本技術(shu)屬于顯(xian)(xian)示(shi)，尤其(qi)涉及(ji)一種顯(xian)(xian)示(shi)面(mian)板(ban)、顯(xian)(xian)示(shi)裝置(zhi)及(ji)顯(xian)(xian)示(shi)面(mian)板(ban)的制(zhi)備(bei)方法。

背景技術：

1、有機發(fa)光二極(ji)管(organic?light?emitting?diode，oled)以及基于發(fa)光二極(ji)管(light?emitting?diode，led)等(deng)技術的(de)平面顯示(shi)裝(zhuang)置(zhi)因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣(guang)等(deng)優點，而被廣(guang)泛的(de)應用于手機、電視、筆記本電腦(nao)(nao)、臺式(shi)電腦(nao)(nao)等(deng)各(ge)種消費(fei)性電子產品，成為(wei)顯示(shi)裝(zhuang)置(zhi)中的(de)主流。

2、但目前的oled顯示產品的工藝性能(neng)有待提升。

技術實現思路

1、本技術實施例(li)提供了一種顯(xian)示(shi)面板、顯(xian)示(shi)裝(zhuang)置(zhi)及顯(xian)示(shi)面板的制備方法，旨(zhi)在提升顯(xian)示(shi)面板的結構可靠(kao)性。

2、本技(ji)術第(di)一(yi)方面的(de)實(shi)施例提供了一(yi)種顯示面板(ban)，包括：基(ji)板(ban)；像(xiang)(xiang)素定(ding)(ding)義層，設置(zhi)于基(ji)板(ban)的(de)一(yi)側，像(xiang)(xiang)素定(ding)(ding)義層包括像(xiang)(xiang)素限定(ding)(ding)部及由像(xiang)(xiang)素限定(ding)(ding)部圍合形(xing)成的(de)像(xiang)(xiang)素開口；保(bao)護層，至少(shao)部分保(bao)護層覆(fu)蓋于像(xiang)(xiang)素限定(ding)(ding)部背離(li)基(ji)板(ban)的(de)一(yi)側表面。

3、根據(ju)本(ben)技(ji)術(shu)第(di)一方面的(de)(de)(de)實施方式，顯示面板(ban)還包(bao)括發(fa)光(guang)(guang)層(ceng)，發(fa)光(guang)(guang)層(ceng)包(bao)括至(zhi)(zhi)少部分位于像素開口(kou)內的(de)(de)(de)發(fa)光(guang)(guang)單(dan)元(yuan)，至(zhi)(zhi)少部分發(fa)光(guang)(guang)單(dan)元(yuan)設置于保(bao)護層(ceng)背離基板(ban)的(de)(de)(de)一側，保(bao)護層(ceng)的(de)(de)(de)材(cai)料包(bao)括導電材(cai)料，保(bao)護層(ceng)用于參(can)與驅(qu)動(dong)發(fa)光(guang)(guang)單(dan)元(yuan)發(fa)光(guang)(guang)。

4、根據本(ben)技術第一方面的前述任一實施方式，用于(yu)參與驅動不同發光(guang)單元發光(guang)的相(xiang)鄰保護層間(jian)相(xiang)互間(jian)隔(ge)設置(zhi)。

5、根據本技術(shu)第一方面的前述任一實施方式(shi)，保(bao)護(hu)層復用為顯(xian)示面板的第一電極，至少部分保(bao)護(hu)層位于像(xiang)素(su)開(kai)口內，基板包括晶(jing)體管，保(bao)護(hu)層與(yu)晶(jing)體管電連接。

6、根據本(ben)技術(shu)第一(yi)方面的前述任一(yi)實施(shi)方式，至少部分保(bao)護(hu)層(ceng)位于像素開口內，顯示面板還包括設置于像素定義層(ceng)與基板間的第一(yi)電極層(ceng)，第一(yi)電極層(ceng)包括第一(yi)電極，至少部分第一(yi)電極從像素開口中(zhong)露出并與保(bao)護(hu)層(ceng)電連接(jie)。

7、根據本技術(shu)第一方面的(de)前述任(ren)一實施方式，至(zhi)少部分(fen)保護層(ceng)覆蓋于(yu)從像素開口中露出的(de)第一電(dian)極背離基板的(de)一側表(biao)面。

8、根據本技術(shu)第一(yi)方面的(de)(de)前(qian)述任一(yi)實施方式，保護層的(de)(de)材料包括透明(ming)導電材料。

9、根(gen)據本技術第一方(fang)面的前述任一實施方(fang)式，保護(hu)層的材料包(bao)括氧(yang)化銦錫或氧(yang)化銦鋅中(zhong)的至少一種。

10、根據(ju)本(ben)技(ji)術(shu)第(di)一方面的前述任一實施方式，顯示面板(ban)還(huan)包括(kuo)(kuo)發(fa)光(guang)(guang)層(ceng)(ceng)與第(di)二(er)電極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)，發(fa)光(guang)(guang)層(ceng)(ceng)包括(kuo)(kuo)至少部分位于(yu)像(xiang)素開(kai)口內(nei)的發(fa)光(guang)(guang)單(dan)元(yuan)，第(di)二(er)電極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)包括(kuo)(kuo)位于(yu)發(fa)光(guang)(guang)單(dan)元(yuan)背(bei)離基(ji)(ji)板(ban)一側的第(di)二(er)電極(ji)(ji)，保(bao)護層(ceng)(ceng)在基(ji)(ji)板(ban)上的正投影位于(yu)發(fa)光(guang)(guang)單(dan)元(yuan)在基(ji)(ji)板(ban)上的正投影內(nei)。

11、根據本技術第一(yi)方面(mian)的(de)前述任(ren)一(yi)實施方式，像(xiang)素(su)限定部背離基板的(de)一(yi)側具(ju)(ju)有頂面(mian)，保護(hu)層(ceng)覆蓋至(zhi)(zhi)少部分頂面(mian)設(she)置，和(he)/或，像(xiang)素(su)限定部朝(chao)向像(xiang)素(su)開口的(de)一(yi)側具(ju)(ju)有側壁(bi)(bi)面(mian)，保護(hu)層(ceng)覆蓋至(zhi)(zhi)少部分側壁(bi)(bi)面(mian)設(she)置。

12、根(gen)據(ju)本技術第(di)一方面的(de)前述任(ren)一實施方式，顯示面板(ban)還包(bao)括設置(zhi)于基板(ban)一側的(de)隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)結構(gou)，隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)結構(gou)圍合形(xing)成與像素開口(kou)連(lian)通的(de)隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)開口(kou)，隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)結構(gou)包(bao)括第(di)一隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)部以及位于第(di)一隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)部背(bei)離(li)(li)(li)基板(ban)一側的(de)第(di)二(er)隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)部，第(di)二(er)隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)部朝向隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)開口(kou)凸出于第(di)一隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)部設置(zhi)。

13、根據本技術第(di)一方面的(de)前述(shu)任(ren)一實施(shi)方式，隔離(li)結構還(huan)包(bao)括設置(zhi)于第(di)一隔離(li)部朝向基板(ban)一側的(de)第(di)三隔離(li)部，第(di)三隔離(li)部朝向隔離(li)開口(kou)凸出于第(di)一隔離(li)部設置(zhi)。

14、根(gen)據本技術(shu)第一方面(mian)的前述任一實施(shi)方式，隔(ge)離結構(gou)設置(zhi)于像素限(xian)定部背離基板的一側，或，像素限(xian)定部開(kai)設有容納槽，至少部分隔(ge)離結構(gou)位于容納槽內。

15、根據本技術第一(yi)方面的前述(shu)任一(yi)實施方式，隔(ge)離結(jie)構的材(cai)料(liao)包(bao)括導電材(cai)料(liao)，保護層與隔(ge)離結(jie)構間隔(ge)設(she)置。

16、根據本技術(shu)第一方面(mian)的(de)前述任一實施方式(shi)，顯示面(mian)板(ban)還包(bao)括發光(guang)(guang)層(ceng)(ceng)與第二(er)(er)電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)，發光(guang)(guang)層(ceng)(ceng)包(bao)括至(zhi)少部分位(wei)于像素開口內的(de)發光(guang)(guang)單元，第二(er)(er)電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)包(bao)括位(wei)于發光(guang)(guang)單元背(bei)離(li)(li)基板(ban)一側的(de)第二(er)(er)電(dian)極(ji)(ji)，第二(er)(er)電(dian)極(ji)(ji)與隔離(li)(li)結構電(dian)連(lian)接(jie)。

17、根據本技術第(di)一方(fang)面的前述任一實施方(fang)式(shi)，像素定義層的材料包括無機材料。

18、根(gen)據本技術第(di)一方面的前述任一實施方式，顯(xian)示面板還包括(kuo)設置于發光層(ceng)背離基板一側的第(di)一封裝(zhuang)(zhuang)層(ceng)，第(di)一封裝(zhuang)(zhuang)層(ceng)的材料(liao)包括(kuo)無機材料(liao)。

19、本(ben)技術第(di)(di)一(yi)方(fang)面(mian)的(de)實施(shi)例還提(ti)供(gong)一(yi)種顯(xian)示面(mian)板(ban)，包括(kuo)：基(ji)板(ban)；第(di)(di)一(yi)電(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)，設(she)置(zhi)于(yu)(yu)(yu)基(ji)板(ban)的(de)一(yi)側(ce)(ce)，第(di)(di)一(yi)電(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)包括(kuo)第(di)(di)一(yi)電(dian)(dian)極(ji)；像(xiang)(xiang)(xiang)素定(ding)義層(ceng)(ceng)(ceng)，設(she)置(zhi)于(yu)(yu)(yu)第(di)(di)一(yi)電(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)背(bei)離基(ji)板(ban)的(de)一(yi)側(ce)(ce)，像(xiang)(xiang)(xiang)素定(ding)義層(ceng)(ceng)(ceng)包括(kuo)像(xiang)(xiang)(xiang)素限定(ding)部(bu)及由(you)像(xiang)(xiang)(xiang)素限定(ding)部(bu)圍合形成的(de)像(xiang)(xiang)(xiang)素開(kai)口；保(bao)護(hu)層(ceng)(ceng)(ceng)，至少部(bu)分(fen)覆蓋于(yu)(yu)(yu)像(xiang)(xiang)(xiang)素限定(ding)部(bu)背(bei)離基(ji)板(ban)的(de)一(yi)側(ce)(ce)表面(mian)，且至少部(bu)分(fen)保(bao)護(hu)層(ceng)(ceng)(ceng)位于(yu)(yu)(yu)像(xiang)(xiang)(xiang)素開(kai)口內，保(bao)護(hu)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)材(cai)料包括(kuo)導(dao)電(dian)(dian)材(cai)料，至少部(bu)分(fen)第(di)(di)一(yi)電(dian)(dian)極(ji)從(cong)像(xiang)(xiang)(xiang)素開(kai)口中露出并與(yu)保(bao)護(hu)層(ceng)(ceng)(ceng)電(dian)(dian)連接。

20、根據(ju)本技術第(di)一方面(mian)的實施方式，顯示面(mian)板(ban)還包(bao)括發(fa)光層(ceng)(ceng)(ceng)，發(fa)光層(ceng)(ceng)(ceng)包(bao)括至少(shao)部分位于像素開(kai)口內的發(fa)光單元(yuan)，至少(shao)部分發(fa)光單元(yuan)設置于保(bao)護層(ceng)(ceng)(ceng)背(bei)離(li)基板(ban)的一側。

21、根據本技術第一方面的前述任一實施方式(shi)，顯示面板(ban)還包括(kuo)第二電(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)，第二電(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)包括(kuo)位(wei)(wei)于發(fa)光(guang)單元(yuan)背離基(ji)板(ban)一側的第二電(dian)極(ji)，保(bao)護(hu)層(ceng)(ceng)在基(ji)板(ban)上的正投(tou)影(ying)位(wei)(wei)于發(fa)光(guang)單元(yuan)在基(ji)板(ban)上的正投(tou)影(ying)內(nei)。

22、根(gen)據(ju)本技術(shu)第一方面(mian)的(de)前述任一實施方式，像(xiang)(xiang)素限(xian)定部背(bei)離(li)基(ji)板(ban)的(de)一側(ce)具(ju)有(you)頂(ding)(ding)面(mian)，保(bao)護(hu)層(ceng)覆蓋(gai)至(zhi)少(shao)部分頂(ding)(ding)面(mian)設(she)(she)置(zhi)，和/或，像(xiang)(xiang)素限(xian)定部朝向像(xiang)(xiang)素開(kai)口的(de)一側(ce)具(ju)有(you)側(ce)壁面(mian)，保(bao)護(hu)層(ceng)覆蓋(gai)至(zhi)少(shao)部分側(ce)壁面(mian)設(she)(she)置(zhi)。

23、根據本技(ji)術第(di)(di)(di)(di)一(yi)方面的(de)(de)前(qian)述任一(yi)實施方式(shi)，顯示面板(ban)還包(bao)(bao)括設(she)置于(yu)(yu)基(ji)板(ban)一(yi)側的(de)(de)隔(ge)離(li)(li)結(jie)構(gou)，隔(ge)離(li)(li)結(jie)構(gou)圍合形成與(yu)像素開(kai)口連通(tong)的(de)(de)隔(ge)離(li)(li)開(kai)口，隔(ge)離(li)(li)結(jie)構(gou)包(bao)(bao)括第(di)(di)(di)(di)一(yi)隔(ge)離(li)(li)部(bu)以(yi)及位于(yu)(yu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)隔(ge)離(li)(li)部(bu)背離(li)(li)基(ji)板(ban)一(yi)側的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)二隔(ge)離(li)(li)部(bu)，第(di)(di)(di)(di)二隔(ge)離(li)(li)部(bu)朝(chao)向(xiang)隔(ge)離(li)(li)開(kai)口凸(tu)出于(yu)(yu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)隔(ge)離(li)(li)部(bu)設(she)置。

24、根據本技術第(di)一方面的前述(shu)任(ren)一實施方式，隔離結構的材料(liao)包括導電材料(liao)，保護層與隔離結構間隔設置。

25、根(gen)據(ju)本技(ji)術第一(yi)方(fang)(fang)面的前(qian)述任一(yi)實施方(fang)(fang)式，像素定義層的材料包括無(wu)機材料。

26、根據本(ben)技(ji)術(shu)第(di)(di)一方(fang)面的(de)前述任(ren)一實施方(fang)式，顯示面板(ban)還包括發光層(ceng)以及設置于發光層(ceng)背離基(ji)板(ban)一側的(de)第(di)(di)一封(feng)裝層(ceng)，第(di)(di)一封(feng)裝層(ceng)的(de)材料包括無機(ji)材料。

27、本技術第(di)二(er)方面的實(shi)施例提供一種(zhong)顯示裝置(zhi)，顯示裝置(zhi)包(bao)括上述任一實(shi)施方式(shi)的顯示面板。

28、本技術第三方面的實(shi)施例提供一種顯(xian)示面板的制備方法，包括：

29、在基板上制備形成像(xiang)(xiang)素(su)定義層，像(xiang)(xiang)素(su)定義層包括像(xiang)(xiang)素(su)限定部及由像(xiang)(xiang)素(su)限定部圍合形成的像(xiang)(xiang)素(su)開口(kou)，像(xiang)(xiang)素(su)開口(kou)包括第一(yi)類(lei)(lei)(lei)開口(kou)、第二類(lei)(lei)(lei)開口(kou)以(yi)及第三類(lei)(lei)(lei)開口(kou)；

30、制備第(di)一保護材料層(ceng)，至少(shao)部(bu)分(fen)第(di)一保護材料層(ceng)覆蓋于第(di)一類開口、第(di)二類開口與第(di)三類開口周側的像(xiang)素限定部(bu)背離基板的一側表面；

31、依次制備第一發光材料(liao)層(ceng)、第一導電材料(liao)層(ceng)以及第一封裝材料(liao)層(ceng)；

32、依次去(qu)除第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)類(lei)開口外的部分第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)封裝材料層、第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)導電材料層以(yi)及(ji)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)發(fa)光材料層，以(yi)形成(cheng)至少部分位于(yu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)類(lei)開口內(nei)的第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)發(fa)光器(qi)件以(yi)及(ji)位于(yu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)發(fa)光器(qi)件背離(li)基板(ban)一(yi)(yi)(yi)(yi)側的第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)封裝單元；

33、依(yi)次制備第二(er)發光(guang)材(cai)料(liao)層(ceng)(ceng)、第二(er)導電(dian)材(cai)料(liao)層(ceng)(ceng)以及(ji)第二(er)封裝材(cai)料(liao)層(ceng)(ceng)；

34、依次去除第(di)(di)二(er)(er)類(lei)開(kai)口外的部(bu)(bu)分第(di)(di)二(er)(er)封裝材(cai)料層(ceng)、第(di)(di)二(er)(er)導電材(cai)料層(ceng)以(yi)及第(di)(di)二(er)(er)發光材(cai)料層(ceng)，以(yi)形成至少(shao)部(bu)(bu)分位(wei)于第(di)(di)二(er)(er)類(lei)開(kai)口內的第(di)(di)二(er)(er)發光器件(jian)以(yi)及位(wei)于第(di)(di)二(er)(er)發光器件(jian)背(bei)離基板一(yi)側(ce)的第(di)(di)二(er)(er)封裝單元；

35、依(yi)次制(zhi)備第三(san)(san)發光材料(liao)層(ceng)(ceng)、第三(san)(san)導(dao)電(dian)材料(liao)層(ceng)(ceng)以及第三(san)(san)封(feng)裝材料(liao)層(ceng)(ceng)；

36、依次去除第三(san)(san)類開口(kou)外的(de)部分(fen)第三(san)(san)封裝材(cai)料層(ceng)、第三(san)(san)導電材(cai)料層(ceng)以(yi)及第三(san)(san)發(fa)光材(cai)料層(ceng)，以(yi)形成至少部分(fen)位于第三(san)(san)類開口(kou)內的(de)第三(san)(san)發(fa)光器件以(yi)及位于第三(san)(san)發(fa)光器件背離基(ji)板(ban)一側的(de)第三(san)(san)封裝單元(yuan)。

37、根據本技(ji)術第(di)三方面(mian)的實(shi)施方式，在(zai)依(yi)次(ci)去除第(di)一(yi)類開口外的部分第(di)一(yi)封裝(zhuang)材料(liao)層(ceng)、第(di)一(yi)導電材料(liao)層(ceng)以及第(di)一(yi)發光材料(liao)層(ceng)的步驟后包括：

38、去除(chu)第一(yi)(yi)類(lei)開(kai)口外的部(bu)分第一(yi)(yi)保護材料層，以形成對(dui)應第一(yi)(yi)類(lei)開(kai)口設置(zhi)的第一(yi)(yi)保護部(bu)；

39、制備第二(er)保護(hu)材料(liao)層(ceng)，至少部分第二(er)保護(hu)材料(liao)層(ceng)覆蓋于(yu)第二(er)類開口與第三(san)類開口周(zhou)側的(de)像素限(xian)定部背離基板(ban)的(de)一側表面。

40、根據本(ben)技(ji)術第(di)三方(fang)面的前述任一實施(shi)方(fang)式，至(zhi)少部分第(di)二保護(hu)材料層(ceng)覆蓋(gai)于第(di)一封裝單元背離基(ji)板的一側表面。

41、根據本技術第(di)(di)三(san)方面的(de)前述(shu)任(ren)一實(shi)施方式，在依次去除(chu)第(di)(di)二類開口外的(de)部分第(di)(di)二封(feng)裝材料(liao)層(ceng)、第(di)(di)二導電材料(liao)層(ceng)以及(ji)第(di)(di)二發光材料(liao)層(ceng)的(de)步(bu)驟后包括：

42、去除第(di)(di)二(er)(er)類(lei)開口(kou)外的部分第(di)(di)二(er)(er)保護材料層，以形成對(dui)應第(di)(di)二(er)(er)類(lei)開口(kou)設置的第(di)(di)二(er)(er)保護部；

43、制備第三(san)保(bao)護(hu)材(cai)料(liao)層，至少部(bu)分第三(san)保(bao)護(hu)材(cai)料(liao)層覆蓋于第三(san)類(lei)開口周側的(de)(de)像素限定部(bu)背離基板的(de)(de)一側表面(mian)。

44、根(gen)據本技術第三(san)(san)方面(mian)的(de)前述任一實施方式(shi)，至少部分第三(san)(san)保護材料(liao)層覆(fu)蓋于第一封裝單元(yuan)與所述第二封裝單元(yuan)背離(li)基板的(de)一側表(biao)面(mian)。

45、根據本技術(shu)第(di)三(san)方面的前述任一實施方式，在(zai)依次去除第(di)三(san)類(lei)開(kai)口外的部(bu)分第(di)三(san)封(feng)裝材(cai)料層(ceng)、第(di)三(san)導電材(cai)料層(ceng)以及(ji)第(di)三(san)發光(guang)材(cai)料層(ceng)的步(bu)驟中還可(ke)包括：

46、去(qu)除第(di)三(san)(san)類開口(kou)外的部(bu)分第(di)三(san)(san)保護材料層，以形成至少部(bu)分位于(yu)第(di)三(san)(san)類開口(kou)內的第(di)三(san)(san)保護部(bu)。

47、根據本技術第三(san)方面的前述任一實施方式(shi)，在基板(ban)上制備形成(cheng)像素定義(yi)層(ceng)的步驟前包括：

48、在(zai)基板上制(zhi)備第一(yi)電(dian)極層，第一(yi)電(dian)極層包括(kuo)多(duo)個第一(yi)電(dian)極；

49、在(zai)基(ji)板上制(zhi)備形成像素定(ding)義(yi)層(ceng)的步驟中包括：

50、在第(di)(di)一電極(ji)(ji)層上制(zhi)備形成(cheng)像素定義層，至少部分第(di)(di)一電極(ji)(ji)從第(di)(di)一類開(kai)口(kou)、第(di)(di)二(er)類開(kai)口(kou)以(yi)及第(di)(di)三類開(kai)口(kou)中露(lu)出；

51、在(zai)制備第一(yi)保護(hu)材料層的(de)步驟中包(bao)括：

52、至少部分第(di)一保(bao)護(hu)材(cai)料層位(wei)于第(di)一類開口(kou)、第(di)二類開口(kou)與第(di)三類開口(kou)內(nei)并與第(di)一電極連接。

53、根據本技術第三方面(mian)的前述任一(yi)實(shi)施方式，基板包括晶體管，在(zai)制備第一(yi)保護材料(liao)層的步驟(zou)中包括：

54、至少部分第(di)一(yi)保護材料層經由第(di)一(yi)類(lei)(lei)開口、第(di)二類(lei)(lei)開口與第(di)三(san)類(lei)(lei)開口與基板中的(de)晶(jing)體管電連接。

55、在(zai)(zai)本技術實施例(li)提供的一(yi)種顯示面(mian)(mian)(mian)板中，顯示面(mian)(mian)(mian)板包括基板、像(xiang)(xiang)(xiang)素(su)定(ding)(ding)義層(ceng)以(yi)及保(bao)護層(ceng)以(yi)及。像(xiang)(xiang)(xiang)素(su)定(ding)(ding)義層(ceng)包括像(xiang)(xiang)(xiang)素(su)限(xian)定(ding)(ding)部(bu)(bu)及由像(xiang)(xiang)(xiang)素(su)限(xian)定(ding)(ding)部(bu)(bu)圍合形成的像(xiang)(xiang)(xiang)素(su)開口，像(xiang)(xiang)(xiang)素(su)定(ding)(ding)義層(ceng)可(ke)用(yong)于(yu)(yu)劃分顯示面(mian)(mian)(mian)板的子像(xiang)(xiang)(xiang)素(su)。通過在(zai)(zai)像(xiang)(xiang)(xiang)素(su)限(xian)定(ding)(ding)部(bu)(bu)上(shang)覆(fu)蓋有(you)保(bao)護層(ceng)，使得(de)在(zai)(zai)顯示面(mian)(mian)(mian)板的制(zhi)備(bei)過程中，保(bao)護層(ceng)可(ke)用(yong)于(yu)(yu)保(bao)護像(xiang)(xiang)(xiang)素(su)限(xian)定(ding)(ding)部(bu)(bu)，以(yi)提升像(xiang)(xiang)(xiang)素(su)限(xian)定(ding)(ding)部(bu)(bu)的結構可(ke)靠性(xing)，例(li)如，在(zai)(zai)刻蝕工藝步驟中，保(bao)護層(ceng)可(ke)較(jiao)好的限(xian)制(zhi)刻蝕材料對像(xiang)(xiang)(xiang)素(su)限(xian)定(ding)(ding)部(bu)(bu)的破壞，以(yi)提升像(xiang)(xiang)(xiang)素(su)限(xian)定(ding)(ding)部(bu)(bu)的結構可(ke)靠性(xing)，從(cong)而提升顯示面(mian)(mian)(mian)板的結構可(ke)靠性(xing)。