專利名稱：彈性表面波裝置及使用該裝置的電子零件的制作方法
技術領域：
本發明是有關使用于通信機器的彈性表面波裝置及使用該裝置的電子零件。
此方法以抑制彈性表面波朝向雙方向激振而在降低變換損耗上有其效果，但由于作為梳狀電極的激振源的交叉部分并不一定在同一傳播路徑上，因此一部分會產生朝向雙方向傳播的彈性表面波而會增加損耗的情形。
為了解決此問題，采取了將鄰接于梳狀電極的電極指的共通部分的間隔設在1/8波長以內且在梳狀電極的電極指設置分岐(分支)部分，或是切除(切掉)梳狀電極或反射器電極的共通部分頂角的角部。
另外，有關該發明的技術可舉出特開平7-263994號公報及特開平9-186543號公報。
圖6A是現有技術的彈性表面波裝置的主視圖，圖6B是現有技術的彈性表面波裝置的局部放大圖。此彈性表面波裝置具有壓電基板1、梳狀電極2、反射器電極3、梳狀電極2的共通部分4、反射器電極3的共通部分5。這些現有技術的梳狀電極群的交叉部分形成在同一傳播路徑上而能將彈性表面波的傳播方向收齊在一個方向，從而能改善因傳播方向的不一致所導致的變換損耗。但是，一旦在鄰接的電極之間形成電極之際所發生的電位差變大的話，則因電極的形狀會變鈍，彈性表面波能量會泄漏到外部而造成傳播損耗變大。另外，雖然通過切除共通部分項角的角部能防止電極之間的短路，但因會留下電極指形狀的鈍角，因此會使彈性表面波能量泄漏到外部而造成傳播損耗變大。
此彈性表面波裝置及使用此裝置的電子零件的傳播損耗小。


圖1B是實施例1的彈性表面波裝置的局部放大圖。
圖2A是現有技術的的彈性表面波裝置的局部放大圖。
圖2B是圖2A的彈性表面波裝置的沿2B-2B的剖視圖。
圖2C是實施例1的彈性表面波裝置的局部放大圖。
圖2D是圖2C的彈性表面波裝置的沿2D-2D的剖視圖。
圖3是實施例1的電子零件的剖視圖。
圖4是本發明實施例2的彈性表面波裝置的局部放大圖。
圖5是本發明實施例3的彈性表面波裝置的局部放大圖。
圖6A是現有技術的的彈性表面波裝置的主視圖。
圖6B是現有技術的的彈性表面波裝置的局部放大圖。
在圖1B中，電極被切入之前的梳狀電極2與反射器電極3的間隔為間隔H0，將電極切入后的梳狀電極2與反射器電極3的最大間隔為間隔H1。相對于條帶部分的長邊方向，將電極切入前的共通部分的寬度為寬度D0，而共通部分的最大切入寬度為寬度D1。相對于條帶部分的長邊方向以條帶部分的端部為基準的條帶部分的最大切入寬度設為D2，而將要切入前的條帶部分的寬度設為d0。
另外，圖1A是模式化地表示實施例1的彈性表面波裝置，而非表示電極長度及電極間的間隔的相對性的關系。
在實施例1中，在反射器電極3的共通部分5上的與梳狀電極2對向的角部的一部分被直線性地切入，鄰接梳狀電極2的反射器電極3的最外側的條帶部分10的一部分被直線性地切入。因此梳狀電極2與反射器電極3的間隔形成部分地擴大，如此一來，可防止因蝕刻金屬薄膜而形成電極圖形之際所發生的、因鄰接電極的電位的影響而造成電極形狀變鈍的情形，從而能降低彈性表面波裝置的傳播損耗。
以下說明以實施例1所構成的裝置的制造步驟。
例如以濺射法在LiTaO3等所構成的晶圓狀壓電基板1上將Ti等所構成的金屬形成10nm的Ti薄膜。
其次以濺射等方法在Ti薄膜上將Al等所構成的金屬形成100nm的Al薄膜。
反復此操作2次來層疊Ti薄膜與A1薄膜而獲得最上層形成Al薄膜的金屬薄膜22。最后的金屬對膜22的膜厚為220nm。Ti薄膜與Al薄膜的層疊順序、膜厚可視情況而改變。
接著在金屬薄膜22上涂布抗蝕層21，并配合一定的光掩模由例如分層曝光器進行曝光、顯影、而去除不要的抗蝕劑從而形成規定的圖形。
其次以例如干式蝕刻等方法，在金屬薄膜22上形成圖1A所示的電極圖形。之后去除殘留的抗蝕劑并使用切割裝置來切斷以獲得單片的彈性表面波裝置12。由此因可降低在壓電基板晶圓面內蝕刻時所發生的電位及熱的影響，故能減小在壓電基板晶圓面內電極形狀變鈍的不一致。因此，可減小從一個晶圓所得到的多個彈性表面波裝置的傳播損耗的不一致。
如圖1A所示，電極圖形具有將鄰接的梳狀電極2與反射器電極3之中反射器電極3的共通部分5的一部分切入的形狀，而使與梳狀電極對向的共通部分5的四個角部被切入。電極的膜厚為220nm，電極間隔(S)與膜厚(L)的比率(S/L)為2.7。
另外，所謂電極間隔(S)是將鄰接的電極切入前的狀態下的梳狀電極與反射器電極3的間隔。對切入部的條件是H1/H0＝1.7；D1/D0＝0.75；D2/d0＝1.5。
在此條件下幾乎不會發生電極形狀的變鈍。
然而，電極形狀的鈍化在蝕刻金屬薄膜22的時會發生以下的變化過程。圖2A～圖2D是電極形狀與蝕刻狀態的概念圖。圖2A與圖2B表示鄰接的電極間無切入的現有技術的彈性表面波裝置。
當以干式蝕刻法來蝕刻圖2A的圖形時，由于離子束23是帶正電的離子，因此抗蝕劑21帶負電，金屬薄膜22及壓電基板1帶正電。因此在蝕刻的初期階段離子束23會垂垂直進入入，而使金屬薄膜大致按照抗蝕劑21的形狀被蝕刻，但隨著蝕刻的進展而漸使金屬薄膜22及壓電基板1的帶電量增大起來。
由于壓電基板1、金屬薄膜22、離子束23均帶正電，所以離子束23因金屬薄膜22及壓電基板1的正電荷而受到排斥力以致于難以垂直進入，前進方向在中途彎曲而會沖擊到金屬薄膜22的側面。一旦形成如此的狀態，則離子束23會沖擊金屬薄膜22的側面而發生側面蝕刻。如此一來，金屬薄膜22側面的原子會被離子束23打飛，其中一部分會重新附著在金屬薄膜22的端部或壓電基板1上。因連續發生如此現象而使金屬薄膜22成分堆積在金屬薄膜22側面及壓電基板上，看上去電極形成鈍化的形狀。以此狀態再繼續干式蝕刻的話，則抗蝕劑21的一部分由離子束23打飛，并在電極形狀變鈍部分24表面附著已碳化的抗蝕劑21成分。
一旦形成如此狀態，則彈性表面波的傳播能量會通過電極形狀變鈍部分而泄漏到外部，從而使傳播損耗變大并且在極端的情形下，鄰接的電極間會短路而明顯惡化彈性表面波裝置的特性。
為了避免這種現象，實施例1在反射器電極3的共通部分5與梳狀電極2對向的角部的一部分被直線地切入，同時在反射器電極3鄰接梳狀電極2的最外側的條帶部分的一部分被直線性地切入。因此，梳狀電極2與反射器電極3的間隔會部分地擴大。
由此形狀，梳狀電極2與反射器電極3的電極間隔比現有技術的彈性表面波裝置寬，因此金屬薄膜22的帶電所造成的影響會變小而離子23的彎曲程度會變小，而不易發生側面蝕刻。因此能抑制共通部分及條帶部分產生形狀變鈍。
特別是通過擴大共通部分的角部的電極間隔而能抑制共通部分間的短路，通過擴大反射器電極3的條帶部分10與梳狀電極2的交叉部分9的間隔而能減小彈性表面波裝置的傳播能量的泄漏，從而能減小傳播損耗。
梳狀電極2與反射器電極3的間隔較窄，與此連接地設置有無電極的寬區域。在這種窄小區域與寬廣區域連接的部分，在同時形成這些區域的蝕刻工藝中，離子束會在寬廣區域的蝕刻上使用了大半而令離子束難以充分供給至窄小區域的蝕刻。特別是在窄小區域與寬廣區域的連接部分，窄小區域不易被蝕刻。
難以被蝕刻的區域是由共通部分至條帶部分的一部分，因此僅擴大共通部分的電極間隔的話，固然可抑制電極之間的短路，但是無法防止彈性表面波傳播能量的泄漏。
為了防止此一情形，通過將條帶部分的間隔擴大而以蝕刻步驟而使離子能容易地供給狹窄的區域，由于充分地進行蝕刻而消除蝕刻不足的區域，故能減小彈性表面波的傳播能量的泄漏而可減小傳播損耗。
另外，即使例如金屬薄膜22及壓電基板1的帶電量相同，也可通過將鄰接的電極間隔擴大，即，將梳狀電極2與反射器電極3的間隔擴大而能相對性地減小金屬薄膜22所帶電的電荷的相互作用。因此，可減小離子23的彎曲程度而能抑制電極形狀的變鈍24的發生。
另外，由于式蝕刻而使金屬薄膜22及壓電基板1整體帶電很多，而除了帶電量大小之外，局部性帶電量的不平衡也會影響離子23的飛射方向。即，在梳狀電極2對向的交叉部分9上帶電的電荷量差異小而較易獲得帶電量的平衡，而在共通部分4與交叉部分9上因電極面積也不同而使共通部分4與交叉部分9之間易發生帶電量的差異。
另外，反射器電種3的情形也相同，反射器電極3的條帶部分10與共通部分5之間易發生帶電量的差異。由于所帶電的電荷全為正電荷而與離子束相同極性，所以一旦帶電量不平衡則離子束會從帶電量多的一方受到強的排斥力。因此離子會朝向相反方向更大幅地彎曲而促使側面蝕刻的進程，因而電極形狀的鈍化更顯著。
由此，在梳狀電極2的共通部分4與反射器電極3的共通部分5之間容易產生帶電量的差異，電極形狀易產生變鈍。另外，即使對向的電極間隔相同，但由于在共通部分間易產生形狀的鈍化，所以會成為造成電極間短路的原因。
因而，通過切入鄰接的共通部分的一部分來擴大相互的電極間隔，可降低帶電量不平衡的影響，而通過減小離子束彎曲來提高垂直進入的成分能抑制電極形狀的變鈍。
另外，梳狀電極2的共通部分4與反射器電極3的共通部分5之間相比，因面積的原因梳狀電極2的共通部分4帶電量較大，所以其形狀鈍化有較大的趨勢。
另外，切入梳狀電極2的共通部分4，或是切入反射器電極3的共通部分5、或是切入梳狀電極2及反射器電極3的雙方的共通部分4、5都能獲得同樣的效果。但若是切入梳狀電極2的共通部分4有可能會改變中心頻率，因此切入反射器電極3的共通部分5的情形能減小對于彈性表面波裝置特性的影響。
另外，如圖1所示，在本實施例中，雖然切入了梳狀電極2與反射器電極3對向的共通部分5的四處，但切入一處以上即能降低彈性表面波裝置的傳播損耗。
而且，以切入鄰接的共通部分的全部角部而能達到最大降低傳播損耗的效果。
其次說明使用以此獲得的彈性表面波裝置12的電子零件。
圖3是使用彈性表面波裝置12的電子零件的剖視圖。該電子零件具有基底構件11、彈性表面波裝置12、突起13、彈性表面波裝置12的墊電極14、導出電極15、端子電極16、蓋體17、及粘接材料18。
在彈性表面波裝置12上的墊電極14上形成由金等所構成的突起13。其次在預先設置有導出電極15及端子電極16的基底構件11上，將形成有突起13的彈性表面波裝置12以面朝下的狀態配設成突起13接觸導出電極15的狀態，以超聲波將突起13接合、組裝于基底構件11。其后使用密封裝置將已組裝有彈性表面波裝置12的基底構件11，與預先載置有如焊錫等粘接材料18的蓋體17配設成粘接材料18側對向于基底構件11的狀態并通過加熱粘接和密封，而得到電子零件。
另外，除了上述方法以外，也可因應必要而以其他例如金屬線熔接法來安裝彈性表面波裝置12，作為粘接材料18也可使用金或含金的焊錫材、鍍等方法。
彈性表面波裝置的電極若是以使用帶電離子或帶電粒子進行蝕刻而形成的情形下，因這些電荷的存在電極易受到側面蝕刻的影響。但是通過擴大鄰接的電極間隔能減小單位長度的帶電量。因此，因可減小離子束23的彎曲而能減小對電極的側面蝕刻，所以降低彈性表面波裝置的傳播損耗的效果較大。
另外，由于電極的膜厚愈大則受到側面蝕刻的區域就愈大，所以因帶電離子、粒子的電荷易使電極受到側面蝕刻的影響。但是，通過將鄰接的電極間隔擴大而能減小每一單位長度的帶電量。因此，離子束23的彎曲變小而能減小對電極的側面蝕刻，因此在降低彈性表面波裝置的傳播損耗的效果大。
本實施例1的電極膜厚為220nm，鄰接的電極的切入部為
H1/H0＝1.7；D1/D0＝0.75；D2/d0＝1.5。電極的膜厚愈厚則有必要增大H1/H0及D1/D0的值。另外，電極膜厚在不足150nm的情形下，受到側面蝕刻影響的程度小。
另外，即使電極的膜厚相同，鄰接的電極間隔愈窄則愈易受到鄰接的電極帶電所造成的影響，易發生電極的側面蝕刻而有傳播損耗變大的傾向。因此，有必要設置對應電極膜厚的電極間隔。本實施例1是將電極膜厚設為220nm，而電極間隔(S)與膜厚(L)的比率(S/L)為2.7。S/L愈大則愈不易發生側面蝕刻而能減小傳播損耗，電極膜厚在150nm以上時，通過使S/L為2.5以上從而不易發生側面蝕刻而能減小傳播損耗，S/L不足2.5的話，則易發生側面蝕刻而使傳播損耗變大。
如此一來，鄰接的電極切入部的條件及電極間隔有必要考慮電極膜厚而決定。
另外，電極的材質若為愈難蝕刻的材質，則即使因帶電離子、粒子的帶電而使電極受到側面沖擊也不易被蝕刻，同時將鄰接的電極間隔擴大而能使電極更不易受到側面蝕刻的影響，因此，能進一步減小彈性表面波裝置的傳播損耗。
干式蝕刻的情形下，通過將帶電離子束照射于金屬薄膜22而使離子沖擊金屬薄膜將其打飛而蝕刻金屬薄膜。因此，金屬薄膜22的質量愈大則要打飛構成金屬薄膜22的原子所必要的能量就變得愈大。故以質量大的元素構成金屬薄膜22的情形下，即便是離子照射在金屬薄膜22也不易被側面蝕刻。
彈性表面波裝置的電極材料一般使用Al，而比Al質量大的元素，例如以Ti構成電極則能抑制電極的側面蝕刻。但是僅以質量大的元素構成電極的話，則彈性表面波裝置的中心頻率會被限制在低頻率。因此，通過層疊組合質量輕的元素與質量重的元素，既可調節中心頻率又不易被側面蝕刻。
切入部的條件為
H1/H0＝1.7D1/D0＝0.75；D2/d0＝1.5。
為了抑制電極形狀的變鈍，H1/H0及/或D1/D0愈大，即鄰接的電極間隔愈寬則愈能抑制電極形狀變鈍，從而愈能減小彈性表面波裝置的傳播損耗。但是其效果在H1/H0≥1.2；及/或1/4≤D1/D0≤1，且1/2≤D2/d0≤6的情形下有效。
另外，在切入反射器電極3的共通部分5的情形下，H1/H0至相當大的值仍有效果，即使是H1/H0＝10也能減小彈性表面波裝置的傳播損耗。
在H1/H0為1.2以下時，或是D1/D0不足1/4的情形下、或是D2/d0不足1/2的情形下，則看不出有大幅降低傳播損耗的效果。
另外，一旦D2/d0超過6時，則切入至彈性表面波的主要傳播區域而破壞彈性表面波的傳播平衡并使傳播損耗變大。
另外，H1/H0、D1/D0、D2/d0中即使僅一個為極端大的值，其效果也小，故有必要取得H1/H0、D1/D0、D2/d0全部值的平衡。
特別是通過切入反射器電極的條帶部分10而以彈性表面波的主要傳播區域抑制傳播能量的泄漏，故能減小彈性表面波裝置的傳播損耗。
另外，以干式蝕刻將金屬薄膜22形成電極圖形的情形下，從設備上的問題而論，離子束23要完全地以相同條件照射于壓電基板1的集合體的晶圓上極困難。即，在晶圓的中央部，相對而言離子束23對于晶圓約垂直地照射，在晶圓的周邊部分離子束23對晶圓以偏離垂直某角度來照射。
因此，晶圓的周邊部的電極易被離子23斜斜地照射，因此易被側面蝕刻，而晶圓的溫度變高乃會促進蝕刻，而使電極形狀有易發生變鈍的傾向。
為了解決此現象，將晶圓周邊部的彈性表面波元件的鄰接的電極間隔比晶圓中央部加大更多。如此一來，晶圓的周邊部的電極即便是因離子束23而被斜斜地照射也能減小每一單位長度的帶電量，故能減小離子束23的彎曲，且能減少對電極的側面蝕刻。
另外，本實施例1的鄰接的電極是被直線地切入，然而電極被切入成階差狀、曲線狀、或是階梯狀也能獲得同樣的效果。另外，鄰接的電極若是可部分地被切入的話，則可被切入成上述以外的形狀。
如上所述，依據本實施例1切入反射器電極3的共通部分5的一部分與條帶部分10的一部分而特別使共通部分及條帶部分的電極間隔變寬。由此，可降低因蝕刻金屬薄膜而形成電極圖形之際所發生的鄰接電極帶電量及帶電量不平衡所造成的影響而減小電極形狀的變鈍。因此，能降低彈性表面波裝置的傳播損耗。
(實施例2)圖4是本發明的實施例2的彈性表面波裝置的部分擴大圖。
在圖4中，對于與實施例1的圖1B所說明內容相同者即賦予相同標號而省略詳細的說明。另外，圖4是模式性地表示電極圖形的構成，而非表示各別尺寸的相對性的關系者。
本實施例2的彈性表面波裝置的切入鄰接的電極的位置及形狀與實施例1的位置及形狀不同，其他部分則與實施例1相同。
實施例2不但直線地切入反射器電極3的共通部分5的一部分與條帶部分10的一部分，且將梳狀電極2的共通部分4的一部分切入成階差狀。由此構成能將鄰接的梳狀電極2的共通部分4與反射器電極3的共通部分5的間隔設成比僅切入一側電極的情形更具有更寬的間隔。因此，能進一步減小每一單位長度的帶電量，因此可降低離子束23的彎曲，同時可減低帶電量不平衡的影響。如上所述能降低對電極的側面蝕刻，因此能抑制電極形狀的變鈍且降低彈性表面波裝置的傳播損耗。
另外，本實施例2的反射器電極3的共通部分5的一部分與條帶部分10的一部分是被切入成直線性及階差狀，但這些部分被切入成曲線性或階梯狀也可獲得同樣的效果。另外，若是要切入共通部分5的一部分與條帶部分10的一部分的話，則切入成上述以外的任何形狀均可。
如上所述，依據本實施例2的話，不但直線性地切入反射器電極3的共通部分5的一部分與條帶部分10的一部分，且將梳狀電極2的共通部分4的一部分切入成階差狀。由此，由于鄰接的電極間隔更寬而能減小帶電量的影響及帶電量不平衡的影響，因此可減小電極形狀的變鈍而更降低彈性表面波裝置的傳播損耗。
(實施例3)圖5是本發明的實施例3的彈性表面波裝置的部分擴大圖。在圖5中，對于與實施例1的圖1B所說明內容相同者即賦予相同標號而省略詳細的說明。另外，圖5是模式性地表示電極圖形的構成，而非表示各別尺寸的相對性的關系者。
本實施例3的彈性表面波裝置的切入鄰接的電極的位置及形狀與實施例1的位置及形狀不同，其他部分則與實施例1相同。實施例3不但將共通部分5的一部分切入成階差狀且直線性地切入，并直線性地切入條帶部分10的一部分，而且將梳狀電極2的共通部分4的一部分切入成階差狀且切入成曲線狀而可組合多個切入的形狀。
由此構成乃能將鄰接的梳狀電極2的共通部分4與反射器電極3的共通部分5的間隔設成比僅切入一側電極的情形更具有更寬的間隔。而且，通過多個組合切入形狀，例如在電極圖形設計上，圖形位置不夠寬裕的情形下也能將電極切入成各式各樣的形狀，故不論是何種電極圖形均能使每一單位長度的帶電量減少。因此，不但能降低離子束23的彎曲，且能降低帶電量不平衡的影響。可減低對電極的側面蝕刻，因此能抑制電極形狀的變鈍而降低彈性表面波裝置的傳播損耗。
另外，本實施例3中共通部分及條帶部分的一部分是以階差狀與直線性的組合以及階差狀與曲線性的組合而分別切入的。除此之外，即便是組合階差狀、直線性、曲線性、階梯狀之中多個的形狀而切入電極也可獲得同樣的效果。另外，若是要部分地切入鄰接的電極的話，則也可以上述以外的形狀來切入電極。
如上所述，依據本實施例3的話，將反射器電極3的共通部分5的一部分切入成階差狀且直線性地切入，并且直線性地切入條帶部分10的一部分，而且將梳狀電極2的共通部分4的一部分切入成階差狀且切入成曲線狀。即，通過多個組合要切入形狀，而在電極圖形設計上，圖形位置不夠寬裕的情形下也能進一步擴大鄰接的電極間隔而能降低帶電量的影響及帶電量不平衡的影響。因此，由于即便是圖形位置不夠寬裕的情形下也能進一步擴大鄰接的電極間隔，因此不論是何種電極圖形也能減小電極形狀的鈍化而進一步降低彈性表面波裝置的傳播損耗。
依據本發明，可通過部分地切入與梳狀電極鄰接的反射器電極的共通部分與條帶部分而擴大電極間隔。由此，可降低蝕刻金屬薄膜而形成電極圖形的際所發生鄰接的電極的帶電量的影響及帶電量不平衡的影響，且減小電極形狀的變鈍。因此，能降低彈性表面波裝置的傳播損耗。
權利要求
1.一種彈性表面波裝置，具有壓電基板；設置在所述壓電基板上的梳狀電極；及具有設置在所述壓電基板上的共通部分及條帶部分的反射器電極，其特征在于在所述反射器電極的所述共通部分與所述條帶部分的所述梳狀電極相鄰的部分，分別形成有切入部。
2.如權利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于所述反射器電極的形成有所述切入部的所述共通部分和所述條帶部分，與相鄰的所述梳狀電極發生的電位不同。
3.如權利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于所述梳狀電極與所述反射器電極對向的全部角部被切入。
4.如權利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于所述壓電基板是從壓電基板晶圓分割而成，在所述切入部處的切入量是在所述壓電基板晶圓的中央部少而外周部多。
5.如權利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于所述梳狀電極與所述反射器電極以干式蝕刻形成。
6.如權利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于所述梳狀電極與所述反射器電極包含比Al還不易蝕刻的物質。
7.如權利要求6所述的彈性表面波裝置，其特征在于比Al還不易蝕刻的所述物質的質量比Al大。
8.如權利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于所述梳狀電極與所述反射器電極的膜厚為150nm以上。
9.如權利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于所述梳狀電極與所述反射器電極的電極間隔(S)與膜厚(L)的比率(S/L)為2.5以上。
10.如權利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于所述反射器電極的所述條帶部分的長邊方向的所述共通部分的切入部寬度，是所述反射器電極的所述共通部分的寬度的1/4倍以上1倍以下，所述條帶部分的切入部寬度，是所述條帶部分的寬度的1/2倍以上6倍以下。
11.如權利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于所述梳狀電極具有包含被部分地切入的切入部的共通部分。
12.如權利要求11所述的彈性表面波裝置，其特征在于所述條帶部分的幅寬方向的所述梳狀電極的所述共通部分的切入部寬度，是所述梳狀電極的所述共通部分的寬度的1/4倍以上1倍以下。
13.如權利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于所述條帶部分的寬度方向的、所述條帶部分的中形成有所述切入部的部分與所述梳狀電極間的最大間隔，是所述條帶部分的中未形成所述切入部的部分與所述梳狀電極間的間隔的1.2倍以上。
14.如權利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于所述切入部為階差狀。
15.如權利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于所述切入部為直線狀。
16.如權利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于所述切入部為曲線狀。
17.如權利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于所述切入部為階梯狀。
18.如權利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于所述切入部是將階差狀、直線狀、曲線狀及階梯狀中至少二種不同形狀組合的形狀。
19.一種電子零件，其特征在于包括基底構件；具有壓電基板；設置在所述壓電基板上的梳狀電極；及具有設置在所述壓電基板上的共通部分及條帶部分的反射器電極，同時在所述反射器電極的所述共通部分與所述條帶部分的所述梳狀電極相鄰的部分分別形成有切入部的，并且配設于所述基底構件上的彈性表面波裝置；將所述基底構件與所述彈性表面波裝置電連接的突起與導線中的一種；以及密封所述彈性表面波裝置的蓋體。
20.一種彈性表面波裝置的制造方法，其特征在于具備在壓電基板晶圓上形成多個梳狀電極的步驟；在所述壓電基板晶圓上，形成多個反射器電極的步驟，這些反射器電極分別具有在與所述梳狀電極相鄰的部分分別形成有切入部的共通部分和條帶部分；以及分割所述壓電基板而獲得多個彈性表面波裝置的步驟，這些彈性表面波裝置分別具有所述多個梳狀電極和所述多個反射器電極的至少一個，在所述切入部處的切入量，是在所述多個彈性表面波裝置中的所述壓電基板晶圓中央部的彈性表面波裝置中少，而在外周部的彈性表面波裝置中多。
21.如權利要求20所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征在于所述形成多個梳狀電極的步驟，包括通過干式蝕刻而形成所述多個梳狀電極的步驟，所述形成多個反射器電極的步驟，包括通過干式蝕刻而形成所述多個反射器電極的步驟。
全文摘要
一種彈性表面波裝置，反射器電極的共通部分和條帶部分均被局部切入，而使電極間隔擴大。這樣，可以減小在對金屬薄膜進行蝕刻時產生的帶電量及帶電量的平衡所帶來的影響，而可消除電極形狀的鈍化，從而減小彈性表面波裝置的傳播損耗。
文檔編號H03H3/00GK1476669SQ02803107
公開日2004年2月18日 申請日期2002年9月26日 優先權日2001年10月3日
發明者古川光弘, 山下清春, 西田和史, 黑竹弘至, 史, 春, 至 申請人:松下電器產業株式會社