導電圖案的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及導電圖案的制造方法。
【背景技術】
[0002]近年來，對于觸摸面板、太陽能電池和電容器等領域中使用的電路基板等電子部件而言，除了薄膜化、輕量化或降低環境負擔之類的要求之外，為了提高價格競爭力，還要求徹底地改善成品率。
[0003]作為在電路基板上形成導電圖案的方法、即導電圖案的制造方法，已知有如下方法:涂布在樹脂中分散有導電性顆粒的糊劑并干燥、曝光、顯影，形成微細圖案后，使加熱而形成的圖案收縮而使導電性顆粒彼此接觸，從而表現出導電性的方法(參照專利文獻1~3)。
[0004]現有技術文獻專利文獻
專利文獻1:日本特愿平4-327423號公報專利文獻2:日本特愿號公報專利文獻3:日本特愿號公報。

【發明內容】

[0005]發明要解決的問題
然而，以往的導電圖案的制造方法需要以高溫且長時間進行用于使導電性顆粒彼此接觸而表現出導電性的加熱處理，將其應用于實際生產時的生產效率明顯低。另外，高溫且長時間的加熱處理使基板等部件發生劣化的可能性也高，因此現狀是:尋求在規避這些問題的同時用于獲得微細導電圖案的制造方法。
[0006]因而，本發明的目的在于提供如下的導電圖案的制造方法，其通過用具有廣譜的光進行曝光，能夠獲得導電性良好的導電圖案、能夠顯著提高生產效率而無需伴隨高溫且長時間的加熱處理。
[0007]用于解決問題的手段
為了解決上述課題，本發明具有以下的(1)~ (11)的技術方案。
[0008](I)導電圖案的制造方法，其具備如下曝光工序:用具有廣譜的光對包含導電性顆粒A和有機化合物B的基板上的膜或圖案進行曝光，從而得到導電膜或導電圖案。
[0009](2)上述(I)所述的導電圖案的制造方法，其具備對上述膜進行顯影而得到導電圖案的顯影工序。
[0010](3)上述(I)或(2)所述的導電圖案的制造方法，其具備進一步用具有廣譜的光對上述導電圖案進行曝光的第二曝光工序。
[0011](4)上述(1)~ (3)中任一項所述的導電圖案的制造方法，其中，上述具有廣譜的光的最小波長和最大波長在200~3000nm的范圍內。
[0012](5)上述(1)~ (4)中任一項所述的導電圖案的制造方法，其中，上述具有廣譜的光為選自氣氣燈的光、氣氣閃光燈的光、以及齒素燈的光中的光。
[0013](6)上述(1)~ (5)中任一項所述的導電圖案的制造方法，其中，上述曝光工序中，對波長不足400nm的光進行遮光。
[0014](7)上述(1)~ (6)中任一項所述的制造方法，其中，上述導電性顆粒A的體積平均粒徑為0.05-5 μ mo
[0015](8)上述(1)~ (7)中任一項所述的導電圖案的制造方法，其中，上述導電性顆粒A的體積平均粒徑為1~5 μπι。
[0016](9)上述(1)~ (8)中任一項所述的導電圖案的制造方法，其中，上述有機化合物B具有不飽和雙鍵、縮水甘油基或羧基。
[0017](10)上述(1)~ (9)中任一項所述的導電圖案的制造方法，其中，上述膜或圖案在400nm以上的波長區域具有吸收帶。
[0018](11)上述(1)~ (10)中任一項所述的導電圖案的制造方法，其中，上述曝光工序中，脈沖照射具有廣譜的光。
[0019](12)上述(1)~ (11)中任一項所述的導電圖案的制造方法，其中，基板為玻璃板或膜。
[0020](13)上述(1)~ (12)中任一項所述的導電圖案的制造方法，其中，上述基板的表面被選自透明導電膜裝飾膜和絕緣膜中的膜所覆蓋。
[0021](14)上述(1)~ (13)中任一項所述的導電圖案的制造方法，其中，上述導電圖案的膜厚為l~30ym。
[0022](15)上述(1)~ (14)中任一項所述的導電圖案的制造方法，其中，上述導電圖案的線寬為10~100ym。
[0023](16)上述(1)~ (15)中任一項所述的導電圖案的制造方法，其中，導電圖案的有機成分含量為5質量％以上且不足40質量％。
[0024](17)接觸式傳感器，其具備利用上述(I) ~ (16)中任一項所述的導電圖案的制造方法制造得到的導電圖案。
[0025](18)觸摸面板，其具備上述(17)所述的接觸式傳感器。
[0026](19)顯示面板，其具備上述(18)所述的接觸式傳感器。
[0027]發明的效果
根據本發明，通過用具有廣譜的光進行曝光，能夠獲得導電性良好的導電圖案、能夠顯著提高生產效率而無需伴隨高溫且長時間的加熱處理。
【具體實施方式】
[0028]本發明的第一方式的導電圖案的制造方法的特征在于，其具備如下曝光工序:用具有廣譜的光對包含導電性顆粒A和有機化合物B的膜進行曝光，從而得到導電膜。
[0029]另外，本發明的第二方式的導電圖案的制造方法的特征在于，其具備曝光工序:用具有廣譜的光對包含導電性顆粒A和有機化合物B的圖案進行曝光，從而得到導電圖案。
[0030]作為導電性顆粒Α，可列舉出例如Ag、Au、Cu、Pt、Pb、Sn、N1、Al、W、Mo、氧化"!了、Cr、Ti或銦、或者這些金屬的合金的顆粒，從導電性的觀點出發，優選為Ag、Cu或Au的顆粒，從低成本和穩定性的觀點出發，更優選為Ag的顆粒。
[0031]導電性顆粒A的體積平均粒徑優選為0.01~10 μπκ更優選為0.05~5 μπκ進一步優選為1~5 μπι。體積平均粒徑為0.05 μπι以上時，導電性顆粒A彼此的接觸概率提高、所得導電圖案的比電阻值和斷線概率變低。另外，由于用于曝光的光順利地在干燥膜中透過，因此容易形成微細的圖案。進而，體積平均粒徑為I μπι以上時，容易獲得更均勻的分散狀態、比電阻值進一步變低。另一方面，體積平均粒徑為5 μπι以下時，所得導電圖案的表面平滑度、圖案精度和尺寸精度提高。需要說明的是，導電性顆粒A的體積平均粒徑可以使用光散射式粒度分布計(例如HORIBA公司制)利用動態光散射法來測定。
[0032]導電性顆粒A的添加量相對于導電糊劑中的全體固體成分優選為70~95質量％、更優選為80~90質量％，所述導電糊劑成為供于曝光工序的膜或圖案的原料。為70質量％以上時，固化收縮中的導電性顆粒A彼此的接觸概率顯著提高、所得導電圖案的比電阻值和斷線概率變低。為95質量％以下時，由于用于曝光的光順利地在干燥膜中透過，因此容易形成微細的圖案。此處，導電糊劑中的全體固體成分是指不包括有機溶劑在內的導電糊劑的所有成分。
[0033]作為有機化合物B，優選為具有不飽和雙鍵、縮水甘油基或羧基的化合物。作為具有不飽和雙鍵的化合物，優選為感光性有機化合物。作為感光性有機化合物，可列舉出例如具有聚合性不飽和基團的單體、低聚物或聚合物。
[0034]作為聚合性不飽和基團，可列舉出例如乙烯基、烯丙基、丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基等烯鍵式不飽和基團或者丙烯酰胺基。
[0035]作為具有聚合性不飽和基團的單體，可列舉出例如烯丙基化環己基二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、雙三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、甘油二丙烯酸酯、甲氧基化環己基二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、丙二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二丙烯酸酯、三甘油二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、雙酚A 二丙烯酸酯、環氧乙烷改性雙酚Α、二丙烯酸酯、環氧丙烷改性雙酚A 二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、丙烯酸2- (2-乙氧基乙氧基)乙酯、丙烯酸四氫呋喃酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸2-苯氧基乙酯、丙烯酸異癸酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸十三烷基酯、1，3-丁二醇二丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、雙酚A 二丙烯酸酯、雙酚F 二丙烯酸酯、或者雙酚A-環氧乙烷加成物的二丙烯酸酯、雙酚F-環氧乙烷加成物的二丙烯酸酯或者雙酚A-環氧丙烷加成物的二丙烯酸酯等丙烯酸環氧酯、或者上述化合物的丙烯酰基中的一部分或全部置換成甲基丙烯酰基而成的化合物。
[0036]具有聚合性不飽和基團的單體的添加量相對于導電糊劑中的全部固體成分優選為1~15質量％、更優選為2~10質量％。不足I質量％時，靈敏度降低、難以形成微細的圖案。超過15質量％時，曝光掩膜接觸所產生的折縫(夕、y夕)而被污染，從而產生性能劣化等問題。
[0037]作為將烯鍵式不飽和基團導入至低聚物或聚合物的方法，可列舉出例如使0.05-1摩爾當量的具有縮水甘油基或異氰酸酯基的烯鍵式不飽和化合物或丙烯酰氯、甲基丙烯酰氯或烯丙基氯與低聚物或聚合物所具有的巰基、氨基、羥基或羧基發生加成反應的方法。
[0038]作為具有縮水甘油基的烯鍵式不飽和化合物，可列舉出例如丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、烯丙基縮水甘油基醚、乙基丙烯酸縮水甘油酯、巴豆酰基縮水甘油基醚、巴豆酸縮水甘油醚、或者異巴豆酸縮水甘油醚。作為具有異氰酸酯基的烯鍵式不飽和化合物，可列舉出例如(甲基)丙烯酰基異氰酸酯或(甲基)丙烯酰基乙基異氰酸酯。
[0039]另外，在有機化合物B中，為了使導電性顆粒A彼此接觸或者提高其與基板的密合性，優選包含不具有不飽和雙鍵的非感光性單體、低聚物或聚合物。這些不具有不飽和雙鍵的非感光性單體等為了更有效