光阻層上過孔的測量方法
【專利摘要】本發明提供一種光阻層上過孔的測量方法，包括如下步驟：在玻璃基板上依次形成有多晶硅層、絕緣層和金屬走線，所述多晶硅層包括非圖形區和GOA區，所述GOA區包括多個圖案；在所述絕緣層上形成光阻層，所述光阻層遮蓋所述金屬走線；在所述光阻層上形成多個第一過孔和多個第二過孔，所述多個第一過孔與所述多個圖案一一對應，所述多個第二過孔與所述非圖形區對應且避開所述金屬走線設置，其中，所述第一過孔和所述第二過孔尺寸相同；測量所述光阻層上所述第二過孔的尺寸。本發明中通過測量第二過孔尺寸以間接獲得第一過孔的尺寸，可以避免直接測量第一過孔尺寸時受到圖形區干擾，避免測量結果不準確，提升了TFT基板的生產效率和良率。
【專利說明】
光阻層上過孔的測量方法
技術領域
[0001]本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種TFT基板上的光阻層上過孔尺寸的測量方法。
【背景技術】
[0002]LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低溫多晶娃)顯示面板在高端手機、平板電腦上已獲得廣泛應用。LTPS技術可以通過激光退火等方法在玻璃基板上形成高迀移率的低溫多晶硅半導體層，使顯示屏具有高分辨率、低功耗、高反應速度、高開口率等優點。
[0003]LTPS顯示面板中的TFT基板的制造包括Array制程，在Array制程中需要在玻璃基板上形成多晶硅層圖案，然后在多晶硅層上覆蓋光阻層，光阻層上開設通向所多晶硅層圖案的過孔，經該通孔以完成摻雜過程。在此過程中需要測量光阻層上通孔的尺寸(CriticalDimens1ns)。但是由于通孔的尺寸與多晶硅層上圖案的尺寸相近，因此在通孔測量過程中會受到多晶硅層圖案的干擾，造成測量過程中的圖像抓取錯誤，量測機臺無法正常工作，嚴重影響TFT基板的生產效率和良率。
【發明內容】
[0004]本發明的目的在于提供一種光阻層上過孔的測量方法，該測量方法能夠提高過孔測量的準確率，進而提高TFT基板的生產效率和良率。
[0005]為了實現上述目的，本發明實施方式提供如下技術方案:
[0006]本發明提供一種光阻層上過孔的測量方法，包括如下步驟:
[0007]在玻璃基板上依次形成有多晶硅層、絕緣層和金屬走線，所述多晶硅層包括非圖形區和GOA區，所述GOA區包括多個圖案；
[0008]在所述絕緣層上形成光阻層，所述光阻層遮蓋所述金屬走線；
[0009]在所述光阻層上形成多個第一過孔和多個第二過孔，所述多個第一過孔與所述多個圖案一一對應，所述多個第二過孔與所述非圖形區對應且避開所述金屬走線設置，其中，所述第一過孔和所述第二過孔尺寸相同；
[0010]測量所述光阻層上所述第二過孔的尺寸。
[0011]其中，在所述光阻層上形成多個第一過孔和多個第二過孔步驟中，包括將掩膜板遮蓋于所述光阻層上，所述掩膜板上設置有第一通孔和第二通孔，光照所述掩膜板，以在所述光阻層上對應形成所述第一過孔和所述第二過孔。
[0012]其中，在所述光阻層上對應形成所述第一過孔和所述第二過孔后，先將所述掩膜板從所述光阻層上去除后，測量所述第二過孔的尺寸。
[0013]其中，測量所述光阻層上所述第二過孔的尺寸步驟中，包括使用線寬量測儀器抓取所述第二過孔的邊緣，以測的所述第二過孔的寬度。
[0014]其中，所述GOA區上的多個圖案呈矩陣排布。
[0015]其中，所述多個第二過孔至少形成3*3的矩陣排列。
[0016]其中，所述第二過孔的列間距小于所述第一過孔的列間距。
[0017]其中，所述第二過孔數量為27個，且呈9*3矩陣排列。
[0018]其中，測量光阻層上所述第二過孔的尺寸后，還包括在所述第一過孔和所述第二過孔中進行硼摻雜步驟。
[0019]其中，在硼摻雜步驟完成后，將所述光阻層從所述絕緣層上去除。
[0020]本發明實施例具有如下優點或有益效果:
[0021]本發明中通過在光阻層上形成尺寸相同的第一過孔和第二過孔，其中所述第一過孔對應多晶硅層上GOA區上的圖案，所述第二過孔對應多晶硅層上的非圖形區，通過測量第二過孔尺寸以間接獲得第一過孔的尺寸，可以避免直接測量第一過孔尺寸時受到GOA區圖案干擾，避免測量結果不準確，提升了 TFT基板的生產效率和良率。
【附圖說明】
[0022]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0023]圖1是本發明在光阻層上形成過孔的結構示意圖。
[0024]圖2是本發明在光阻層上遮蓋掩膜板的示意圖。
[0025]圖3是本發明多晶硅層的結構示意圖。
[0026]圖4是本發明掩膜板的結構示意圖。?0027]圖5是本發明圖1的剖面示意圖。
【具體實施方式】
[0028]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0029]此外，以下各實施例的說明是參考附加的圖示，用以例示本發明可用以實施的特定實施例。本發明中所提到的方向用語，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“內”、“外”、“側面”等，僅是參考附加圖式的方向，因此，使用的方向用語是為了更好、更清楚地說明及理解本發明，而不是指示或暗指所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。
[0030]在本發明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸地連接，或者一體地連接;可以是機械連接;可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。
[0031]此外，在本發明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。若本說明書中出現“工序”的用語，其不僅是指獨立的工序，在與其它工序無法明確區別時，只要能實現該工序所預期的作用則也包括在本用語中。另外，本說明書中用“?”表示的數值范圍是指將“?”前后記載的數值分別作為最小值及最大值包括在內的范圍。在附圖中，結構相似或相同的用相同的標號表不。
[0032]請參閱圖1，對于LTPS顯示面板，在TFT基板上進行硼(B)摻雜之前，通常需要檢測一下光阻層40上的過孔的寬度是否滿足要求。但是，由于光阻層40上的過孔在多晶硅層20上的投影與多晶硅層20上GOA區的圖案22的間距較小，因此在測量過程中會錯誤的抓取到多晶娃層20上的圖案22邊緣，造成光阻層40上通孔的寬度尺寸c(Critical Dimens1ns)測量誤差偏大，影響后續的生產工藝分析，嚴重影響TFT基板的生產效率和良率。
[0033]本發明提供一種光阻層40上過孔的測量方法，可以避免上述缺陷，本發明的測量方法主要包括如下步驟:
[0034]SOOl:在玻璃基板上依次形成有多晶硅層、絕緣層和金屬走線，所述多晶硅層包括非圖形區和GOA區，所述GOA區包括多個圖案。
[0035]具體的，請參閱圖2，所述玻璃基板10與所述多晶硅層20之間還包括其他層疊結構，例如金屬LS層等，因其與本發明點無關，此處不作過多介紹。
[0036]請參閱圖3，多晶硅層20包括非圖形區21、G0A區221和AA區23。所述GOA區221包括多個圖案22。可以理解的是，所述AA區也設有多晶硅圖案，因其與本發明無關，此處不作介紹。需要說明的是，硼摻雜過程需要在GOA區221的圖案22上完成。優選的，所述多個圖案22尺寸大致相同且呈陣列排布。
[0037]請繼續參閱圖2，所述絕緣層30覆蓋在所述多晶硅層20上方，所述絕緣層30上還形成有金屬走線60，所述絕緣層30將所述多晶硅層20與金屬走線60隔離。
[0038]S003:在所述絕緣層上形成光阻層，所述光阻層遮蓋所述金屬走線。
[0039]具體的，可以通過線性光阻涂布設備在所述絕緣層30上形成所述光阻層40。進一步具體的，所述光阻層40為PP層。也就是說，本發明的摻雜過程為P型硼摻雜(P TypeDoping)ο
[0040]S005:在所述光阻層上形成多個第一過孔和多個第二過孔，所述多個第一過孔與所述多個圖案一一對應，所述多個第二過孔與所述非圖形區對應且避開所述金屬走線設置，其中，所述第一過孔和所述第二過孔尺寸相同。
[0041 ]具體的，可以提供一掩膜板50和光源(圖未示出)。
[0042]先將所述掩膜板50遮蓋在所述光阻層40上方。請參閱圖4，本發明中一個具體的實施例中，所述掩膜板50上設有多個第一通孔51和多個第二通孔52。所述第一通孔51和所述第二通孔52的尺寸相同。每個所述第一通孔51都與所述多晶硅層20上GOA區221的一個圖案22相對應。具體的，所述第一通孔51在所述多晶硅層20上的投影包含所述圖案22，并且該第一通孔51在多晶硅層20上的投影邊緣與所述圖案22的邊緣不重合。所述第二通孔52在所述多晶硅層20上的投影位于所述非圖形區21。可以理解的是，與所述圖案22對應的所述第一通孔51呈陣列分布。優選的，所述第二通孔52也大致呈陣列分布。需要說明的是，位于第二通孔52下方且介于掩膜板50與多晶硅層20之間沒有金屬走線60。優選的，所述多個矩陣排列的第二通孔52的列間距小于所述多個陣列排布的第一通孔51的行間距。
[0043]然后，將所述光源照射在所述掩膜板50表面。具體的，所述光源為UV光源。優選的，可通過以高壓汞燈發出UV光源。光阻層40上與所述通孔對應的位置在UV光源的照射下被光亥丨J，從而所述第一通孔51正下方的光阻層40上形成第一過孔41、在光阻層40上形成與所述第二通孔52相對應的第二過孔42。
[0044]請繼續參閱圖1，可以理解的是，經光刻后，所述光阻層40形成的多個第一過孔41和多個第二過孔42，所述多個第一過孔41和多個第二過孔42的分布與所述掩膜板50上的第一通孔51和第二通孔52的分布規律相同。請結合參閱圖5，也就是說，每個所述第一過孔41分別對應至一個GOA區221的所述圖案22，所述多個第二過孔42對應至所述非圖形區21。并且，介于光阻層40與多晶硅層20之間且位于第二過孔42下方未設置金屬走線60結構，避免了由于設置第二過孔42而造成金屬走線60的斷路。
[0045]S007:測量所述光阻層上所述第二過孔的尺寸。
[0046]具體的，首先去除遮蓋在所述光阻層40上的掩膜板50，然后提供一線寬量測儀器(如V-tech線寬量測設備)，所述線寬量測儀器具有圖像自動抓取功能，能夠自動抓取圖像的邊界進行測量。移動所述線寬量測儀器的鏡頭，任意選取一個第二過孔42，抓取該第二過孔42的邊緣，并測的所述第二過孔42的寬度c’(也稱為線寬或space)。這里所說的寬度指的是平行于行方向上的長度。通常情況下，只要保證過孔的寬度滿足標準范圍即可。也就是說，本發明中測量的第二過孔42的尺寸只需測量其寬度即可。
[0047]可以理解的是，由于所述光阻層40上的第一過孔41和第二過孔42是通過一塊掩膜板50經一次光光刻而成，且掩膜版上第一通孔51和第二通孔52的尺寸大小相同，對應光刻形成的所述第一過孔41和所述第二過孔42的尺寸也就相同。因此可以通過檢測第二過孔42的寬度c ’從而間接獲得所述第一過孔41的寬度c的值，避免了直接測量第一過孔41寬度時受到圖形區的干擾，提升測量精度，從而提高TFT基板的生產效率和良率。
[0048]優選的，為了最大程度保證光刻后的第一過孔41和第二過孔42尺寸相同，還應當使得所述多個第二過孔42的數量盡量與所述第一過孔41的數量相接近。因此，所述第二過孔42的數量最少為9個，且呈3*3的矩陣排列。可以理解的是，4*3、4*4……n*m(其中，n，m彡3)，中均包括3*3的矩陣排列。此外，考慮到非圖形區的大小，為了最大程度利用非圖形區(指的是未設置電路走線的非圖形區)的面積。優選的，所述多個第二過孔42的數量可以為27個，且呈9*3矩陣排列。
[0049]進一步優選的，所述第二過孔42的列間距小于所述第一過孔41的列間距。通常所述多個呈陣列排布的圖案22的行間距比較小，但是列間距比較大。因此所述第一過孔41的列間距也就相應的比較大，由于非圖形區中未設置金屬走線區域的面積較小，如果所述多個第二過孔42的間距與所述第一過孔41間距相同，不利于第二過孔42的排布，甚至排布不下。因此需要適當縮小第二過孔42的列間距。優選的，第二過孔42的列間距可以為線寬的1.5倍。第二過孔42的行間距可以設置為與第一過孔41行間距相同。這樣設置還有一個好處就是方便在線寬量測儀器尋找第二過孔42，不同移動較大距離就能找到合適的第二過孔42 ο
[0050]可以理解的是，測量光阻層上所述第二過孔的尺寸后，需要在所述第一過孔41和所述第二過孔42中進行硼摻雜。對于TFT基板而言只需在所述第一過孔41種摻雜即可，但是由于第二過孔42中未設置金屬走線，因此即使在第二過孔42中摻雜也不會有不良影響。此夕卜，可以理解的是，在硼摻雜完成后，所述光阻層40需要從所述絕緣層30上去除。
[0051]在本說明書的描述中，參考術語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”或“一些示例”等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特征、結構、材料或者特點包含于本發明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結構、材料或特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。
[0052]以上所述的實施方式，并不構成對該技術方案保護范圍的限定。任何在上述實施方式的精神和原則之內所作的修改、等同替換和改進等，均應包含在該技術方案的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種光阻層上過孔的測量方法，其特征在于，包括如下步驟: 在玻璃基板上依次形成有多晶硅層、絕緣層和金屬走線，所述多晶硅層包括非圖形區和GOA區，所述GOA區包括多個圖案； 在所述絕緣層上形成光阻層，所述光阻層遮蓋所述金屬走線； 在所述光阻層上形成多個第一過孔和多個第二過孔，所述多個第一過孔與所述多個圖案一一對應，所述多個第二過孔與所述非圖形區對應且避開所述金屬走線設置，其中，所述第一過孔和所述第二過孔尺寸相同； 測量所述光阻層上所述第二過孔的尺寸。2.如權利要求1所述的光阻層上過孔的測量方法，其特征在于，在所述光阻層上形成多個第一過孔和多個第二過孔步驟中，包括將掩膜板遮蓋于所述光阻層上，所述掩膜板上設置有第一通孔和第二通孔，光照所述掩膜板，以在所述光阻層上對應形成所述第一過孔和所述第二過孔。3.如權利要求2所述的光阻層上過孔的測量方法，其特征在于，在所述光阻層上對應形成所述第一過孔和所述第二過孔后，先將所述掩膜板從所述光阻層上去除后，測量所述第二過孔的尺寸。4.如權利要求1所述的光阻層上過孔的測量方法，其特征在于，測量所述光阻層上所述第二過孔的尺寸步驟中，包括使用線寬量測儀器抓取所述第二過孔的邊緣，以測的所述第二過孔的寬度。5.如權利要求1所述的光阻層上過孔的測量方法，其特征在于，所述GOA區上的多個圖案呈矩陣排布。6.如權利要求1所述的光阻層上過孔的測量方法，其特征在于，所述多個第二過孔至少形成3*3的矩陣排列。7.如權利要求6所述的光阻層上過孔的測量方法，其特征在于，所述第二過孔的列間距小于所述第一過孔的列間距。8.如權利要求1所述的光阻層上過孔的測量方法，其特征在于，所述第二過孔數量為27個，且呈9*3矩陣排列。9.如權利要求1所述的光阻層上過孔的測量方法，其特征在于，測量光阻層上所述第二過孔的尺寸后，還包括在所述第一過孔和所述第二過孔中進行硼摻雜步驟。10.如權利要求9所述的光阻層上過孔的測量方法，其特征在于，在硼摻雜步驟完成后，將所述光阻層從所述絕緣層上去除。
【文檔編號】H01L21/77GK106057699SQ201610579476
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年7月20日 公開號201610579476.4, CN 106057699 A, CN 106057699A, CN 201610579476, CN-A-106057699, CN106057699 A, CN106057699A, CN201610579476, CN201610579476.4
【發明人】張賀
【申請人】武漢華星光電技術有限公司