一種刻蝕加壓噴淋清洗器的制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種刻蝕加壓噴淋清洗器。其技術方案是：在硅片的上部設有上清洗裝置，在硅片的下部設有下清洗裝置，在第一水刀管路的右側設有第一水汽混合加壓裝置，在第一水刀管路的下側設有第一水刀，在第一水刀上設有多個第一噴霧頭，在第二水刀管路的右側設有第二水汽混合加壓裝置，在第二水刀管路的上側設有第二水刀，在第二水刀上設有多個第二噴霧頭，霧化座的出液端設有霧化蓋，在霧化蓋的中心設有出液孔，以出液孔為圓心的外周設有環槽。本實用新型的有益效果是：本實用新型在硅片的上部和下部均設有清洗裝置，清洗裝置上加設有水汽混合加壓裝置，噴霧頭噴出的噴霧為扇形，這樣，節省了去離子水，降低了費用，并且清洗效果好。
【專利說明】
一種刻蝕加壓噴淋清洗器
技術領域
[0001]本實用新型涉及一種刻蝕清洗器，特別涉及一種刻蝕加壓噴淋清洗器。
【背景技術】
[0002]刻蝕是半導體、微電子及LED制造過程中的一個重要工序，刻蝕是利用化學或物理方法有選擇性地從硅片或者藍寶石襯底表面去除不需要的材料的過程。隨著半導體器件的集成度提高，半導體器件的線寬越來越小，關鍵尺寸的控制也越來越重要，對刻蝕工藝的要求也越來越高。從工藝上區分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。在使用濕法刻蝕絕緣清洗機的生產過程中，清洗硅片時，現有技術為使用去離子水，水刀為普通水刀，去離子水滴落在硅片上，對硅片清洗，這樣造成使用去離子水量大，成本高，清洗的效果一般。

【發明內容】

[0003]本實用新型的目的就是針對現有技術存在的上述缺陷，提供一種刻蝕加壓噴淋清洗器，節省了去離子水，降低了費用，并且清洗效果好。
[0004]其技術方案是:包括上清洗裝置和下清洗裝置，在硅片的上部設有上清洗裝置，在硅片的下部設有下清洗裝置，上清洗裝置包括第一水刀管路、第一水刀、第一噴霧頭、第一水汽混合加壓裝置、第一水刀支架，在第一水刀管路的右側設有第一水汽混合加壓裝置，在第一水刀管路的右端頭設有第一水刀支架，在第一水刀管路的下側設有第一水刀，在第一水刀上設有多個第一噴霧頭，下清洗裝置包括第二水刀管路、第二水刀、第二噴霧頭、第二水汽混合加壓裝置、第二水刀支架，在第二水刀管路的右側設有第二水汽混合加壓裝置，在第二水刀管路的右端頭設有第二水刀支架，在第二水刀管路的上側設有第二水刀，在第二水刀上設有多個第二噴霧頭，所述的第一噴霧頭包括霧化座、霧化蓋、環槽、出液孔，霧化座的出液端設有霧化蓋，在霧化蓋的中心設有出液孔，以出液孔為圓心的外周設有環槽。
[0005]上述出液孔形成夾角α，所述第二噴霧頭與第一噴霧頭相同，第一噴霧頭與第二噴霧頭噴出的噴霧為扇形，第一水刀上的第一噴霧頭為等間距設置，第二水刀上的第二噴霧頭為等間距設置，相鄰第一噴霧頭噴淋在硅片上的扇形噴霧連在一起，相鄰第二噴霧頭噴淋在硅片上的扇形噴霧連在一起。
[0006]本實用新型的有益效果是:本實用新型在硅片的上部和下部均設有清洗裝置，清洗裝置上加設有水汽混合加壓裝置，噴霧頭噴出的噴霧為扇形，這樣，節省了去離子水，降低了費用，并且清洗效果好。
【附圖說明】
[0007]附圖1是本實用新型的結構示意圖；
[0008]附圖2是噴霧頭的結構示意圖；
[0009]上圖中:第一水刀管路1、第一水刀2、第一噴霧頭3、第一水汽混合加壓裝置4、第一水刀支架5、硅片6、第二水刀管路7、第二水刀8、第二噴霧頭9、第二水汽混合加壓裝置10、第二水刀支架11、霧化座3.1、霧化蓋3.2、環槽3.3、出液孔3.4。
【具體實施方式】
[0010]結合附圖1-2，對本實用新型作進一步的描述:
[0011]本實用新型包括上清洗裝置和下清洗裝置，在硅片6的上部設有上清洗裝置，在硅片6的下部設有下清洗裝置，上清洗裝置包括第一水刀管路1、第一水刀2、第一噴霧頭3、第一水汽混合加壓裝置4、第一水刀支架5，在第一水刀管路I的右側設有第一水汽混合加壓裝置4，在第一水刀管路I的右端頭設有第一水刀支架5，在第一水刀管路I的下側設有第一水刀2，在第一水刀2上設有多個第一噴霧頭3，下清洗裝置包括第二水刀管路7、第二水刀8、第二噴霧頭9、第二水汽混合加壓裝置10、第二水刀支架11，在第二水刀管路7的右側設有第二水汽混合加壓裝置10，在第二水刀管路7的右端頭設有第二水刀支架11，在第二水刀管路7的上側設有第二水刀8，在第二水刀8上設有多個第二噴霧頭9，所述的第一噴霧頭3包括霧化座3.1、霧化蓋3.2、環槽3.3、出液孔3.4，霧化座3.1的出液端設有霧化蓋3.2，在霧化蓋3.2的中心設有出液孔3.4，以出液孔3.4為圓心的外周設有環槽3.3。
[0012]其中，所述出液孔3.4形成夾角α，所述第二噴霧頭9與第一噴霧頭3相同，第一噴霧頭3與第二噴霧頭9噴出的噴霧為扇形，第一水刀2上的第一噴霧頭3為等間距設置，第二水刀8上的第二噴霧頭9為等間距設置，相鄰第一噴霧頭3噴淋在硅片6上的扇形噴霧連在一起，相鄰第二噴霧頭9噴淋在硅片6上的扇形噴霧連在一起。
[0013]本實用新型在硅片的上部和下部均設有清洗裝置，清洗裝置上加設有水汽混合加壓裝置，噴霧頭噴出的噴霧為扇形，這樣，節省了去離子水，降低了費用，并且清洗效果好。
[0014]以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例，任何熟悉本領域的技術人員均可能利用上述闡述的技術方案對本實用新型加以修改或將其修改為等同的技術方案。因此，依據本實用新型的技術方案所進行的任何簡單修改或等同置換，盡屬于本實用新型要求保護的范圍。
【主權項】
1.一種刻蝕加壓噴淋清洗器，其特征是:包括上清洗裝置和下清洗裝置，在硅片(6 )的上部設有上清洗裝置，在硅片(6)的下部設有下清洗裝置，上清洗裝置包括第一水刀管路(1)、第一水刀(2)、第一噴霧頭(3)、第一水汽混合加壓裝置(4)、第一水刀支架(5)，在第一水刀管路(I)的右側設有第一水汽混合加壓裝置(4)，在第一水刀管路(I)的右端頭設有第一水刀支架(5)，在第一水刀管路(I)的下側設有第一水刀(2)，在第一水刀(2)上設有多個第一噴霧頭(3)，下清洗裝置包括第二水刀管路(7)、第二水刀(8)、第二噴霧頭(9)、第二水汽混合加壓裝置(10)、第二水刀支架(11)，在第二水刀管路(7)的右側設有第二水汽混合加壓裝置(10)，在第二水刀管路(7)的右端頭設有第二水刀支架(11)，在第二水刀管路(7)的上側設有第二水刀(8)，在第二水刀(8)上設有多個第二噴霧頭(9)，所述的第一噴霧頭(3)包括霧化座(3.1)、霧化蓋(3.2)、環槽(3.3)、出液孔(3.4)，霧化座(3.1)的出液端設有霧化蓋(3.2 )，在霧化蓋(3.2 )的中心設有出液孔(3.4 )，以出液孔(3.4)為圓心的外周設有環槽(3.3)02.根據權利要求1所述的一種刻蝕加壓噴淋清洗器，其特征是:所述出液孔(3.4)形成夾角α，所述第二噴霧頭(9)與第一噴霧頭(3)相同，第一噴霧頭(3)與第二噴霧頭(9)噴出的噴霧為扇形，第一水刀(2)上的第一噴霧頭(3)為等間距設置，第二水刀(8)上的第二噴霧頭(9)為等間距設置，相鄰第一噴霧頭(3)噴淋在硅片(6)上的扇形噴霧連在一起，相鄰第二噴霧頭(9)噴淋在硅片(6)上的扇形噴霧連在一起。
【文檔編號】H01L21/67GK205657044SQ201620287925
【公開日】2016年10月19日
【申請日】2016年4月8日 公開號201620287925.3, CN 201620287925, CN 205657044 U, CN 205657044U, CN-U-205657044, CN201620287925, CN201620287925.3, CN205657044 U, CN205657044U
【發明人】楊洪軍, 鞠靖, 張振興, 萬福旺
【申請人】山東天信光伏新能源有限公司