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一種毫米波低噪聲耦合放大組件的制作方法

文檔序號:9633512閱讀:395來源:國知局
一種毫米波低噪聲耦合放大組件的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及接收機系統的低噪音耦合放大裝置,特別是一種毫米波低噪聲耦合放大組件。
【背景技術】
[0002]毫米波在雷達、電子對抗以及毫米波通信等方面已得到廣泛應用。毫米波低噪聲耦合放大組件是作為某接收機系統的前端低噪聲放大器來使用,具有較低的噪聲系數,還為接收機系統提供自檢通道。前端低噪聲放大器是接收機系統中的一個重要的部分,其噪聲系數指標和增益指標直接影響接收機系統的靈敏度。
[0003]由于毫米波頻段頻率高,在電路的微波元器件和微帶線的不均勻處都會產生輻射。這些輻射在腔體中傳播會形成反饋,過強的反饋,會引起自激振蕩,導致放大器不能正常工作。同時射頻端子與腔體裝配不好,會與匹配電路之間產生大的反射,導致噪聲系數變大。接收機系統的前端低噪聲放大器沒有自檢輸入通道,不利于判斷接收機工作狀態是否正常。

【發明內容】

[0004]本發明的目的在于克服現有技術的缺點,提供一種結構簡單、性能指標好和具有自檢通道毫米波低噪聲耦合放大組件。
[0005]本發明的目的通過以下技術方案來實現:一種毫米波低噪聲耦合放大組件,它包括主腔體、射頻連接器、射頻端子和饋電端子,所述的主腔體的兩端均開設有凹槽,且凹槽均通過蓋板蓋住,其中正面凹槽內設置有耦合電路和射頻電路,所述的耦合電路與射頻電路連接,所述的射頻電路的兩端以及耦合電路的一端分別連接有一射頻端子,所述的射頻端子均連接有一射頻連接器,所述的射頻連接器安裝在主腔體的外側壁上,所述的主腔體的背面凹槽內安裝有電源處理電路,所述的電源處理電路與饋電端子一端連接且饋電端子另一端與射頻電路相連。
[0006]所述的主腔體正面凹槽內的蓋板包括上蓋板和中蓋板,所述的中蓋板蓋住主腔體,上蓋板蓋住中蓋板,且上蓋板與主腔體粘接。
[0007]所述的電源處理電路的輸入電壓為+12V,輸出電壓為穩定的+6V、+5V和-1.2V。
[0008]所述的主腔體上還設置有一接地柱。
[0009]本發明具有以下優點:本發明的毫米波低噪聲耦合放大組件,在為接收機系統提供低噪聲放大電路的同時提供一個自檢通道;并且腔體結構簡單,工藝容易實現,有較好的性能指標。
【附圖說明】
[0010]圖1為本發明毫米波低噪聲耦合放大組件的剖面結構示意圖;
圖2為本發明毫米波低噪聲耦合放大組件的去掉中、上蓋板后示意圖; 圖3為本發明毫米波低噪聲耦合放大組件的原理圖;
圖4為本發明毫米波低噪聲耦合放大組件的結構示意圖;
圖中,1-主腔體,2-射頻連接器,3-射頻端子,4-饋電端子,5-凹槽,6-蓋板,7-耦合電路,8_射頻電路,9-電源處理電路,11-接地柱,61-上蓋板,62-中蓋板。
【具體實施方式】
[0011]下面結合附圖對本發明做進一步的描述,本發明的保護范圍不局限于以下所述: 如圖1~圖4所示,一種毫米波低噪聲耦合放大組件,它包括主腔體1、射頻連接器2、射頻端子3和饋電端子4,所述的主腔體1的兩端均開設有凹槽5,且凹槽5均通過蓋板6蓋住,其中正面凹槽內設置有耦合電路7和射頻電路8,所述的耦合電路7與射頻電路8連接,所述的射頻電路8的兩端以及耦合電路7的一端分別連接有一射頻端子3,從而使得該耦合放大組件具有兩個輸入端和一輸出端,其中射頻電路8 —端作為出入端,另一端作為輸入端,耦合電路的輸入端作為耦合放大組件的另一輸入端,且以耦合電路7為輸入端時,其和耦合電路7連接的電路則為自檢電路,所述的射頻端子3均連接有一射頻連接器2,所述的射頻連接器2安裝在主腔體1的外側壁上,本實施例中,射頻連接器2與主腔體1之間采用螺釘連接,所述的主腔體1的背面凹槽內安裝有電源處理電路9,所述的電源處理電路9與饋電端子4 一端連接且饋電端子4另一端與射頻電路8相連。
[0012]在本實施例中,輸入、輸出射頻連接器2采用2.92(K),在主腔體1內設置有三處放置射頻電路8的槽體,以及一處放置耦合電路7的槽體,其中放置射頻電路8的三處槽體的尺寸分別為:槽長3.5mm、槽寬3mm、槽深4mm ;槽長3.65mm、槽寬3mm、槽深4mm ;槽長4.2mm、槽寬3mm、槽深4mm ;為保證射頻端子3與主腔體1的連接穩定性,在主腔體1上設置有與射頻端子3配合的通孔,且該通孔為階梯通孔,且其直徑從外到里分別為Φ4.5πιπι,Φ2πιπι,Φ 0.7mm,其中Φ0.7mm的孔的深度為2.1mm。
[0013]在本實施例中,所述的主腔體1正面凹槽內的蓋板6包括上蓋板61和中蓋板62,所述的中蓋板62蓋住主腔體1,上蓋板61蓋住中蓋板62,且上蓋板61與主腔體1粘接。
[0014]在本實施例中,所述的電源處理電路9的輸入電壓為+12V,輸出電壓為穩定的+6V、+5V 和-1.2Vo
[0015]在本實施例中,所述的主腔體1上還設置有一接地柱11。
[0016]在本實施例中,毫米波低噪聲耦合放大組件實測主要技術指標如下:1、工作頻率18?40GHz ;2、增益:多30dB ;3、噪聲系數..( 4.8dB ;4、輸入駐波比1.8:1 ;5、輸入駐波比:彡1.8:1;6、輸出P-ldB:彡+15dBm ;7、耦合增益:15dB。
[0017]本發明的工作過程如下:如圖4所示,輸入信號通過射頻連接器2輸入到射頻電路8的輸入端,通過兩級放大電路進行放大,然后再從射頻電路8的輸出端輸出;輸入信號通過射頻連接器2輸入到耦合電路7輸入端,由耦合電路7輸出端再進入射頻電路8的輸入端,通過兩級放大電路進行放大原理圖,放大后的信號最后通過射頻連接器2輸出端輸出。
【主權項】
1.它包括主腔體(1)、射頻連接器(2)、射頻端子(3)和饋電端子(4),所述的主腔體(1)的兩端均開設有凹槽(5),且凹槽(5)均通過蓋板(6)蓋住,其中正面凹槽內設置有耦合電路(7 )和射頻電路(8 ),所述的耦合電路(7 )與射頻電路(8 )連接,所述的射頻電路(8 )的兩端以及耦合電路(7 )的一端分別連接有一射頻端子(3 ),所述的射頻端子(3 )均連接有一射頻連接器(2 ),所述的射頻連接器(2 )安裝在主腔體(1)的外側壁上,所述的主腔體(1)的背面凹槽內安裝有電源處理電路(9),所述的電源處理電路(9)與饋電端子(4) 一端連接且饋電端子(4 )另一端與射頻電路(8 )相連。2.根據權利要求1所述的一種毫米波低噪聲耦合放大組件,其特征在于:所述的主腔體(1)正面凹槽內的蓋板(6 )包括上蓋板(61)和中蓋板(62 ),所述的中蓋板(62 )蓋住主腔體(1),上蓋板(61)蓋住中蓋板(62),且上蓋板(61)與主腔體(1)粘接。3.根據權利要求2所述的一種毫米波低噪聲耦合放大組件,其特征在于:所述的電源處理電路(9)的輸入電壓為+12V,輸出電壓為穩定的+6V、+5V和-1.2V。4.根據權利要求1所述的一種毫米波低噪聲耦合放大組件,其特征在于:所述的主腔體(1)上還設置有一接地柱(11)。
【專利摘要】本發明公開了一種毫米波低噪聲耦合放大組件,它包括主腔體(1)、射頻連接器(2)、和饋電端子(4),主腔體(1)的兩端均開設有凹槽(5),正面凹槽內設置有耦合電路(7)和射頻電路(8),耦合電路(7)與射頻電路(8)連接,射頻電路(8)的兩端以及耦合電路(7)的一端分別連接有一射頻端子(3),射頻端子(3)均連接有一射頻連接器(2),射頻連接器(2)安裝在主腔體(1)的外側壁上,主腔體(1)的背面凹槽內安裝有電源處理電路(9),電源處理電路(9)與饋電端子(4)一端連接且饋電端子(4)另一端與射頻電路(8)相連。本發明的有益效果是:它具有結構簡單、性能指標好和具有自檢通道的優點。
【IPC分類】H03F1/26, H03F3/195
【公開號】CN105391407
【申請號】CN201510942046
【發明人】黃澤偉, 胡標, 李元元, 李鴻翔
【申請人】成都嘉泰華力科技有限責任公司
【公開日】2016年3月9日
【申請日】2015年12月16日
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