記指代，因此將省略對這些元件的描述。
[0101] 參照圖2，本發明的有機發光二極管裝置100包括位于陽極110和陰極220之間的 多個發光部ST1、ST2和ST3,以及位于發光部ST1、ST2和ST3之間的第一電荷發生層160 和第二電荷發生層230。盡管以三個發光部位于陽極110和陰極220之間作為例子圖解和 描述了該示例性實施方式，但本發明并不限于該例子，且可在陽極110和陰極220之間有四 個或更多個發光部。
[0102] 更具體地，第一發光部ST1形成單個發光二極管，并且包括第一發光層140。第一 發光層140可發出紅光、綠光或藍光，且在該不例性實施方式中可為藍色發光層。第一發光 部ST1進一步包括位于陽極110和第一發光層140之間的第一空穴注入層120和第一空穴 傳輸層130。此外，第一發光部ST1進一步包括位于第一發光層140之上的第一電子傳輸層 150。因此，包括第一空穴注入層120、第一空穴傳輸層130、第一發光層140和第一電子傳 輸層150的第一發光部ST1位于陽極110上。
[0103] 第一電荷發生層160位于第一發光部ST1上。第一電荷發生層160是通過將N-型 電荷發生層160N與P-型電荷發生層160P結合而形成的PN-結電荷發生層。第一電荷發 生層160產生電荷（即，電子和空穴）或將電荷分別地注入到發光層中。N-型電荷發生層 160N包括摻質和至少兩種基質，并且具有多種能級。這些能級作為傳輸路徑，電子通過該 傳輸路徑從P-型電荷發生層160P注入到N-型電荷發生層160N中，降低了 P-型電荷發生 層160P與N-型電荷發生層160N之間的能皇。因此，電子可更快地移動到第一發光層140 中，從而提高了有機發光二極管裝置的電子注入能力并降低了驅動電壓。P-型電荷發生層 160P與第一示例性實施方式具有相同的組成。
[0104] 同時，包括第二發光層190的第二發光部ST2位于第一電荷發生層160之上。第 二發光層190可發出紅光、綠光或藍光。在該示例性實施方式中，第二發光層190可以是例 如黃色發光層。黃色發光層190可以是黃綠色發光層或具有黃綠色發光層和綠色發光層的 多層結構。第二發光部ST2進一步包括位于第一電荷發生層160和第二發光層190之間的 第二空穴注入層170和第二空穴傳輸層180,并且還進一步包括位于第二發光層190之上 的第二電子傳輸層200。因此，包括第二空穴注入層170、第二空穴傳輸層180、第二發光層 190和第二電子傳輸層200的第二發光部ST2位于第一電荷發生層160上。
[0105] 第二電荷發生層230位于第二發光部ST2上。第二電荷發生層230是通過將N-型 電荷發生層230N與P-型電荷發生層230P結合而形成的PN-結電荷發生層。第二電荷發 生層230產生電荷（即，電子和空穴）或將電荷分別地注入到發光層中。N-型電荷發生層 230N具有與第一電荷發生層160的N-型電荷發生層160N相同的組成，因此將省略對N-型 電荷發生層230N的描述。P-型電荷發生層230P同樣具有與第一電荷發生層160的P-型 電荷發生層160P相同的組成。
[0106] 同時，包括第三發光層250的第三發光部ST3位于第二電荷發生層230上。第三 發光層250可發出紅光、綠光或藍光。在該不例性實施方式中，第三發光層250可以例如是 藍色發光層。藍色發光層包括藍色發光層、深藍色發光層或天藍色發光層。第三發光部ST3 進一步包括位于第二電荷發生層230和第三發光層250之間的第三空穴傳輸層240,并且還 進一步包括位于第三發光層250之上的第三電子傳輸層260和電子注入層210。因此，包括 第三空穴傳輸層240、第三發光層250、第三電子傳輸層260和電子注入層210的第三發光 部ST3形成于第二電荷發生層230上。陰極220位于第三發光部ST3上，從而完成根據本 發明的第二示例性實施方式的有機發光二極管裝置。
[0107] N-型電荷發生層160N和230N各包括摻質和至少兩種基質，并且具有多種能級。 這些能級作為傳輸路徑，電子通過該傳輸路徑從P-型電荷發生層160P和230P注入到N-型 電荷發生層160N和230N中，從而降低了 P-型電荷發生層160P和230P與N-型電荷發生 層160N和230N之間的能皇。因此，電子可更快地移動到第一發光層140或第二發光層190 中，從而提高了有機發光二極管裝置的電子注入能力并降低了驅動電壓。此外，第一發光層 140或第二發光層190可具有更高的效率，從而將提高的效率傳遞到有機發光二極管裝置。
[0108] 已經以一個實例圖解和描述了上述圖2的有機發光二極管裝置，在該實例中， N-型電荷發生層160N和230N各包括摻質和至少兩種基質的混合物，并且兩種基質至少之 一由芘化合物制成。然而，本發明并不局限于該實例，且只有第一和第二電荷發生層至少之 一的N-型電荷發生層可包括摻質和至少兩種基質的混合物，并且這些基質至少之一可由 芘化合物形成。所述至少兩種基質可被稱為混合基質。
[0109] 圖3是根據本發明的第一示例性實施方式的有機發光二極管裝置的能帶圖。
[0110] 參照圖3,根據本發明示例性實施方式的具有上述組成的有機發光二極管裝置包 括其中混合有第一基質、第二基質和摻質的N-型電荷發生層N-CGL。由此，N-型電荷發生 層N-CGL具有由第一基質產生的能級（1)、由第二基質產生的能級（2)和由摻質產生的能級 (3)。因此，N-型電荷發生層N-CGL中的各種能級能夠擴展注入電子的傳輸路徑，并且降低 了電子的能皇，從而促進電子注入。
[0111] 此外，N-型電荷發生層中的至少兩種基質促進電子傳輸或電子注入。因此，能夠 將更多的電子注入到電子傳輸層中，從而與從陰極注入的大量空穴產生平衡。
[0112] 此外，N-型電荷發生層中的至少兩種基質能夠降低電子的能皇，從而降低了裝置 的驅動電壓。
[0113] 另外，在各種能級下平滑地注入的電子可實現電荷平衡。這有助于效率優化，并且 減小了與在高電流范圍內發光效率降低有關的衰減（roll-off)。
[0114] 另外，N-型電荷發生層中的至少兩種基質之一是由芘電荷產生化合物形成。因此， 利用所述至少兩種基質可產生各種能級。并且這些能級作為電子注入路徑，使得電子注入 更快。此外，作為至少兩種基質之一的芘化合物的取代基位于不與芘的平面平行的位置處， 這使得芘化合物與N-型電荷發生層中的摻質牢固地結合。因此，能夠更容易進行電子注入 或電子傳輸，并且能夠使鄰近于N-型電荷發生層N-CGL的界面處的電子或空穴的隧道效應 最大化。
[0115] 此外，所述至少兩種基質通過與堿金屬（即，在N-型電荷發生層N-CGL中包括的 摻質）共沉積而產生各種能級，從而使鄰近于N-型電荷發生層N-CGL的界面處的電子或空 穴的隧道效應最大化。因此，能夠提高發光層的效率，并且所述有機發光二極管裝置能夠實 現較高的發光效率和較低的驅動電壓。
[0116] 下文中，將披露用于制造根據本發明的包括芘化合物的有機發光二極管裝置的示 例性實施方式。以下電荷發生層的厚度、形成條件等不限制本發明的范圍。
[0117] 試驗1 :具有藍色發光部和黃色發光部的有機發光二極管裝置
[0118] 〈比較例1>
[0119] 通過以下步驟來制造有機發光二極管裝置：在基板上形成包括藍色發光層的第一 發光部、包括黃色發光層的第二發光部、P-型電荷發生層和N-型電荷發生層，接著形成陰 極。通過用2 %的Li摻雜鄰二氮雜菲化合物基質，將N-型電荷發生層制成具有1備▲的厚 度。黃色發光層包括黃綠色發光層。
[0120] 〈示例性實施方式1 >
[0121] 除N-型電荷發生層的基質由NC-20化合物和鄰二氮雜菲化合物形成并且摻雜有 2%的Li作為摻質之外，使用與上述比較例1相同的組成來制造有機發光二極管裝置。測量 了根據比較例1和示例性實施方式1制造的有機發光二極管裝置的驅動電壓、發光效率和 量子效率，在下表1中示出。此外，測量了相對于驅動電壓的電流密度并且在圖4中示出， 測量了發射光譜并且在圖5中示出，測量了相對于亮度的量子效率并且在圖6中示出。（在 這種情形下，以lOmA/cm 2驅動所述裝置）
[0122] [表 1]
[0123]
[0124] _如表1和圖4所示，觀察到根據本發明的示例性實施方·式1的驅動電壓比比較例1 低0. 3V。此外，如表1所示，觀察到示