一種臺面型二極管的加工工藝的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種臺面型二極管的加工工藝，該加工工藝包括以下步驟：擴散片制作完成→次光刻溝槽→一次腐蝕圓形槽臺面→二次光刻溝槽→二次腐蝕圓形槽臺面→圓形槽臺面生長二氧化硅膜及清洗處理→涂覆玻璃粉→烘焙玻璃粉→玻璃鈍化→表面腐蝕清洗。該發明通過按體積比，將硝酸：氫氟酸：冰醋酸＝5：3：1配制成混酸腐蝕液，然后將光刻后硅片放入混酸腐蝕液中進行腐蝕，腐蝕出各芯片的PN結臺面溝槽，將臺面結構二極管PN結幾何形狀腐蝕出成圓形狀，圓形具有平緩的弧形表面，可以有最高的擊穿電壓，有效的提高了器件的擊穿電壓效果。
【專利說明】
一種臺面型二極管的加工工藝
技術領域
[0001]本發明涉及半導體電子元件技術領域，具體為一種臺面型二極管的加工工藝。
【背景技術】
[0002]臺面型二極管，PN結的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留PN結及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現出臺面形，因而得名。初期生產的臺面型，是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴散臺面型。PN結幾何形狀和半導體表面電場對擊穿電壓的影響十分顯著。由于棱角電場和表面電場對擊穿電壓的不利影響，高壓二極管一般不采用平面結構而常用臺面結構。目前，現有的一般臺面結構二極管PN結幾何形狀對提高器件的擊穿電壓效果較差。
【發明內容】
[0003]本發明的目的在于提供一種臺面型二極管的加工工藝，以解決現有的一般臺面結構二極管PN結幾何形狀對提高器件的擊穿電壓效果較差的問題。
[0004]為實現上述目的，本發明提供如下技術方案:一種臺面型二極管的加工工藝，該加工工藝包括以下步驟:
[0005]擴散片制作完成—次光刻溝槽—一次腐蝕圓形槽臺面—二次光刻溝槽—二次腐蝕圓形槽臺面—圓形槽臺面生長二氧化硅膜及清洗處理—涂覆玻璃粉—烘焙玻璃粉—玻璃鈍化—表面腐蝕清洗。
[0006]S1、將擴散出PN結的硅片根據所需芯片的尺寸規格進行涂膠、前烘、曝光、顯影及堅膜的光刻過程，做好光刻圓狀圖形；
[0007]S2、按體積比，將硝酸:氫氟酸:冰醋酸= 5:3:1配制成混酸腐蝕液，然后將光刻后硅片放入混酸腐蝕液中進行腐蝕，腐蝕出各芯片的PN結臺面溝槽，保持各芯片間連接而不斷離，再進行去膠清洗；
[0008]S2、配制玻璃漿用溶劑:將乙基纖維素和稀釋劑按lg:1Oml的比例放在燒杯中加熱攪拌溶解，制成玻璃漿用溶劑；
[0009]S2、配制玻璃漿:將玻璃漿用溶劑和鉛系玻璃粉按3ml:5g比例倒入茄形瓶中進行攪拌；
[0010]S3、將攪拌好的玻璃漿滴到腐蝕出溝槽的硅片表面，用不銹鋼勺子在硅片上涂敷，使玻璃漿均勻涂滿溝槽內，再用不銹鋼刮刀將多余的玻璃漿從硅片表面輕輕刮下，隨后將此硅片放入石英舟內；
[0011]S4、玻璃預燒:推入爐口烘12-18分鐘，推入預燒溫度為420-480 °C，推入預燒時間為25-28分鐘，同時燒去光刻膠層;預燒溫度調到565?575°C，將裝有涂敷好玻璃漿硅片的石英舟放入石英管中預燒，時間為25分鐘；
[0012]S5、擦拭預燒后硅片:將預燒后的硅片表面的玻璃粉擦拭干凈，且注意溝槽內玻璃漿不要擦掉；
[0013]S6、玻璃燒成:對經過表面玻璃粉擦拭的硅片進行玻璃燒成，同時去光刻膠，燒成溫度為830-840°C，燒成時間為12-18分鐘，降溫至500-550°C，時間為30分鐘，自然降溫至200°C以下即可出爐；
[0014]S7、按照S5到S8的次序再重新操作一遍；
[0015]S8、將玻璃鈍化后的硅片經清洗、鍍鎳或鍍金合金化后進行劃片，制成硅整流器件的芯片。
[0016]與現有技術相比，本發明具有以下有益效果:該發明通過按體積比，將硝酸:氫氟酸:冰醋酸= 5:3:1配制成混酸腐蝕液，然后將光刻后硅片放入混酸腐蝕液中進行腐蝕，腐蝕出各芯片的PN結臺面溝槽，將臺面結構二極管PN結幾何形狀腐蝕出成圓形狀，圓形具有平緩的弧形表面，可以有最高的擊穿電壓，有效的提高了器件的擊穿電壓效果。
【具體實施方式】
[0017]下面將對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0018]本發明提供一種技術方案:一種臺面型二極管的加工工藝，該加工工藝包括以下步驟:
[0019]擴散片制作完成—次光刻溝槽—一次腐蝕圓形槽臺面—二次光刻溝槽—二次腐蝕圓形槽臺面—圓形槽臺面生長二氧化硅膜及清洗處理—涂覆玻璃粉—烘焙玻璃粉—玻璃鈍化4表面腐蝕清洗，圓形槽臺面生長二氧化硅膜的厚度為1.5-2納米。
[0020]S1、將擴散出PN結的硅片根據所需芯片的尺寸規格進行涂膠、前烘、曝光、顯影及堅膜的光刻過程，做好光刻圓狀圖形；
[0021]S2、按體積比，將硝酸:氫氟酸:冰醋酸= 5:3:1配制成混酸腐蝕液，然后將光刻后硅片放入混酸腐蝕液中進行腐蝕，腐蝕出各芯片的PN結臺面溝槽，保持各芯片間連接而不斷離，再進行去膠清洗；
[0022]S2、配制玻璃漿用溶劑:將乙基纖維素和稀釋劑按lg:1Oml的比例放在燒杯中加熱攪拌溶解，制成玻璃漿用溶劑；
[0023]S2、配制玻璃漿:將玻璃漿用溶劑和鉛系玻璃粉按3ml:5g比例倒入茄形瓶中進行攪拌；
[0024]S3、將攪拌好的玻璃漿滴到腐蝕出溝槽的硅片表面，用不銹鋼勺子在硅片上涂敷，使玻璃漿均勻涂滿溝槽內，再用不銹鋼刮刀將多余的玻璃漿從硅片表面輕輕刮下，隨后將此硅片放入石英舟內；
[0025]S4、玻璃預燒:推入爐口烘12-18分鐘，推入預燒溫度為420-480 °C，推入預燒時間為25-28分鐘，同時燒去光刻膠層;預燒溫度調到565?575°C，將裝有涂敷好玻璃漿硅片的石英舟放入石英管中預燒，時間為25分鐘；
[0026]S5、擦拭預燒后硅片:將預燒后的硅片表面的玻璃粉擦拭干凈，且注意溝槽內玻璃漿不要擦掉；
[0027]S6、玻璃燒成:對經過表面玻璃粉擦拭的硅片進行玻璃燒成，同時去光刻膠，燒成溫度為830-840°C，燒成時間為12-18分鐘，降溫至500-550°C，時間為30分鐘，自然降溫至200°C以下即可出爐；
[0028]S7、按照S5到S8的次序再重新操作一遍；
[0029]S8、將玻璃鈍化后的硅片經清洗、鍍鎳或鍍金合金化后進行劃片，制成硅整流器件的芯片。
[0030]盡管已經示出和描述了本發明的實施例，對于本領域的普通技術人員而言，可以理解在不脫離本發明的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本發明的范圍由所附權利要求及其等同物限定。
【主權項】
1.一種臺面型二極管的加工工藝，其特征在于:該加工工藝包括以下步驟: 擴散片制作完成4次光刻溝槽4一次腐蝕圓形槽臺面4二次光刻溝槽4二次腐蝕圓形槽臺面4圓形槽臺面生長二氧化硅膜及清洗處理4涂覆玻璃粉4烘焙玻璃粉4玻璃鈍化4表面腐蝕清洗。S1、將擴散出PN結的硅片根據所需芯片的尺寸規格進行涂膠、前烘、曝光、顯影及堅膜的光刻過程，做好光刻圓狀圖形； S2、按體積比，將硝酸:氫氟酸:冰醋酸=5:3:1配制成混酸腐蝕液，然后將光刻后硅片放入混酸腐蝕液中進行腐蝕，腐蝕出各芯片的PN結臺面溝槽，保持各芯片間連接而不斷離，再進行去膠清洗； S2、配制玻璃漿用溶劑:將乙基纖維素和稀釋劑按lg:1Oml的比例放在燒杯中加熱攪拌溶解，制成玻璃漿用溶劑； S2、配制玻璃漿:將玻璃漿用溶劑和鉛系玻璃粉按3ml: 5g比例倒入茄形瓶中進行攪拌；S3、將攪拌好的玻璃漿滴到腐蝕出溝槽的硅片表面，用不銹鋼勺子在硅片上涂敷，使玻璃漿均勻涂滿溝槽內，再用不銹鋼刮刀將多余的玻璃漿從硅片表面輕輕刮下，隨后將此硅片放入石英舟內； S4、玻璃預燒:推入爐口烘12-18分鐘，推入預燒溫度為420-480°C，推入預燒時間為25-.28分鐘，同時燒去光刻膠層;預燒溫度調到565?575 V，將裝有涂敷好玻璃漿硅片的石英舟放入石英管中預燒，時間為25分鐘；S5、擦拭預燒后硅片:將預燒后的硅片表面的玻璃粉擦拭干凈，且注意溝槽內玻璃漿不要?祭掉；S6、玻璃燒成:對經過表面玻璃粉擦拭的硅片進行玻璃燒成，同時去光刻膠，燒成溫度為830-840°C，燒成時間為12-18分鐘，降溫至500-550°C，時間為30分鐘，自然降溫至200°C以下即可出爐； S7、按照S5到S8的次序再重新操作一遍； S8、將玻璃鈍化后的硅片經清洗、鍍鎳或鍍金合金化后進行劃片，制成硅整流器件的芯片。
【文檔編號】H01L29/06GK106024865SQ201610566729
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年7月19日
【發明人】王志敏
【申請人】如皋市大昌電子有限公司