提高晶體振蕩器溫度精度的方法、振蕩器及其封裝方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及晶體振蕩器技術領域，尤其涉及一種提高晶體振蕩器溫度精度的方法、振蕩器及其封裝方法。
【背景技術】
[0002]晶體振蕩器是一種高精度和高穩定度的振蕩器，被廣泛應用于彩電、計算機、遙控器等各類振蕩電路中，在通信系統中用于頻率發生器、為數據處理設備產生時鐘信號和為特定系統提供基準信號。
[0003]溫度補償型晶體振蕩器作為一種性能非常優越的時鐘源，深受高端電子產品的歡迎，其最大的優點是在任何溫度下都可以保持輸出頻率的穩定，這樣就可以保證電子產品不受工作環境溫度的限制了。
[0004]如圖1所示為現有技術中一種晶體振蕩器的結構，這種結構大致可以分為四個部分，溫度傳感器15，微處理器16，時鐘芯片17，石英晶體18。溫度傳感器感受環境溫度，將信號反饋到微處理器16，時鐘芯片17和石英晶體18結合產生時鐘信號，微處理器控制時鐘芯片17對時鐘信號進行調整。當環境溫度變化時，石英晶體18的特性會變化，這必然導致輸出的時鐘信號偏移，而此時溫度傳感器15將環境溫度傳給微處理器16，微處理器16進行處理輸出控制信號給時鐘芯片17，時鐘芯片17再根據微處理器16輸入的信號對時鐘信號的偏移進行調整，這樣時鐘信號就會穩定不變。
[0005]然而此種方法也存在一些問題，首先它應用起來比較復雜，分立器件比較多，費用較高，其次就是占用PCB的面積比較大，最后就是溫度感應的不一致性，由于是分立器件，必然導致石英晶體17所感受的溫度和溫度傳感器15所感受的溫度的差異，這一差異必然導致對偏移量所做修調的不準確性，輸出的頻率將不能達到高精度的要求。
[0006]中國專利文獻CN 202818244 U公開一種高精度溫度補償型晶體振蕩器封裝結構，如圖2所示，包括石英晶體30和控制所述石英晶體30振蕩的集成電路芯片33，其特征在于，所述封裝結構還包括基底31，所述石英晶體30、集成電路芯片33和基底31集成在同一腔體34內，所述石英晶體30緊貼在所述基底31的上方，所述集成電路芯片33緊貼在所述基底31的下方，三者形成立體夾心結構，對外界溫度的變化感應相同。
[0007]該技術方案雖然解決了溫度感應一致性的問題，但是其對各模塊的設置位置具有較高的要求，不利于產品通用化，同時增加了晶體振蕩器的厚度，會影響應用其的產品的薄型化。

【發明內容】

[0008]本發明的一個目的在于:提供一種提高晶體振蕩器溫度精度的方法，該方法能夠保證振蕩器中各模塊受熱均勻，溫度趨于一致，提高溫控精度。
[0009]本發明的另一個目的在于:提供一種晶體振蕩器，其內部模塊具有高度的的結構穩定性以及溫度一致性，頻率溫度穩定度更高。
[0010]本發明的再一個目的在于:提供一種晶體振蕩器的封裝方法，該方法封裝的晶體振蕩器具有高度的溫度一致性。
[0011]為達此目的，本發明采用以下技術方案:
[0012]一方面，提供一種提高晶體振蕩器溫度精度的方法，在基板上至少離散布置有晶體、控溫模塊以及溫度傳感器，使用具有良好導熱性能的填充材料對所述晶體、所述控溫模塊以及所述溫度傳感器之間的間隙進行填充，使所述溫控模塊與所述溫度傳感器的溫度趨于一致。
[0013]作為提高晶體振蕩器溫度精度的方法的一種優選的技術方案，所述晶體振蕩器還包括加熱模塊，所述加熱模塊與所述晶體、所述控溫模塊以及所述溫度傳感器之間填充具有良好導熱性能的填充材料。
[0014]作為提高晶體振蕩器溫度精度的方法的一種優選的技術方案，所述填充材料采用具有良好導熱性能的塑封膠。
[0015]作為提高晶體振蕩器溫度精度的方法的一種優選的技術方案，所述對所述控溫模塊以及所述溫度傳感器之間的間隙進行填充為:用所述填充材料將所述基板、所述晶體、所述控溫模塊以及所述溫度傳感器灌封在一起，并固化所述填充材料。
[0016]另一方面，提供一種晶體振蕩器，包括基板以及呈離散狀態設置在所述基板上的晶體、控溫模塊以及溫度傳感器，所述晶體、所述控溫模塊以及所述溫度傳感器之間設置有具有良好導熱性能的填充材料。
[0017]作為晶體振蕩器的一種優選技術方案，還包括加熱模塊，所述晶體、所述控溫模塊、所述溫度傳感器以及所述加熱模塊之間設置有具有良好導熱性能的填充材料。
[0018]作為晶體振蕩器的一種優選技術方案，所述加熱模塊與所述晶體、所述控溫模塊以及所述溫度傳感器周部的基板上設置有用于固定所述加熱模塊與所述晶體、所述控溫模塊以及所述溫度傳感器的固定裝置。
[0019]在灌封過程中，由于灌封注膠口設置位置影響，灌封壓力較大時可能會造成元件受力不均勻，導致元器件脫離安裝位置造成電連接失效。設置固定裝置能夠平衡灌裝壓力對元器件的影響。
[0020]作為晶體振蕩器的一種優選技術方案，所述晶體振蕩器的外部設置有金屬外殼，所述金屬外殼的厚度為0.25 mm?0.5 mm。
[0021]優選的，所述金屬外殼的厚度為0.3 mm?0.4 mm。
[0022]更加優選的，所述金屬外殼的厚度為0.4 mm。
[0023]再一方面，提供一種如上所述的晶體振蕩器的封裝方法，包括以下步驟:
[0024]步驟S1、焊接元器件，采用焊接的方式將晶體、控溫模塊、溫度傳感器連接在基板上;
[0025]步驟S2、灌封，將焊接好的晶體振蕩器置于模具中，向模腔內加壓灌注190°C?220°C的熱固性填充材料，灌注壓力為2.5MPa?5Mpa ；
[0026]步驟S3、固化脫模，通過固化裝置對灌封后的所述晶體振蕩器進行固化，固化后脫模完成封裝。
[0027]作為晶體振蕩器的封裝方法的優選技術方案，所述固化脫模為常溫固化，固化時間為10s?150s。
[0028]本發明的有益效果為:將晶體、溫度傳感器、加熱模塊以及控溫模塊在同一平面離散設置，有利于降低晶體振蕩器產品的厚度，各模塊之間通過具有良好導熱性能的填充材料進行填充能使各模塊受熱更均勻，溫度趨于一致，提高了溫控精度，使得補償量輸出更精確，提高了晶體振蕩器的頻率溫度穩定度。
【附圖說明】
[0029]下面根據附圖和實施例對本發明作進一步詳細說明。
[0030]圖1為現有技術中一種晶體振蕩器結構示意圖。
[0031]圖2為現有技術中另一種晶體振蕩器結構示意圖。
[0032]圖3為實施例所述晶體振蕩器結構示意圖。
[0033]圖4為又一實施例所述晶體振蕩器結構示意圖。
[0034]圖5為實施例所述晶體振蕩器的封裝方法流程圖。
[0035]圖1 中:
[0036]15、溫度傳感器；16、微處理器；17、時鐘芯片；18、石英晶體；
[0037]圖2 中:
[0038]30、石英晶體；31、基底；33、集成電路芯片；34、腔體；
[0039]圖3 中:
[0040]