振蕩器、電子設備以及移動體的制作方法
【專利摘要】本發明提供一種在要求較高頻率精度的電子設備中也可利用的溫度補償型的振蕩器、電子設備及移動體。振蕩器(1)具有：振動元件(3)；半導體裝置，其具有使振動元件(3)進行振蕩從而輸出振蕩信號的振蕩電路(10)、對振蕩信號的頻率的溫度特性進行補償的溫度補償電路(40)以及配置有與所述振動元件電連接的端子的第一面，在俯視觀察時，所述半導體裝置與所述振動元件重疊，由溫度補償電路(40)補償之后的振蕩信號的頻率偏差在－5℃以上且+85℃以下的溫度范圍內為－150ppb以上且+150ppb以下。
【專利說明】
振蕩器、電子設備以及移動體
技術領域
[0001]本發明涉及一種振蕩器、電子設備以及移動體。
【背景技術】
[0002]溫度補償型水晶振蕩器(TCXO:TemperatureCompensated CrystalOsciIlator)具有水晶振子和用于使該水晶振子進行振蕩的集成電路(IC:1ntegrated Circuit)，該IC通過在預定的溫度范圍內對水晶振子的振蕩頻率與所需的頻率(公稱頻率)的偏差(頻率偏差)進行補償(溫度補償)，從而能夠獲得較高的頻率精度。這樣的溫度補償型水晶振蕩器(TCXO)例如在專利文獻I或專利文獻2中已被公開。
[0003]然而現狀是，由于不存在具有接近于搭載了加熱器的恒溫槽型水晶振蕩器(0CX0:Oven Controlled Crystal Osci I lator)的頻率溫度特性的溫度補償型水晶振蕩器(TCXO)，因此，被利用于要求較高頻率精度的通信設備或基站中的振蕩器大半部分為恒溫槽型水晶振蕩器(OCXO)，從而成為成本上升的主要原因。
[0004]專利文獻1:日本特開2014 —107862號公報
[0005]專利文獻2:日本特開2010 —103802號公報

【發明內容】

[0006]本發明是鑒于如上的問題而完成的，根據本發明的幾個方式，能夠提供一種也可利用于要求較高頻率精度的電子設備中的溫度補償型的振蕩器。另外，根據本發明的幾個方式，能夠提供一種利用了該振蕩器的電子設備以及移動體。
[0007]本發明為用于解決前述課題中的至少一部分而完成的，能夠作為以下的方式或應用例而實現。
[0008]應用例I
[0009]本應用例所涉及的振蕩器包括:振動元件;半導體裝置，其具有使所述振動元件進行振蕩從而輸出振蕩信號的振蕩電路、對所述振蕩信號的頻率的溫度特性進行補償的溫度補償電路、以及配置有與所述振動元件電連接的端子的第一面，在俯視觀察時，所述半導體裝置與所述振動元件重疊，由所述溫度補償電路補償之后的所述振蕩信號的頻率偏差在一5 °C以上且+85 °C以下的溫度范圍內為一 150ppb以上且+150ppb以下。
[0010]通過振動元件和振蕩電路，例如，也可以構成皮爾斯振蕩電路、倒相型振蕩電路、可耳皮茲振蕩電路、哈脫利振蕩電路等的各種振蕩電路。
[0011]本應用例所涉及的振蕩器由于振動元件和半導體裝置被配置在空間上相互接近的地方，因此，半導體裝置的發熱能夠在短時間內傳導至振動元件，從而使半導體裝置和振動元件的溫度差與以往相比較小。其結果為，根據本應用例所涉及的振蕩器，能夠實現如下溫度補償型的振蕩器，即，在一5°C以上且+85°C以下的溫度范圍內由溫度補償電路補償之后的振蕩信號的頻率偏差為一 150ppb以上且+150ppb以下的、所謂的接近于OCXO的頻率溫度特性的、未見其他的溫度補償型的振蕩器。因此，例如，在利用了OCXO的這種要求較高頻率精度的電子設備中，也能夠應用本應用例所涉及的振蕩器。
[0012]應用例2
[0013]上述應用例所涉及的振蕩器也可以采用如下方式，S卩，所述頻率偏差在一40°C以上且+85 °C以下的溫度范圍內為一 150ppb以上且+150ppb以下。
[0014]本應用例所涉及的振蕩器為，在一40°C以上且+85°C以下的溫度范圍內頻率偏差為一 150ppb以上且+150ppb以下的、接近于OCXO的頻率溫度特性的、未見其他的溫度補償型的振蕩器，也能夠利用于要求較高頻率精度的電子設備中。
[0015]應用例3
[0016]在上述應用例所涉及的振蕩器中，也可以采用如下方式，S卩，相對于所述振動元件的頻率溫度特性的3次以上的擬合式的、所述振動元件的共振頻率的偏差為一 150ppb以上且+150ppb以下。
[0017]根據本應用例，即使在振蕩器的溫度補償調節中考慮到振蕩電路或溫度補償電路的溫度特性的差異，但由于容易生成用于實現頻率溫度特性的頻率偏差為一 150ppb以上且+150ppb以下的振蕩器的溫度補償數據，因此，也能夠提高振蕩器的成品率。
[0018]應用例4
[0019]在上述應用例所涉及的振蕩器中，也可以采用如下方式，S卩，具有第一容器，所述第一容器對所述振動元件進行收納，所述半導體裝置的與所述第一面相反側的面經由粘合部件而被接合在所述第一容器上。
[0020]根據本應用例所涉及的振蕩器，由于半導體裝置經由粘合部件而被接合在對振動元件進行收納的第一容器上，因此，半導體裝置的發熱能夠在短時間內傳導至振動元件，從而使半導體裝置和振動元件的溫度差與以往相比而較小。其結果為，根據本應用例所涉及的振蕩器，由溫度補償電路實施的溫度補償的誤差變小，從而能夠實現頻率偏差為一150ppb以上且+150ppb以下的特性。
[0021]應用例5
[0022]在上述應用例所涉及的振蕩器中，也可以采用如下方式，S卩，所述第一容器具有基座、和與所述基座一起對所述振動元件進行覆蓋的金屬制的第一蓋，所述半導體裝置與所述第一蓋相接合。
[0023]根據本應用例所涉及的振蕩器，由于半導體裝置被接合在對振動元件進行收納的容器的金屬制的第一蓋上，因此，半導體裝置的發熱能夠在短時間內傳導至振動元件，從而使半導體裝置和振動元件的溫度差與以往相比較小。另外，由于金屬制的第一蓋的熱傳導率較高，因此半導體裝置的發熱能夠經由第一蓋而在短時間內通過振動元件進行傳導，從而使半導體裝置和振動元件的溫度差與以往相比而進一步減小。其結果為，根據本應用例所涉及的振蕩器，由溫度補償電路實施的溫度補償的誤差變小，從而能夠實現頻率偏差為一 150ppb以上且+150ppb以下的特性。
[0024]應用例6
[0025]本應用例所涉及的振蕩器包括:振動元件;半導體裝置，其具有使所述振動元件進行振蕩從而輸出振蕩信號的振蕩電路、對所述振蕩信號的頻率的溫度特性進行補償的溫度補償電路以及配置有與所述振動元件電連接的端子的第一面;第一容器，其對所述振動元件進行收納，并具有在俯視觀察時與所述振動元件重疊的金屬制的第一蓋;第二容器，其對所述第一容器以及所述半導體裝置進行收納，所述第一容器以與所述第一蓋側相反側的面面對所述第二容器的內表面的方式而被配置，所述半導體裝置以在俯視觀察時與所述振動元件重疊的方式，而使與所述第一面相反側的面經由粘合部件而與所述第一蓋相接合，由所述溫度補償電路補償之后的所述振蕩信號的頻率偏差在一 5°C以上且+85°C以下的溫度范圍內為一 150ppb以上且+150ppb以下。
[0026]通過振動元件和振蕩電路，也可以構成例如皮爾斯振蕩電路、倒相型振蕩電路、可耳皮茲振蕩電路、哈脫利振蕩電路等的各種振蕩電路。
[0027]在本應用例所涉及的振蕩器中，由于對振動元件進行收納的容器的蓋的熱傳導率較高，因此，半導體裝置的發熱能夠經由蓋而在短時間內通過振動元件進行傳導，從而使半導體裝置和振動元件的溫度差與以往相比而進一步減小。其結果為，根據本應用例所涉及的振蕩器，能夠實現在一 5°C以上且+85°C以下的溫度范圍內由溫度補償電路補償之后的振蕩信號的頻率偏差為一 150ppb以上且+150ppb以下的、接近于OCXO的頻率溫度特性的、未見其他的溫度補償型的振蕩器。因此，例如，在利用了 OCXO的這種要求較高頻率精度的電子設備中也能夠利用本應用例所涉及的振蕩器。
[0028]應用例7
[0029]在上述應用例所涉及的振蕩器中，也可以采用如下的方式，S卩，所述頻率偏差在一40 0C以上且+85 °C以下的溫度范圍內為一 150ppb以上且+150ppb以下。
[0030]根據本應用例所涉及的振蕩器，本發明為一種在一40°C以上且+85°C以下的溫度范圍內頻率偏差為一 150ppb以上且+150ppb以下的、接近于OCXO的頻率溫度特性的、未見其他的溫度補償型的振蕩器，且也能夠利用于要求較高頻率精度的電子設備中。
[0031]應用例8
[0032]在上述應用例所涉及的振蕩器中，也可以采用如下的方式，S卩，相對于所述振動元件的頻率溫度特性的3次以上的擬合式的、所述振動元件的共振頻率的偏差為一 150ppb以上且+150ppb以下。
[0033]根據本應用例所涉及的振蕩器，由于即使在振蕩器的溫度補償調節中考慮到振蕩電路或溫度補償電路的溫度特性的差異，也能夠容易地生成用于實現頻率溫度特性的頻率偏差為一 150ppb以上且+150ppb以下的振蕩器的溫度補償數據，因此，能夠提高振蕩器的成品率。
[0034]應用例9
[0035]在上述應用例所涉及的振蕩器中，也可以采用如下方式，S卩，所述第二容器具有在俯視觀察時與所述第一容器以及所述半導體裝置重疊的第二蓋，所述內表面具有配置有配線的面、和所述第二蓋露出的面，所述第一容器被配置在配置有所述配線的面上。
[0036]根據本應用例所涉及的振蕩器，能夠與以往相比而提高頻率穩定性，并且提高振動元件與集成電路之間的電連接的自由度。
[0037]應用例10
[0038]本應用例所涉及的電子設備具備上述任一個振蕩器。
[0039]根據本應用例，由于使用具有以往沒有的頻率溫度特性的溫度補償型的振蕩器，因此也能夠以與以往相比較低的成本來實現較高頻率精度的電子設備。
[0040]應用例11[0041 ]本應用例所涉及的移動體具備上述任一個振蕩器。
[0042]根據本應用例，由于使用具有以往沒有的頻率溫度特性的溫度補償型的振蕩器，因此例如也能夠實現可靠性較高的移動體。
【附圖說明】
[0043]圖1為本實施方式的振蕩器的立體圖。
[0044]圖2(A)為第一實施方式的振蕩器的剖視圖，圖2(B)為第一實施方式的振蕩器的俯視圖，圖2(C)為振蕩器的仰視圖。
[0045]圖3為本實施方式的振蕩器的功能框圖。
[0046]圖4為表示本實施方式的振蕩器的制造方法的步驟的一個示例的流程圖。
[0047]圖5為表示本實施方式的振蕩器的頻率溫度特性的一個示例的圖。
[0048]圖6為關于振動元件的頻率偏差的說明圖。
[0049]圖7(A)為第二實施方式的振蕩器的剖視圖，圖7(B)為第二實施方式的振蕩器的俯視圖。
[°05°]圖8為表不本實施方式的電子設備的結構的一個不例的功能框圖。
[0051 ]圖9為表不本實施方式的電子設備的外觀的一個不例的圖。
[0052]圖10為表不本實施方式的移動體的一個不例的圖。
【具體實施方式】
[0053]以下，利用附圖來對本發明的優選的實施方式進行詳細說明。并且，以下所說明的實施方式并非對權利要求書所記載的本發明的內容進行不當限定的方式。另外，以下所說明的結構并不一定全部為本發明的不必要結構要件。
[0054]1.振蕩器
[0055]?第一實施方式
[0056]振蕩器的結構
[0057]圖1以及圖2為表示第一實施方式的振蕩器的構造的一個示例的圖。圖1為振蕩器的立體圖，圖2(A)為圖1的A—A’剖視圖。另外，圖2(B)為振蕩器的俯視圖，圖2(C)為振蕩器的仰視圖。但是，圖2(B)在沒有圖2(A)的蓋5的狀態下進行圖示。
[0058]如圖1以及圖2(A)所示，本實施方式的振蕩器I被構成為，包括作為半導體裝置的集成電路(IC:1ntegrated Circuit)2、振動元件(振動片)3、封裝件4、蓋(蓋)5以及外部端子(夕卜部電極)6。
[°°59] 作為振動元件3，例如，能夠是選用水晶振動元件、SAW(Surface Acoustic Wave:表面聲波)共振元件、其他壓電振動元件或者MEMS(Micro Electro Mechanical Systems,微機電系統)振動元件等。作為振動元件3的基板材料，能夠使用水晶、鉭酸鋰、鈮酸鋰等壓電單晶、或鋯鈦酸鉛等壓電陶瓷等的壓電材料、或硅半導體材料等。作為振動元件3的激勵方法，既可以利用由壓電效應實施的方法，也可以利用由庫侖力實施的靜電驅動。
[0060]封裝件4將集成電路(IC)2和振動元件3收納于同一空間內。具體而言，在封裝件4內設置有凹部，通過利用蓋5來對凹部進行覆蓋，從而對集成電路(IC)2和振動元件3進行收納。在封裝件4的內部或凹部的表面上，設置有未圖示的配線，所述未圖示的配線用于分別與集成電路(IC)2的兩個端子(后文所述的圖3的XO端子以及XI端子)和振動元件3的兩個端子(激勵電極3a以及3b)電連接。另外，在封裝件4的內部或凹部的表面上，設置有與各外部端子6電連接的未圖示的配線，各配線和集成電路(IC)2的各端子通過金等接合引線7而被引線接合。
[0061]振動元件3在其表面以及背面處分別具有金屬的激勵電極3a以及3b，并以與包含激勵電極3a以及3b的振動元件3的質量相對應的所需的頻率(振蕩器I所要求的頻率)來進行振蕩。
[0062]在實施方式中，振動元件3被收納于封裝件(容器)8內(振動元件3通過被配置于基座8a上的電極襯墊11和導電性粘合材料等的連接部件12而被固定)。封裝件8包括基座8a和對基座8a進行密封的蓋(Iid)8b，基座8a通過樹脂等的粘合部件9而被接合于封裝件4中。另夕卜，集成電路(IC)2通過粘合部件9而被接合于封裝件8上。尤其，在實施方式中，集成電路(IC)2通過粘合部件9而被接合于蓋Sb上。而且，如圖2(B)所示，在從上表面俯視觀察振蕩器I時，集成電路(IC)2與封裝件8(振動元件3)重疊。
[0063]如圖2(C)所示，振蕩器I在底面(封裝件4的背面)上設置有四個外部端子6，所述四個外部端子6分別為作為電源端子的外部端子VDDl，作為接地端子的外部端子VSSl，作為輸入有頻率控制用的信號的端子的外部端子VCl，以及作為輸出端子的外部端子OUTl。電源電壓被供給至外部端子VDDl，外部端子VSSl被接地。
[0064]圖3為振蕩器I的功能框圖。如圖3所示，振蕩器I為，包含振動元件3和用于使振動元件3進行振蕩的集成電路(IC)2在內的振蕩器，集成電路(IC)2和振動元件3被收納于封裝件4內。
[0065]集成電路(IC)2設置有作為電源端子的VDD端子、作為接地端子的VSS端子、作為輸出端子的OUT端子、作為輸入有對頻率進行控制的信號的端子的VC端子、作為與振動元件3連接的連接端子的XI端子以及XO端子。VDD端子、VSS端子、OUT端子以及VC端子露出于集成電路(102的表面，并分別與被設置于封裝件4上的外部端子￥001、￥551、01]11、￥(:1相連接。另外，XI端子與振動元件3的一端(一方的端子)相連接，XO端子與振動元件3的另一端(另一方的端子)相連接。
[0066]在實施方式中，集成電路(IC) 2被構成為，包括振蕩電路1、輸出電路20、頻率調節電路30、AFC(Automatic Frequency Control，自動頻率控制)電路32、溫度補償電路40、溫度傳感器50、調壓電路60、存儲部70、以及串行接口(I/F)電路80。并且，集成電路(IC)2也可以采用省略或變更這些要素的一部分、或者附加了其他要素的結構。
[0067]調壓電路60根據從VDD端子被供給的電源電壓VDD(正的電壓)，而生成振蕩電路
1、頻率調節電路30、AFC電路32、溫度補償電路40、輸出電路20的一部分或全部的電源電壓，或生成成為基準電壓的恒定電壓。
[0068]存儲部70具有非易失性存儲器72和寄存器74，并被構成為，能夠從外部端子經由串行接口電路80而對非易失性存儲器72或寄存器74進行讀取或寫入。在實施方式中，由于與振蕩器I的外部端子相連接的集成電路(IC)2的端子僅為VDD、VSS、0UT、VC這四個端子，因此，串行接口電路80例如在VDD端子的電壓高于閾值時，接收從VC端子輸入的時鐘信號和從OUT端子輸入的數據信號，并對非易失性存儲器72或者寄存器74實施數據的讀取或寫入。
[0069]非易失性存儲器72為用于對各種控制數據進行存儲的存儲部，例如，既可以為EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，電可擦可編程只讀存儲器)或閃存存儲器等的可改寫的各種非易失性存儲器，也可以為如一次性PR0M(0neTime Programmable Read Only Memory,一次性可編程只讀存儲器)的不可改寫的各種非易失性存儲器。
[0070]在非易失性存儲器72中，存儲有用于對頻率調節電路30進行控制的頻率調節數據、或用于對溫度補償電路40進行控制的溫度補償數據(I次補償數據、......、11次補償數據)。而且，在非易失性存儲器72中，還存儲有分別用于對輸出電路20或AFC電路32進行控制的數據(未圖示)。
[0071]頻率調節數據為用于對振蕩器I的頻率進行調節的數據，在振蕩器I的頻率偏離所需的頻率的情況下，通過對頻率調節數據進行改寫，從而能夠以使振蕩器I的頻率接近于所需的頻率的方式進行微調節。
[0072]溫度補償數據(I次補償數據、......、n次補償數據)為，在振蕩器I的溫度補償調節工序中被計算出的、振蕩器I的頻率溫度特性的補正用的數據，例如，也可以為與振動元件3的頻率溫度特性的各次數成分相對應的I次?η次的系數值。在此，作為溫度補償數據的最大次數η，而選擇抵消振動元件3的頻率溫度特性，而且，還能夠對集成電路(IC)2的溫度特性的影響進行補正的值。例如，η也可以為大于振動元件3的頻率溫度特性的主要次元數的整數值。例如，如果振動元件3為AT切割水晶振動元件，則由于頻率溫度特性呈3次曲線，且該主要次元數為3，因此，作為η，也可以選擇大于3的整數值(例如，5或6)。并且，溫度補償數據既可以包括I次?η次的所有次元數的補償數據，也可以僅僅包括I次?η次中的一部分的次元數的補償數據。
[0073 ]被存儲于非易失性存儲器72中的各個數據在集成電路(I C) 2的電源接通時(VDD端子的電壓從OV起上升至所需的電壓時)從非易失性存儲器72被傳送至寄存器74，并被保持于寄存器74中。而且，在頻率調節電路30中輸入有被保持于寄存器74中的頻率調節數據，在溫度補償電路40中輸入有被保持于寄存器74中的溫度補償數據(I次補償數據、......、η次補償數據)，在輸出電路20或AFC電路32中，也輸入有被保持于寄存器
74中的各控制用的數據。
[0074]在非易失性存儲器72為不可改寫的情況下，在振蕩器I的檢查時，從外部端子經由串行接口電路80而將各個數據直接寫入寄存器74的各個位中，所述寄存器74中保存有從非易失性存儲器72被傳送的各個數據，并以使振蕩器I滿足所需的特性的方式，而對各個數據被進行調節或選擇，并將調節或選擇而得的各個數據最終寫入非易失性存儲器72中。另外，在非易失性存儲器72為可改寫的情況下，也可以在振蕩器I的檢查時，從外部端子經由串行接口電路80而將各個數據寫入非易失性存儲器72中。但是，由于向非易失性存儲器72的寫入一般很費時間，因此，在振蕩器I的檢查時，為了縮短檢查時間，也可以采用如下方式，即，從外部端子經由串行接口電路80而將各個數據直接寫入寄存器74的各個位中，并將調節或選擇而得的各個數據最終寫入非易失性存儲器72中。
[0075]振蕩電路10通過使振動元件3的輸出信號放大并反饋至振動元件3，從而使振動元件3進行振蕩，并輸出基于振動元件3的振蕩的振蕩信號。例如也可以通過被保存于寄存器74中的控制數據，而對振蕩電路10的振蕩段電流進行控制。
[0076]頻率調節電路30產生與被保持于寄存器74中的頻率調節數據相對應的電壓，并將其施加于作為振蕩電路10的負載電容而發揮功能的可變電容元件(未圖示)的一端。由此，以使預定的溫度(例如，25°c)且VC端子的電壓成為預定的電壓(例如，VDD/2)的條件下的振蕩電路10的振蕩頻率(基準頻率)大致為所需的頻率的方式進行控制(微調節)。
[0077]AFC電路32產生與VC端子的電壓相對應的電壓，并將該電壓施加于作為振蕩電路10的負載電容而發揮功能的可變電容元件(未圖示)的一端。由此，振蕩電路10的振蕩頻率(振動元件3的振蕩頻率)根據VC端子的電壓值而被控制。例如，也可以根據被保持于寄存器74中的控制數據，而對AFC電路32的增益進行控制。
[0078]溫度傳感器50為，輸出與其周圍的溫度相對應的信號(例如，與溫度相對應的電壓)的感溫元件。溫度傳感器50既可以為溫度越高則輸出電壓越高的正極性的傳感器，也可以為溫度越高則輸出電壓越低的負極性的傳感器。并且，作為溫度傳感器50，優選為，在保證了振蕩器I的動作的所需的溫度范圍內，輸出電壓相對于溫度變化而盡可能呈線形變化。
[0079]溫度補償電路40被輸入來自溫度傳感器50的輸出信號，并產生用于對振動元件3的頻率溫度特性進行補償的電壓(溫度補償電壓)，并將該電壓施加于作為振蕩電路10的負載電容而發揮功能的可變電容元件(未圖示)的一端。由此，振蕩電路10的振蕩頻率以不依賴于溫度而幾乎為恒定的方式而被控制。在本實施方式中，溫度補償電路40被構成為，包括I次電壓產生電路41 一 I至η次電壓產生電路41 一 η以及加法運算電路42。
[0080]I次電壓產生電路41 一 I至η次電壓產生電路41 一 η分別被輸入有來自溫度傳感器50的輸出信號，并根據與被保持于寄存器74中的I次補償數據至η次補償數據，而產生用于對頻率溫度特性的I次成分至η次成分進行補償的I次補償電壓至η次補償電壓。
[0081 ] 加法運算電路42對I次電壓產生電路41 一 I至η次電壓產生電路41 一 η分別產生的I次補償電壓至η次補償電壓進行加法運算并輸出。該加法運算電路42的輸出電壓成為溫度補償電路40的輸出電壓(溫度補償電壓)。
[0082]輸出電路20被輸入有振蕩電路10所輸出的振蕩信號，而生成外部輸出用的振蕩信號，并經由OUT端子而向外部輸出。例如，也可以通過被保存于寄存器74中的控制數據，而對輸出電路20中的振蕩信號的分頻比或輸出電平進行控制。
[0083]以該方式構成的振蕩器I在所需的溫度范圍內，不依賴于溫度，作為輸出與外部端子VCl的電壓相對應的恒定的頻率的振蕩信號的電壓控制型的溫度補償型振蕩器(如果振動元件3為水晶振動元件，則為VC—TCX0(Voltage Controlled Temperature CompensatedCrystal Oscillator壓控溫補晶體振蕩器))而發揮功能。
[0084]振蕩器的制造方法
[0085]圖4為表示本實施方式的振蕩器I的制造方法的步驟的一個示例的流程圖。也可以省略或變更圖4的工序SlO?S70的一部分，或者附加其他工序。另外，也可以在可能的范圍內對各工序的順序進行適當變更。
[0086]在圖4的示例中，首先，將集成電路(IC)2和振動元件3(對振動元件3進行收納的封裝件8)搭載于封裝件4中(SlO)。通過工序S10，從而使(IC)2和振動元件3成為如下狀態，SP，通過設置于封裝件4的內部或凹部的表面上的配線而被連接，從而在向集成電路(IC)2供給電源時，將使集成電路(I C) 2和振動元件3電連接的狀態。
[0087]接下來，通過蓋5而對封裝件4進行密封，并實施熱處理，從而將蓋5粘合于封裝件4上(S20)。通過該工序S20，從而完成振蕩器I的組裝。
[0088]接下來，對振蕩器I的基準頻率(基準溫度TO (例如，25 °C)的頻率)進行調節(S30)。在該工序S30中，在基準溫度TO下使振蕩器I進行振蕩，從而對頻率進行測量，并以頻率偏差接近于O的方式來確定頻率調節數據。
[0089]接下來，對振蕩器I的VC靈敏度進行調節(S40)。在該工序S40中，在基準溫度TO下，在對外部端子VCl施加預定的電壓(例如，OV或VDD)的狀態下，使振蕩器I進行振蕩，從而對頻率進行測量，并以獲得所需的VC靈敏度的方式來確定AFC電路32的調節數據。
[0090]接下來，實施振蕩器I的溫度補償調節(S50)。在該溫度補償調節工序S50中，在所需的溫度范圍(例如，一40°C以上且85°C以下)內，在多個溫度下對振蕩器I的頻率進行測量，并根據測量結果，而生成用于對振蕩器I的頻率溫度特性進行補正的溫度補償數據(I次補償數據、......、n次補償數據)。具體而言，溫度補償數據的計算程序利用多個溫度下的頻率的測量結果，并通過以溫度(溫度傳感器50的輸出電壓)為變量的η次式，而對振蕩器I的頻率溫度特性(包含振動元件3的頻率溫度特性和集成電路(IC) 2的溫度特性)進行擬合，并生成與擬合式相對應的溫度補償數據(I次補償數據、......、11次補償數據)。例如，由溫度補償數據的計算程序來生成將基準溫度TO下的頻率偏差設為O且縮小所需的溫度范圍內的頻率偏差的幅度的溫度補償數據(I次補償數據、......、η次補償數據)。
[0091]接下來，將通過工序S30、S40以及S50而獲得的各個數據存儲在存儲部70的非易失性存儲器72中(S60)。
[0092]最后，對振蕩器I的頻率溫度特性進行測量，對是否良好進行判斷(S70)。在該工序S70中，在使溫度逐漸變化的同時對振蕩器I的頻率進行測量，在所需的溫度范圍(例如，一40°C以上85°C以下)內，對頻率偏差是否在預定范圍內進行評價，如果頻率偏差在預定范圍內，則判斷為合格品，如果頻率偏差不在預定范圍內，則判定非合格品。
[0093]振蕩器的頻率溫度特性
[0094]圖5(A)?圖5(F)為表示本實施方式的振蕩器I的頻率溫度特性的評價結果的一個示例的圖。圖5(A)?圖5(F)為，針對不同的六個試樣，分別標繪出使溫度從一40°C漸漸變化至+85°C時的頻率偏差(測量出的頻率與所需的頻率(公稱頻率)之間的偏移)的圖。如圖5(A)?圖5(B)所示，關于全部六個試樣，在(TC以上且+70°C以下的溫度范圍內，頻率偏差為一 150ppb以上且+150ppb以下。另外，關于全部六個試樣，一5°C以上且+85°C以下的溫度范圍內的頻率偏差也為一 150ppb以上且+150ppb以下。而且，關于全部六個試樣，一40°C以上且+85 °C以下的溫度范圍內的頻率偏差也為一 150ppb以上且+150ppb以下。
[0095]O °C以上且+70 °C以下、一 5 °C以上且+85 °C以下、一40 °C以上且+85 °C以下的溫度范圍為，對市場上存在的振蕩器的頻率溫度特性進行規定的代表性的溫度范圍，至少目前為止尚不存在具有在一 5°C以上且+85°C以下或者一 40°C以上且+85°C以下的溫度范圍內頻率偏差為一 150ppb以上且+150ppb以下的特性的溫度補償型的振蕩器。即，本實施方式的振蕩器I為，未見過其他類型的新型的溫度補償型的振蕩器，例如，即使在利用了 OCXO的這種要求較高頻率精度的電子設備中，也能夠利用本實施方式的振蕩器I。
[0096]如圖2(B)所示，在從上表面俯視觀察時，本實施方式的振蕩器I與集成電路(IC)2和封裝件8(振動元件3)重疊。這樣，由于振動元件3和集成電路(IC)2被配置在空間上相互接近的地方，并且，在對振動元件3進行收納的封裝件8的蓋8b上直接安裝有集成電路(IC)2，因此，由于集成電路(IC)2的發熱在短時間內傳導至振動元件3，因此成功地使集成電路(IC)2和振動元件3的溫度差與以往相比較小。其結果為，在本實施方式的振蕩器I中，由溫度補償電路40實施的溫度補償的誤差變小，從而能夠實現上述特性。
[0097]并且，優選為，蓋8b的材料為金屬。由于蓋8b的熱傳導率較高，因此，集成電路(IC)2的發熱能夠經由蓋Sb而在短時間內通過振動元件3進行傳導，從而使集成電路(IC)2與振動元件3的溫度差與以往相比進一步減小。其結果為，由溫度補償電路40實施的溫度補償的誤差將進一步變小，從而容易實現頻率偏差為一 150ppb以上且+150ppb以下的特性。
[0098]另外，在圖4的溫度補償調節工序S50中，由于通過以溫度(溫度傳感器50的輸出電壓)為變量的η次式而對振蕩器I的頻率溫度特性(包含振動元件3的頻率溫度特性和集成電路(IC)2的溫度特性)進行擬合，從而生成與擬合式相對應的溫度補償數據(I次補償數據、......、n次補償數據)，因此，為了實現上述的特性，要求更準確地對振蕩器I的頻率溫度特性進行擬合。在此，由于在振蕩器I的頻率溫度特性中振動元件3的頻率溫度特性為支配性的，因此，優選為，更準確地對振動元件3的頻率溫度特性進行擬合，換言之，振動元件3相對于頻率溫度特性的擬合式的頻率偏差較小。
[0099]例如，如果振動元件3為AT切割振動元件，則如圖6所示，由于該頻率溫度特性(圖6的實線)呈3次曲線(主要次元數為3)，因此，優選為，相對于振動元件3的頻率溫度特性的3次以上的擬合式(圖6的虛線)的、振動元件3的頻率偏差dF/F，在O °C以上且+70 °C以下、一 5°C以上且+85°C以下、或者一40°C以上且+85°C以下為，一 150ppb以上且+150ppb以下。通過采用這樣的方式，在溫度補償調節工序S50中，即使考慮集成電路(IC)2的溫度特性的偏差，也容易地生成用于實現如下振蕩器I的溫度補償數據，即，在(TC以上且+70°C以下、一5°C以上且+85°C以下、或者一40°C以上且+85°C以下頻率偏差為，一 150ppb以上且+150ppb以下。其結果為，在圖4的工序S70中，由于當對頻率偏差是否在一 150ppb以上且+150ppb以下的范圍內進彳丁評價時成為合格品的概率變尚，因此，能夠提尚成品率。
[0100]并且，由于振動元件3的頻率溫度特性根據激勵電極3a、3b的位置或形狀、振動元件3的形狀或尺寸等參數而變化，因此，在振動元件3的設計階段，例如，通過以即使在量產時的特性差異的上限或下限處也不使頻率溫度特性產生傾角的方式來決定參數值，從而能夠實現在一40°C以上且+85°C以下頻率偏差dF/F為一 150ppb以上且+150ppb以下的振動元件3 0
[0101]而且，在溫度補償調節工序S50中，為了使所生成的溫度補償數據進一步反映集成電路(IC)2的溫度特性，增多對頻率進行測量的溫度數，或者以更高次式對振蕩器I的頻率溫度特性進行擬合，也是有效的方式。例如，如果振動元件3為AT切割振動元件，則優選為，在一40°C以上且+85°C的范圍內，針對10處以上的不同溫度的每一處的頻率進行測量，并以5次以上的公式來對振蕩器I的頻率溫度特性進行擬合。如果采用這樣的方式，則在溫度補償調節工序中，將容易地生成如下溫度補償數據，即，還加上集成電路(IC)2的溫度特性，并用于實現在0°C以上且+70°C以下、一 5°C以上且+85°C以下、或者一 40°C以上且+85°C以下時頻率偏差為一 150ppb以上且+150ppb以下的振蕩器I的溫度補償數據。其結果為，能夠進一步提尚成品率。
[0102]1-2.第二實施方式
[0103]圖7(A)以及圖7(B)為表示第二實施方式的振蕩器的結構的圖。圖7(A)為第二實施方式的振蕩器的剖視圖(圖1的A—A’剖視圖)，圖7(B)為第二實施方式的振蕩器的俯視圖。但是，圖7(B)在沒有圖7(A)的蓋5的狀態下進行圖示。并且，由于第二實施方式的振蕩器I的立體圖以及仰視圖與第一實施方式的振蕩器1(圖1以及圖2(C))相同，因此，省略其圖示以及說明。同樣，由于第二實施方式的振蕩器I的結構及其制造方法與第一實施方式的振蕩器1(圖3以及圖4)相同，因此省略其圖示以及說明。
[0104]如圖7(A)所不，第二實施方式的振蕩器I與第一實施方式同樣地被構成為，包括作為半導體裝置的集成電路(IC)2、振動元件3、封裝件4、蓋5、外部端子6。
[0105]封裝件4將集成電路(IC)2和振動元件3收納至同一空間內。具體而言，在封裝件4上設置有凹部，并通過蓋5來覆蓋凹部，從而對集成電路(IC)2和振動元件3進行收納。在封裝件4的內部或凹部的表面上設置有未圖示的配線，所述未圖示的配線分別用于與集成電路(IC)2的兩個端子(圖3的XO端子以及XI端子)和振動元件3的兩個端子(激勵電極3a以及3b)電連接。另外，在封裝件4的內部或凹部的表面上，設置有與各外部端子6電連接的未圖示的配線，各配線和集成電路(IC)2的各端子通過金等的接合引線7而被接合。
[0106]振動元件3在其表面以及背面分別具有金屬的激勵電極3a以及3b，并以與包括激勵電極3a以及3b的振動元件3的質量相對應的所需的頻率(振蕩器I所要求的頻率)進行振蕩。
[0107]在實施方式中，振動元件3被收納于包括基座8a和蓋Sb的封裝件8內(振動元件3通過被配置于基座8a上的電極襯墊11和導電性粘合材料等的連接部件12而被固定)，蓋Sb通過樹脂等的粘合部件9而被接合在封裝件4內。另外，集成電路(IC)2通過粘合部件9而被接合在封裝件8上。尤其，在實施方式中，集成電路(IC)2通過粘合部件9而被接合在基座8a(端子面)上。
[0108]如圖7(B)所示，在本實施方式中，與第一實施方式(圖2(B))同樣，在從上表面俯視觀察振蕩器I時，集成電路(IC)2與封裝件8(振動元件3)重疊。這樣，由于振動元件3和集成電路(IC)2被配置在空間上相互接近的地方，并且，在對振動元件3進行收納的封裝件8的基座8a上直接安裝有集成電路(IC)2，因此，集成電路(IC)2的發熱能夠在短時間內傳導至振動元件3，從而成功地使集成電路(IC)2和振動元件3的溫度差與以往相比而較小。尤其，由于在俯視觀察時，通過使集成電路(IC)2與接合部件12重疊從而使集成電路(IC)2與振動元件3之間的熱傳遞路徑變短，因此，能夠更有效地減小溫度差。其結果為，在本實施方式的振蕩器I中，也與第一實施方式同樣，由溫度補償電路40實施的溫度補償的誤差變小，從而能夠實現在O °C以上且+70 °C以下、一 5 °C以上且+85 °C以下、或者一 40 °C以上且+85 °C以下的溫度范圍內，頻率偏差為一 150ppb以上且+150ppb以下的特性。
[0109]即，第二實施方式的振蕩器I也與第一實施方式同樣為，具有在一5°C以上且+85°C以下或者一 40°C以上且+85°C以下的溫度范圍內頻率偏差為一 150ppb以上且+150ppb以下的特性的、未見其他的新型的溫度補償型的振蕩器，例如，在利用了 OCXO的這種要求較高頻率精度的電子設備中，也能夠利用本實施方式的振蕩器I。
[0110]即使在本實施方式中，與第一實施方式同樣，優選為，相對于振動元件3的頻率溫度特性的擬合式的、頻率偏差較小，例如，如果振動元件3為AT切割振動元件，則優選為，相對于振動元件3的頻率溫度特性的3次以上的擬合式的、振動元件3的頻率偏差dF/F在O 0C以上且+70 °C以下、一 5 °C以上且+85 °C以下、或者一 40 °C以上且+85 °C以下為，一 150ppb以上且+ 150ppb以下。如果采用這樣的方式，則即使在溫度補償調節工序S50中考慮到集成電路(IC)2的溫度特性的差異，也容易生成如下溫度補償數據，S卩，用于實現在(TC以上且+70°C以下、一 5 °C以上且+85 °C以下、或者一 40 °C以上且+85 °C以下頻率溫度特性為一 150ppb以上且+150ppb以下的振蕩器I的溫度補償數據，從而能夠提高成品率。
[0111]而且，在本實施方式中，與第一實施方式同樣，通過在溫度補償調節工序S50中，增多對頻率進行測量的溫度數，或者以更高次式對振蕩器I的頻率溫度特性進行擬合，從而容易地生成如下溫度補償數據，即，用于實現包括集成電路(IC)2的溫度特性在內，在(TC以上且+70 °C以下、一 5 °C以上且+85 °C以下、或者一40 °C以上且+85 °C以下頻率溫度特性的頻率偏差為一 150ppb以上且+150ppb以下的振蕩器I的溫度補償數據，從而能夠進一步提高成品率。
[0112]1-3.改變例
[0113]上述的各實施方式的振蕩器I能夠進行各種各樣的變形。
[0114]例如，上述的各實施方式的振蕩器I雖然在振動元件3(對振動元件3進行收納的封裝件8的上表面)上搭載有集成電路(IC)2，但是，也可以為在集成電路(IC)2上搭載有振動元件3(對振動元件3進行收納的封裝件8的上表面)的結構。即使是這樣的結構的振蕩器，在從上表面俯視觀察振蕩器時，集成電路(IC)2也與封裝件8(振動元件3)重疊，且振動元件3和集成電路(IC)2被配置在空間上相互接近的地方，并且，通過在對振動元件3進行收納的封裝件8的蓋8b或基座8a上直接安裝有集成電路(IC)2，從而使集成電路(IC)2的發熱在短時間內傳導至振動元件3。因此，由于集成電路(IC)2和振動元件3的溫度差與以往相比而較小，因此，由溫度補償電路40實施的溫度補償的誤差變小，從而能夠實現在(TC以上且+70°C以下、一5°C以上且+85°C以下、或者一40°C以上且+85°C以下的溫度范圍內頻率偏差為一150ppb以上且+150ppb以下的特性。
[0115]另外，例如，雖然上述的各實施方式的振蕩器I為具有溫度補償功能和電壓控制功能(頻率控制功能)的振蕩器(VC—TCXO等)，但是也可以為不具有電壓控制功能(頻率控制功能)的溫度補償型振蕩器(TCX0等)。
[0116]2.電子設備
[0117]圖8為表不本實施方式的電子設備的結構的一個不例的功能框圖。另外，圖9為表示作為本實施方式的電子設備的一個示例的智能電話的外觀的一個示例的圖。
[ΟΙ18] 本實施方式的電子設備300被構成為，包括振蕩器310、CPU(Central ProcessingUnit:中央處理器)320、操作部 330、R0M(Read Only Memory,只讀存儲器)340、RAM (RandomAccess Memory，隨機存取存儲器)350、通信部360、顯示部370。并且，本實施方式的電子設備也可以采用省略或變更圖8的結構要素(各部)的一部分，或者附加了其他結構要素的結構。
[0119]振蕩器310具備集成電路(IC)312和振動元件313。集成電路(IC)312使振動元件313進行振蕩從而產生振蕩信號。該振蕩信號從振蕩器310的外部端子起向CPU320進行輸出。
[0120]CPU320根據存儲于R0M340等中的程序，而將從振蕩器310輸入的振蕩信號作為時鐘信號，來進行各種計算處理或控制處理。具體而言，CPU320實施與來自操作部330的操作信號相對應的各種處理、為了與外部裝置實施數據通信而對通信部360進行控制的處理、發送用于使顯示部370顯示各種信息的顯示信號的處理等。
[0121]操作部330為通過操作鍵或按鈕開關等而被構成的輸入裝置，并將與用戶的操作相對應的操作信號輸出至CPU320。
[0122]R0M340對供CPU320實施各種計算處理或控制處理的程序或數據等進行存儲。
[0123]RAM350對作為CPU320的工作區域而被使用的、從R0M340讀出的程序或數據、從操作部330輸入的數據、CPU320根據各種程序而執行的運算結果等進行臨時存儲。
[0124]通信部360實施用于使CPU320與外部裝置之間的數據通信成立的各種控制。
[ΟΙ25] 顯示部370為，由IXD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)等構成的顯示裝置，根據從CPU320輸入的顯示信號來對各種信息進行顯示。在顯示部370中也可以設置作為操作部330而發揮功能的觸摸屏。
[0126]作為振蕩器310，例如通過應用上述的各實施方式的振蕩器I，從而能夠實現可靠性較高的電子設備。
[0127]作為電子設備300而考慮到各種電子設備。例如，可列舉出個人計算機(例如，便攜式個人計算機、膝上型個人計算機、平板型個人計算機)、智能電話或移動電話機等的移動體終端、數碼照相機、噴墨式噴出裝置(例如，噴墨式打印機)，路由器或開關等存儲區域網絡設備、局域網設備、移動體終端基站用設備、電視機、攝像機、錄像機、汽車導航裝置、實時時鐘裝置、尋呼機、電子記事本(也包含附帶通信功能的產品)、電子辭典、臺式電子計算器、電子游戲設備、游戲用控制器、文字處理器、工作站、可視電話、防盜用視頻監視器、電子雙筒望遠鏡、POS(Point of Sale:銷售點)終端、醫療設備(例如電子體溫計、血壓計、血糖儀、心電圖測量裝置、超聲波診斷裝置、電子內窺鏡)、魚群探測器、各種測量設備、計量儀器類(例如，車輛、飛機、船舶的計量儀器類)、飛行模擬器、頭戴式顯示器、動作軌跡、動作跟蹤、運動控制器、PDR(Precis1n Depth Recorder:步行者航位推算)等。
[0128]作為本實施方式的電子設備300的一個示例，可舉出將上述的振蕩器310作為基準信號源或者電壓可變型振蕩器(VCO)等而使用，例如，作為通過有線或無線而與終端之間實施通信的終端基站用裝置等而發揮功能的傳送裝置。作為振蕩器310，例如通過應用上述的各實施方式的振蕩器I，從而能夠以與以往相比而較低的成本來實現例如通信基站等能夠利用的、可期望頻率精度$父尚、尚性能、尚可靠性的電子設備300。
[0129]3.移動體
[0130]圖10為表不本實施方式的移動體的一個不例的圖(俯視圖)O圖10所不的移動體400被構成為，包括振蕩器410、實施發動機系統、制動系統、無鑰匙進入系統等各種控制的控制器420、430、440、蓄電池450以及備用蓄電池460。并且，本實施方式的移動體也可以采用省略或變更圖10的結構要素(各部分)的一部分或者附加了其他結構要素的結構。
[0131]振蕩器410具備未圖示的集成電路(IC)和振動元件，集成電路(IC)使振動元件進行振蕩從而產生振蕩信號。該振蕩信號從振蕩器410的外部端子向控制器420、430、440進行輸出，例如，作為時鐘信號而被使用。
[0132]蓄電池450向振蕩器410以及控制器420、430、440供給電力。備用蓄電池460在蓄電池450的輸出電壓與閾值相比較低時，向振蕩器410以及控制器420、430、440供給電力。
[0133]作為振蕩器410，例如通過應用上述的各實施方式的振蕩器I，從而能夠實現可靠性較高的移動體。
[0134]作為這樣的移動體400，考慮到各種移動體，例如，汽車(也包含電動汽車)，噴氣式飛機或直升機等飛機、船舶、火箭、人造衛星等。
[0135]本發明并不限于本實施方式或改變例，能夠在不超出該主旨的范圍內進行各種變更實施。
[0136]上述的實施方式和改變例為一個示例，但并限定于此。例如，還能夠對各實施方式和各改變例進行適當組合。
[0137]本發明包含與實施方式所說明的結構實質上相同的結構(例如，功能、方法以及結果相同的結構，或者目的以及效果相同的結構)。此外，本發明包含對實施方式所說明的結構的非本質部分進行置換的結構。此外，本發明包含與實施方式所說明的結構起同樣作用效果的結構或者能夠實現相同目的的結構。此外，本發明包含向實施方式所說明的結構中附加了公知技術的結構。
[0138]符號說明
[0139]I振蕩器;2集成電路(IC) ;3振動元件;3a、3b激勵電極;4封裝件；5蓋;6外部端子(外部電極)；7接合引線;8封裝件;8a基座;8b蓋;9粘合部件；1振蕩電路;11電極襯墊；12連接部件;20輸出電路;30頻率調節電路;32 AFC電路;40溫度補償電路;41-1 I次電壓產生電路;41-η η次電壓產生電路;42加法運算電路;50溫度傳感器;60調壓電路;70存儲部;72非易失性存儲器;74寄存器、80串行接口(I/F)電路;300電子設備；310振蕩器;312集成電路(IC) ;313振動元件;320 CPU;330操作部；340 ROM；350 RAM;360通信部；370顯示部；400移動體;410振蕩器;420、430、440控制器;450蓄電池;460備用蓄電池。
【主權項】
1.一種振蕩器，包括: 振動元件； 半導體裝置，其具有使所述振動元件進行振蕩從而輸出振蕩信號的振蕩電路、對所述振蕩信號的頻率的溫度特性進行補償的溫度補償電路以及配置有與所述振動元件電連接的端子的第一面， 在俯視觀察時，所述半導體裝置與所述振動元件重疊， 由所述溫度補償電路補償之后的所述振蕩信號的頻率偏差在一5°C以上且+85°C以下的溫度范圍內為一 150ppb以上且+150ppb以下。2.如權利要求1所述的振蕩器，其中， 所述頻率偏差在一40°C以上且+85°C以下的溫度范圍內為一 150ppb以上且+150ppb以下。3.如權利要求1所述的振蕩器，其中， 相對于所述振動元件的頻率溫度特性的3次以上的擬合式的、所述振動元件的共振頻率的偏差為一 150ppb以上且+150ppb以下。4.如權利要求1所述的振蕩器，其中， 具有第一容器，所述第一容器對所述振動元件進行收納， 所述半導體裝置的與所述第一面相反側的面經由粘合部件而被接合在所述第一容器上。5.如權利要求2所述的振蕩器，其中， 具有第一容器，所述第一容器對所述振動元件進行收納， 所述半導體裝置的與所述第一面相反側的面經由粘合部件而被接合在所述第一容器上。6.如權利要求3所述的振蕩器，其中， 具有第一容器，所述第一容器對所述振動元件進行收納， 所述半導體裝置的與所述第一面相反側的面經由粘合部件而被接合在所述第一容器上。7.如權利要求4所述的振蕩器，其中， 所述第一容器具有基座、和與所述基座一起對所述振動元件進行覆蓋的金屬制的第一至ΠΠ.， 所述半導體裝置與所述第一蓋相接合。8.如權利要求5所述的振蕩器，其中， 所述第一容器具有基座、和與所述基座一起對所述振動元件進行覆蓋的金屬制的第一至ΠΠ.， 所述半導體裝置與所述第一蓋相接合。9.如權利要求6所述的振蕩器，其中， 所述第一容器具有基座、和與所述基座一起對所述振動元件進行覆蓋的金屬制的第一至ΠΠ.， 所述半導體裝置與所述第一蓋相接合。10.一種振蕩器，包括: 振動元件； 半導體裝置，其具有使所述振動元件進行振蕩從而輸出振蕩信號的振蕩電路、對所述振蕩信號的頻率的溫度特性進行補償的溫度補償電路以及配置有與所述振動元件電連接的端子的第一面； 第一容器，其對所述振動元件進行收納，并具有在俯視觀察時與所述振動元件重疊的金屬制的第一蓋； 第二容器，其對所述第一容器以及所述半導體裝置進行收納， 所述第一容器以與所述第一蓋側相反側的面面對所述第二容器的內表面的方式而被配置， 所述半導體裝置以在俯視觀察時與所述振動元件重疊的方式，而使與所述第一面相反側的面經由粘合部件而與所述第一蓋相接合， 由所述溫度補償電路補償之后的所述振蕩信號的頻率偏差在一 5°C以上且+85°C以下的溫度范圍內為一 150ppb以上且+150ppb以下。11.如權利要求1O所述的振蕩器，其中，所述頻率偏差在一40°C以上且+85°C以下的溫度范圍內為一 150ppb以上且+150ppb以下。12.如權利要求1O所述的振蕩器，其中， 相對于所述振動元件的頻率溫度特性的3次以上的擬合式的、所述振動元件的共振頻率的偏差為一 150ppb以上且+150ppb以下。13.如權利要求1O所述的振蕩器，其中， 所述第二容器具有在俯視觀察時與所述第一容器以及所述半導體裝置重疊的第二蓋， 所述內表面具有配置有配線的面、和所述第二蓋露出的面， 所述第一容器被配置在配置有所述配線的面上。14.如權利要求11所述的振蕩器，其中， 所述第二容器具有在俯視觀察時與所述第一容器以及所述半導體裝置重疊的第二蓋， 所述內表面具有配置有配線的面、和所述第二蓋露出的面， 所述第一容器被配置在配置有所述配線的面上。15.—種電子設備，其中， 具備權利要求1所述的振蕩器。16.—種電子設備，其中， 具備權利要求10所述的振蕩器。17.—種電子設備，其中， 具備權利要求13所述的振蕩器。18.—種移動體，其中， 具備權利要求1所述的振蕩器。19.一種移動體，其中， 具備權利要求10所述的振蕩器。20.—種移動體，其中， 具備權利要求13所述的振蕩器。
【文檔編號】H03H9/10GK106026917SQ201610179380
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年3月25日
【發明人】大脇卓彌, 菅野英幸
【申請人】精工愛普生株式會社