分子物質等被覆而微膠囊化，因為延長 可使用時間而是理想的。另外，上述的電路連接材料優選進一步含有由苯氧基樹脂構成的薄膜形成材料。 由此，變為能加工電路連接材料為薄膜狀，可得薄膜狀電路連接材料。圖3是表示本發明的薄膜狀電路連接材料的第1實施方式的剖面圖。本實施方式 的薄膜狀電路連接材料61，具備由上述粘合劑組合物構成的薄膜狀絕緣構件41、和被覆 粒子50。此薄膜狀電路連接材料61是以上述電路連接材料形成至薄膜狀而成。若電路連接材料含有薄膜形成材料，則電路連接材料難以產生破裂、破碎、或發粘 等的問題，在通常的狀態(常溫常壓)變為容易操作電路連接材料。另外，薄膜狀電路連接 材料61，若被分割至含有通過加熱而產生游離自由基的固化劑的層和含有被覆粒子50的 層的2層以上，則可使用時間提高。〈薄膜形成材料〉所謂薄膜形成材料，是指在固形化液狀物而將構成組合物作為薄膜形狀的情況， 使此薄膜的操作容易，賦予不容易破裂、破碎、發粘的機械特性等的物質，也是指在通常的 狀態(常溫常壓)下能夠作為薄膜進行操作的物質。作為薄膜形成材料，可舉出苯氧基樹 脂、聚乙烯基甲縮醛(polyvinyl formal)樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯縮丁醛樹脂、聚酯樹 脂、聚酰胺(Polyamide)樹脂、二甲苯(xylene)樹脂、聚氨酯樹脂等。其中，從粘著性、相溶 性、耐熱性、機械強度優良角度來看，優選苯氧基樹脂。苯氧基樹脂是指使2官能酚類和表鹵醇(印ihalohydrin)反應至高分子量，或使 2官能環氧樹脂和2官能酚類加成聚合(polyaddition)而得到的樹脂。苯氧基樹脂可通 過例如將2官能酚類1摩爾和表氯醇0. 985 1. 015摩爾，在堿金屬氫氧化物等的催化 劑的存在下，在非反應性溶劑中、40 120°C的溫度使其反應而得。另外，作為苯氧基樹脂， 從樹脂的機械的特性或熱的特性的觀點來看，特別優選將2官能性環氧樹脂與2官能性酚 類的配合當量比設為環氧基/酚氫氧基=1/0. 9 1/1. 1，在堿金屬化合物、有機磷系化合物、環狀胺系化合物等的催化劑存在下、在沸點為120°C以上的酰胺系、醚系、酮系、內酯系、 醇系等的有機溶劑中，以反應固形分為50重量份以下的條件加熱至50 200°C而使其加成 聚合而得到。作為2官能環氧樹脂，可舉出雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AD型 環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂等。2官能酚類為具有2個酚性氫氧基的酚類，作為如此的2 官能酚類，可舉出例如雙酚A、雙酚F、雙酚AD、雙酚S等的雙酚類等。另外，苯氧基樹脂優選在其分子內含有起因于多環芳香族化合物的分子構造。由 此，可得在粘著性、相溶性、耐熱性、機械強度等方面優良的電路連接材料。作為多環芳香族化合物，可舉出例如萘(Naphthalene)、聯苯、萘嵌戊烷 (Acenaphthene)、芴、二苯并呋喃、蒽、菲等的二羥基化合物等。在此，多環芳香族化合物優 選為芴。而且，多環芳香族化合物特別優選為9，9’ -雙(4-羥苯基)芴。而且，苯氧基樹脂也可以通過自由基聚合性的官能基而改性。另外，苯氧基樹脂可 以單獨使用、也可以混合2種以上而使用。〈其它的含有成分〉本實施方式的電路連接材料還可以進一步包含將由丙烯酸、丙烯酸酯、甲基丙烯 酸酯及丙烯腈構成的組中選擇至少一種作為單體成分的聚合物或共聚物。在此從應力緩和 優良的角度來看，優選并用包含含有縮水甘油醚基的縮水甘油丙烯酸酯、或縮水甘油甲基 丙烯酸酯的共聚物系丙烯酸橡膠。這些丙烯酸橡膠的分子量(重均分子量)，從提高粘合劑 的凝集力觀點來看，優選為20萬以上。另外，也可以在本實施方式的電路連接材料中，進一步含有填充劑、軟化劑、促進 劑、老化防止劑、阻燃劑、色素、觸變(thixotropic)劑、偶合劑、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、異
氰酸酯類等。在電路連接材料中含有填充劑的情況下，由于提高連接可靠性等，因此是理想的。 對于填充劑，只要其最大徑低于導電粒子51的平均粒徑則可使用。填充劑的配合量，相對 于粘合劑組合物100體積份優選為5 60體積份。若配合量超過60體積份，則有連接可 靠性提高效果飽和的傾向，另一方面，在低于5體積份有填充劑添加的效果變為不充分的 傾向。作為偶合劑，對于含有酮亞胺(ketimine)、乙烯基、丙烯基、氨基、環氧基或異氰酸 酯基的化合物，因為可提高粘著性因而是理想的。具體的作為有氨基的硅烷偶合劑，可舉出Ν_β (氨基乙基)Y-氨基丙基三甲氧 基硅烷、N-β (氨基乙基)Y-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、Y-氨基丙基三乙氧基硅烷、 N-苯基-Y-氨基丙基三甲氧基硅烷等。作為具有酮亞胺的硅烷偶合劑，可舉出使丙酮、 甲基乙基酮、甲基異丁基酮等的酮化合物與具有上述氨基的硅烷偶合劑反應而得得到的物 質。接著，關于上述連接構造10的制造方法，使用圖1、圖3及圖4而說明。圖3表示 在連接構造10的制造中使用的薄膜狀電路連接材料的剖面圖、圖4是表示連接構造10的 制造方法的一工序的剖面圖。(電路構件的連接構造的制造方法)首先，準備電路構件20、30。另一方面，準備成形為薄膜狀而成的薄膜狀電路連接材料61 (參照圖3)。接著，在電路構件20與電路構件30之間，使將上述的電路連接材料 成形為薄膜狀而成的薄膜狀電路連接材料61夾持存在。亦即，在電路構件20與電路構件 30之間，在電路電極22與電路電極32為對向的狀態，使薄膜狀電路連接材料61夾持存在。 具體而言，例如在電路構件30上載置薄膜狀電路連接材料61，接著在薄膜狀電路連接材 料61上載置電路構件20。此時，使電路電極22與電路電極32相互相對地，配置電路構件 20及電路構件30。在此，因為薄膜狀電路連接材料61為薄膜狀而容易操作。因此，可容易 使薄膜狀電路連接材料61夾持存在于電路構件20、30間，可使電路構件20、30的連接作業 變為容易。接著，經由電路構件20、30而加熱薄膜狀電路連接材料61、同時在圖4的箭頭A 及B方向加熱及加壓而施行固化處理(參照圖4)，在電路構件20、30間形成電路連接構件 60(參照圖1)。固化處理為能通過一般的方法進行，其方法是通過粘合劑組合物而適宜的 選擇。而且，也可以在加熱及加壓時，由電路構件20、30的任一方側，照射光而進行電路電 極22、32的定位。若通過這種方式而制造連接構造10，則可得充分降低而且穩定化對向的電路電極 22,32間的連接電阻、同時充分提高相鄰電路電極22、32間的絕緣性的連接構造10。〔第2實施方式〕(電路構件的連接構造)本實施方式的連接構造10具備相互對向的電路構件20(第一電路構件)和電路 構件30 (第二電路構件)，在電路構件20與電路構件30之間，設置連接這些的電路連接構 件60。電路構件20、30具有與第1實施方式相同的構造，而且優選由相同的材料構成。電路連接構件60設置于電路基板21的主面21a與電路基板31的主面31a之間， 以電路電極22、32對向地連接電路構件20、30相互間。另外，電路連接構件60具備絕緣 構件40、導電粒子51的表面51a的一部分通過絕緣性微粒子52被覆的被覆粒子50。在本 實施方式中，被覆粒子50的比重為，導電粒子51的比重的97/100 99/100。經由此被覆 粒子50，電連接電路電極22與電路電極32。在此，電路連接構件60，因為由后述的電路連接材料的固化物構成，所以在連接構 造10中，可充分地降低對向的電路電極22、32間的連接電阻、同時亦充分提高相鄰電路電 極22、32間的絕緣性。(電路連接材料)本實施方式的電路連接材料，含有粘合劑組合物及被覆粒子50。若使此電路連接 材料存在于電路構件20、30之間，經由電路構件20、30而加熱及加壓、固化處理，而得到連 接構造10，則在得到的連接構造10中，充分地降低對向的電路電極22、32間的連接電阻、同 時充分提高相鄰電路電極22、32間的絕緣性。〈粘合劑組合物〉作為粘合劑組合物，可例示與在第1實施方式的粘合劑組合物相同的物質。〈被覆粒子〉被覆粒子50為導電粒子51的表面51a的一部分通過絕緣性微粒子52而被被覆 的被覆粒子。本實施方式的被覆粒子50的比重為導電粒子51的比重的97/100 99/100。
若被覆粒子50的比重低于導電粒子51的比重的97/100，則絕緣性微粒子52變 為過剩地被覆導電粒子51。因此，導電粒子51為即使連接對向的電路電極22、32相互間， 亦增大電路基板21、31的厚度方向的連接電阻。另一方面，若被覆粒子50的比重超過導電 粒子51的比重的99/100，則導電粒子51變為不能通過絕緣性微粒子52而充分地被被覆。 因此，相鄰的電路電極22、32間的絕緣性，亦即電路基板21、31的面方向的絕緣性變為不充 分。另外，在被覆粒子50中，優選導電粒子51的表面51a的5 60%通過絕緣性微粒 子52而被被覆。若被覆導電粒子51的表面51a低于5%，則因為導電粒子51變為不能通過絕緣性 微粒子52而充分地被被覆，比起在表面51a為5%以上被被覆的情況，相鄰電路電極22、32 間的絕緣性，亦即電路基板21、31的面方向的絕緣性變為不充分。另一方面，若導電粒子51 的表面51a超過60%而被被覆，則因為絕緣性微粒子52過剩地被覆導電粒子51，所以導電 粒子51即使連接對向的電路電極22、32間，比起在被覆表面51a為60%以下的情況，增大 電路基板21、31的厚度方向的連接電阻。導電粒子51及絕緣性微粒子52優選具有與第1實施方式相同的構造，而且由相 同的材料構成。〈薄膜形成材料〉本實施方式的電路連接材料，優選進一步含有與在第1實施方式的薄膜形成材料 相同的薄膜形成材料。由此，變為能加工電路連接材料至薄膜狀，可得薄膜狀電路連接材 料。〈其它的含有成分〉本實施方式的電路連接材料，進一步優選含有與在第1實施方式的其它含有成分 相同的物質。(電路構件的連接構造的制造方法)作為本實施方式的電路構件的連接構造的制造方法優選與在第1實施方式的電 路構件的連接構造的制造方法相同的方法。以上，詳細地說明本發明的優選的實施方式，而本發明不限定于上述各實施方式。例如在上述第1及第2實施方式中，在連接構造10中，也可以電路電極22、32都 有電極表面層24、34，而電路電極22、32的任一方有電極表面層。另外，也可以電路電極22、 32都沒有電極表面層。亦即，在上述第1及第2實施方式中，也可以電路電極22、32都具有 電極表面層24、34，而電路電極22、32之中至少一方有電極表面層。另外，在上述第1及第2實施方式中，也可以連接構造10的電路構件30具有基板 表面層35，而僅電路構件20具有基板表面層。另外，也可以電路構件20、30都具有基板表 面層。而且，電路構件20、30都不具有基板表面層。亦即，在上述第1及第2實施方式中， 也可以電路構件30具有基板表面層35，而電路構件20、30之中至少一方具有基板表面層。另外，在上述第1及第2實施方式中，使用薄膜狀電路連接材料61而制造連接構 造10，也可以不限于薄膜狀電路連接材料61，使用不包含薄膜形成材料的電路連接材料。 即使在此情況，使電路連接材料溶解于溶劑，如將其溶液涂布于電路構件20、30任一方而 使其干燥，可使電路連接材料夾持存在于電路構件20、30間。
另外，在上述第1及第2實施方式中，電路連接材料含有導電粒子51、也可以不含 有導電粒子51。即使在該情況下，亦通過對向的電路電極22、32各個直接接觸而得到電連 接。而且，在含有導電粒子51的情況下，比起不含有導電粒子51的情況，可得較穩定電連接。實施例以下，使用實施例對本發明的內容進行更具體地說明，而本發明不被限定于這些 實施例。(實施例1)(1)被覆粒子的制作首先，在平均粒徑5μπι的交聯聚苯乙烯粒子(PSt)的表面，以非電解鍍設置厚度 0. 2 μ m的鎳層，而且通過在該鎳層的外側設置厚度0. 04 μ m的金層，得到相當于導電粒子 51的鍍膜塑料粒子(PSt-M)。將此鍍膜塑料粒子的表面的一部份，通過相當于絕緣性微粒 子52的甲基丙烯酸甲酯的聚合物，亦即通過聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)而被覆，得到以平均 粒徑0. 2 μ m的絕緣性微粒子被覆的平均粒徑5. 2 μ m的被覆粒子A。被覆粒子A是導電粒 子的表面的20%被被覆，以被覆后的比重為被覆前的比重的98/100的方式被被覆。而且， 平均粒徑是從基于描掃型電子顯微鏡的觀察而得到的測定值計算出來的值。(2)熱分解氣相層析法測定首先，為了制作關于質量比A(絕緣性微粒子的質量對導電粒子的質量的比)的校 正曲線而進行熱分解氣相層析法測定。在測定結果中，作為鍍膜塑料粒子(PSt-M)的熱分 解成分的峰值(peak)，使用了苯乙烯的峰值(peak)面積Ist。另外，作為聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)的熱分解成分的峰值(peak)，使用了甲基丙烯酸甲酯(MMA)的峰值面積Imma。由這 些算出了峰值面積比(Imm/IJ。另外，鍍膜塑料粒子(PSt-M)的質量^㈣相當于導電粒子51的質量，聚甲基丙 烯酸甲酯(PMMA)的質量Wpmma相當于絕緣性微粒子52的質量。由此算出了質量比A(Wpmma/ WPST_M)。然后，關于峰值面積比(I M/Ist)與質量比A(Wpmma/Wpst_m)的關系，作成了表示于圖5 的校正曲線。圖5的校正曲線具有良好的直線性。接著，為了制作關于質量比B (絕緣性微粒子的質量對核體的質量的比)的校正曲 線而進行熱分解氣相層析法測定。在測定結果中，作為交聯聚苯乙烯粒子(PSt)的熱分解 成分的峰值(peak)，使用了苯乙烯的峰值(peak)面積Ist。另外，作為聚甲基丙烯酸甲酯 (Pmma)的熱分解成分的峰值(peak)，使用了甲基丙烯酸甲酯(MMA)的峰值面積Imma。由這些 算出了峰值面積比(Imm/IJ。另外，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的質量Wpmma相當于絕緣性微粒子52的質量，交 聯聚苯乙烯粒子(PSt)的質量Wpst相當于核體51x的質量。由這些算出了質量比B(Wpmma/ Wpst)。然后，關于峰值面積比(ImuZIJ與質量比B(WPMMA/WPSt)的關系，作成了表示于圖6的 校正曲線。圖6的校正曲線具有良好的直線性。然后，關于被覆粒子A，以表示于表1的測定條件而進行熱分解氣相層析法測定， 算出了峰值面積比(Imm/IJ。然后，根據此峰值面積比，由圖5的校正曲線算出質量比A的 結果，質量比A為9/1000、由圖6的校正曲線算出質量比B的結果，質量比B為29/1000 (參 照表2)。
〔表1〕
權利要求
一種薄膜狀電路連接材料，是用于使在第一電路基板的主面上形成有多個第一電路電極的第一電路構件、和在第二電路基板的主面上形成有多個第二電路電極的第二電路構件，以所述第一電路電極及第二電路電極對向的狀態進行連接的薄膜狀電路連接材料，所述薄膜狀電路連接材料具有第一層和第二層，所述第一層含有粘合劑組合物、及導電粒子的部分表面被絕緣性微粒子被覆的被覆粒子，所述第二層形成于所述第一層的一面，含有粘合劑組合物但不含有所述被覆粒子，所述被覆粒子的比重是所述導電粒子的比重的97/100～99/100。
2.一種薄膜狀電路連接材料，是用于使在第一電路基板的主面上形成有多個第一電路 電極的第一電路構件、和在第二電路基板的主面上形成有多個第二電路電極的第二電路構件，以所述第一電路電極及第二電路電極對向的狀態進行連接的薄膜狀電路連接材料，所述薄膜狀電路連接材料具有第一層和第二層，所述第一層含有粘合劑組合物、及導電粒子的部分表面被絕緣性微粒子被覆的被覆粒子，所述第二層形成于所述第一層的一面，含有粘合劑組合物但不含有所述被覆粒子， 所述絕緣性微粒子的質量是所述導電粒子的質量的2/1000 26/1000。
3.一種薄膜狀電路連接材料，是用于使在第一電路基板的主面上形成有多個第一電路 電極的第一電路構件、和在第二電路基板的主面上形成有多個第二電路電極的第二電路構件，以所述第一電路電極及第二電路電極對向的狀態進行連接的薄膜狀電路連接材料，所述薄膜狀電路連接材料具有第一層和第二層，所述第一層含有粘合劑組合物、及導電粒子的部分表面被絕緣性微粒子被覆的被覆粒子，所述第二層形成于所述第一層的一面，含有粘合劑組合物但不含有所述被覆粒子， 所述導電粒子具有由高分子化合物構成的核體， 所述絕緣性微粒子的質量是所述核體質量的7/1000 86/1000。
4.如權利要求1至3中任一項所述的薄膜狀電路連接材料，其中，所述粘合劑組合物含 有自由基聚合性物質、以及由加熱而產生游離自由基的固化劑。
5.如權利要求1至4中任一項所述的薄膜狀電路連接材料，其中，所述第一層中含有的 粘合劑組合物不含有由加熱而產生游離自由基的固化劑，形成所述第二層的粘合劑組合物 含有由加熱而產生游離自由基的固化劑。
6.如權利要求1至5中任一項所述的薄膜狀電路連接材料，其中，所述絕緣性微粒子的 平均粒徑是所述導電粒子的平均粒徑的1/40 1/10。
7.如權利要求1至6中任一項所述的薄膜狀電路連接材料，其中，所述絕緣性微粒子是 由自由基聚合性物質的聚合物構成。
8.如權利要求1至7中任一項所述的薄膜狀電路連接材料，其中，還含有由苯氧基樹脂 構成的薄膜形成材料。
9.如權利要求8所述的薄膜狀電路連接材料，其中，所述苯氧基樹脂在分子內含有衍 生于多環芳香族化合物的分子構造。
10.如權利要求9所述的薄膜狀電路連接材料，其中，所述多環芳香族化合物是芴。
11.一種電路構件的連接構造，具備在第一電路基板的主面上形成有多個第一電路 電極的第一電路構件，在第二電路基板的主面上形成有多個第二電路電極的第二電路構件，以及 設置于所述第一電路基板的所述主面與所述第二電路基板的所述主面之間并在所述 第一電路電極及第二電路電極處于相互對向的狀態下連接所述第一電路構件及第二電路 構件相互間的電路連接構件，其中，所述電路連接構件由權利要求1至10中任一項所述的薄膜狀電路連接材料的固 化物構成，所述第一電路電極與所述第二電路電極經由所述被覆粒子而電連接。
12.—種電路構件的連接構造的制造方法，其中，具備在第一電路基板的主面上形成有多個第一電路電極的第一電路構件與在第二電路基 板的主面上形成有多個第二電路電極的第二電路構件之間，在所述第一電路電極與所述第 二電路電極對向的狀態下，設置權利要求1至10中任一項所述的薄膜狀電路連接材料的工 序；以及通過加熱及加壓使所述薄膜狀電路連接材料固化的工序。
13.—種電路連接材料，是用于使在第一電路基板的主面上形成有多個第一電路電極 的第一電路構件、和在第二電路基板的主面上形成有多個第二電路電極的第二電路構件， 以所述第一電路電極及第二電路電極對向的狀態進行連接的電路連接材料， 其中，含有粘合劑組合物、及導電粒子的部分表面被絕緣性微粒子被覆而成的被覆粒子，所述被覆粒子的比重是所述導電粒子的比重的97/100 99/100， 所述第一電路電極或所述第二電路電極具有面積低于3000 ym2的凸塊。
14.一種電路連接材料，是用于使在第一電路基板的主面上形成有多個第一電路電極 的第一電路構件、和在第二電路基板的主面上形成有多個第二電路電極的第二電路構件，以所述第一電路電極及第二電路電極對向的狀態進行連接的電路連接材料，其中，含有粘合劑組合物、及導電粒子的部分表面被絕緣性微粒子被覆而成的被覆粒子，所述絕緣性微粒子的質量是所述導電粒子的質量的2/1000 26/1000， 所述第一電路電極或所述第二電路電極具有面積低于3000 ym2的凸塊。
15.一種電路連接材料，是用于使在第一電路基板的主面上形成有多個第一電路電極 的第一電路構件、和在第二電路基板的主面上形成有多個第二電路電極的第二電路構件，以所述第一電路電極及第二電路電極對向的狀態進行連接的電路連接材料，其中，含有粘合劑組合物、及導電粒子的部分表面被絕緣性微粒子被覆而成的被覆粒子，所述導電粒子具有由高分子化合物構成的核體，所述絕緣性微粒子的質量是所述核體質量的7/1000 86/1000，所述第一電路電極或所述第二電路電極具有面積低于3000 ym2的凸塊。
16.如權利要求13至15中任一項所述的電路連接材料，其中，所述絕緣性微粒子的平 均粒徑是所述導電粒子的平均粒徑的1/40 1/10。
17.如權利要求13至16中任一項所述的電路連接材料，其中，所述絕緣性微粒子是由 自由基聚合性物質的聚合物構成。
18.如權利要求13至17中任一項所述的電路連接材料，其中，所述粘合劑組合物含有 自由基聚合性物質、以及由加熱而產生游離自由基的固化劑。
19.如權利要求13至18中任一項所述的電路連接材料，其中，還含有由苯氧基樹脂構 成的薄膜形成材料。
20.如權利要求19所述的電路連接材料，其中，所述苯氧基樹脂在分子內含有衍生于 多環芳香族化合物的分子構造。
21.如權利要求20所述的電路連接材料，其中，所述多環芳香族化合物是芴。
22.一種薄膜狀電路連接材料，其中，使權利要求13至21中任一項所述的電路連接材 料形成為薄膜狀而形成。
23.—種電路構件的連接構造，具備在第一電路基板的主面上形成有多個第一電路 電極的第一電路構件，在第二電路基板的主面上形成有多個第二電路電極的第二電路構件，以及設置于所述第一電路基板的所述主面與所述第二電路基板的所述主面之間并在所述 第一電路電極及第二電路電極處于相互對向的狀態下連接所述第一電路構件及第二電路 構件相互間的電路連接構件，其中，所述電路連接構件由權利要求13至21中任一項所述的電路連接材料的固化物 構成，所述第一電路電極與所述第二電路電極經由所述被覆粒子而電連接。
24.如權利要求11或23所述的電路構件的連接構造，其中，在相鄰的所述電路電極間 施加50V的直流電壓時，相鄰的所述電路電極間的電阻值為109Q以上。
25.如權利要求11、23或24所述的電路構件的連接構造，其中，所述第一電路構件及第 二電路構件中至少一者為IC芯片。
26.如權利要求11、23-25中任一項所述的電路構件的連接構造，其中，所述第一電路 電極與所述第二電路電極之間的連接電阻為以下。
27.如權利要求11、23至26中任一項所述的電路構件的連接構造，其中，所述第一電路 電極及第二電路電極中至少一者，具有由選自金、銀、錫、鉬族的金屬及銦錫氧化物中的至 少一種構成的電極表面層。
28.如權利要求11、23至27中任一項所述的電路構件的連接構造，其中，所述第一電路 構件及第二電路構件中至少一者，具有由選自氮化硅、硅氧化合物及聚酰亞胺樹脂中的至 少一種構成的基板表面層。
29.—種電路構件的連接構造的制造方法，其中，具備在第一電路基板的主面上形成有多個第一電路電極的第一電路構件與在第二電路基板的主面上形成有多個第二電路電極的第二電路構件之間，在所述第一電路電極與所述第 二電路電極對向的狀態下，設置權利要求13至21中任一項所述的電路連接材料的工序；以 及通過加熱及加壓使所述電路連接材料固化的工序。
全文摘要
本發明的電路構件的連接構造(10)具備在電路基板(21、31)的主面(21a、31a)上形成多個電路電極(22、32)的電路構件(20、30)。以電路電極(22、32)對向的方式連接電路構件(20、30)相互間的電路連接構件(60)，由本發明的電路連接材料的固化物構成。本發明的電路連接材料含有粘合劑組合物、及導電粒子(51)的表面(51a)的一部份被絕緣性微粒子(52)被覆的被覆粒子(50)，絕緣性微粒子(52)的質量是導電粒子(51)的質量的2/1000～26/1000。
文檔編號H05K3/32GK101944659SQ20101024565
公開日2011年1月12日 申請日期2005年1月6日 優先權日2004年1月7日
發明者后藤泰史, 山口一夫, 渡邊伊津夫, 竹田津潤, 藤井正規, 藤井綾 申請人:日立化成工業株式會社