無結場效應管及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體制造領域，具體涉及一種無結場效應管及其制作方法。
【背景技術】
[0002]金屬-氧化層半導體場效晶體管(MetalOxide Semiconductor Field EffectTransistor, MOSFET)中除了包含源漏區、柵極之外，在源漏區之間的溝道區中還存在諸如PN結、異質結等的溝道結(junct1n)。
[0003]隨著的MOSFET的特征尺寸逐漸減小，越來越多的問題開始逐漸顯現。例如，隨著MOSFET的尺寸減小，MOSFET在工作時的漏電程度增加。
[0004]另外，為了進一步提高MOSFET的性能，盡量地減小源漏區之間的電阻也是較為關鍵的問題之一。一般來說，減小柵極的尺寸或者是調整源漏區的摻雜程度可以在一定程度上減小源漏區之間的電阻。但是隨著特征尺寸的減小，摻雜工藝的難度增加，隨著摻雜工藝難度的增加，通過摻雜來減小源漏區之間的電阻變得較為困難，而減小柵極的尺寸意味著溝道區的尺寸也相應的變小，這可能加劇MOSFET的短溝道效應。
[0005]另外，由于現有技術中的MOSFET的源漏區均為摻雜的半導體材料，在后續形成與源漏區相連的導電插塞時，導電插塞(通常為金屬材料)與源漏區之間存在著較大的接觸電阻。
[0006]晶體管漏電、源漏區之間的電阻較大、導電插塞與源漏區之間接觸電阻較大等問題影響了晶體管的性能。

【發明內容】

[0007]本發明解決的問題是提供一種無結場效應管及其制作方法，以優化場效應管的性倉泛。
[0008]為了解決上述問題，本發明提供一種無結場效應管的制作方法，包括:
[0009]提供襯底，所述襯底具有第一區域以及第二區域；
[0010]對所述第一區域的襯底進行第一摻雜以形成第一摻雜區，對所述第二區域的襯底進行第二摻雜以形成第二摻雜區，所述第一摻雜與所述第二摻雜的摻雜類型不同；
[0011]在襯底上形成第一柵極結構以及第二柵極結構，所述第一柵極結構與所述第一摻雜區的位置相對應，且所述第二柵極結構與所述第二摻雜區的位置相對應；
[0012]去除位于所述第一柵極結構以及第二柵極結構之間的部分襯底以形成第一開口，并分別去除第一柵極結構遠離第二柵極結構一側的部分襯底以及第二柵極結構遠離第一柵極結構一側的部分襯底以形成第二開口；
[0013]在所述第一開口以及第二開口中形成金屬層；
[0014]對所述金屬層以及襯底進行退火處理，使第一開口中的金屬層與第一開口處的部分襯底形成含有金屬的共源區，并使第二開口中的金屬層與第二開口處的部分襯底形成含有金屬的漏區；或者，
[0015]對所述金屬層以及襯底進行退火處理，使第一開口中的金屬層與第一開口處的部分襯底形成含有金屬的共漏區，并使第二開口中的金屬層與第二開口處的部分襯底形成含有金屬的源區。
[0016]可選的，在第一開口以及第二開口中形成金屬層的步驟包括:形成鋁、鎢、銅、鎳、銀、金、鈦、氮化鈦或碳化鉭材料的金屬層。
[0017]可選的，提供襯底的步驟包括:提供硅襯底；
[0018]進行退火處理的步驟包括:形成金屬硅化物的共源區以及漏區；或者，形成金屬硅化物的共漏區以及源區。
[0019]可選的，進行退火處理的步驟包括:形成全硅化物的共源區以及漏區，或者，形成全硅化物的共漏區以及源區。
[0020]可選的，提供襯底的步驟包括:
[0021]提供基底；
[0022]在所述基底上形成埋氧層；
[0023]在所述埋氧層上形成半導體層；
[0024]去除部分所述半導體層，以形成鰭；
[0025]形成第一摻雜區以及第二摻雜區的步驟包括:在所述鰭中分別形成所述第一摻雜區以及第二摻雜區；
[0026]形成第一柵極結構以及第二柵極結構的步驟包括:形成橫跨所述鰭的第一摻雜區的第一柵極結構，并使第一柵極結構覆蓋所述鰭的側壁與頂部；形成橫跨所述鰭的第二摻雜區的第二柵極結構，并使第二柵極結構覆蓋所述鰭的側壁與頂部；
[0027]形成第一開口以及第二開口的步驟包括:去除位于所述第一柵極結構以及第二柵極結構之間的鰭以形成第一開口，并分別去除第一柵極結構遠離第二柵極結構一側的鰭以及第二柵極結構遠離第一柵極結構一側的鰭以形成第二開口，所述第一開口以及第二開口露出所述埋氧層。
[0028]可選的，提供基底的步驟包括:提供5圭基底；
[0029]形成埋氧層的步驟包括:形成氧化硅埋氧層。
[0030]可選的，形成半導體層的步驟包括:形成硅或者鍺材料的半導體層。
[0031]可選的，去除部分半導體層以形成鰭的步驟包括:使形成的鰭的厚度在10?100納米的范圍內。
[0032]可選的，在所述埋氧層上形成鰭的步驟包括:形成截面為三角形、矩形或者圓形的鰭。
[0033]可選的，形成第一摻雜區以及第二摻雜區的步驟包括:使第一摻雜區以及第二摻雜區的摻雜濃度從襯底表面到襯底中心逐漸減小。
[0034]可選的，形成第一摻雜區以及第二摻雜區的步驟包括:形成砷摻雜的第一摻雜區以及硼摻雜的第二摻雜區。
[0035]可選的，形成第一摻雜區以及第二摻雜區的步驟包括:
[0036]使砷的摻雜能量在5?40千電子伏的范圍內，且摻雜劑量在I X 116?5X 116每平方厘米的范圍內；
[0037]使硼的摻雜能量在I?10千電子伏的范圍內，且摻雜劑量在I X 116?5X 116每平方厘米的范圍內。
[0038]可選的，在進行退火處理的步驟之后，所述制作方法還包括:
[0039]在所述共源區以及漏區上形成導電插塞；或者，
[0040]在所述共漏區以及源區上形成導電插塞。
[0041]可選的，在進行退火處理的步驟之后，形成導電插塞的步驟之前，還包括:
[0042]采用包括雙氧水與硫酸的混合溶液對所述共源區以及漏區進行清洗的步驟，或者，
[0043]采用包括雙氧水與硫酸的混合溶液對所述共漏區以及源區進行清洗的步驟。
[0044]此外，本發明還提供一種無結場效應管，包括:
[0045]襯底，所述襯底具有第一區域以及第二區域；
[0046]位于第一區域襯底中的第一摻雜區以及位于第二區域襯底中的第二摻雜區，所述第一摻雜區與所述第二摻雜區的摻雜類型不同；
[0047]位于第一摻雜區襯底上的第一柵極結構以及位于所述第二摻雜區襯底上的第二柵極結構；
[0048]所述第一柵極結構以及第二柵極結構之間的襯底中形成有含有金屬的第一材料層，用作共漏區；所述第一柵極結構遠離第二柵極結構的一側以及第二柵極結構遠離第一柵極結構的一側的襯底中形成有含有金屬的第二材料層，用作源區；
[0049]或者，所述第一柵極結構以及第二柵極結構之間的襯底中形成有含有金屬的第一材料層，用作共源區；所述第一柵極結構遠離第二柵極結構的一側以及第二柵極結構遠離第一柵極結構的一側的襯底中形成有含有金屬的第二材料層，用作漏區。
[0050]可選的，所述襯底包括:
[0051]基底；
[0052]形成于所述基底上的埋氧層；
[0053]形成于所述埋氧層上的第一鰭和第二鰭，第一鰭與第二鰭分別摻雜不同摻雜類型的離子；
[0054]所述第一柵極結構橫跨所述第一鰭，且覆蓋所述第一鰭的側壁與頂部，所述第二柵極結構橫跨所述第二鰭，且覆蓋所述第二鰭的側壁與頂部；
[0055]所述第一材料層位于所述第一鰭和第二鰭之間，所述第二材料層位于所述第一鰭遠離所述第一材料層的一側以及所述第二鰭遠離所述第一材料層的一側。
[0056]可選的,所述第一材料層以及第二材料層的材料為金屬娃化物。
[0057]可選的，所述第一材料層以及第二材料層的材料為全硅化物。
[0058]可選的，所述鰭的截面為三角形、矩形或者圓形。
[0059]可選的，所述第一摻雜區以及第二摻雜區的摻雜濃度從襯底表面到襯底中心逐漸減小。
[0060]與現有技術相比，本發明的技術方案具有以下優點:
[0061]去除位于所述第一柵極以及第二柵極結構之間的部分襯底以形成第一開口，并分別去除第一柵極結構遠離第二柵極結構一側的部分襯底以及第二柵極結構遠離第一柵極結構一側的部分襯底以形成第二開口，并在所述第一開口以及第二開口中形成金屬層；然后對所述金屬層以及襯底進行退火處理，使第一開口中的金屬層與第一開口處的襯底形成含有金屬的共源區或者共