一種陶瓷電容器用陶瓷基片燒制方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及電子工藝技術領域，具體涉及一種陶瓷電容器用陶瓷基片燒制方法。
【背景技術】
[0002]單層陶瓷電容器具有尺寸小、厚度薄(一般為:0.1?0.3 mm)、等效串聯電阻低、損耗低的優點，應用頻率可達數GHz至數十GHz，適用于小型、微波的場合，可應用于微波集成電路中，起到隔直、RF旁路、濾波、調諧等作用。
[0003]作為單層陶瓷電容器的介質陶瓷基片，是由陶瓷生坯經高溫燒結致密化而成。燒結時生坯發生收縮，線收縮率可達17%?20%。燒結過程中的收縮應力會使基片翹曲，導致后續加工(如電極被覆、二次分割等)無法進行，制造不良率增加。所以有必要研究基片的燒制方法，以獲得平整度高，電氣性能良好的陶瓷基片。

【發明內容】

[0004]本發明旨在提出一種能夠獲得平整度高、電氣性能良好的陶瓷基片的一種陶瓷基片燒制方法。
[0005]本發明的技術方案在于:
一種陶瓷電容器用陶瓷基片燒制方法，包括以下步驟:
步驟1:將陶瓷粉末與粘合劑、溶劑混合配制成陶瓷漿料，將陶瓷漿料流延并烘干得到陶瓷膜片；
步驟2:按設計厚度堆疊陶瓷膜片形成厚膜并用等靜壓將之壓合后按一定尺寸切割得到方形的基片生坯；
步驟3:將基片生坯高溫燒結形成陶瓷基片；
步驟4:在基片上濺射形成電極并將基片二次分割，制得單層陶瓷電容器。
[0006]優選地，所述得到基片生坯的方法為采用數十個基片生坯堆疊燒結的方法得到。
[0007]更優選地，所述基片生坯堆疊燒結的方法為:分別制備多個基片生坯和多個氧化鋯膜，然后將若干個生坯和氧化鋯膜交替地自然堆疊并裝缽于氧化鋯板上進行燒結得到。
[0008]本發明的技術效果在于:
本發明采用基片生坯與氧化鋯膜交替自然堆疊裝缽的疊片燒制方法燒結基片生坯在達到生坯開始收縮的溫度后，按2°C / min的速率緩慢升溫至最高燒結溫度，可制得平整且電性能好的陶瓷基片，制得的陶瓷基片平整度高、電氣性能良好。
【具體實施方式】
[0009]一種陶瓷電容器用陶瓷基片燒制方法，包括以下步驟:
步驟1:將陶瓷粉末與粘合劑、溶劑混合配制成陶瓷漿料，將陶瓷漿料流延并烘干得到陶瓷膜片；
步驟2:按設計厚度堆疊陶瓷膜片形成厚膜并用等靜壓將之壓合后按一定尺寸切割得到方形的基片生坯；
步驟3:將基片生坯高溫燒結形成陶瓷基片；
步驟4:在基片上濺射形成電極并將基片二次分割，制得單層陶瓷電容器。
[0010]當基片生坯厚度很薄時，燒結收縮應力較小，燒結后基片輕微翹曲；而隨著厚度增大，收縮應力隨之增加，使得基片翹曲的趨勢和程度增加。所以要獲得平整的陶瓷基片，需要采用特殊的燒制方法。
[0011]其中，所述得到基片生坯的方法為采用數十個基片生坯堆疊燒結的方法得到。方法為:分別制備多個基片生坯和多個氧化鋯膜，然后將若干個生坯和氧化鋯膜交替地自然堆疊并裝缽于氧化鋯板上進行燒結得到。
[0012]市面上使用的基片生坯的方法為:在堆疊陶瓷膜片的同時插入堆疊氧化鋯膜，達到所需堆疊數量后將其壓合成整體并切割，得到多個由若干個基片生坯與若干氧化鋯膜交替堆疊組成的整坯，再將整坯裝缽于氧化鋯板上燒結；
兩者對比之下，基片生坯與氧化鋯膜經壓合成整體后，兩者緊密粘接，從而燒結時兩者界面處相互融合導致粘片，同時由于氧化鋯的燒結溫度高于基片瓷料的燒結溫度，在基片生坯燒結收縮時氧化鋯膜并未發生明顯收縮，因而抑制了基片生坯的收縮，其坯塊整體的收縮應力為若干個基片生坯收縮力的疊加，產生很大的應力總和，在氧化鋯膜的抑制作用下，最終導致應力的局部猛烈釋放，使基片發生裂片。
[0013]而本發明基片生坯與氧化鋯膜自然堆疊，相互之間沒有粘接，則燒結時各基片生坯能夠自由收縮，收縮應力產生沒有疊加，應力較小，氧化鋯膜也不會對基片生坯的收縮產生抑制，所以得到平整無裂片的基片，且氧化鋯膜容易從基片上分離。
[0014]實驗得到，由本發明提供的方法制得的電容器靜電容量集中，損耗低，絕緣性能好。
【主權項】
1.一種陶瓷電容器用陶瓷基片燒制方法，其特征在于:包括以下步驟: 步驟1:將陶瓷粉末與粘合劑、溶劑混合配制成陶瓷漿料，將陶瓷漿料流延并烘干得到陶瓷膜片； 步驟2:按設計厚度堆疊陶瓷膜片形成厚膜并用等靜壓將之壓合后按一定尺寸切割得到方形的基片生坯； 步驟3:將基片生坯高溫燒結形成陶瓷基片； 步驟4:在基片上濺射形成電極并將基片二次分割，制得單層陶瓷電容器。2.如權利要求1一種陶瓷電容器用陶瓷基片燒制方法，其特征在于:所述得到基片生坯的方法為采用數十個基片生坯堆疊燒結的方法得到。3.如權利要求2—種陶瓷電容器用陶瓷基片燒制方法，其特征在于:所述基片生坯堆疊燒結的方法為:分別制備多個基片生坯和多個氧化鋯膜，然后將若干個生坯和氧化鋯膜交替地自然堆疊并裝缽于氧化鋯板上進行燒結得到。
【專利摘要】本發明涉及電子工藝技術領域，具體涉及一種陶瓷電容器用陶瓷基片燒制方法。一種陶瓷電容器用陶瓷基片燒制方法，包括以下步驟：將陶瓷粉末與粘合劑、溶劑混合配制成陶瓷漿料，將陶瓷漿料流延并烘干得到陶瓷膜片；按設計厚度堆疊陶瓷膜片形成厚膜并用等靜壓將之壓合后按一定尺寸切割得到方形的基片生坯；將基片生坯高溫燒結形成陶瓷基片；在基片上濺射形成電極并將基片二次分割，制得單層陶瓷電容器。本發明采用基片生坯與氧化鋯膜交替自然堆疊裝缽的疊片燒制方法燒結基片生坯在達到生坯開始收縮的溫度后，按2℃／min的速率緩慢升溫至最高燒結溫度，可制得平整且電性能好的陶瓷基片，制得的陶瓷基片平整度高、電氣性能良好。
【IPC分類】H01G4/12, H01G4/30
【公開號】CN105632758
【申請號】CN201410595561
【發明人】王耀斌
【申請人】陜西盛邁石油有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請日】2014年10月30日