一種大通流浪涌防護器件的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及大通流浪涌防護設計領域，具體涉及一種大通流浪涌防護器件。
【背景技術】
[0002]浪涌是沿線路或電路傳送的電流、電壓或功率的瞬態波，其特征是先快速上升后緩慢下降，如果不進行浪涌防護，則會造成設備暫停、死機、損壞、通信或電力線路事故等看得見的危害，還會造成一些隱性危害，比如說設備性能下降、壽命減短，可靠性降低等。浪涌防護中的大通流指的是防護器件實現的最大放電電流Ipp(又稱為最大通流量)較其他防護器件大，最大放電電流Ipp指使用8/20 μ s電流波沖擊SPD —次能承受的最大放電電流。
[0003]現有的小型氣體放電管通常采用平面對稱放電結構，由于整體尺寸的限制，電極發射面的尺寸較小，通流能力低，工頻續流遮斷能力差。此外，電極表面電子粉及表面金屬材料往往濺散到陶瓷管內壁上而使氣體放電管電阻失效。目前浪涌防護器件的設計對防護等級要求越來越高，為提高安全防護性能和浪涌防護的大通流能力，設計出一種、封接致密性強、結合力度高，以及雷擊大能量條件運行可靠無裂縫、無電極脫落無沿面放電造成的短路或者電壓不良的小直徑大通流氣體放電管十分必要。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型實施例提供了一種大通流浪涌防護器件，解決了現有的放電管封接致密性差、存在沿面放電導致短路或者電壓不良、以及大雷擊能量下有裂縫和電極脫落現象的問題。
[0005]第一方面，本申請實施例提供一種大通流浪涌防護器件，包括用于密封氣體的密封腔體，以及包括延伸至所述密封腔體中的第一電極，所述密封腔體包括絕緣基底和與所述絕緣基底的端面上下封接的凹型電極，所述絕緣基底包括第一通孔，所述第一電極與所述第一通孔密封配合延伸至所述密封腔體中；
[0006]所述第一電極和所述凹型電極在所述密封腔體中形成用作放電間隙的一組相對的端面。
[0007]結合第一方面，在第一種可能的實現方式中，還包括:
[0008]位于所述密封腔體中的所述絕緣基底的表面上，接近所述第一電極和所述凹型電極并在所述第一電極和所述凹型電極之間延伸的導線。
[0009]結合第一方面的第一種可能的實現方式，在第二種可能的實現方式中，所述導線為碳線。
[0010]結合第一方面的第二種可能的實現方式，在第三種可能的實現方式中，所述碳線為金屬碳線。
[0011]結合第一方面或者第一方面的第一種可能的實現方式至第三種可能的實現方式中的任一種可能的實現方式，在第四種可能的實現方式中，所述絕緣基底為臺階型基底，所述凹型電極與所述絕緣基底的底層臺階上下封接。
[0012]結合第一方面的第四種可能的實現方式，在第五種可能的實現方式中，所述絕緣基底的中心開設有橫截面積小于所述臺階型基底的頂層臺階面積的所述第一通孔。
[0013]結合第一方面的第五種可能的實現方式，在第六種可能的實現方式中，
[0014]所述臺階型基底為3層臺階型基底，所述3層臺階型基底的底層臺階沿坡面延伸至所述3層臺階型基底的中間層臺階。
[0015]結合第一方面的第六種可能的實現方式，在第七種可能的實現方式中，
[0016]所述第一電極為T字型電極，所述T字型電極的橫邊與所述凹型電極在所述密封腔體中形成用作放電間隙的一組相對的端面，所述T字型電極套設于所述第一通孔中，并卡設封接至所述3層臺階型基底的頂層臺階表面。
[0017]結合第一方面的第七種可能的實現方式，在第八種可能的實現方式中，所述坡面上設置至少一條靠近并延伸于所述第一電極和所述凹型電極之間的碳線。
[0018]結合第一方面的第八種可能的實現方式，在第九種可能的實現方式中，所述用作放電間隙的一組相對的端面中的至少一端面涂覆陰極發射材料或者設有涂覆陰極發射材料的網格或者凹槽。
[0019]結合第一方面的第九種可能的實現方式，在第十種可能的實現方式中，所述第一電極和所述凹型電極的表面分別延伸一用于連接至外部電路的連接端子。
[0020]結合第一方面的第九種可能的實現方式，在第十一種可能的實現方式中，所述T字型電極的橫邊為倒錐形或者倒梯形。
[0021]本實用新型實施例提供的大通流浪涌防護器件，包括用于密封氣體的密封腔體，以及包括延伸至所述密封腔體中的第一電極，所述密封腔體包括絕緣基底和與所述絕緣基底的端面上下封接的凹型電極，能夠使封接料充分的浸潤于封接表面，解決了現有的放電管封接致密性差的問題，另一方面，上下封接結構可以通過絕緣基底的厚度距離隔開第一電極和凹型電極，增加了第一電極和凹型電極的表面放電距離，減少了因臟污或者表面貼服的雜質離子或者表面鍍層形成放電通道的可能性，進而減少了沿面放電和短路或者電壓不良等現象，提升了大通流浪涌防護器件的抗外接干擾性。
[0022]另一方面，所述絕緣基底包括第一通孔，所述第一電極與所述第一通孔密封配合延伸至所述腔體中；所述第一電極和所述凹型電極在所述密封腔體中形成用作放電間隙的一組相對的端面，上下封接結構和依據通孔實現的卡位結構可以避免雷擊大能量條件下絕緣基底或者電極的裂縫，或者避免電極脫落的嚴重問題發生。
【附圖說明】
[0023]為了更清楚地說明本申請實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅是本申請的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0024]圖1為本申請實施例提供的一種大通流浪涌防護器件的結構剖視圖；
[0025]圖2為本申請實施例提供的另一種大通流浪涌防護器件的結構剖視圖；
[0026]圖3為本申請實施例提供的一種大通流浪涌防護器件的結構爆炸圖。
【具體實施方式】
[0027]下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例。下面通過具體實施例，分別進行詳細的說明。
[0028]本申請實施例提供一種大通流浪涌防護器件，包括用于密封氣體的密封腔體，以及包括延伸至密封腔體中的第一電極，密封腔體包括絕緣基底和與絕緣基底的端面上下封接的凹型電極，絕緣基底包括第一通孔，第一電極與第一通孔密封配合延伸至密封腔體中；
[0029]第一電極和凹型電極在密封腔體中形成用作放電間隙的一組相對的端面。
[0030]作為一種可選的實施方式，大通流浪涌防護器件還包括:
[0031]位于密封腔體中的絕緣基底的表面上，接近第一電極和凹型電極并在第一電極和凹型電極之間延伸的導線。
[0032]作為一種可選的實施方式，導線為碳線。
[0033]作為一種可選的實施方式，碳線為金屬碳線。
[0034]作為優選的實施方式，絕緣基底為臺階型基底，凹型電極與絕緣基底的底層臺階上下封接。
[0035]作為一種可選的實施方式，絕緣基底的中心開設有橫截面積小于臺階型基底的頂層臺階面積的第一通孔。
[0036]作為一種可選的實施方式，臺階型基底為3層臺階型基底，3層臺階型基底的底層臺階沿坡面延伸至3層臺階型基底的中間層臺階。
[0037]作為一種可選的實施方式，第一電極為T字型電極，T字型電極的橫邊與凹型電極在密封腔體中形成用作放電間隙的一組相對的端面，T字型電極套設于第一通孔中，并卡設封接至3層臺階型基底的頂層臺階表面。
[0038]作為一種可選的實施方式，坡面上設置至少一條靠近并延伸于第一電極和凹型電極之間的碳線。
[0039]作為一種可選的實施方式，用作放電間隙的一組相對的端面中的至少一端面涂覆陰極發射材料或者設有涂覆陰極發射材料的網格或者凹槽。
[0040]作為一種可選的實施方式，第一電極和凹型電極的表面分別延伸一用于連接至外部電路的連接端子。
[0041]作為一種可選的實施方式，T字型電極的橫邊為