處理裝置的制造方法
【專利摘要】實施方式的處理裝置具備：載置臺，能夠供試樣載置；旋轉機構，使載置臺旋轉；第1噴嘴，對試樣噴射物質；以及第2噴嘴，對試樣的旋轉中心供給液體。
【專利說明】處理裝置
[0001]相關串請案
[0002]本申請案享有以日本專利申請案2015-80861號(申請日:2015年4月10日)為基礎申請案的優先權。本申請案通過參照該基礎申請案而包含基礎申請案的全部內容。
技術領域
[0003]本發明的實施方式涉及一種用于切割半導體襯底的半導體制造裝置等處理裝置。
【背景技術】
[0004]形成在晶片等半導體襯底上的多個半導體元件通過沿著設置在半導體襯底的切割區域進行切割而被分割成多個半導體芯片。于在半導體襯底的一面形成著成為半導體元件的電極的金屬膜或芯片接合膜等樹脂膜的情況下，必須在切割時將切割區域的金屬膜或樹脂膜均去除。
[0005]作為去除金屬膜或樹脂膜的方法，例如有通過刀片切割將半導體襯底與金屬膜或樹脂膜同時去除的方法。在此情況下，金屬膜或樹脂膜容易產生突起(毛邊)等形狀異常。如果產生金屬膜或樹脂膜的形狀異常，那么會因被判定為半導體芯片的外觀檢查不良或產生底座與半導體芯片的接合不良而導致產品成品率降低，因此會成為問題。

【發明內容】

[0006]本發明的實施方式提供一種能夠抑制對金屬膜、樹脂膜等進行處理時的形狀異常的處理裝置。
[0007]實施方式的處理裝置具備:載置臺，能夠供試樣載置；旋轉機構，使所述載置臺旋轉；第I噴嘴，對所述試樣噴射物質；以及第2噴嘴，對所述試樣的旋轉中心供給液體。
【附圖說明】
[0008]圖1A、1B是第I實施方式的處理裝置的示意圖。
[0009]圖2A、2B、2C、2D、2E、2F、2G是表示第I實施方式的器件的制造方法的示意步驟剖視圖。
[0010]圖3是第I實施方式的處理裝置的作用的說明圖。
[0011]圖4是第2實施方式的處理裝置的示意圖。
[0012]圖5A、5B是第3實施方式的處理裝置的示意圖。
[0013]圖6是第3實施方式的變化例的處理裝置的示意圖。
[0014]圖7是第4實施方式的處理裝置的示意圖。
[0015]圖8A、8B是第5實施方式的處理裝置的示意圖。
[0016]圖9A、9B是第6實施方式的處理裝置的示意圖。
[0017]圖10是第7實施方式的處理裝置的示意圖。
[0018]圖11是第8實施方式的處理裝置的示意圖。
【具體實施方式】
[0019]以下，一邊參照附圖，一邊對本發明的實施方式進行說明。此外，在以下的說明中，對相同的部件等標注相同的符號，對于已經說明過一次的部件等適當省略其說明。
[0020](第I實施方式)
[0021]本實施方式的處理裝置具備:載置臺，能夠供試樣載置；旋轉機構，使所述載置臺旋轉；第I噴嘴，對所述試樣噴射物質；以及第2噴嘴，對所述試樣的旋轉中心供給液體。而且，本實施方式的處理裝置還具備:移動機構，使載置臺與第I噴嘴在與載置臺的旋轉軸垂直的方向上相對移動；以及控制部，控制移動機構。
[0022]本實施方式的處理裝置例如為用于切割半導體襯底的半導體制造裝置。例如，用于在切割時將設置在半導體襯底的一面且成為半導體元件的電極等的金屬膜去除的情況。
[0023]而且，在本實施方式中，以噴射至金屬膜的物質為包含二氧化碳的粒子的情況為例進行說明。此外，所謂含有二氧化碳的粒子(以下，也簡記為二氧化碳粒子)是指以二氧化碳為主成分的粒子。除二氧化碳以外，也可以含有例如不可避免的雜質。
[0024]圖1A、IB是本實施方式的處理裝置的示意圖。圖1A是包含裝置的截面構造的示意圖，圖1B是載置臺部分的俯視圖。
[0025]本實施方式的半導體制造裝置具備載置臺10、支撐軸12、旋轉機構14、第I噴嘴16、移動機構(第I移動機構)18、控制部20、處理室22、及第2噴嘴26。
[0026]載置臺10構成為能夠供欲處理的試樣W載置。載置臺10例如供粘接于固定在切割框的切割片的半導體晶片載置。
[0027]載置臺10固定在支撐軸12。旋轉機構14使載置臺10旋轉。旋轉機構14例如具備電動機、及保持支撐軸12使之能夠旋轉的軸承。通過旋轉機構14，載置臺10以旋轉軸C為中心進行旋轉。
[0028]從第I噴嘴16噴射去除金屬膜的二氧化碳粒子。通過噴射二氧化碳粒子來去除金屬膜，例如將試樣W分離。二氧化碳粒子為固體狀態的二氧化碳。二氧化碳粒子是所謂的干冰。二氧化碳粒子的形狀例如為顆粒狀、粉末狀、球狀、或不固定形狀。
[0029]第I噴嘴16例如連接在未圖示的液化二氧化碳氣體的儲氣罐。通過絕熱膨脹而使儲氣罐內的液化二氧化碳氣體固體化，而產生二氧化碳粒子。第I噴嘴16例如連接在未圖示的氮氣或壓縮空氣的供給源。從第I噴嘴16將所產生的二氧化碳粒子與例如氮氣或壓縮空氣一并向載置在載置臺10的試樣W噴射。
[0030]第I噴嘴16的直徑例如為Φ Imm以上且Φ 3mm以下。而且，第I噴嘴16與試樣W的表面的距離例如設定為1mm以上且20mm以下。
[0031]第I噴嘴16噴射二氧化碳粒子的方向例如相對于載置臺10的表面大致垂直。
[0032]如圖1A、1B中箭頭所示，移動機構18使載置臺10與第I噴嘴16在與載置臺10的旋轉軸C垂直的方向上直線性地相對移動。例如，以在載置臺10的旋轉軸C與試樣W的端部之間反復進行掃描的方式使第I噴嘴16移動。在圖1A、1B中表示通過移動機構18使第I噴嘴16而非載置臺10移動的情況。
[0033]移動機構18只要為能使第I噴嘴16相對于載置臺10直線性地往返移動的機構，那么并無特別限定。例如使用將皮帶、皮帶輪、及使皮帶輪旋轉的電動機組合而成的皮帶驅動梭式機構。而且，例如使用齒條小齒輪機構與電動機的組合。而且，例如使用線性電動機。
[0034]此外，移動機構18也可以為并非使第I噴嘴16移動，而是使載置臺10相對于經固定的第I噴嘴16移動的機構。
[0035]控制部20控制移動機構18。例如將第I噴嘴16相對于載置臺10的掃描范圍、第I噴嘴16相對于載置臺10的相對速度等控制為所需的值。控制部20例如既可以為電路襯底等硬件，也可以為硬件與存儲在存儲器中的控制程序等軟件的組合。控制部20也可以為控制移動機構18使其與旋轉機構14同步的構成。而且，例如控制部20使載置臺10與第I噴嘴16在與載置臺10的表面平行的方向上相對移動。
[0036]第2噴嘴26將液體供給至試樣W的至少包含旋轉中心的區域。液體例如為水。通過將水供給至旋轉的試樣W的旋轉中心，而在試樣W的整個表面形成水的覆膜。
[0037]殼體22中內置載置臺10、第I噴嘴16、移動機構18、及第2噴嘴26等。殼體22保護載置臺10、第I噴嘴16、移動機構18、及第2噴嘴26等，并且防止對試樣W的處理受到來自外部環境的影響。
[0038]接下來，示出使用本實施方式的半導體制造裝置的半導體器件的制造方法的一例。以下，以欲制造的半導體器件為在半導體器件的兩面具備金屬電極且使用了硅(Si)的縱型功率 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管)的情況為例進行說明。
[0039]圖2A、2B、2C、2D、2E、2F、2G是表示本實施方式的器件的制造方法的示意步驟剖視圖。
[0040]首先，在具備第I面(以下，也稱為正面)與第2面(以下，也稱為背面)的硅襯底(半導體襯底)30的正面側形成縱型MOSFET (半導體元件)的基底區域、源極區域、柵極絕緣膜、柵電極、及源電極等圖案。之后，在最上層形成保護膜。保護膜例如為聚酰亞胺等樹脂膜、氮化硅膜或氧化硅膜等無機絕緣膜。較理想為硅襯底30露出于設置在正面側的切割區域的表面。
[0041]接下來，將支撐襯底32貼合在硅襯底30的正面側(圖2A)。支撐襯底32例如為石英玻璃。
[0042]接下來，通過研削去除硅襯底30的背面側，而使硅襯底30薄膜化。之后，在硅襯底30的背面側形成金屬膜34 (圖2B)。
[0043]金屬膜34為MOSFET的漏電極。金屬膜34例如為異質金屬的積層膜。金屬膜34例如為從硅襯底30的背面側起為鋁/鈦/鎳/金的積層膜。金屬膜34例如是通過濺鍍法而形成。
[0044]接下來，將樹脂片36貼附在硅襯底30的背面側。樹脂片36是所謂的切割片。樹脂片36例如固定在金屬框架38。樹脂片36粘接在金屬膜34的表面。之后，將支撐襯底32從硅襯底30剝離(圖2C)。
[0045]接下來，沿著設置在硅襯底30的正面側的切割區域，以背面側的金屬膜34從正面側露出的方式在硅襯底30形成槽40 (圖2D)。此處，所謂切割區域是指用以通過切割將半導體芯片分割的具備特定寬度的預定區域，且設置在硅襯底30的正面側。在切割區域未形成半導體元件的圖案。切割區域例如以格子狀設置在硅襯底30的正面側。
[0046]槽40例如是通過等離子體蝕刻而形成。等離子體蝕刻例如是重復進行使用F系自由基的各向同性蝕刻步驟、使用CF4€自由基的保護膜形成步驟、使用F系離子的各向異性蝕刻的所謂的博世工藝(Bosch process)。
[0047]槽40較理想為以硅襯底30的正面側的保護膜為掩膜，并通過整面蝕刻而形成。根據該方法，由于未使用光刻法，因此能夠簡化制造步驟及降低成本。
[0048]接下來，將樹脂片42貼附在硅襯底30的正面側。樹脂片42是所謂的切割片。樹脂片42例如固定在金屬框架44。樹脂片42粘接在正面側的保護膜或金屬電極的表面。之后，將背面側的樹脂片36剝離(圖2E)。
[0049]接下來，使用圖1A、IB的半導體制造裝置，從硅襯底30的背面側向金屬膜34吹送二氧化碳粒子(圖2F)。首先，以樹脂片42到達載置臺10 (圖1A、1B)的表面的方式將框架44載置在載置臺10上。接下來，通過旋轉驅動機構14使載置臺10旋轉。
[0050]從第2噴嘴26向試樣W的旋轉中心供給水。通過將水供給至旋轉的試樣W的旋轉中心，而在試樣W的整個表面形成水的覆膜。接下來，一邊通過移動機構18使第I噴嘴16在與載置臺10的旋轉軸垂直的方向上直線往返運動，一邊從第I噴嘴16噴射二氧化碳粒子。
[0051]通過吹送二氧化碳粒子，來去除槽40的背面側的金屬膜34。此時，通過包含從第I噴嘴16噴射的二氧化碳粒子的氣體的勢頭而在試樣W表面的水的覆膜形成間隙，從而能夠去除金屬膜34。就穩定地形成間隙的觀點來說，第I噴嘴16噴射二氧化碳粒子的方向較理想為相對于載置臺10的表面大致垂直。
[0052]通過去除金屬膜34，而將硅襯底30分離成多個M0SFET。金屬膜34是通過被二氧化碳粒子刮落至槽40內而被去除(圖2G)。
[0053]二氧化碳粒子為固體狀態的二氧化碳。二氧化碳粒子是所謂的干冰。二氧化碳粒子的形狀例如為顆粒狀、粉末狀、球狀或不固定形狀。
[0054]二氧化碳粒子與氮氣或壓縮空氣一并從噴嘴噴射，并被吹送至金屬膜34。二氧化碳粒子的平均粒徑較理想為10 μ m以上且200 μ m以下。而且，二氧化碳粒子被吹送至金屬膜34時的金屬膜34表面上的點徑例如較理想為Φ 3mm以上且Φ 1mm以下。
[0055]在吹送二氧化碳粒子來去除金屬膜34時，較理想為如圖2F所示，利用掩膜46覆蓋樹脂片42的區域。通過利用掩膜46覆蓋樹脂片42的區域，能夠抑制例如樹脂片42因二氧化碳粒子的沖擊而從框架44剝落。掩膜46例如為金屬。
[0056]之后，通過將硅襯底30的正面側的樹脂片42剝離，而獲得經分割的多個M0SFET。
[0057]以下，對本實施方式的處理裝置的作用及效果進行說明。
[0058]在像縱型MOSFET那樣也在硅襯底30的背面側形成金屬膜34的情況下，必須在切割時將切割區域的背面側的金屬膜34也去除。例如，在利用刀片切割將半導體襯底30與金屬膜34從正面側同時去除的情況下，切割區域的槽40端部的金屬膜34向背面側卷起而產生所謂的毛邊。
[0059]如果產生金屬膜34的毛邊，那么例如會有半導體芯片變成外觀檢查不良而無法制成產品的顧慮。而且，例如在利用焊料等接合材料將半導體芯片與底座接合時，因毛邊的部分而導致密接性變差，因此有產生接合不良的顧慮。
[0060]在使用本實施方式的半導體制造裝置的切割中，在沿著硅襯底30的切割區域形成槽40后，從背面側向金屬膜34吹送二氧化碳粒子，來去除跨及槽部40內的部分的金屬膜34。由于被去除的金屬膜34被刮落至槽部40，因此能夠抑制毛邊的產生。而且，能夠自對準地僅去除槽部40的金屬膜34。
[0061]認為主要是由二氧化碳粒子的物理沖擊而去除跨及槽部40的部分的金屬膜34。此外，認為通過利用低溫的二氧化碳粒子使金屬膜34驟冷、及施加能讓已碰撞到金屬膜34的二氧化碳氣化膨脹的力，會促進利用物理沖擊去除金屬膜34的效果。
[0062]進而，在本實施方式的半導體制造裝置中，對旋轉的載置臺10上的試樣噴射二氧化碳粒子。因此，與對被固定的載置臺上的試樣噴射二氧化碳粒子的情況相比，能夠對試樣表面均勻地噴射二氧化碳粒子。因此，能夠均勻性良好地去除金屬膜34。
[0063]而且，由于對旋轉的試樣噴射二氧化碳粒子，因此將二氧化碳粒子的碰撞速度加上試樣的速度。因此，二氧化碳粒子碰撞金屬膜34時的速度增大。因此，能夠高效率地去除金屬膜34。
[0064]圖3是本實施方式的作用的說明圖。圖3是試樣W的已被噴射了二氧化碳粒子的區域的放大示意圖。
[0065]通過從第2噴嘴26將水供給至試樣W的旋轉中心，而在試樣W的整個表面形成水的覆膜60。通過包含從第I噴嘴16噴射的二氧化碳粒子的氣體的勢頭，而在試樣W表面的水的覆膜60形成間隙62。
[0066]在間隙62中，試樣W表面的金屬膜露出，而二氧化碳粒子碰撞金屬膜，由此去除金屬膜。此時，有微粒64從試樣W表面飛散的顧慮。微粒64例如為已被去除的金屬膜的碎片。而且，微粒64例如為附著在金屬膜表面的異物。
[0067]有分散的微粒64掉落并附著在試樣W表面或進入切割的槽內而成為殘渣的顧慮。如果是這樣，那么例如在利用焊料等接合材料將半導體芯片與底座接合時，有在存在微粒64的部分產生空隙等而產生接合不良的顧慮。
[0068]根據本實施方式，分散的微粒64會附著在試樣W表面的水的覆膜60上。因此，微粒64與因試樣W的旋轉而向載置臺10外周流動的水一并被去除。因此，能夠防止微粒64直接附著在試樣W的表面。因此，能夠抑制產生接合不良。
[0069]以上，根據本實施方式的處理裝置，能夠抑制切割時的金屬膜的形狀異常。而且，能夠均勻且高效率地進行切割時的金屬膜的去除。進而，防止微粒的附著，從而能夠抑制產生接合不良。
[0070]此外，在制造在硅襯底30的背面側除具備金屬膜以外還具備樹脂膜的半導體器件的情況下，也可以使用本實施方式的半導體制造裝置。在此情況下，通過吹送二氧化碳粒子，不僅去除金屬膜，也去除樹脂膜。
[0071](第2實施方式)
[0072]本實施方式的處理裝置還具備:整流板，包圍載置臺；以及吸引機構，在載置臺與整流板之間產生氣流；除此以外，與第I實施方式相同。因此，對于與第I實施方式重復的內容，省略記述。
[0073]圖4是本實施方式的處理裝置的示意圖。圖4是包含裝置的截面構造的示意圖。
[0074]本實施方式的半導體制造裝置具備進氣口 48、排氣口 50、整流板52、及吸引栗54。
[0075]進氣口 48與排氣口 50設置在殼體22。進氣口 48例如設置在殼體22的上部，排氣口 50例如設置在殼體22的下部。
[0076]吸引栗54連接在排氣口 50。吸引栗54例如為真空栗。排氣口 50與吸引栗54為吸引機構的一例。
[0077]整流板52包圍載置臺10而設置。整流板52例如以上端覆蓋載置臺10的上表面的方式設置。整流板52例如由金屬或樹脂形成。
[0078]空氣或氮氣等氣體從進氣口 48被供給至殼體22內，并利用進氣栗54進行吸引而自排氣口 50被排出。氣體在殼體22內從上部向下部流動。能夠在殼體22內形成所謂的降流(down flow) ο
[0079]進而，如圖4中的虛線箭頭所示，在載置臺10與整流板52之間形成從殼體22的上部向下部流動的氣流。因此，能夠有效地將在去除試樣W表面的金屬膜時飛散的微粒或包含微粒的薄霧從試樣W上表面的空間排除。由此，能夠進一步抑制微粒附著在試樣W表面。
[0080]根據本實施方式，在利用二氧化碳粒子去除金屬膜時產生的微粒或包含微粒的薄霧因殼體22內的氣體的流動而自排氣口 50排出。因此，能夠抑制已被去除的金屬膜附著在試樣W。由此，能夠進一步抑制產生接合不良。
[0081](第3實施方式)
[0082]本實施方式的處理裝置還具備對試樣噴射氣體的第3噴嘴，除此以外，與第I實施方式相同。因此，對于與第I實施方式重復的內容，省略記述。
[0083]圖5A、5B是本實施方式的處理裝置的示意圖。圖5A是包含裝置的截面構造的示意圖，圖5B是第I及第3噴嘴的示意剖視圖。
[0084]本實施方式的半導體制造裝置具備第3噴嘴28。第3噴嘴28對試樣W的表面噴射氣體。氣體例如為空氣或氮氣。
[0085]第3噴嘴28例如設置在第I噴嘴16的外周。通過設置第3噴嘴28來對試樣W的表面噴射氣體，而能夠促進在試樣W表面的水的覆膜形成間隙。
[0086](變化例)
[0087]圖6是本實施方式的半導體制造裝置的變化例的示意圖。圖6是本變化例的載置臺部分的俯視圖。第3噴嘴28在與第I噴嘴16分離地設置的方面與實施方式不同。
[0088]第3噴嘴28較理想為相對于第I噴嘴16設置在與載置臺10的旋轉方向為反方向的位置。在本變化例中，也能夠促進在試樣W的表面的水的覆膜形成間隙。
[0089](第4實施方式)
[0090]本實施方式的處理裝置還具備對試樣供給液體的第4噴嘴，除此以外，與第I實施方式相同。因此，對于與第I實施方式重復的內容，省略記述。
[0091]圖7是本實施方式的半導體制造裝置的示意圖。圖7是本實施方式的載置臺部分的俯視圖。
[0092]本實施方式的處理裝置除具備將液體供給至試樣W的旋轉中心的第2噴嘴26以夕卜，還具備對試樣W供給液體的第4噴嘴29。液體例如為水。
[0093]通過從第4噴嘴29將水供給至試樣W的表面，能夠縮短在利用二氧化碳粒子去除金屬膜后且試樣W的表面的水的覆膜所產生的間隙閉合之前的時間。因此，能夠抑制微粒附著在于間隙的部分露出的試樣W表面。
[0094]就縮短間隙閉合之前的時間的觀點來說，第4噴嘴29較理想為相對于第I噴嘴16設置在載置臺10的旋轉方向的位置。
[0095](第5實施方式)
[0096]本實施方式的處理裝置還具備使第I噴嘴相對于載置臺的表面的傾斜角變化的傾斜機構，除此以外，與第I實施方式相同。因此，對于與第I實施方式重復的內容，省略記述。
[0097]圖8A、8B是本實施方式的處理裝置的示意圖。圖8A是包含裝置的截面構造的示意圖，圖8B是包含與圖8A垂直的方向的截面構造的示意圖。
[0098]本實施方式的半導體制造裝置具備傾斜機構24。傾斜機構24使第I噴嘴16相對于載置臺10的表面的傾斜角變化。傾斜機構24的傾斜角例如由控制部20控制。
[0099]傾斜機構24例如為組合旋轉軸與步進電動機而成的旋轉傾斜機構。第I噴嘴16的傾斜角較理想為被向二氧化碳粒子對旋轉的試樣W表面的碰撞速度相比于傾斜角為90度的情況增大的方向控制。具體來說，較理想為以噴出的二氧化碳粒子在試樣W表面上的方向成為試樣W表面的旋轉移動的方向的反方向的方式設定第I噴嘴16的傾斜角。
[0100]在使用本實施方式的半導體制造裝置的制造方法中，在使第I噴嘴16相對于載置臺10的表面的傾斜角小于90度的狀態下、例如15度以上且45度以下的狀態下對試樣W吹送二氧化碳粒子。
[0101]根據本實施方式，二氧化碳粒子的噴射相對于試樣W表面具有水平方向成分。因此，已被二氧化碳粒子去除的金屬膜或樹脂膜不易進入切割的槽內。因此，能夠抑制被去除的金屬膜或樹脂膜成為槽內的殘渣。而且，由于能夠增大二氧化碳粒子對試樣W的碰撞速度，因此能更高效率地去除金屬膜34。而且，能夠將傾斜角設定為所需的值，從而能設定適于試樣W的最佳的處理條件。
[0102]此外，也可以構成為第I噴嘴16以相對于載置臺10的表面具有小于90度的傾斜角的方式被固定。通過該構成，也能夠抑制已被二氧化碳粒子去除的金屬膜或樹脂膜進入切割的槽內而成為殘渣。而且，由于能夠增大二氧化碳粒子對試樣W的碰撞速度，因此能更高效率地去除金屬膜。
[0103](第6實施方式)
[0104]本實施方式的處理裝置還具備使載置臺與第2噴嘴在與載置臺的旋轉軸垂直的方向上相對移動的移動機構，除此以外，與第I實施方式相同。因此，對于與第I實施方式重復的內容，省略記述。
[0105]圖9A、9B是本實施方式的處理裝置的示意圖。圖9A是包含裝置的截面構造的示意圖，圖9B是載置臺部分的俯視圖。
[0106]本實施方式的半導體制造裝置具備移動機構(第2移動機構)62。
[0107]移動機構62只要為能夠使第2噴嘴26相對于載置臺10直線性地往返移動的機構，那么并無特別限定。例如使用將皮帶、皮帶輪、及使皮帶輪旋轉的電動機組合而成的皮帶驅動梭式機構。而且，例如使用齒條小齒輪機構與電動機的組合。而且，例如使用線性電動機。
[0108]移動機構62例如由控制部20控制。控制部20例如將第2噴嘴26相對于載置臺10的掃描范圍、第2噴嘴26相對于載置臺10的相對速度等控制為所需的值。
[0109]通過使第2噴嘴26移動，能夠在試樣W的表面均勻地形成水的覆膜。
[0110](第7實施方式)
[0111]本實施方式的處理裝置具備多個第I噴嘴，除此以外，與第I實施方式相同。因此，對于與第I實施方式重復的內容，省略記述。
[0112]圖10是本實施方式的處理裝置的示意圖。圖10是包含裝置的截面構造的示意圖。
[0113]如圖10所示，本實施方式的半導體制造裝置具備3個第I噴嘴16。第I噴嘴16只要為2個以上，那么并不限定于3個。
[0114]根據本實施方式，通過具備多個第I噴嘴16，能夠提高處理的生產性。
[0115](第8實施方式)
[0116]本實施方式的處理裝置中，自第I噴嘴的物質的噴射方向往朝向載置臺的外周部的方向傾斜，除此以外，與第I實施方式相同。因此，對于與第I實施方式重復的內容，省略記述。
[0117]圖11是本實施方式的處理裝置的示意圖。圖11是包含裝置的截面構造的示意圖。
[0118]如圖11所示，本實施方式的半導體制造裝置中，第I噴嘴16噴射物質的方向往朝向載置臺10的外周部的方向傾斜。
[0119]根據本實施方式，能夠有效地將從試樣W表面飛散的微粒或包含微粒的薄霧從試樣W上表面的空間排除。由此，能夠進一步抑制微粒附著于試樣W表面。
[0120]以上，在第I至第8實施方式中，以半導體元件為縱型MOSFET的情況為例進行了說明，但半導體元件并不限定于縱型M0SFET。
[0121]而且，在第I至第8實施方式中，以切割時去除金屬膜或樹脂膜為例進行了說明，但也可以將實施方式的處理裝置應用在例如清洗半導體襯底表面。
[0122]而且，在第I至第8實施方式中，以噴射的物質為包含二氧化碳的粒子的情況為例進行了說明，但噴射的物質例如也可以為經加壓的水、包含研磨粒的經加壓的水、二氧化碳粒子以外的粒子等其它物質。例如，也可以應用當從噴嘴噴射時為固體，在常溫等的放置著襯底的環境中會氣化的其它粒子。例如，也可以應用氮粒子或氬粒子。
[0123]而且，第I至第8實施方式中，以半導體制造裝置為例進行了說明，但也可以將本發明應用在MEMS (Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統)制造裝置。
[0124]而且，第I至第8實施方式中，以通過使噴嘴對試樣的部分區域噴射物質，并使載置臺與噴嘴相對移動而對試樣的整個區域進行處理的情況為例進行了說明。但是，例如也可以構成為能夠從噴嘴對試樣的整個區域同時地噴射物質，而一次性地對試樣的整個區域進行處理。例如，能夠構成如下噴嘴:通過使噴嘴直徑大于試樣的尺寸或組合多個噴嘴，而一次性地對試樣整個區域進行處理。
[0125]對本發明的若干實施方式進行了說明，但這些實施方式是作為示例而提出，并不意圖限定發明的范圍。這些新穎的實施方式能以其它各種方式實施，且能夠在不脫離發明的主旨的范圍內進行各種省略、替換、變更。這些實施方式或其變化包含在發明的范圍或主旨中，并且包含在權利要求所記載的發明與其均等的范圍內。
【主權項】
1.一種處理裝置，其特征在于具備: 載置臺，能夠供試樣載置； 旋轉機構，使所述載置臺旋轉； 第I噴嘴，對所述試樣噴射物質；以及 第2噴嘴，對所述試樣的旋轉中心供給液體。2.根據權利要求1所述的處理裝置，其特征在于進而具備: 移動機構，使所述載置臺與所述第I噴嘴在與所述載置臺的旋轉軸垂直的方向上相對移動；以及 控制部，控制所述移動機構。3.根據權利要求1所述的處理裝置，其特征在于進而具備: 整流板，包圍所述載置臺；以及 吸引機構，在所述載置臺與所述整流板之間產生氣流。4.根據權利要求1所述的處理裝置，其特征在于:所述物質為含有二氧化碳的粒子。5.根據權利要求1所述的處理裝置，其特征在于進而具備:第3噴嘴，對所述試樣噴射氣體。6.根據權利要求1所述的處理裝置，其特征在于:所述第I噴嘴的所述物質的噴射方向相對于所述載置臺的表面為大致垂直。7.根據權利要求1所述的處理裝置，其特征在于:所述液體為水。8.根據權利要求4所述的處理裝置，其特征在于:所述粒子的平均粒徑為10μ m以上且200 μπι以下。9.根據權利要求5所述的處理裝置，其特征在于:所述第3噴嘴設置在所述第I噴嘴的外周。10.根據權利要求5所述的處理裝置，其特征在于:所述第3噴嘴與所述第I噴嘴分離地設置。11.根據權利要求1所述的處理裝置，其特征在于進而具備:第4噴嘴，所述第4噴嘴相對于所述第I噴嘴設置在所述載置臺的旋轉方向的位置，并對所述試樣供給液體。12.根據權利要求1所述的處理裝置，其特征在于進而具備:傾斜機構，使所述第I噴嘴的相對于所述載置臺的表面的傾斜角變化。13.根據權利要求1所述的處理裝置，其特征在于進而具備:移動機構，使所述載置臺與所述第2噴嘴在與所述載置臺的旋轉軸垂直的方向上相對移動。14.根據權利要求1所述的處理裝置，其特征在于:自所述第I噴嘴的所述物質的噴射方向往朝向所述載置臺的外周部的方向傾斜。
【文檔編號】H01L21/67GK106057703SQ201510555732
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2015年9月2日
【發明人】鷹野正宗
【申請人】株式會社東芝