包絡跟蹤放大器以及具有該包絡跟蹤放大器的放大電路的制作方法
【專利摘要】提供一種包絡跟蹤放大器以及具有該包絡跟蹤放大器的放大電路，所述包絡跟蹤放大器包括：線性級、感應級以及開關級，其中，線性級用于對接收的包絡信號進行放大，以輸出與包絡信號的幅值相應的電壓，感應級用于根據線性級輸出的電壓產生控制信號，開關級用于根據感應級產生的控制信號輸出與包絡信號的幅值相應的電流，其中，線性級與開關級并聯以向外部提供與包絡信號呈線性關系的輸出。采用上述包絡跟蹤放大器能夠改善其輸出，以向外提供一個具有良好線性度且高效的電源。
【專利說明】
包絡跟蹤放大器以及具有該包絡跟蹤放大器的放大電路
技術領域
[0001]本發明總體說來涉及射頻通信的集成電路領域，更具體地講，涉及一種包絡跟蹤放大器以及具有該包絡跟蹤放大器的放大電路。
【背景技術】
[0002]在射頻通信中，為了克服遠距離傳輸造成的信號衰減，也為了使接收機獲得更好的SNR(信噪比)以減輕接收機的設計難度，一般都需要發射機特別是功率放大器能夠提供較高的輸出功率。
[0003]為此，一般要求功率放大器具有較好的線性度和高效率，S卩，當功率放大器的輸出功率較大時，其相應的電源電壓較高，當功率放大器的輸出功率較小時，其相應的電源電壓較低。
[0004]然而，在現有技術中，一般為功率放大器提供恒定的電源電壓，S卩，不論功率放大器的輸出功率是大是小，其電源電壓均是處于較高的狀態，這就導致了功率放大器在低輸出功率的情況下的效率低，不僅大量能量轉化成熱量白白損耗掉，而且還提高了芯片的溫度，同時減少了電源和芯片的使用壽命。另外，隨著通信系統的不斷發展和演變，有限頻帶內的數據傳輸速率越來越高，信號峰均比隨之也越來越高，這對功率放大器的線性度都提出很高要求。
[0005]現有技術中一般采用功率回退的方式，S卩，將功率放大器的輸入功率從IdB壓縮點向后回退6-10dB，使功率放大器遠離飽和區，進入線性工作區以滿足線性度要求。
[0006]雖然利用功率回退的方式來改善放大器的線性度簡單、易實現，且不需要增加任何附加設備，但是這種方式會大大降低功率放大器的效率。另外，當輸入功率回退到一定程度時，繼續回退將不再改善功率放大器的線性度。

【發明內容】

[0007]本發明的示例性實施例在于提供一種能夠向外部提供具有良好線性度的輸出并具有高效率的包絡跟蹤放大器以及具有該包絡跟蹤放大器的放大電路，將該輸出提供給功率放大器，可對功率放大器的電源進行改善，以解決功率放大器的低效率問題。
[0008]根據本發明示例性實施例的一方面，提供一種包絡跟蹤放大器，所述包絡跟蹤放大器包括:線性級、感應級以及開關級，其中，線性級用于對接收的包絡信號進行放大，以輸出與包絡信號的幅值相應的電壓，感應級用于根據線性級輸出的電壓產生控制信號，開關級用于根據感應級產生的控制信號輸出與包絡信號的幅值相應的電流，其中，線性級與開關級并聯以向外部提供與包絡信號呈線性關系的輸出。
[0009]可選地，線性級可包括線性運算放大器、第一偏置電源、第二偏置電源、第一 MOS管以及第二 MOS管，其中，線性運算放大器用于對接收的包絡信號進行放大，第一偏置電源用于調節線性運算放大器的輸出電壓，并將調節后的輸出電壓發送給第一 MOS管的柵極，第二偏置電源用于調節線性運算放大器的輸出電壓，并將調節后的輸出電壓發送給第二MOS管的柵極，第一 MOS管的漏極連接到電源，第一 MOS管的源極連接到第二 MOS管的源極和作為線性級的輸出端的節點，第二 MOS管的漏極接地。
[0010]可選地，當包絡信號的幅值大于等于第一設定閾值時，第一 MOS管導通，第二 MOS管截止，作為線性級的輸出端的節點可通過與第一 MOS管的漏極相連接的電源來提供電壓，當包絡信號的幅值小于第一設定閾值時，第一 MOS管截止，第二 MOS管導通，所述節點可通過與第二 MOS管的漏極相連接的地進行放電。
[0011]可選地，線性級可還包括第一電阻器以及第二電阻器，其中，線性運算放大器的正向輸入端接收包絡信號，線性運算放大器的輸出端與第一 MOS管的柵極之間串聯連接第一偏置電源，線性運算放大器的輸出端與第二 MOS管的柵極之間串聯連接第二偏置電源，第一電阻器的一端連接到作為線性級的輸出端的節點，第一電阻器的另一端連接到線性運算放大器的反向輸入端，第二電阻器的一端連接到線性運算放大器的反向輸入端，第二電阻器的另一端接地。
[0012]可選地，感應級可包括感應電阻、差分放大器、磁滯比較器以及數字隔離器，其中，感應電阻的一端連接到作為線性級的輸出端的節點，感應電阻的另一端連接到作為開關級的輸出端的節點，差分放大器用于對從感應電阻兩端檢測出的電壓值進行放大，磁滯比較器用于將差分放大器輸出的電壓值與第二設定閾值進行比較，根據比較結果產生所述控制信號，并將產生的所述控制信號經由數字隔離器發送給開關級。
[0013]可選地，所述控制信號可包括第一控制信號和第二控制信號，其中，當差分放大器輸出的電壓值大于等于第二設定閾值時，磁滯比較器產生第一控制信號，當差分放大器輸出的電壓值小于第二設定閾值時，磁滯比較器產生第二控制信號。
[0014]可選地，開關級可包括開關驅動器、第三MOS管、第四MOS管以及電感，開關驅動器可用于對感應級產生的所述控制信號進行放大，并將放大后的控制信號發送給第三MOS管的柵極和第四MOS管的柵極，第三MOS管的漏極連接到電源，第三MOS管的源極連接到第四MOS管的漏極和電感的一端，第四MOS管的源極接地，電感的另一端連接到作為開關級的輸出端的節點。
[0015]可選地，感應級產生的控制信號可包括第一控制信號和第二控制信號，其中，當感應級產生第一控制信號時，第三MOS管導通，第四MOS管截止，當感應級產生第二控制信號時，第三MOS管截止，第四MOS管導通。
[0016]可選地，第一 MOS管、第三MOS管、第四MOS管可為NMOS管，第二 MOS管可為PMOS管。
[0017]根據本發明示例性實施例的另一方面，提供一種具有上述的包絡跟蹤放大器的放大電路，所述放大電路包括:耦合器、包絡檢波器以及上述的包絡跟蹤放大器，其中，耦合器從射頻芯片接收射頻信號，并對接收的射頻信號進行功率分配，以將部分功率的射頻信號發送給包絡檢波器，包絡檢波器從接收到的部分功率的射頻信號中解調出包絡信號，并將所述包絡信號發送給包絡跟蹤放大器，包絡跟蹤放大器對接收的包絡信號進行放大，以向外部提供與包絡信號呈線性關系的輸出。
[0018]采用上述包絡跟蹤放大器以及具有該包絡跟蹤放大器的放大電路，能夠有效改善包絡跟蹤放大器的輸出，以向外提供一個具有高效率且良好線性度的電源。
【附圖說明】
[0019]圖1示出根據本發明示例性實施例的包絡跟蹤放大器的結構圖；
[0020]圖2示出根據本發明示例性實施例的包絡跟蹤放大器的電路圖；
[0021]圖3示出根據本發明示例性實施例的具有圖1所示的包絡跟蹤放大器的放大電路的結構圖。
【具體實施方式】
[0022]現將詳細描述本發明的示例性實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中，相同的標號始終指的是相同的部件。
[0023]圖1示出根據本發明示例性實施例的包絡跟蹤放大器的結構圖。
[0024]如圖1所示，根據本發明示例性實施例的包絡跟蹤放大器包括線性級10、感應級20以及開關級30。
[0025]具體說來，線性級10用于對接收的包絡信號進行放大，并輸出與包絡信號的幅值相應的電壓。可選地，可利用現有的各種裝置或方法來從射頻芯片發出的射頻信號中獲得包絡信號。這里，由于包絡信號遺傳了由射頻芯片發出的射頻信號的全部特征，很好地反應了射頻信號峰值的變化規律，因此可將包絡信號用于對包絡跟蹤放大器進行控制。
[0026]這里，線性級10可使輸出的電壓與包絡信號幅值之間呈線性變化，即，當包絡信號的幅值增大時輸出的電壓值也隨之增大，當包絡信號的幅值減小時輸出的電壓值也隨之減小。
[0027]感應級20用于根據線性級10輸出的電壓產生控制信號。控制信號與輸出的電壓的大小有關。
[0028]開關級30用于根據感應級20產生的控制信號輸出與包絡信號的幅值相應的電流。這里，線性級10與開關級30并聯向外部提供與包絡信號呈線性關系的輸出。可選地，當線性級10輸出的電壓值增大時，開關級30輸出的電流根據感應級20產生的控制信號也隨之增大，當線性級10輸出的電壓值減小時，開關級30輸出的電流根據感應級20產生的控制信號也隨之減小。
[0029]采用本發明示例性實施例的包絡跟蹤放大器使得包絡信號的幅值增大時，所述包絡跟蹤放大器可提升向外部提供的輸出(即，同時提高線性級10輸出的電壓值和開關級30輸出的電流)，包絡信號的幅值減小時，所述包絡跟蹤放大器可降低向外部提供的輸出(即，同時減小線性級10輸出的電壓值和開關級30輸出的電流)，以實現向外部提供具有良好線性度的的輸出，并同時提高包絡跟蹤放大器的效率。
[0030]下面結合圖2來詳細描述包絡跟蹤放大器的電路原理。
[0031]圖2示出根據本發明示例性實施例的包絡跟蹤放大器的電路圖。
[0032]如圖2所示，根據本發明示例性實施例的包絡跟蹤放大器包括線性級10、感應級20以及開關級30。這里，線性級10可充當電壓源來提供電壓，開關級30可充當電流源來提供電流，線性級10與開關級30并聯向外部提供與包絡信號的幅值呈線性關系的輸出。
[0033]參照圖2，線性級10可包括線性運算放大器0P1、第一偏置電源Vgl、第二偏置電源Vg2、第一 MOS管M1、第二 MOS管M2、第一電阻器Rl以及第二電阻器R2。可選地，第一 MOS管Ml可為NMOS管，第二 MOS管M2可為PMOS管。優選地，線性運算放大器OPl可具有高增益帶寬、高輸出動態范圍和高轉換速率的特性。
[0034]具體說來，線性運算放大器OPl的正向輸入端接收包絡信號，線性運算放大器OPl的輸出端與第一MOS管Ml的柵極之間串聯連接第一偏置電源Vgl，第一 MOS管Ml的漏極連接到電源VDC，第一 MOS管Ml的源極連接到第二 MOS管M2的源極和作為線性級10的輸出端的節點A，線性運算放大器OPl的輸出端與第二 MOS管M2的柵極之間串聯連接第二偏置電源Vg2，第二 MOS管M2的漏極接地，第一電阻器Rl的一端連接到節點A，第一電阻器Rl的另一端連接到線性運算放大器OPl的反向輸入端，第二電阻器R2的一端連接到線性運算放大器OPl的反向輸入端，第二電阻器R2的另一端接地。這里，與第一 MOS管Ml的漏極相連接的電源VDC為恒定直流電源。
[0035]感應級20包括感應電阻R3、差分放大器0P2、磁滯比較器301以及數字隔離器302。優選地，差分放大器0P2可具有高共模抑制比、高增益帶寬的性能。磁滯比較器301可具有高速響應、低靜態損耗的特性。
[0036]具體說來，感應電阻R3的一端連接到節點A，感應電阻R3的另一端連接到作為開關級30的輸出端的節點B (該節點B也是作為包絡跟蹤放大器的輸出端的節點)，差分放大器0P2的正向輸入端和反向輸入端分別連接到感應電阻R3的兩端，差分放大器0P2的輸出端連接到磁滯比較器301的輸入端，磁滯比較器301的輸出端連接到數字隔離器302的輸入端，數字隔離器302的輸出端連接到開關驅動器303的輸入端。
[0037]開關級30包括開關驅動器303、第三MOS管M3、第四MOS管M4以及電感L。優選地，開關驅動器303可具有高電流驅動能力、防直通保護、高速同步驅動、欠壓鎖定的特性。第三MOS管M3和第四MOS管M4可為NMOS管，且可具有低柵極電荷、低反向電容、低導通電阻的特性。
[0038]具體說來，開關驅動器303的輸出端連接到第三MOS管M3的柵極和第四MOS管M4的柵極，第三MOS管M3的漏極連接到電源VDC，第三MOS管M3的源極連接到第四MOS管M4的漏極和電感L的一端，第四MOS管M4的源極接地，電感L的另一端連接到節點B。這里，與第三MOS管M3的漏極相連接的電源VDC也為恒定直流電源。應理解，這里由于開關級30采用了具有上述結構的兩個MOS管(S卩，第三MOS管M3和第四MOS管M4)，可有效降低導通損耗，使開關級30具有輸出電流尚、開關品質系數尚的特性，從而提尚了包絡跟蹤放大器的效率。
[0039]以下，將以第一 MOS管、第三MOS管、第四MOS管為NMOS管，第二 MOS管為PMOS管為例對根據本發明實施例的包絡跟蹤放大器的工作原理進行描述。
[0040]具體說來，線性運算放大器OPl用于對接收的包絡信號進行放大，第一偏置電源Vgl用于調節線性運算放大器OPl的輸出電壓，并將調節后的輸出電壓發送給第一 NMOS管Ml的柵極，第二偏置電源Vg2用于調節線性運算放大器OPl的輸出電壓，并將調節后的輸出電壓發送給第二 PMOS管M2的柵極。這里，應理解，由于線性運算放大器OPl的輸出端與第一 NMOS管Ml的柵極之間串聯連接了第一偏置電源Vgl，因此，可通過第一偏置電源Vgl來控制流過第一 NMOS管Ml中的電流；類似地，由于在線性運算放大器的輸出端OPl與第二PMOS管M2的柵極之間串聯連接了第二偏置電源Vg2，因此，可通過第二偏置電源Vg2來控制流過第二 PMOS管M2中的電流，使得節點A可輸出與包絡信號的幅值相應的電壓值。
[0041]作為示例，第一 NMOS管Ml可為高電平導通，第二 PMOS管M2可為低電平導通，可人為設定第一偏置電源Vgl和第二偏置電源Vg2的電壓值，來對線性運算放大器OPl的輸出電壓進行調節，從而根據第一偏置電源Vgl和第二偏置電源Vg2調節后的輸出電壓來實現對第一 NMOS管Ml和第二 PMOS管M2的控制。
[0042]例如，當包絡信號的幅值大于等于第一設定閾值時，可使第一 NMOS管Ml導通，第二PMOS管M2截止，節點A通過與第一 NMOS管Ml的漏極相連接的電源VDC來提供電壓；當包絡信號的幅值小于第一設定閾值時，可使第一 NMOS管Ml截止，第二 PMOS管M2導通，節點A通過與第二 PMOS管M2的漏極相連接的地進行放電。可選地，可通過調節第一電阻器Rl和第二電阻器R2的阻值來改變線性級10輸出的電壓值。
[0043]節點A通過感應電阻R3與節點B相連。這里，可利用現有的方法或電壓檢測裝置來獲得感應電阻R3兩端的電壓值。作為示例，可利用差分放大器0P2從感應電阻兩端提取出的電壓值，并對電壓值進行放大。然而本發明不限于此，還可通過檢測流經感應電阻R3上的電流，來獲得感應電阻R3兩端的電壓值。磁滯比較器301用于將差分放大器0P2輸出的電壓值與第二設定閾值進行比較，根據比較結果產生控制信號，并將產生的控制信號發送給開關級30，可起到對電路中各元件的保護作用。
[0044]具體說來，磁滯比較器301產生的控制信號可包括第一控制信號和第二控制信號，當線性級10輸出的電壓值增大時，感應電阻R3兩端的電壓值也隨之增大，則相應地差分放大器0P2輸出的電壓值也變大，然后磁滯比較器301將差分放大器0P2輸出的電壓值與第二設定閾值進行比較，當差分放大器0P2輸出的電壓值大于等于第二設定閾值時，磁滯比較器301產生第一控制信號，當差分放大器0P2輸出的電壓值小于第二設定閾值時，磁滯比較器301產生第二控制信號。
[0045]開關驅動器303用于對從數字隔離器302接收的控制信號進行放大，并將放大后的控制信號發送給第三NMOS管M3的柵極和第四NMOS管M4的柵極。這里，可根據放大后的控制信號實現對第三NMOS管M3和第四NMOS管M4的控制，以使節點B根據所述控制信號輸出與包絡信號的幅值相應的電流。
[0046]可選地，當感應級20產生第一控制信號時，第三NMOS管M3導通，第四NMOS管M4截止，在此情況下，節點B通過與第三NMOS管M3的漏極相連接的電源VDC經由電感L來提供電流，即，此時電感L與第三NMOS管M3的源極相連的一端具有電壓，經電感L后節點B輸出一個逐步增大的電流。當感應級20產生第二控制信號時，第三NMOS管M3截止，第四NMOS管M4導通，在此情況下，節點B通過與第四NMOS管M4的源極相連接的地經由電感L進行放電，即，此時電感L與第三NMOS管M3的源極相連的一端電壓為零，經電感L后節點B輸出一個逐步減小的電流。
[0047]這里，當線性級10的輸出電壓值增大時，感應電阻R3兩端的電壓值也增大，相應地第三NMOS管M3處于導通狀態，開關級30的輸出電流也增大，因此，節點B向外部提供的輸出也隨之增大。
[0048]類似地，當線性級10的輸出電壓值減小時，感應電阻R3兩端的電壓值也減小，相應地第四NM0s管M4處于導通狀態，開關級30的輸出電流也減小，因此，節點B向外部提供的輸出也隨之減小。
[0049]根據本發明示例性實施例的包絡跟蹤放大器，不僅可向外部提供具有良好線性度的輸出，還由于在開關級有效降低了導通損耗，因此可同時提高包絡跟蹤放大器的效率。
[0050]圖3示出根據本發明示例性實施例的具有圖1所示的包絡跟蹤放大器的放大電路的結構圖。
[0051]如圖3所示，根據本發明示例性實施例的具有圖1所示的包絡跟蹤放大器的放大電路包括耦合器100、包絡檢波器200以及包絡跟蹤放大器300。
[0052]具體說來，耦合器100從射頻芯片接收射頻信號，并對接收的射頻信號進行功率分配，以將部分功率的射頻信號發送給包絡檢波器200。這里，耦合器100用于對從射頻芯片接收的射頻信號進行功率分配，以將部分功率的射頻信號用于對包絡跟蹤放大器300進行控制，將除此之外的其他部分功率的射頻信號用于信號發射。這里，部分功率可為小于設定值的功率，由于耦合器100分配后的部分功率的射頻信號遺傳了從射頻芯片接收的射頻信號的全部特征，因此可將該部分功率的射頻信號的作為控制信號用于對包絡跟蹤放大器300進行控制。這里，可通過調節耦合器100的系數來確定用于對包絡跟蹤放大器300進行控制的射頻信號的功率的大小。
[0053]包絡檢波器200從接收到的部分功率的射頻信號中解調出包絡信號，并將該包絡信號發送給包絡跟蹤放大器300。作為示例，可采用峰值包絡檢波器從接收到的部分功率的射頻信號中解調出包絡信號。
[0054]這里，由于根據本發明示例性實施例的放大電路需要依照射頻信號峰值的變化來調整向外部提供的輸出，因此，需要了解射頻信號峰值的變化規律，而由射頻芯片發出的射頻信號是一個任意變化的信號，由該射頻信號無法得到信號峰值的變化規律(即，該射頻信號無法用于對包絡跟蹤放大器300進行控制)，因此需要經由包絡檢波器200對射頻信號進行處理，以得到能夠反映射頻信號峰值的變化規律的包絡信號。
[0055]包絡跟蹤放大器300對接收的包絡信號進行放大，以向外部提供與包絡信號呈線性關系的輸出。這里，包絡跟蹤放大器300可根據包絡信號的幅值來調整向外部提供的輸出，以使向外部提供的輸出與包絡信號之間呈線性變化。
[0056]這里，包絡跟蹤放大器300的內部結構以及功能與圖1所示的包絡跟蹤放大器相同，本發明對此部分的內容不再贅述。
[0057]上述包絡跟蹤放大器以及具有該包絡跟蹤放大器的放大電路，由于可根據包絡信號來調整向外部提供的輸出，從而實現向外部提供一個具有良好線性度、且高效的輸出。
[0058]此外，將上述包絡跟蹤放大器或具有該包絡跟蹤放大器的放大電路的輸出提供給功率放大器，可使得在功率放大器輸出功率較大時，增大向功率放大器提供的輸出，在功率放大器輸出功率較小時，降低向功率放大器提供的輸出，從而提高了功率放大器效率在低輸出功率情況下的效率(即，提高了功率放大器回退時的效率)，改善功率放大器的線性度。
[0059]上面已經結合具體示例性實施例描述了本發明，但是本發明的實施不限于此。在本發明的精神和范圍內，本領域技術人員可以進行各種修改和變型，這些修改和變型將落入權利要求限定的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種包絡跟蹤放大器，所述包絡跟蹤放大器包括:線性級、感應級以及開關級， 其中，線性級用于對接收的包絡信號進行放大，以輸出與包絡信號的幅值相應的電壓， 感應級用于根據線性級輸出的電壓產生控制信號， 開關級用于根據感應級產生的控制信號輸出與包絡信號的幅值相應的電流， 其中，線性級與開關級并聯以向外部提供與包絡信號呈線性關系的輸出。2.如權利要求1所述的包絡跟蹤放大器，其中，線性級包括線性運算放大器、第一偏置電源、第二偏置電源、第一 MOS管以及第二 MOS管， 其中，線性運算放大器用于對接收的包絡信號進行放大， 第一偏置電源用于調節線性運算放大器的輸出電壓，并將調節后的輸出電壓發送給第一MOS管的柵極， 第二偏置電源用于調節線性運算放大器的輸出電壓，并將調節后的輸出電壓發送給第二MOS管的柵極， 第一 MOS管的漏極連接到電源，第一 MOS管的源極連接到第二 MOS管的源極和作為線性級的輸出端的節點，第二 MOS管的漏極接地。3.如權利要求2所述的包絡跟蹤放大器，其中，當包絡信號的幅值大于等于第一設定閾值時，第一 MOS管導通，第二 MOS管截止，作為線性級的輸出端的節點通過與第一 MOS管的漏極相連接的電源來提供電壓， 當包絡信號的幅值小于第一設定閾值時，第一 MOS管截止，第二 MOS管導通，所述節點通過與第二 MOS管的漏極相連接的地進行放電。4.如權利要求2所述的包絡跟蹤放大器，其中，線性級還包括第一電阻器以及第二電阻器， 其中，線性運算放大器的正向輸入端接收包絡信號，線性運算放大器的輸出端與第一MOS管的柵極之間串聯連接第一偏置電源，線性運算放大器的輸出端與第二 MOS管的柵極之間串聯連接第二偏置電源，第一電阻器的一端連接到作為線性級的輸出端的節點，第一電阻器的另一端連接到線性運算放大器的反向輸入端，第二電阻器的一端連接到線性運算放大器的反向輸入端，第二電阻器的另一端接地。5.如權利要求1所述的包絡跟蹤放大器，其中，感應級包括感應電阻、差分放大器、磁滯比較器以及數字隔離器， 其中，感應電阻的一端連接到作為線性級的輸出端的節點，感應電阻的另一端連接到作為開關級的輸出端的節點， 差分放大器用于對從感應電阻兩端檢測出的電壓值進行放大， 磁滯比較器用于將差分放大器輸出的電壓值與第二設定閾值進行比較，根據比較結果產生所述控制信號，并將產生的所述控制信號經由數字隔離器發送給開關級。6.如權利要求5所述的包絡跟蹤放大器，其中，所述控制信號包括第一控制信號和第二控制信號， 其中，當差分放大器輸出的電壓值大于等于第二設定閾值時，磁滯比較器產生第一控制信號，當差分放大器輸出的電壓值小于第二設定閾值時，磁滯比較器產生第二控制信號。7.如權利要求1所述的包絡跟蹤放大器，其中，開關級包括開關驅動器、第三MOS管、第四MOS管以及電感， 開關驅動器用于對感應級產生的所述控制信號進行放大，并將放大后的控制信號發送給第三MOS管的柵極和第四MOS管的柵極， 第三MOS管的漏極連接到電源，第三MOS管的源極連接到第四MOS管的漏極和電感的一端，第四MOS管的源極接地，電感的另一端連接到作為開關級的輸出端的節點。8.如權利要求7所述的包絡跟蹤放大器，其中，感應級產生的控制信號包括第一控制信號和第二控制信號， 其中，當感應級產生第一控制信號時，第三MOS管導通，第四MOS管截止，當感應級產生第二控制信號時，第三MOS管截止，第四MOS管導通。9.如權利要求2-8中任一權利要求所述的包絡跟蹤放大器，其中，第一MOS管、第三MOS管、第四MOS管為NMOS管，第二 MOS管為PMOS管。10.一種具有如權利要求1所述的包絡跟蹤放大器的放大電路，所述放大電路包括??親合器、包絡檢波器以及權利要求1所述的包絡跟蹤放大器， 其中，耦合器從射頻芯片接收射頻信號，并對接收的射頻信號進行功率分配，以將部分功率的射頻信號發送給包絡檢波器， 包絡檢波器從接收到的部分功率的射頻信號中解調出包絡信號，并將所述包絡信號發送給包絡跟蹤放大器， 包絡跟蹤放大器對接收的包絡信號進行放大，以向外部提供與包絡信號呈線性關系的輸出。
【文檔編號】H03F1/02GK106033953SQ201510102523
【公開日】2016年10月19日
【申請日】2015年3月9日
【發明人】袁芳標, 曾大杰, 宋賀倫, 張耀輝
【申請人】中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所