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一種雙層固晶結構的制作方法

文(wen)檔序號:8667474閱讀:349來源:國知局
一種雙層固晶結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及USB芯片封裝技術領域,更具體地說是涉及一種USB芯片的雙層固晶結構。
【背景技術】
[0002]隨著網絡時代的來臨,促使信息分享的速度加快,也加速了信息科技普及與進步的腳步。如電子計算機(computer)、通信(Communicat1ns)和消費性電子(Consumer-Electronics)產品等都已廣泛深入消費者的生活。其中以儲存裝置,如隨身碟、硬盤或其它以閃存為主的裝置而言,由于擁有輕、薄、短、小的特性,具備高度的移動性,且其儲存容量已增至Tbyte級容量,且仍有持續增加的趨勢,因此在信息分享的用途上,日益受到消費者的青睞。
[0003]USB是一種用閃存來進行數據儲存的介質,通常使用USB插頭。隨身碟不僅體積極小、重量輕、可熱插拔也可以重復寫入。隨身碟通常使用塑料或金屬外殼,內部含有一張小的印刷電路板,讓隨身碟尺寸小到像鑰匙圈飾物一樣能夠放到口袋中,或是串在頸繩上。只有USB連接頭突出于保護殼外,且通常被一個小蓋子蓋住。大多數的隨身碟使用標準的Type-A USB接頭,這使得它們可以直接插入個人計算機上的USB端口中。閃存將數據儲存在由浮閘晶體管組成的記憶單元數組內,在單階儲存單元(Single-level cell, SLC)裝置中,每個單元只儲存I位的信息。而多階儲存單元(Mult1-level cel I, MLC)裝置則利用多種電荷值的控制讓每個單元可以儲存I位以上的數據。
[0004]然而,隨著現代生活或工作的需求,現有技術中小容量的USB存儲設備已經不能滿足人們學習和工作需求了,人們需要存儲容量的USB存儲設備,但是由于生產出存儲容量大的USB存儲設備需要較高的工藝,即便是生產出了存儲容量大的USB存儲設備,其結構也十分復雜,而且存儲容量也沒有達到預期的效果。
【實用新型內容】
[0005]本實用新型解決的技術問題在于提供一種結構簡單、存儲容量大的雙層固晶結構。
[0006]為解決上述技術問題采用的技術方案為:一種雙層固晶結構,包括基板、芯片和金屬線,所述基板的上表面粘附金屬反光導電層,所述芯片通過設置于其下方的銀膠粘接層安裝于所述金屬反光導電層上,所述芯片包括第一芯片和第二芯片,所述第一芯片錯位安裝于所述第二芯片上,所述第一芯片上設有第一接點,所述第二芯片上設有第二接點;所述金屬線包括第一金屬線和第二金屬線,所述第一金屬線的一端連接第一節點,其另一端連接第二接點,所述第二金屬線的一端連接第二接點,其另一端連接金屬反光導電層。
[0007]進一步的,所述芯片還包括第一芯片與第二芯片錯位安裝形成的第一缺口和第二缺口,所述第一缺口位于所述芯片的右上方,所述第二缺口位于所述芯片的左下方,所述第二缺口處安裝墊塊。
[0008]進一步的,所述墊塊的上表面、下表面和右表面都是通過銀膠粘接在與之相對應的面上,所述墊塊的左表面與所述第一芯片的左表面平齊。
[0009]進一步的,所述基板包括底層、形成與所述底層上的金屬層、形成于所述金屬層上的中間層和形成于所述中間層上的導電線路層。
[0010]進一步的,所述中間層為一層結構的絕緣層。
[0011]進一步的,所述中間層為金屬層與絕緣層交替堆疊的多層結構。
[0012]進一步的,所述金屬反光導電層上設有金屬引腳。
[0013]本實用新型的有益效果為:本實用新型的雙層固晶結構中芯片包括第一芯片和第二芯片,第一芯片錯位安裝于第二芯片上;金屬線包括第一金屬線和第二金屬線,第一金屬線用于連接第一芯片與第二芯片,第二金屬線用于連接第二芯片與金屬反光導電層。采用兩個芯片解決了現有技術中存儲容量小的缺點,使USB設備具有較大的存儲容量。通過第一芯片與第二芯片的錯位安裝,可以保證第一芯片與第二芯片之間的良好接觸,也便于第一芯片與第二芯片的安裝于拆分。采用銀膠粘接層將芯片安裝在金屬反光導電層可以保證各元件之間的連接牢固。采用金屬線將第一芯片、第二芯片和金屬反光導電層連接保證了這三個部分之間的電路連接通暢,綜上,該雙層固晶結構在結構設計上簡單,而且牢固、耐用,拆分、安裝方便,容量大、性能穩定。
【附圖說明】
[0014]圖1為本實用新型雙層固晶結構的結構剖視圖。
[0015]圖2為本實用新型雙層固晶結構中的芯片結構剖視圖。
[0016]圖3為本實用新型雙層固晶結構中的基板結構剖視圖。
【具體實施方式】
[0017]下面結合附圖對本實用新型詳細說明:
[0018]如圖1至圖2所不,一種雙層固晶結構,包括基板10、芯片和金屬線,基板10的上表面粘附金屬反光導電層40,芯片通過設置于其下方的銀膠粘接層50安裝于金屬反光導電層40上,芯片包括第一芯片21和第二芯片22,第一芯片21錯位安裝于第二芯片22上,第一芯片21上設有第一接點211,第二芯片22上設有第二接點221 ;金屬線包括第一金屬線31和第二金屬線32,第一金屬線31的一端連接第一節點211,其另一端連接第二接點221,第二金屬線32的一端連接第二接點221,其另一端連接金屬反光導電層40。芯片還包括第一芯片與第二芯片錯位安裝形成的第一缺口和第二缺口,第一缺口位于芯片的右上方,第二缺口位于芯片的左下方,第二缺口處安裝墊塊60。墊塊60的上表面、下表面和右表面都是通過銀膠粘接在與之相對應的面上,墊塊60的左表面與第一芯片的左表面平齊。金屬反光導電層40上設有金屬引腳41。
[0019]如圖3所不,基板10包括底層11、形成與底層11上的金屬層12、形成于金屬層12上的中間層13和形成于中間層13上的導電線路層14。中間層13為一層結構的絕緣層,另夕卜,中間層13也可以為金屬層與絕緣層交替堆疊的多層結構。底層11的材料為陶瓷,金屬層12用于接地。
[0020]本實用新型采用兩個芯片解決了現有技術中存儲容量小的缺點,使USB設備具有較大的存儲容量。通過第一芯片與第二芯片的錯位安裝,可以保證第一芯片與第二芯片之間的良好接觸,也便于第一芯片與第二芯片的安裝于拆分。采用銀膠粘接層將芯片安裝在金屬反光導電層可以保證各元件之間的連接牢固。采用金屬線將第一芯片、第二芯片和金屬反光導電層連接保證了這三個部分之間的電路連接通暢。本實用新型的雙層固晶結構在結構設計上簡單,而且牢固、耐用,拆分、安裝方便,容量大、性能穩定。
[0021]以上所述僅為本實用新型的優選實施方式,并非因此限制本本實用新型的專利范圍,凡是利用本實用新型說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換,或直接或間接運用在其它相關的技術領域,均同理包括在本本實用新型的專利保護范圍內。
【主權項】
1.一種雙層固晶結構,包括基板(10)、芯片和金屬線,其特征在于:所述基板(10)的上表面粘附金屬反光導電層(40),所述芯片通過設置于其下方的銀膠粘接層(50)安裝于所述金屬反光導電層(40)上,所述芯片包括第一芯片(21)和第二芯片(22),所述第一芯片(21)錯位安裝于所述第二芯片(22)上,所述第一芯片(21)上設有第一接點(211),所述第二芯片(22)上設有第二接點(221);所述金屬線包括第一金屬線(31)和第二金屬線(32),所述第一金屬線(31)的一端連接第一節點(211),其另一端連接第二接點(221),所述第二金屬線(32)的一端連接第二接點(221),其另一端連接金屬反光導電層(40)。
2.根據權利要求1所述的一種雙層固晶結構,其特征在于:所述芯片還包括第一芯片(21)與第二芯片(22)錯位安裝形成的第一缺口和第二缺口,所述第一缺口位于所述芯片的右上方,所述第二缺口位于所述芯片的左下方,所述第二缺口處安裝墊塊(60 )。
3.根據權利要求2所述的一種雙層固晶結構,其特征在于:所述墊塊(60)的上表面、下表面和右表面都是通過銀膠粘接在與之相對應的面上,所述墊塊(60)的左表面與所述第一芯片(21)的左表面平齊。
4.根據權利要求1所述的一種雙層固晶結構,其特征在于:所述基板(10)包括底層(11)、形成與所述底層(11)上的金屬層(12)、形成于所述金屬層(12)上的中間層(13)和形成于所述中間層(13)上的導電線路層(14)。
5.根據權利要求4所述的一種雙層固晶結構,其特征在于:所述中間層(13)為一層結構的絕緣層。
6.根據權利要求4所述的一種雙層固晶結構,其特征在于:所述中間層(13)為金屬層與絕緣層交替堆疊的多層結構。
7.根據權利要求1所述的一種雙層固晶結構,其特征在于:所述金屬反光導電層(40)上設有金屬引腳(41)。
【專利摘要】本實用新型公開了一種雙層固晶結構,包括基板、芯片和金屬線,所述基板的上表面粘附金屬反光導電層,所述芯片通過設置于其下方的銀膠粘接層安裝于所述金屬反光導電層上,所述芯片包括第一芯片和第二芯片,所述第一芯片錯位安裝于所述第二芯片上,所述第一芯片上設有第一接點,所述第二芯片上設有第二接點;所述金屬線包括第一金屬線和第二金屬線,所述第一金屬線的一端連接第一節點,其另一端連接第二接點,所述第二金屬線的一端連接第二接點,其另一端連接金屬反光導電層。該雙層固晶結構在結構設計上簡單,而且牢固、耐用,拆分、安裝方便,容量大、性能穩定。
【IPC分類】H01L23-49, H01L25-065, H01L23-488
【公開號】CN204375747
【申請號】CN201520029001
【發明人】倪黃忠
【申請人】深圳市時創意電子有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2015年1月16日
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