專利名稱：低相位噪聲放大裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及電信號的放大裝置，具體涉及電信號的低相位噪聲放大裝置。
背景技術：
在理想情況下，以1MHz為固定的脈沖信號的持續時間應該恰好是1微秒， 每500ns有一個跳變沿。但是這種信號并不存在，信號周期的長度總會有一定 變化，從而致下一個沿的到來時間不確定。這種不確定就是相位噪聲。
無線通信中，尤其是在3G通信網TD-SCDMA中，需要低相位噪聲放大裝置。 現有的低相位噪聲放大裝置存在著其輸入端的相位噪聲被放大了送到輸出端， 諧波干擾嚴重，多個輸出端時互相干擾，無法滿足同步時鐘設備中低相位噪聲 輸出的射頻同步頻率基準接口的要求。

發明內容
本發明克服了現有技術的不足，提供多路輸出的低相位噪聲放大裝置。
為解決上述的技術問題，本發明采用以下技術方案
一種低相位噪聲放大裝置，輸入信號經過電容C1接入第一低相位噪聲系數
晶體管BG1的基極，第一低相位噪聲系數晶體管BG1的集電極接入參考電壓，第 一低相位噪聲系數晶體管BG1的基極經過電阻R2接入參考電壓，第一低相位噪聲 系數晶體管BG1的發射極經過電阻R5、電容C3進入第二低相位噪聲系數晶體管 BG2的基極；第二低相位噪聲系數晶體管BG2的發射極接地的同時經過電阻R12、 并聯的電阻R13和電容C9后， 一路經過電阻R4接入第一低相位噪聲系數晶體管BG1的發射極，另外一路經過電阻R6接入第二低相位噪聲系數晶體管BG2的基極， 、第二低相^g噪聲系數晶體管BG2的基極還經i電阻R7接A第三低相位噪聲系數 晶體管BG3的基極；第二低相位噪聲系數晶體管BG2的集電極經過電容C8接地， 第二低相位噪聲系數晶體管BG2的集電極同時經過電阻R11接地并接入第三低相 位噪聲系數晶體管BG3的發射極；第三低相位噪聲系數晶體管BG3的集電極經過 電阻R10接入第四低相位噪聲系數晶體管BG4的發射極，第三低相位噪聲系數晶 體管BG3的基極經過電阻R8接入第四低相位噪聲系數晶體管BG4的基極；第四低 相位噪聲系數晶體管BG4的基極經過電阻R9接入參考電壓；第四低相位噪聲系數 晶體管BG4的集電極連接了調諧選頻變壓器B1和振蕩電容C7;調諧選頻變壓器B1 經過電阻R13、電容C10組成的緩沖衰減器后接入第五低相位噪聲系數晶體管BG5 的基極；第五低相位噪聲系數晶體管BG5的集電極與參考電壓連接，第五低相位 噪聲系數晶體管BG5的發射極串聯電阻R16后接地，再通過電阻R15和第五低相位 噪聲系數晶體管BG5的基極連接，第五低相位噪聲系數晶體管BG5的發射極同時 經過電阻R17連接到交流阻抗橋型混合線圈B2后輸出兩路信號。
更進一步的技術方案第一低相位噪聲系數晶體管BG1、第二低相位噪聲系數 晶體管BG2、第三低相位噪聲系數晶體管BG3、第四低相位噪聲系數晶體管GB4、 第五低相位噪聲系數晶體管GB5均是PNP型低相位噪聲系數晶體管。
更進一步的技術方案是輸入信號是壓控晶體振蕩器輸出的低相位噪聲振蕩 信號。
更進一步的技術方案是交流阻抗橋型混合線圈B2的型號是武成電子公司生 產的TXBY-01。
更進一步的技術方案是調諧選頻變壓器B1的頻率在9MHz至20MHz之間。更進一步的技術方案是調諧選頻變壓器B1的型號是康樂電子公司生產的^
腿Q-01 。 、
與現有技術相比，本發明的有益效果是其具有相位噪聲放大低，諧波干擾 小，能同時輸出多路相互不干擾的信號。


圖l為本發明的示意圖。
圖2為本發明應用在1路輸入2路輸出時的連接圖。 圖3為本發明應用在1路輸入4路輸出時的連接圖。
具體實施例方式
下面結合附圖:對本發明作進一歩的闡述。
如圖i所示， 一種低相位噪聲放大裝置，壓控晶體振蕩器輸出的信號經過電
容C1接入第一低相位噪聲系數晶體管BG1的基極，第一低相位噪聲系數晶體管 BG1的集電極接入參考電壓，第一低相位噪聲系數晶體管BG1的基極經過電阻R2 接入參考電壓，第一低相位噪聲系數晶體管BG1的發射極經過電阻R5、電容C3進 入第二低相位噪聲系數晶體管BG2的基極；第二低相位噪聲系數晶體管BG2的發 射極接地的同時經過電阻R12、并聯的電阻R13和電容C9后， 一路經過電阻R4接 入第一低相位噪聲系數晶體管BG1的發射極，另外一路經過電阻R6接入第二低相 位噪聲系數晶體管BG2的基極，第二低相位噪聲系數晶體管BG2的基極還經過電 阻R7接入第三低相位噪聲系數晶體管BG3的基極；第二低相位噪聲系數晶體管 BG2的集電極經過電容C8接地，第二低相位噪聲系數晶體管BG2的集電極同時經 過電阻R11接地并接入第三低相位噪聲系數晶體管BG3的發射極；第三低相位噪聲系數晶體管BG3的集電極經過電阻R10接入第四低相位噪聲系數晶體管BG4的 發射極，第三低相位噪聲系數晶體智BG3的基極經過電阻R8接入第四低相位噪, 系數晶體管BG4的基極；第四低相位噪聲系數晶體管BG4的基極經過電阻R9接入 參考電壓；第四低相位噪聲系數晶體管BG4的集電極連接了HHXQ-01調諧選頻變 壓器B1和振蕩電容C7;調諧選頻變壓器B1經過電阻R13、電容C10組成的緩沖衰 減器后接入第五低相位噪聲系數晶體管BG5的基極；第五低相位噪聲系數晶體管 BG5的集電極與參考電壓連接，第五低相位噪聲系數晶體管BG5的發射極串聯電 阻R16后接地，再通過電阻R15和第五低相位噪聲系數晶體管BG5的基極連接，第 五低相位噪聲系數晶體管BG5的發射極同時經過電阻R17連接到TXBY-01交流阻 抗橋型混合線圈B2后輸出兩路信號。第一低相位噪聲系數晶體管BG1、第二低相 位噪聲系數晶體管BG2、第三低相位噪聲系數晶體管BG3、第四低相位噪聲系數 晶體管BG4、第五低相位噪聲系數晶體管BG5均是PNP型低相位噪聲系數晶體管。
如圖2所示，利用3臺本裝置實現1路輸入4路輸出，將輸入信號接入第 一本裝置的輸入端，第一本裝置的輸出端分別接入第二本裝置的輸入端、第三 本裝置的輸入端相連；第二本裝置的兩個輸出端、第三本裝置的兩個輸出端完 成四路互相不干擾的信號輸出。
權利要求
1、一種低相位噪聲放大裝置，輸入信號經過電容(C1)接入第一低相位噪聲系數晶體管(BG1)的基極，第一低相位噪聲系數晶體管(BG1)的集電極接入參考電壓，第一低相位噪聲系數晶體管(BG1)的基極經過電阻(R2)接入參考電壓，第一低相位噪聲系數晶體管(BG1)的發射極經過電阻(R5)、電容(C3)進入第二低相位噪聲系數晶體管(BG2)的基極；第二低相位噪聲系數晶體管(BG2)的發射極接地的同時經過電阻(R12)、并聯的電阻(R13)和電容(C9)后，一路經過電阻(R4)接入第一低相位噪聲系數晶體管(BG1)的發射極，另外一路經過電阻(R6)接入第二低相位噪聲系數晶體管(BG2)的基極，第二低相位噪聲系數晶體管(BG2)的基極還經過電阻(R7)接入第三低相位噪聲系數晶體管(BG3)的基極；第二低相位噪聲系數晶體管(BG2)的集電極經過電容(C8)接地，第二低相位噪聲系數晶體管(BG2)的集電極同時經過電阻(R11)接地并接入第三低相位噪聲系數晶體管(BG3)的發射極；第三低相位噪聲系數晶體管(BG3)的集電極經過電阻(R10)接入第四低相位噪聲系數晶體管(BG4)的發射極，第三低相位噪聲系數晶體管(BG3)的基極經過電阻(R8)接入第四低相位噪聲系數晶體管(BG4)的基極；第四低相位噪聲系數晶體管(BG4)的基極經過電阻(R9)接入參考電壓；其特征在于第四低相位噪聲系數晶體管(BG4)的集電極連接了調諧選頻變壓器(B1)和振蕩電容(C7)；調諧選頻變壓器(B1)經過電阻(R13)、電容(C10)組成的緩沖衰減器后接入第五低相位噪聲系數晶體管(BG5)的基極；第五低相位噪聲系數晶體管(BG5)的集電極與參考電壓連接，第五低相位噪聲系數晶體管(BG5)的發射極串聯電阻(R16)后接地，再通過電阻(R15)和第五低相位噪聲系數晶體管(BG5)的基極連接，第五低相位噪聲系數晶體管(BG5)的發射極同時經過電阻(R17)連接到交流阻抗橋型混合線圈(B2)后輸出兩路信號。
2、 根據權利要求1所述尚低相^噪聲放大裝置，其特征在于所述的棄一低fe 位噪聲系數晶體管(BG1)、第二低相位噪聲系數晶體管(BG2)、第三低相 位噪聲系數晶體管(BG3)、第四低相位噪聲系數晶體管(GB4)、第五低相 位噪聲系數晶體管(GB5)均是PNP型低相位噪聲系數晶體管。
3、 根據權利要求2所述的低相位噪聲放大裝置，其特征在于所述的輸入信號 是壓控晶體振蕩器輸出的低相位噪聲振蕩信號。
4、 根據權利要求3所述的低相位噪聲放大裝置，其特征在于所述的交流阻抗 橋型混合線圈(B2)的型號是武成電子公司生產的TXBY-Ol。
5、 根據權利要求4所述的低相位噪聲放大裝置，其特征在于所述的調諧選頻 變壓器(Bl)的頻率在9MHz至20MHz之間。
6、 根據權利要求5所述的低相位噪聲放大裝置，其特征在于所述的調諧選頻 變壓器(Bl)的型號是康樂電子公司生產的HHXQ-Ol。
全文摘要
本發明公開了一種低相位噪聲放大裝置，第一低相位噪聲系數晶體管(BG1)與壓控晶體低相位噪聲振蕩器連接起阻抗匹配，三個低相位噪聲系數晶體管(BG2、BG3、BG4)組成共基極低相位噪聲放大器，在第四低相位噪聲系數晶體管(BG4)的集電極連接了調諧選頻變壓器(B1)和振蕩電容(C7)。第五低相位噪聲系數晶體管(BG5)的發射極同時經過電阻(R17)連接到交流阻抗橋型混合線圈(B2)后輸出兩路信號。本發明克服了現有技術諧波干擾嚴重，多個輸出端時互相干擾的不足，提供了一種相位噪聲放大低，諧波干擾小，能同時輸出多路相互不干擾的信號的裝置，可以廣泛應用在通訊領域。
文檔編號H03K5/15GK101431324SQ20081014776
公開日2009年5月13日 申請日期2008年12月3日 優先權日2008年12月3日
發明者劉家君, 勇 曾, 李忠文, 磊 胡, 東 郝 申請人:西安大唐電信有限公司